DE10308890A1 - Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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Abstract

Eine Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode (10) verfügt über einen isolierenden Träger (30), der mit einer Vertiefung (31) oder einem Durchgangsloch versehen ist. Die Vertiefung oder das Durchgangsloch verfügen über ausreichende Tiefe zum vollständigen Aufnehmen der Lichtemissionsdiode. Sie können über zwei Stufenabschnitte verfügen, die zwei mittlere Mesaebenen bilden. Auf den zwei mittleren Mesaebenen sind zwei planare Metallschichten gesondert vorhanden, die mit zwei Metall-Kontaktflecken (35a, 35b) verbunden sind, die außerhalb der Vertiefung oder des Durchgangslochs angeordnet sind. Zwei Drähte (36a, 36b) verbinden zwei Elektroden der Lichtemissionsdiode mit den zwei planaren Metallschichten. Ein Harz (37) füllt die Vertiefung oder das Durchgangsloch auf, um die Lichtemissionsdiode und die zwei Drähte dicht einzuschließen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode.
  • Für kommerzielle und industrielle Anwendungen bilden Lichtemissionsdioden Lichtquellen mit höherem Wirkungsgrad und geringeren Kosten als denen von Glühlampen und Leuchtstoffröhren. In den letzten Jahren wurde eine Anzahl von Gehäusestrukturen und von Verfahren für Lichtemissionsdioden entwickelt, wie eine Gehäusestruktur zur Oberflächenmontage und eine solche vom Flipchiptyp.
  • Die 1 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel einer herkömmlichen Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode zeigt. Gemäß der 1 ist eine Lichtemissionsdiode 10 auf Flipchipweise auf einem Gehäuseträger 20 montiert. Die Lichtemissionsdiode 10 verfügt über ein Substrat 11, eine auf diesem hergestellte Halbleiterschicht 12 von erstem Lei tungstyp und eine auf dieser hergestellten Halbleiterschicht von zweitem Leitungstyp. Außerdem ist auf einem vorbestimmten Bereich der Halbleiterschicht vom ersten Leitungstyp eine erste Elektrode 14 ausgebildet, während auf einem vorbestimmten Bereich der Halbleiterschicht 13 vom zweiten Leitungstyp eine zweite Elektrode 15 ausgebildet ist. Da das Herstellverfahren und der Betrieb der Lichtemissionsdiode 10 gut bekannt sind, werden sie der Einfachheit halber weggelassen.
  • Bei der herkömmlichen Gehäusestruktur der 1 werden auf der ersten und der zweiten Elektrode 14 und 15 zwei Lötmetallkugeln 16 bzw. 17 hergestellt. Anschließend werden die zwei Lötmetallkugeln mit einem ersten Kontaktfleck 21 bzw. einem zweiten Kontaktfleck 22, die auf dem Gehäuseträger 20 ausgebildet sind, ausgerichtet und mit diesen verbunden. Abschließend dichtet ein transparentes Harz 18 die Lichtemissionsdiode 10 ab, um die Gehäuseherstellung für die herkömmliche Lichtemissionsdiode abzuschließen. Wenn an die Lichtemissionsdiode 10 eine Versorgungsspannung über den ersten und den zweiten Kontaktfleck 21 und 22 angelegt wird, strahlt die Lichtemissionsdiode 10 durch das Substrat 11 und das transparente Harz 18 Licht in den Außenraum ab, wie es durch einen Pfeil in der 1 dargestellt ist.
  • Die herkömmliche Gehäusestruktur der 1 zeigt die folgenden Nachteile. Erstens können die Lötmetallkugeln 16 und 17 miteinander in Kontakt treten, was zu einem Kurzschluss zwischen der ersten und zweiten Elektrode 14 und 15 führt. Darüber hinaus ist es während des Montierens der Lichtemissionsdiode 10 auf dem Gehäuseträger 20 auf Flipchipweise erforderlich, dass die Lötmetallkugeln 16 und 17 genau mit dem ersten und zweiten Kontaktfleck 21 und 22 ausgerichtet werden, was zu schwierigerer Herstellung und höheren Herstellkosten führt.
  • Außerdem ist es wünschenswert, eine Gehäusestruktur mit besserem Wirkungsgrad für die Lichtemissionsdiode als bei der herkömmlichen Gehäusestruktur der 1 zu schaffen. Dadurch soll während des Betriebs erzeugte Wärme verringert werden, um dadurch die Lebensdauer und die Zuverlässigkeit der Lichtemissionsdiode zu verbessern.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode zu schaffen, die durch einen relativ einfachen Prozess hergestellt werden kann, um die Herstellausbeute zu verbessern und damit die Herstellkosten zu senken.
  • Diese Aufgabe ist durch die Gehäusestrukturen gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüchen 1, 12, 22 und 37 gelöst.
  • Durch die erfindungsgemäßen Gehäusestrukturen wird ein besserer Wirkungsgrad für die Lichtemissionsdioden erzielt, wodurch die während des Betriebs erzeugte Wärme verringert wird und damit die Lebensdauer und die Zuverlässigkeit der Lichtemissionsdioden verbessert werden.
  • Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung und die beigefügten Zeichnungen besser ersichtlich.
  • 1 ist eine Schnittansicht, die ein Beispiel einer herkömmlichen Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode zeigt;
  • 2(a) ist eine Draufsicht, die einen transparenten, isolierenden Träger gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2(b) ist eine Schnittansicht, die eine Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode entlang einer Linie A-A' in der 2(a) gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 3(b) ist eine Schnittansicht, die eine Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode entlang einer Linie B-B' in der 3(a) gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt; und
  • 4 bis 7 sind Schnittansichten, die jeweils eine Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode gemäß einer dritten bis siebten Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Nun werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
  • Gemäß der 2(a) ist ein transparenter, isolierender Träger 30 ungefähr in seinem zentralen Bereich mit einer Vertiefung 31 versehen. Die Vertiefung 31 verfügt über eine Bodenfläche 32 und zwei Seitenwände 33a und 33b. Dieser Träger 30 besteht z. B. aus Glas. In einem anderen Bereich als dem mit der Vertiefung 31 sind auf der Oberseite des Trägers 30 zwei planare Metallschichten 34a und 34b, die voneinander getrennt sind, ausgebildet. Außerdem sind auf den planaren Metallschichten 34a und 34b zwei Metall-Kontaktflecke 35a und 35b so ausgebildet, dass sie in Umfangsbereichen des Trägers 30 liegen.
  • Gemäß der 2(b) wird eine Lichtemissionsdiode 10 so in die Vertiefung 31 eingesetzt, dass das Substrat 11 derselben auf der Bodenfläche 32 der Vertiefung 31 liegt. Das Substrat 11 der Lichtemissionsdiode 10 wird z. B. unter Verwendung eines transparenten Klebers auf der Bodenfläche 32 fixiert, um dadurch die darauf folgenden Prozesse zu erleichtern. Es ist zu beachten, dass bei der Erfindung keine Beschränkung auf einen speziellen Materialtyp und eine spezielle Struktur, wie in der Zeichnung dargestellt, für die Lichtemissionsdiode 10 besteht, sondern dass diese aus geeigneten Materialien bestehen kann und beliebige Strukturen aufweisen kann. Zum Beispiel kann das Material der Lichtemissionsdiode 10 ein solches auf AlGaInP-, auf AlGaInN-, auf InGaN-, auf AlGaAs-, auf SiC-Basis oder dergleichen sein. Die Lichtemissionsdiode 10 kann eine solche Konfiguration aufweisen, dass die zwei Elektroden auf derselben Seite angeordnet sind und das Substrat transparent ist. Darüber hinaus kann die Lichtemissionsdiode 10 so konzipiert sein, dass sie Licht durch ihre Vorder- oder ihre Rückseite emittiert. Die Lichtemissionsdiode 10 kann ferner über eine Reflexionsschicht und eine transparente leitende Schicht verfügen.
  • Die Vertiefung 31 bei der vorliegenden Ausführungsform verfügt über ausreichende Tiefe, um die Lichtemissionsdiode 10 in ihrem Inneren vollständig aufzunehmen und um zu verhindern, dass sie über die Öffnung der Vertiefung hinausragt. Außerdem kann die Vertiefung 31 eine kleinere Tiefe als eine solche von z. B. 10 mm aufweisen. Ein Draht 36a verbindet die erste Elektrode 14 und die planare Metallschicht 34a, während ein Draht 36b die zweite Elektrode 15 und die planare Metallschicht 34b verbindet. Ein Harz 37 füllt die Aussparung 31 auf und bedeckt Abschnitte der Drähte 36a und 36b, wie sie über der Vertiefung 31 auftreten, um die Lichtemissionsdiode 10 und die Drähte 36a und 36b innerhalb des Harzes 37 abzudichten. Zum Beispiel kann das Harz 37 ein Epoxidharz sein. In das Harz 37 kann ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit gegeben sein, um das Wärmeableitvermögen der Gehäusestruktur zu verbessern. Auch kann ein Material mit hohem Reflexionsvermögen in das Harz 37 gegeben sein, um dafür zu sorgen, dass ein Teil des von der Lichtemissionsdiode 10 zum Harz 37 hin erzeugten Lichts reflektiert wird, um dadurch den Lichtwirkungsgrad zu verbessern. Außerdem kann, um den Lichtwirkungsgrad weiter zu verbessern, eine Reflexionsschicht (nicht dargestellt) auf das Harz 37 aufgetragen sein, um dafür zu sorgen, dass von der Lichtemissionsdiode 10 erzeugtes Licht zur Bodenfläche 32 reflektiert wird.
  • Wenn durch die vorstehenden Metall-Kontaktflecke 35a und 35b eine Versorgungsspannung an die Lichtemissionsdiode 10 angelegt wird, strahlt diese Licht durch das Substrat 11 und den transparenten Träger 30 nach außen ab, wie es durch einen Pfeil in der 2(b) dargestellt ist. Im Vergleich mit der herkömmlichen, in der 1 dargestellten Gehäusestruktur ist die Gehäusestruktur der vorliegenden Ausführungsform eine solche, bei der die Lichtemissionsdiode durch einen relativ einfachen Prozess eingeschlossen wird, ohne dass genaue Ausrichtungsvorgänge erforderlich sind, wodurch die Herstellausbeute verbessert wird und die Herstellkosten gesenkt werden.
  • Nachfolgend werden Unterschiede der in den 3(a) und 3(b) dargestellten Ausführungsformen gegenüber der ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Gemäß den genannten 3(a) und 3(b) unterscheidet sich diese zweite Ausführungsform von der ersten dadurch, dass die Vertiefung 31 mit zwei Stufenabschnitten ausgebildet ist. Genauer gesagt, bilden eine untere Seitenwand 43a, eine mittlere Mesaebene 44a und eine obere Seitenwand 45a einen Stufenabschnitt, während eine untere Seitenwand 43b, eine mittlere Mesaebene 44b und eine obere Seitenwand 45b einen anderen Stufenabschnitt bilden. Darüber hinaus ist eine planare Metallschicht 46a sowohl auf der mittleren Mesaebene 44a als auch der oberen Seitenwand 45a ausgebildet, während eine Planare Metallschicht 46b sowohl auf der mittleren Me saebene 45b als auch der oberen Seitenwand 45b ausgebildet ist. Auf der Oberseite des transparenten Trägers 30 sind in einem anderen Bereich als dem der Vertiefung 31 zwei Metall-Kontaktflecke 47a und 47b getrennt voneinander ausgebildet. Der Metall-Kontaktfleck 47a ist mit der planaren Metallschicht 46a verbunden, während der Metall-Kontaktfleck 47b mit der planaren Metallschicht 46b verbunden ist.
  • Die Lichtemissionsdiode 10 wird so in die Vertiefung 41 eingesetzt, dass ihr Substrat 11 durch die Bodenfläche 42 der Vertiefung 41 gehalten wird. Ein Draht 48a verbindet die erste Elektrode 14 und einen Abschnitt der planaren Metallschicht 46a, der auf der mittleren Mesaebene 44a liegt, während ein Draht 48b die zweite Elektrode 15 und einen Abschnitt der planaren Metallschicht 46b verbindet, der auf der mittleren Mesaebene 44b liegt. Bei einem solchen Design der Vertiefung 41 mit zwei Stufenabschnitten werden die Drähte 48a und 48b vollständig innerhalb der Vertiefung 41 aufgenommen. Schließlich füllt ein Harz 49 die Vertiefung 41 auf, um die Lichtemissionsdiode 10 und die Drähte 48a und 48b dicht einzuschließen. Für das Material des Harzes, für Zusätze zu diesem und für eine mögliche Reflexionsschicht gilt dasselbe, wie es oben zur ersten Ausführungsform ausgeführt wurde.
  • Aus einem Vergleich der 2(b) und 3(b) ist es ersichtlich, dass die Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode gemäß der zweiten Ausführungsform kleiner als die erste Ausführungsform ist, da die Drähte 48a und 48b vollständig innerhalb der Vertiefung 41 aufgenommen sind.
  • Nachfolgend werden anhand der 4 Unterschiede der dritten Ausführungsform gegenüber der ersten erläutert.
  • Bei der dritten Ausführungsform ist der isolierende Träger 50 nicht notwendigerweise transparent, und ungefähr im zentralen Bereich des isolierenden Trägers 50 ist ein Durchgangsloch 51 anstelle einer Vertiefung ausgebildet. Das Durchgangsloch 51 durchdringt den isolierenden Träger 50, um eine untere Öffnung 52a und eine obere Öffnung 52b zu bilden. Es ist zu beachten, dass für die Erfindung keine Beschränkung auf die in der 4 dargestellte Konfiguration besteht, sondern dass der Durchmesser der unteren Öffnung 52a größer als der der oberen Öffnung 52b, oder gleich groß, sein kann.
  • Unter der Bedingung, dass die untere Öffnung 52a zeitweilig verschlossen wird, wird ein transparentes Harz 52a durch die obere Öffnung 52b in das Durchgangsloch 51 eingebracht, um es teilweise aufzufüllen. Anschließend wird die Lichtemissionsdiode 10 von der oberen Öffnung 52b her so in das Durchgangsloch 51 eingesetzt, dass die Lichtemissionsdiode 10 durch das transparente Harz 53a gehalten wird. Nachdem das transparente Harz 53a durch einen Brennprozess ausgehärtet wurde, ist die Lichtemissionsdiode 10 durch dieses im Durchgangsloch 51 fixiert. Abschließend wird ein Verdrahtungsprozess ausgeführt, und dann wird ein transparentes Harz 53b in das Durchgangsloch 51 eingefüllt, das diejenigen Abschnitte der Drähte 36a und 36b bedeckt, die über dem Durchgangsloch 51 liegen, um die gesamte Lichtemissionsdiode 10 und die Drähte 36a und 36b dicht einzuschließen.
  • Wenn mittels der vorstehenden Metall-Kontaktflecke 35a und 35b eine Versorgungsspannung an die Lichtemissionsdiode 10 angelegt wird, strahlt diese durch das Substrat 11 und das transparente Harz 53a Licht nach außen ab, wie es durch einen Pfeil in der 4 dargestellt ist. Da es nicht erforderlich ist, dass das Licht durch den isolierenden Träger 50 in den Außenraum strahlt, besteht für den isolierenden Träger 50 bei der dritten Ausführungsform keine Beschränkung auf ein transparentes Material wie Glas, sondern er kann aus Keramik, AlN, SiC, Kunststoff, Harz, einer gedruckten Leiterplatte oder einer Kombination hiervon bestehen. Außerdem kann der isolierende Träger 50 eine Kombination mehrerer Elemente sein, wie ein Körper mit einem Metallkern, der mit einem Außenfilm aus einem isolierenden Material beschichtet ist.
  • Anhand der 5 werden nun Unterschiede der vierten gegenüber der zweiten Ausführungsform beschrieben. Bei der vierten Ausführungsform ist der isolierende Träger 60 nicht notwendigerweise transparent, und ungefähr im zentralen Bereich des isolierenden Trägers 60 ist ein Durchgangsloch 61 ausgebildet. Dieses Durchgangsloch 61 durchdringt den isolierenden Träger, um eine untere Öffnung 62a und eine obere Öffnung 62b zu bilden. Es ist zu beachten, dass für die Erfindung keine Beschränkung auf die in der 5 dargestellte Konfiguration besteht, sondern dass der Durchmesser der unteren Öffnung 62a größer als der der oberen Öffnung 62b oder gleich groß oder kleiner sein kann.
  • Wie die Vertiefung 41 der zweiten Ausführungsform so ist auch das Durchgangsloch 61 der vierten Ausführungsform mit zwei Stufenabschnitten versehen. Durch ein Herstellverfahren ähnlich dem bei der dritten Ausführungsform wird das Substrat 11 der Lichtemissionsdiode 10 durch ein transparentes Harz 63a gehalten, und dann wird mit einem transparenten Harz 63b das Durchgangsloch 61a aufgefüllt, so dass es die Drähte 48a und 48b bedeckt und sowohl die Lichtemissionsdiode 10 als auch diese Drähte dicht einschließt. Für das Material des isolierenden Trägers 60 gilt dasjenige, was bei der dritten Ausführungsform zum Material des isolierenden Trägers 50 ausgeführt wurde.
  • Aus einem Vergleich der 4 und 5 ist es erkennbar, dass die Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode gemäß der vierten Ausführungsform kleiner als die gemäß der dritten Ausführungsform ist, da die Drähte 48a und 48b vollständig innerhalb des Durchgangslochs 61 untergebracht sind.
  • Anhand der 6 werden nun Unterschiede einer fünften Ausführungsform gegenüber der dritten beschrieben.
  • Bei der fünften Ausführungsform werden ein unterer Harzabschnitt 73a und ein oberer Harzabschnitt 73b dazu verwendet, die Lichtemissionsdiode 10 und die Drähte 36a und 36b dicht einzuschließen. Der untere Harzabschnitt 73a besteht aus einem transparenten Material, und er dient als Lichttransmissionskanal. Vorzugsweise besteht der untere Harzabschnitt 73a aus einem Material mit einem Brechungsindex, der zum Brechungsindex des Substrats 11 in solcher Weise passt, dass die Totalreflexion zwischen dem Substrat 11 und dem unteren Harzabschnitt 73a verringert ist. Der obere Harzabschnitt 73b kann aus einem reflektierenden Material oder einem mit einem solchen dotierten Harz bestehen, und er dient zum Reflektieren von Licht zum unteren Harzabschnitt 73a. Außerdem kann, um den Lichtwirkungsgrad weiter zu verbessern, eine Reflexionsschicht (nicht dargestellt) auf dem oberen Harzabschnitt 73b aufgetragen sein, um dafür zu sorgen, dass von der Lichtemissionsdiode 10 erzeugtes Licht zur unteren Öffnung 52a reflektiert wird. Darüber hinaus kann an der unteren Öffnung 52a des Durchgangslochs 51 eine optische Linse 74 angebracht sein, um das Licht zu kontrollieren, das aus der Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode nach außen gestrahlt wird.
  • Anhand der 7 werden nun Unterschiede einer sechsten Ausführungsform gegenüber der vierten erläutert.
  • Bei der sechsten Ausführungsform werden ein unterer Harzab schnitt 83a und ein oberer Harzabschnitt 83b dazu verwendet, sowohl die Lichtemissionsdiode 10 als auch die Drähte 48a und 48b dicht einzuschließen. Der untere Harzabschnitt 83a besteht aus einem transparenten Material, und er dient als Lichttransmissionskanal. Vorzugsweise besteht der untere Harzabschnitt 83a aus einem Material mit einem Brechungsindex, der auf solche Weise zu dem des Substrats 11 passt, dass Totalreflexion zwischen dem Substrat 11 und dem unteren Harzabschnitt 83a verringert ist. Der obere Harzabschnitt 83b kann aus einem reflektierenden Material oder einem mit einem solchen dotierten Harz bestehen, und er dient zum Reflektieren von Licht zum unteren Harzabschnitt 83a. Außerdem kann der untere Harzabschnitt 83a mit einem fluoreszierenden Material wie einem Leuchtstoff dotiert sein, oder es kann eine Fluoreszenzschicht 84 auf die untere Öffnung 62a des Durchgangslochs 61 aufgetragen sein. Abhängig von der Porosität des Fluoreszenzmaterials und die Dicke der Fluoreszenzschicht 84 ist die Wellenlänge des aus der Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode nach außen gestrahlten Lichts verändert, um Licht mit gewünschter Farbe zu erzeugen.
  • Die beschriebenen Ausführungsformen können auf verschiedene Arten modifiziert werden. Zum Beispiel besteht für den isolierenden Träger, die Vertiefung sowie die obere und die untere Öffnung des Durchgangslochs keine Beschränkung auf eine Rechteckform in der Draufsicht, sondern sie können beliebige Formen einnehmen, wie Kreise, Ellipsen oder Vielecke.

Claims (50)

  1. Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode mit einem Substrat und zwei Elektroden, mit: – einem transparenten, isolierenden Träger (30) mit einer Vertiefung (31) mit einer Bodenfläche (32) zum Halten des Substrats (11), wobei die Tiefe der Vertiefung ausreichend groß ist, um die Lichtemissionsdiode (10) aufzunehmen; – mindestens einer planaren Metallschicht (34a, 34b), die in einem anderen Bereich als dem der Vertiefung auf der Oberseite des Trägers ausgebildet ist; – mindestens einem Draht (36a, 36b) zum Verbinden der mindestens einen planaren Metallschicht mit jeweils einer der zwei Elektroden; und – einem Harz (37) zum Auffüllen der Vertiefung und zum teilweisen Bedecken zumindest einer planaren Metallschicht, um die Lichtemissionsdiode und den mindestens einen Draht dicht einzuschließen.
  2. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch mindestens einen Metall-Kontaktfleck (35a, 35b), der auf einem nicht durch das Harz (37) bedeckten Teil der mindestens einen planaren Metallschicht (34a, 34b) ausgebildet ist.
  3. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente, isolierende Träger (30) aus Glas besteht.
  4. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der Vertiefung (31) kleiner als 10 mm ist.
  5. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung (31) ungefähr im zentralen Bereich des transparenten, isolierenden Trägers (30) ausgebildet ist.
  6. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (11) unter Verwendung eines transparenten Klebers auf der Bodenfläche befestigt ist.
  7. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Harz (37) ein Epoxidharz ist.
  8. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit in das Harz (37) gegeben ist, um das Wärmeableitvermögen der Gehäusestruktur zu verbessern.
  9. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material mit hohem Reflexionsvermögen in das Harz gegeben ist, um von der Lichtemissionsdiode (10) erzeugtes Licht zu reflektieren.
  10. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Lichtemissionsdiode (10) ein solches auf AlGaInP-, AlGaInN-, InGaN-, AlGaAs-, SiC-Basis oder dergleichen ist.
  11. Gehäusestruktur nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Reflexionsschicht, die auf das Harz (37) aufgetragen ist, um von der Lichtemissionsdiode (10) erzeugtes Licht zu reflektieren.
  12. Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode mit einem Substrat und zwei Elektroden, mit: – einem transparenten, isolierenden Träger (30) mit einer Vertiefung (31) mit einer Bodenfläche (32) zum Halten des Substrats (11), mindestens einem mit der Bodenfläche verbundenen Stufenabschnitt, wobei die Tiefe der Vertiefung ausreichend groß ist, um die Lichtemissionsdiode (10) aufzuneh men und wobei der mindestens eine Stufenabschnitt eine mit der Bodenfläche verbundene untere Seitenwand (43a, 43b) eine mittlere Mesaebene (44a, 44b) und eine obere Seitenwand (45a, 45b) aufweist; – mindestens einer planaren Metallschicht (47a, 47b), die in einem anderen Bereich als dem der Vertiefung auf der Oberseite des Trägers ausgebildet ist; – mindestens einem Metall-Kontaktfleck (35a, 35b), der in einem anderen Bereich als dem der Vertiefung auf der Oberfläche des Trägers ausgebildet ist; – mindestens einem Draht (48a, 48b) zum Verbinden der mindestens einen planaren Metallschicht mit jeweils einer der zwei Elektroden; und – einem Harz (49) zum Auffüllen der Vertiefung und zum teilweisen Bedecken zumindest einer planaren Metallschicht, um die Lichtemissionsdiode und den mindestens einen Draht dicht einzuschließen.
  13. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der transparente, isolierende Träger (30) aus Glas besteht.
  14. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der Vertiefung (31) kleiner als 10 mm ist.
  15. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefung (31) ungefähr im zentralen Bereich des transparenten, isolierenden Trägers (30) ausgebildet ist.
  16. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (11) unter Verwendung eines transparenten Klebers auf der Bodenfläche befestigt ist.
  17. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Harz (49) ein Epoxidharz ist.
  18. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit in das Harz (49) gegeben ist, um das Wärmeableitvermögen der Gehäusestruktur zu verbessern.
  19. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material mit hohem Reflexionsvermögen in das Harz gegeben ist, um von der Lichtemissionsdiode (10) erzeugtes Licht zu reflektieren.
  20. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Lichtemissionsdiode (10) ein solches auf AlGaInP-, AlGaInN-, InGaN-, AlGaAs-, SiC-Basis oder dergleichen ist.
  21. Gehäusestruktur nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch eine Reflexionsschicht, die auf das Harz (49) aufgetragen ist, um von der Lichtemissionsdiode (10) erzeugtes Licht zu reflektieren.
  22. Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode mit einem Substrat und zwei Elektroden, mit: – einem isolierenden Träger (50) mit einem Durchgangsloch (51) mit einer unteren Öffnung (52a), der der Rückseite des Substrats (11) zugewandt ist, und einer oberen Öffnung (52b), wobei die Tiefe des Durchgangslochs ausreichend groß ist, um die Lichtemissionsdiode (10) aufzunehmen; – mindestens einer planaren Metallschicht (34a, 34b), die in einem anderen Bereich als dem des Durchgangslochs auf der Oberseite des Trägers ausgebildet ist; – mindestens einem Draht (36a, 36b) zum Verbinden der mindestens einen planaren Metallschicht mit jeweils einer der zwei Elektroden; und – einem Harz (53b) zum Auffüllen des Durchgangslochs und zum teilweisen Bedecken zumindest einer planaren Metallschicht, um die Lichtemissionsdiode und den mindestens einen Draht dicht einzuschließen.
  23. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, gekennzeichnet durch mindestens einen Metall-Kontaktfleck (35a, 35b), der auf einem nicht durch das Harz (53b) bedeckten Teil der mindestens einen planaren Metallschicht (34a, 34b) ausgebildet ist.
  24. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Träger (50) aus Glas, Keramik, AlN, SiC, Kunststoff, Harz, einer gedruckten Leiterplatte oder einer Kombination hiervon besteht.
  25. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Träger (50) aus einem Körper mit einem Metallkern besteht, der durch einen Außenfilm aus einem isolierenden Material beschichtet ist.
  26. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe des Durchgangslochs (51) kleiner als 10 mm ist.
  27. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Durchgangsloch (51) ungefähr im zentralen Bereich des transparenten, isolierenden Trägers (50) ausgebildet ist.
  28. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Harz (52b) ein Epoxidharz ist.
  29. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit in das Harz (52b) gegeben ist, um das Wärmeableitvermögen der Gehäusestruktur zu verbessern.
  30. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Harzes (52a), der zwischen der Lichtemissionsdiode (10) und der unteren Öffnung (52a) liegt, aus einem Material mit einem Brechungsindex besteht, der in solcher Weise zum Brechungsindex des Substrats passt, dass die Totalreflexion zwischen dem Substrat und diesem Harzabschnitt verringert ist.
  31. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass in einen Abschnitt des Harzes (53b) zwischen der oberen Öffnung (52b) und der Lichtemissionsdiode (10) ein Material mit hohem Reflexionsvermögen eingegeben ist, um von der Lichtemissionsdiode erzeugtes Licht zu reflektieren.
  32. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, gekennzeichnet durch eine Reflexionsschicht, die auf das Harz (53b) aufgetragen ist, um von der Lichtemissionsdiode (10) erzeugtes Licht zu reflektieren.
  33. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, gekennzeichnet durch eine optische Linse, die an der unteren Öffnung (52a) des Durchgangslochs (51) angeordnet ist.
  34. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, gekennzeichnet durch eine Fluoreszenzschicht, die auf die untere Öffnung (52a) des Durchgangslochs (51) aufgetragen ist, um Licht mit gewünschter Farbe zu erzeugen.
  35. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Harzes (53a) zwischen der Lichtemissionsdiode (10) und der unteren Öffnung (52a) mit einem Fluoreszenzmaterial dotiert ist, um Licht mit einer gewünschten Farbe zu erzeugen.
  36. Gehäusestruktur nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Lichtemissionsdiode (10) ein solches auf AlGaInP-, AlGaInN-, InGaN-, AlGaAs-, SiC-Basis oder dergleichen ist.
  37. Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode mit einem Substrat und zwei Elektroden, mit: – einem isolierenden Träger (60), der mit einem Durchgangsloch (61) versehen ist, das über eine untere Öffnung (62a), die der Rückseite des Substrats (11) zugewandt ist, eine obere Öffnung (62b) und mindestens einen Stufenabschnitt zwischen der unteren und der oberen Öffnung verfügt, wobei der mindestens eine Stufenabschnitt über eine mit der unteren Öffnung verbundene untere Seitenwand (43a, 43b), eine mittlere Mesaebene (44a, 44b) und eine mit der oberen Öffnung verbundene obere Seitenwand (45a, 45b) verfügt, wobei die Tiefe des Durchgangslochs ausreichend groß ist, um die Lichtemissionsdiode aufzunehmen; – mindestens einer Planaren Metallschicht (47a, 47b), die in einem anderen Bereich als dem des Durchgangslochs auf der Oberseite des Trägers ausgebildet ist; – mindestens einen Metall-Kontaktfleck (35a, 35b), der in einem anderen Bereich als dem des Durchgangslochs auf der Oberseite des isolierenden Trägers ausgebildet ist und mit der mindestens einen Planaren Metallschicht verbunden ist; – mindestens einem Draht (48a, 48b) zum Verbinden der mindestens einen Planaren Metallschicht mit jeweils einer der zwei Elektroden; und – einem Harz (53b) zum Auffüllen des Durchgangslochs und zum teilweisen Bedecken zumindest einer planaren Metallschicht, um die Lichtemissionsdiode und den mindestens einen Draht dicht einzuschließen.
  38. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, gekennzeichnet durch dass der isolierende Träger (60) aus Glas, Keramik, AlN, SiC, Kunststoff, Harz, einer gedruckten Leiterplatte oder einer Kombination hiervon besteht.
  39. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Träger (60) aus einem Körper mit einem Metallkern besteht, der durch einen Außenfilm aus einem isolierenden Material beschichtet ist.
  40. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe des Durchgangslochs (61) kleiner als 10 mm ist.
  41. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass das Durchgangsloch (61) ungefähr im zentralen Bereich des transparenten, isolierenden Trägers (60) ausgebildet ist.
  42. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass das Harz (63b) ein Epoxidharz ist.
  43. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit in das Harz (63b) gegeben ist, um das Wärmeableitvermögen der Gehäusestruktur zu verbessern.
  44. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Harzes (63a), der zwischen der Lichtemissionsdiode (10) und der unteren Öffnung (62a) liegt, aus einem Material mit einem Brechungsindex besteht, der in sol cher Weise zum Brechungsindex des Substrats passt, dass die Totalreflexion zwischen dem Substrat und diesem Harzabschnitt verringert ist.
  45. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass in einen Abschnitt des Harzes (63b) zwischen der oberen Öffnung (62b) und der Lichtemissionsdiode (10) ein Material mit hohem Reflexionsvermögen eingegeben ist, um von der Lichtemissionsdiode erzeugtes Licht zu reflektieren.
  46. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, gekennzeichnet durch eine Reflexionsschicht, die auf das Harz (63b) aufgetragen ist, um von der Lichtemissionsdiode (10) erzeugtes Licht zu reflektieren.
  47. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, gekennzeichnet durch eine optische Linse, die an der unteren Öffnung (62a) des Durchgangslochs (61) angeordnet ist.
  48. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, gekennzeichnet durch eine Fluoreszenzschicht, die auf die untere Öffnung (62a) des Durchgangslochs (61) aufgetragen ist, um Licht mit gewünschter Farbe zu erzeugen.
  49. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Harzes (63a) zwischen der Lichtemissionsdiode (10) und der unteren Öffnung (62a) mit einem Fluoreszenzmaterial dotiert ist, um Licht mit einer gewünschten Farbe zu erzeugen.
  50. Gehäusestruktur nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Lichtemissionsdiode (10) ein solches auf AlGaInP-, AlGaInN-, InGaN-, AlGaAs-, SiC-Basis oder dergleichen ist.
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