DE112010001153T5 - LED-Modul mit verbesserter Lichtausbeute - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 32
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 29
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
Ein LED-Modul weist eine gedruckte Leiterplatte oder einen SMD-Träger auf. Wenigstens ein LED-Chip ist auf der Platte oder dem Träger montiert. Ein Element ist auf der Oberseite des LED-Chips angeordnet, das heißt abgeschieden oder montiert. Die Fläche der Platte oder des Trägers, auf welcher der Kugelaufsatz abgeschieden ist, ist mit weißem reflektierenden Material bedeckt, das den LED-Chip, vorzugsweise an seinen Seitenwänden, kontaktiert. Alternativ dazu ist das Element mit dem reflektierenden Material partiell bedeckt.
Description
- Die Lichtausbeute ummantelter LEDs in Chip-on-board bzw. COB-Technologie (Nacktchipmontage-Technologie) wird beeinflusst durch die optischen Eigenschaften der umgebenden Ummantelungs- bzw. Package-Materialien, insbesondere der Reflektivität und der Position des Leuchtstoffs und des LED-Chips. Es ist wichtig, dass die Ummantelungs- bzw. Packaging-Materialien zeigen:
- a) eine hohe Reflektivität
- b) eine hohe Photostabilität
- c) eine hohe thermische Stabilität
- Die typischen Lichtpfade emittierter Strahlung einer Leuchtstoff-konvertierten, weißes Licht emittierenden LED mit schichtförmigem Leuchtstoff auf der Oberseite des emittierenden Bereichs des LED-Chips sind in
1 gezeigt. Eine Konfiguration einer LED ist, den Emitter in der Mitte einer Hemisphäre zu platzieren, um dem Licht zu ermöglichen, aus der LED-Ummantelung bzw. dem LED-Package mit einem Minimum an Reflexionsverlusten herauszugehen. Ein kleiner Prozentsatz des Lichts wird zum Chip und zu dem umgebenden Bereich des PCB- oder SMD-Package zurückreflektiert, wo es entweder absorbiert oder reflektiert wird. Wenn der hemisphärische Kugelaufsatz in der Abmessung groß genug ist, werden, abhängig vom Brechungsindex des hemisphärischen Materials, etwa 3% bis 5% des Lichts reflektiert und können verloren gehen. Da der Leuchtstoff Licht in alle Richtungen emittiert, muss annähernd die Hälfte des Lichts vom LED-Chip selbst, wo gewisse zusätzliche Verluste auftreten, reflektiert werden. Obgleich eine hohe Reflektivität auch eine Eigenschaft ist, die vom LED-Chip selbst bereitgestellt werden sollte, ist seine Hauptfunktion, Licht effizient zu emittieren, was ein Vermindern seiner Reflektivität bedeuten kann. - Wenn hohe Lichtdichten nicht benötigt werden, kann der Leuchtstoff auch im hemisphärischen Kugelaufsatz verteilt sein. Dies bringt offensichtlich keinen Vorteil bei der Lichtausbeute und dem Pfad von Strahlen, aber die Farbstabilität und Farbreprozierbarkeit kann leichter kontrolliert bzw. gesteuert werden, und die Lichtdichten sind nicht so hoch, was bedeutet, dass weniger Antiblend- bzw. Entspiegelungsanstrengungen unternommen werden müssen.
- Da ein viel größerer Teil des emittierten Lichts auf das PCB- oder SMD-Package fällt, hat die Reflektivität des PCB- oder SMD-Package großen Einfluss auf die endgültige Lichtausbeute. Da in gewissen Fällen Bereiche Golddrähte sein müssen, die zum Anschließen an den Chip gebondet sind, und Abstände zum Freihalten von Bereichen einer Lötstoppmaske entsprechend Gestaltungsregeln einzuhalten sind, kann die Gesamtreflektivität der PCB-Platte oder des SMD-Package beschränkt sein oder können nur Materialien mit niedriger Stabilität benutzt werden.
- Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Lichtausbeute eines LED-Moduls mit einem auf der Oberseite des LED-Chips angeordneten Element wie beispielsweise einem sogenannten Kugelaufsatz zu verbessern.
- Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Die abhängigen Ansprüche entwickeln die zentrale Idee der vorliegenden Erfindung weiter.
- Gemäß der Erfindung kann ein LED-Modul, beispielsweise hergestellt in Chip-on-Board(COB)-Technologie oder auf einem SMD-Packageträger wenigstens einen auf der Platte oder dem Träger montierten LED-Chip aufweisen. Nach Drahtbonden des (der) LED-Chip(s) wird auf die Platte oder den Träger eine reflektierende, vorzugsweise weiße Beschichtung aufgebracht, die wenigstens den ganzen Bereich bedeckt, auf den das Element wie beispielsweise ein Kugelaufsatz oder eine hemisphärische Linse aufgebracht werden soll. Zusätzlich kann die weiße Beschichtung Teile wie beispielsweise Teile der Seitenwände des LED-Chips selbst bedecken. Im Fall, dass der LED-Chip keine seitliche Emission aufweist, wird die Beschichtung vorzugsweise mit 75% bis 90% der Chipdicke ausgeführt, andernfalls sollte, um die volle Wirkung der Reflektivitätsverbesserung mit einem LED-Chip mit Seitenemission zu bekommen, eine minimale Höhe ausgeführt werden. Um eine optimale Effektivität bei der Lichtreflexion zu bekommen, ist die reflektierende weiße Beschichtung vorzugsweise in Kontakt mit Teilen des Chips und überlappt sie sogar. Ein im Wesentlichen transparenter Kugelaufsatz kann auf der Oberseite des LED-Chips und dem den LED-Chip umgebenden Bereich der Platte oder des Trägers verteilt sein. Die Fläche der Platte oder des Trägers, auf welcher der Kugelaufsatz verteilt ist, ist mit weißem reflektierenden Material bedeckt. Obgleich mit einem transparenten Kugelaufsatz eine Zunahme bei der Lichtausbeute erzielt werden kann, weisen im Wesentlichen diffuse Kugelaufsätze, gefüllt mit Farbkonversionsmaterial wie beispielsweise aus BOSE oder YAG oder Nitriden hergestellten Leuchtstoffen, einen größeren Effekt bei der Lichtausbeute aufgrund der Tatsache auf, dass Licht vom Leuchtstoff in alle Richtungen emittiert wird.
- Gemäß der Erfindung ist es möglich, ein hochreflektierendes Material zu benutzen, das am Bodenteil des Farbkonversionselements in enger Verbindung abgesetzt ist. Die Gesamtmenge dieses hochreflektierenden Materials ist in einer Weise eingestellt, dass eine gewünschte Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur erreicht werden kann. Zusätzlich kann das reflektierende Material, beispielsweise reflektierende Partikel in einer Silikonmatrix, auch in einer größeren Gesamtmenge mit einer niedrigeren Volumenkonzentration reflektierenden Materials abgesetzt werden, um Ungenauigkeiten in der Dosierung zu bewältigen. Da dieses Material in enger Verbindung mit dem Substrat ist und keine Leuchtstoffpartikel enthält, kann Silikon ohne das Risiko einer Wärmeverschlechterung benutzt werden.
- Generell sind Leuchtstoffe für LED-Anwendungen dem Fachmann auf dem Gebiet von Leuchtstoff-konvertierten LEDs bekannt.
- Zusätzlich kann in dem Kugelaufsatz oder der (vorgeformten) hemisphärischen Linse streuendes Material präsent sein.
- Es sei darauf hingewiesen, dass eine als Kugelaufsatz aufgebrachte Beschichtung dem Fachmann auf dem Gebiet des LED-Packaging bekannt ist.
- Das reflektierende Material kann eine Schicht sein, die eine Dicke zwischen 5 μm bis 250 μm, vorzugsweise 20 μm–200 μm, noch bevorzugter 100 μm–150 μm im Fall von Chips ohne seitliche Emission aufweist.
- Das reflektierende Material kann eine Schicht sein, die eine obere Fläche aufweist, wobei die obere Fläche niedriger als die obere Fläche des LED-Chips ist, wenn das LED-Modul von der Seite mit dem LED-Chip auf der Oberseite der Platte oder des Trägers betrachtet wird.
- Das reflektierende Material kann eine Schicht sein, die eine Dicke zwischen 75% und 90% der Dicke des LED-Chips aufweist, aufgrund der Tatsache, dass die Chiphöhe über der fälligen Zeit variiert.
- Auch können eine oder mehrere seitliche, vorzugsweise vertikale Seitenwände des LED-Chips mit einem Material beschichtet sein, das angeordnet ist, um für das auf dem LED-Chip emittierte Licht reflektierend zu sein.
- Ein Farbkonversionsmaterial kann im Kugelaufsatz und/oder der oberen Fläche des LED-Chips bereitgestellt sein.
- Das reflektierende Material kann ausgebildet sein, um wenigstens für das vom LED-Chip und, wenn vorhanden, dem Farbkonversionsmaterial emittierte Spektrum reflektierend zu sein.
- Das LED-Modul kann im Wesentlichen weißes Licht emittieren, das eine Mischung aus dem Spektrum des LED-Chips und dem Emissionsspektrum der Farbkonversion ist. Zusätzlich oder alternativ dazu kann auch Licht außerhalb des sichtbaren Spektrums vom LED-Modul emittiert werden. Die Wellenlängen-abhängigen Reflexionseigenschaften werden entsprechend eingestellt.
- Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Verbesserung der Chromatizitätskoordinatentoleranz eines eine gedruckte Leiterplatte (printed circuit board) oder einen SMD-Träger aufweisenden LED-Moduls aufgrund einer Stabilisierung des Reflexionsvermögens auf einen besser kontrollierbaren Wert insbesondere für eine COB-Technologie vor.
- Weitere Vorteile, Merkmale und Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden nun dem Fachmann beim Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung einer Ausführungsform der Erfindung anhand der Figuren der beigefügten Zeichnungen evident.
-
1 zeigt ein den Stand der Technik darstellendes Chip-Package mit einer Leuchtstoffschicht; -
2 zeigt ein den Stand der Technik darstellendes Chip-Package mit verteiltem Leuchtstoff; -
3 zeigt ein Chip-Package mit weißer Beschichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung; -
4 zeigt ein LED-Chip-Package mit einem zusätzlichen Damm zum Definieren einer äußeren Form für die weiße Beschichtung; -
5 zeigt eine auf das LED-Chip-Package mit einem LED-Chip mit seitlicher Emission aufgebrachte Beschichtung; -
6 zeigt eine auf ein SMD-Package mit einem LED-Chip mit präsenter Seitenemission aufgebrachte weiße Beschichtung; -
7 zeigt ein ausDE 20 2007 008 258 U1 bekanntes Retrofit-LED-Modul, bei dem die vorliegende Erfindung angewendet werden kann; -
8 zeigt eine weitere Entwicklung der Ausführungsform von5 und6 ; -
9 zeigt ein LED-Chip-Package mit einer auf einen Teil eines Kugelaufsatzes aufgebrachten Beschichtung gemäß einer alternativen Ausführungsform der Erfindung; -
10 zeigt ein LED-Chip-Package mit einer auf einen Teil eines über einem LED-Chipm angeordneten vorgeformten Element aufgebrachten Beschichtung; -
11 zeigt ein LED-Chip-Package mit einer auf einen Teil eines über einem LED-Chip angeordneten vorgeformten Element aufgebrachten zusätzlichen Beschichtung; -
12 zeigt ein LED-Chip-Package mit einer auf Seiten eines LED-Chips und einem Teil einer über dem LED-Chip angeordneten vorgeformten Element aufgebrachten Beschichtung; und -
13 zeigt ein LED-Chip-Package mit einer auf Seiten eines einen LED-Chip aufweisenden Gehäuses und einem über dem LED-Chip angeordneten vorgeformten Element aufgebrachten Beschichtung. - Zur Bewältigung einiger der in
2 gezeigten Probleme kann auf dem Bereich des Trägers oder der Platte, auf dem der LED-Chip montiert ist und der den LED-Chip umgibt, eine reflektierende Beschichtung aufgebracht werden. Die reflektierende Beschichtung kann alle Teile mit begrenzter Reflektivität und insbesondere vom Kugelaufsatz bedeckte Teile bedecken. - Unter dem gleichen Kugelaufsatz (ein Kugelaufsatz ist nur ein Beispiel für ein auf der Oberseite des LED-Chips angeordnetes, Leuchtstoff enthaltendes Element) kann mehr als ein LED-Chip positioniert sein. ”Kugelaufsatz” steht folglich einfach für ein auf der Oberseite eines oder mehrerer LED-Chips angeordnetes Element.
- Eine oder mehrere dieser LEDs kann bzw. können Licht blauer Spektren emittieren, das durch den Leuchtstoff partiell herunterkonvertiert wird.
- Zusätzlich können ein oder mehrere LEDs Spektren emittieren, die durch den Leuchtstoff im Wesentlichen nicht herunterkonvertiert werden. Dies ist beispielsweise der Fall, für wenigstens einen rotes Licht emittierenden LED-Chip, der von einem für die Herunterkonversion von blauem Licht bestimmten Leuchtstoff bedeckt ist.
- Eine Ausführungsform weist einen oder mehrere LED-Chips unter einem optischen Element auf, wobei das optische Element einen oder mehrere Leuchtstoffe aufweist, um das Spektrum wenigstens eines der LED-Chips zu konvertieren, derart, dass das LED-Modul ein gemischtes Spektrum emittiert, das beispielsweise weißes Licht, insbesondere warmes weißes Licht sein kann.
- Eine solche Anordnung kann für ein Retrofit-LED-Modul, das heißt ein LED-Modul, das mit einer Glühlampe oder einer Halogenlampe vergleichbare elektrische Verbindungen aufweist, benutzt werden. Ein solches Retrofit-Modul ist in
DE 20 2007 008 258 U1 gezeigt, deren Offenbarung durch Bezugnahme aufgenommen ist. Bezug wird insbesondere auf1 derDE 20 2007 008 258 U1 genommen, die als7 der vorliegenden Spezifikation beigefügt ist. Die in7 gezeigte Platte4 und gezeigten LEDs7 können die gemäß der vorliegenden Erfindung sein. - Der Kugelaufsatz kann ein abgeschiedener Kugelaufsatz oder ein vorgeformtes, im Wesentlichen hemisphärisches Linsenelement sein.
- Auch die Seitenwände des LED-Chips können beschichtet sein, da sie üblicherweise auf Basis von Silizium gefertigt sind, ein halbleitendes Material mit bekannter niedriger Reflektivität. Mit dieser Designreflektivität können Beschränkungen reduziert werden, was zu einer optimierten Ausbeute führt.
- Auch der Vorteil, eine Chromatizitätskoordinatentoleranz relativ zu einem in
1 gezeigten Package niedriger zu halten, kann erreicht werden. - Üblicherweise benutzte Lötmittelresistschichten auf der Oberseite von PCBs zeigen eine Reflektivität typischerweise unter 90%, manche bis nur zu 60% herunter. Auch ändert sich die Reflektivität für gewisse Typen mit thermischen Prozessen bei der Produktion. Die Goldanschlussflächenreflektivität ist aufgrund signifikanter Absorption von blauem Licht ebenso verschlechtert. Dies kann durch Benutzung von Anschlussflächen verhindert werden, die beispielsweise aus Silber gemacht sind, aber die Migrationsgeschwindigkeit von Gold ist viel kleiner als die von Silber, was zu einer niedrigeren Zuverlässigkeit führen kann. Um die Ausbeute zu maximieren, muss eine hohe Reflektivität erzielt werden, die durch die Reflektivitätsbeschichtung realisiert werden kann.
- Die Schicht aus reflektierendem Material (weiße Beschichtung) kann durch Standard-Aufbringtechniken aufgebracht werden und kann eine Dicke von 5 μm bis 250 μm, vorzugsweise 20 μm–200 μm, noch bevorzugter 100 μm–150 μm aufweisen.
- Der LED-Chip kann an seiner Auflagestruktur durch Benutzung eines Haftmittels oder Klebstoffs aufgebracht sein. Diese Materialien weisen die unerwünschte Tendenz auf, an den seitlichen Wänden des LED-Chips nach oben zu kriechen. Die weiße Beschichtung der vorliegenden Erfindung weist vorzugsweise eine Dicke auf, die hoch genug ist, um sicherzustellen, dass die weiße Beschichtung den LED-Chip oberhalb jedes beliebigen kriechenden Haftmittels oder Klebstoffs tatsächlich kontaktiert. In dieser Hinsicht wird die Dicke der weißen Beschichtung so gewählt, dass sie höher als die erwartete Kriechhöhe ist.
- Vorzugsweise ist die von der Oberfläche der Platte oder des Trägers gemessene Dicke etwa 75%–90% der Dicke des LED-Chips. Folglich ist die obere Fläche der Schicht aus reflektierendem Material niedriger, aber im Wesentlichen parallel zur oberen Fläche (Lichtemittierungsfläche) des LED-Chips. Die erzielte Verbesserung der Lichtausbeute ist in der Ordnung von 15% durch den sichtbaren Bereich für weiße LEDs von beispielsweise normaler weißer Farbe hindurch.
- Beispielsweise in einer Harzmatrix des reflektierenden Materials benutzte typische Pigmente sind elektrisch nicht leitende Materialien wie beispielsweise TiO2, BaSO3, BaTiO3. Es ist auch ein Verfahren zur Erzeugung einer solchen LED, die eine weiße Beschichtungsschicht enthält, offenbart.
- Die Schicht aus reflektierendem Material kann, siehe
3 , geneigte Seitenwände, das heißt nicht vertikale Seitenwände aufweisen. - Der Kugelaufsatz kann die Form einer Hemisphäre präsentieren.
- Beispielsweise in der Silikonmatrix des Kugelaufsatzes und/oder auf der Oberseite des LED-Chips kann Farbkonversionsmaterial bereitgestellt sein (vergleiche
1 ). -
4 zeigt ein LED-Chip-Package mit einem zusätzlichen Damm zum Definieren einer äußeren Form der weißen Beschichtung. Der Damm wird vorzugsweise gebildet, bevor die weiße Beschichtung aufgebracht wird. Der Damm kann vorzugsweise aus einem Material wie beispielsweise einem Silikon-basierten Material und folglich aus einem zu dem Material der weißen Beschichtung verschiedenen Material hergestellt sein. -
5 zeigt eine Ausführungsform eines COB-Package, die einen LED-Chip mit Seitenemission (Seitenemission = Seitenwände des Chip emittieren Licht, wenn ein transparentes Substrat wie beispielsweise Saphir oder SiC benutzt wird) verwendet. In diesem Fall ist die Dicke der weißen Beschichtung vorzugsweise kleiner als 50% der Höhe des LED-Chips, noch bevorzugter kleiner als 25%, am bevorzugtesten kleiner als 10%. - Die Ausführungsform nach
5 kann, wie in8 gezeigt, weiter entwickelt werden durch Platzieren des LED-Chips auf einer Auflage, deren Konturen – in einer Draufsicht – gleich oder kleiner als die Konturen des LED-Chips in wenigstens einer Dimension sind. Folglich kann die weiße Beschichtung optional fließen und folglich unter der Bodenfläche des LED-Chips präsent sein. Diese Auflage kann eine Höhe bereitstellen, die größer als die Dicke der weißen Beschichtung ist. - Alternativ dazu kann der den LED-Chip umgebende Bereich der Auflage ausgespart sein, beispielsweise durch Ätzen. Beide dieser Merkmale stellen sicher, dass die weiße Beschichtung, obgleich sie die Seitenwände des LED-Chips kontaktiert, im Wesentlichen nicht die seitlichen Licht-emittierenden Flächen des LED-Chips bedeckt.
-
6 zeigt ein Beispiel eines SMD-Package, das einen LED-Chip mit Seitenemission aufweist. Wiederum ist die Dicke der weißen Beschichtung vorzugsweise kleiner als 50% der Höhe des LED-Chips, noch bevorzugter kleiner als 25%, am bevorzugtesten kleiner als 10%. - Der LED-Chip nach
6 ist auf einen LED-Packageträger montiert, der wiederum auf beispielsweise eine PCB gelötet ist. - Gemäß weiteren Ausführungsformen der Erfindung, die in den
9 bis13 gezeigt sind, kann die Schicht aus reflektierendem, vorzugsweise weißem Material auf die Oberfläche des auf der Oberseite des wenigsten einen LED-Chips angeordneten (optischen) Elements aufgebracht sein. - Das auf der Oberseite des LED-Chips angeordnete Element kann vorzugsweise ein hemisphärischer Kugelaufsatz
6 sein, wie in der ersten Ausführungsform oder in9 gezeigt, wobei der Kugelaufsatz beispielsweise ein auf der Oberseite eines Substrats5 über dem LED-Chip4 und seinen Drahtbonds (nicht gezeigt) abgeschiedenes Harz ist. Alternativ dazu und gemäß den weiteren Ausführungsformen nach10 bis13 kann das auf der Oberseite des LED-Chips angeordnete Element ein vorgeformtes oder vorgefertigtes optisches Element7 sein, das über dem LED-Chip und vorzugsweise über seinen Drahtverbindungen angeordnet ist. Das vorgeformte Element7 ist vorzugsweise eine Linse und kann beispielsweise eine hemisphärische Form (nicht gezeigt) oder eine mehr rechteckige Form wie beispielsweise das Parallelepipedförmige Element von12 , angeordnet auf der Oberseite des LED-Chips4 , aufweisen. - Wie oben schon beschrieben, weist das auf der Oberseite des LED-Chips angeordnete Element vorzugsweise Farbkonversionsmaterial oder Wellenlängenkonversionsmaterial wie beispielsweise Leuchtstoffe zum Modifizieren und vorzugsweise Herunterkonvertieren des Spektrums des vom LED-Chip
4 emittierten Lichts auf. Ein LED-Modul, das einen im Wesentlichen blaues Licht emittierenden blauen LED-Chip aufweist, ist folglich fähig, auf Basis der Farbkonversion weißes Licht zu emittieren. - Aufbringen der Schicht aus reflektierendem Material auf die Oberfläche des auf der Oberseite des wenigstens einen LED-Chips angeordneten optischen Elements hat den Effekt, dass die Reflektivität des LED-Moduls verstärkt werden kann.
- Ein weiterer Vorteil solcher Ausführungsformen ist, dass das Spektrum des vom LED-Modul emittierten resultierenden Lichts kontrolliert bzw. gesteuert werden kann.
- Noch weiter kann die Reproduzierbarkeit der Farbtemperaturen zwischen individuellen (weißen) LED-Modulen oder Lampen verbessert werden.
-
9 zeigt eine weitere Entwicklung der Ausführungsformen der3 bis8 . Zwischen dem Substrat5 und dem Kugelaufsatz6 ist eine Schicht aus reflektierendem Material8 angeordnet. Eine zusätzliche Schicht aus reflektierendem Material1 bedeckt den Kugelaufsatz6 partiell. Ein korrespondierender Abschnitt des Kugelaufsatzes6 ist folglich mit dem zusätzlichen reflektierenden Material1 bedeckt, und ein korrespondierender Abschnitt9 ist nicht vom zusätzlichen reflektierenden Material1 bedeckt. - Vom LED-Chip
4 emittiertes Licht, das von dem zusätzlichen reflektierenden Material1 im Abschnitt3 des Kugelaufsatzes6 reflektiert wird, wird weiter durch den Leuchtstoff herunterkonvertiert. Wegen der Reflexion wird das blau konvertierte Licht in das Farbkonversionselement zurückreflektiert, wo wenigstens ein gewisser Anteil des blauen Lichts in Licht konvertiert wird, das eine niedrigere Wellenlänge wie beispielsweise gelbes Licht aufweist. Demgemäss wird die gesamte Farbkonversionstemperatur erniedrigt. -
10 zeigt eine weitere Ausführungsform, die ein vorgeformtes Element7 auf der Oberseite des LED-Chips4 aufweist. Das LED-Modul besteht aus einem blauen LED-Nacktchip bzw. -Die4 , der auf einem Substrat mit einem über dem LED-Chip oder -Die4 platzierten Farbkonversionselement7 platziert ist. Auf dem Substrat5 ist ein vorzugsweise hochreflektierendes Material1 platziert, das auch das Farbkonversionselement7 partiell bedeckt. -
10 und11 stellen dar, wie die Wellenlänge des vom LED-Modul emittierten Lichts gesteuert bzw. kontrolliert werden kann und wie die Reproduzierbarkeit der Farbtemperatur zwischen individuellen LED-Modulen oder -Lampen verbessert werden kann. - Einstellen der Menge und/oder Höhe der reflektierenden Schicht
1 erlaubt die Einstellung einer gewünschten Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur. Dies kann durch Nehmen eines Farbkonversionselements, das eine Wellenlängenmodifikation oder eine Farbtemperatur verursacht, die vorzugsweise ein bisschen höher als die gewünschte ist, und Hinzufügen des Farbkonversionselements7 oberhalb der blauen LED4 wie oben beschrieben erledigt werden. - Ein erster optionaler Schritt besteht in der Messung der erzeugten Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur des LED-Moduls. Dann kann ein vorzugsweise hochreflektierendes Material
1 wie beispielsweise reflektierende Partikel in einer Silikon- oder anderen transparenten Matrix um das Farbkonversionselement7 herum abgeschieden werden, wie es der10 entnommen werden kann. - Nach Messung der Lichtwellenlänge und/oder Gesamtfarbtemperatur wird entschieden, ob die Wellenlänge weiter herunterkonvertiert werden muss oder nicht. Solange die Wellenlänge und/oder Farbtemperatur nicht im gewünschten Bereich enthalten ist, kann zusätzliches reflektierendes Material
10 Schritt für Schritt um einen Teil des Farbkonversionselements, der nicht schon vom reflektierenden Material bedeckt ist, hinzugefügt werden, siehe11 . - Die Messung der gesamten Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur kann mehrere Male wiederholt werden, und zusätzliches reflektierendes Material kann Schritt für Schritt hinzugefügt werden, bis ein gewünschter Wert oder Bereich von Werten erreicht ist.
- Das reflektierende Material kann aus hochreflektierenden Partikeln bestehen, eingebettet in eine Silikonmatrix, die bei Erwärmungseffekten zur Verschlechterung neigt. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist der Volumenbruchteil der reflektierenden Partikel sehr niedrig gewählt, um Fehler bei der Abscheidung einer kleinen Menge von Materialien zu überwinden.
- Die reflektierenden Materialien
1 ,10 werden um das Farbkonversionselement7 herum durch Aufbringen bzw. Verteilen, Aufstrahlen bzw. Jetting oder Tintenstrahldrucken abgesetzt. Alternativ dazu wird das hochreflektierende Material nicht durch Aufbringen bzw. Verteilen oder Aufstrahlen bzw. Jetting abgesetzt, sondern besteht aus einem vorgefertigten hochreflektierenden Element, das beispielsweise an der oberen Fläche eines Reflektors integriert ist. Während bei Ausführungsformen, die aufgebrachte bzw. verteilte oder aufgestrahlte Partikeln aufweisen, die Wellenlänge des emittierten Lichts nur in einer Richtung modifiziert werden kann, das heißt nur entweder erhöht oder erniedrigt werden kann, ist ein Vorteil eines solchen vorgefertigten Elements, dass das reflektierende Material verschoben oder bewegt werden kann, um das Farbkonversionselement mehr oder weniger zu bedecken. Die gewünschte Wellenlänge oder Farbtemperatur kann folglich erhöht oder erniedrigt werden, derart, dass der Einstellungsschritt leichter ausgeführt werden kann. - Das beschriebene Einstellungsverfahren kann zum Verbessern der Reproduzierbarkeit individueller LEDs oder zum Kontrollieren bzw. Steuern der Farbtemperatur während einer Langzeitoperation benutzt werden. Tatsächlich neigen Leuchtstoffe, die beim Farbkonversionselement
7 benutzt werden können, dazu, sich während des Langzeitbetriebs geringfügig zu verschlechtern. Die emittierte Wellenlänge und/oder Farbtemperatur der LED-Lampe kann dann beispielsweise durch eine Detektoreinheit (nicht gezeigt) kontrolliert und danach auf einen gewünschten Wert oder einen gewünschten Bereich eingestellt werden. Die Langzeitstabilität einer gewünschten Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur kann auf diese Weise garantiert werden. Das Verfahren kann auch beispielsweise benutzt werden, wenn eine LED-Lampe in einem Array von LED-Lampen während der Lebensdauer des LED-Arrays ersetzt werden muss. Durch Anwenden des vorliegenden Verfahrens kann beispielsweise sichergestellt werden, dass die im Array installierte ersetzende neue LED-Lampe wie gewünscht zur Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur der ersetzten LED-Lampe oder den umgebenden LED-Lampen passt. Dies wird durch den oben beschriebenen Einstellungsschritt ausgeführt. - Gemäß der Ausführungsform von
12 weist das LED-Modul einen auf einem Substrat5 platzierten LED-Die4 und ein Farbkonversionselement7 auf der Oberseite des LED-Dies4 auf. Ein gewisser Teil des emittierten Lichts wird durch das Farbkonversionselement7 , beispielsweise eine Schicht aus Farbkonversionsmaterial, die in der Richtung des vom LED-Die4 emittierten Lichts platziert ist, konvertiert. Die tatsächliche Farbtemperatur der lichtemittierenden Einrichtung wird gemessen, und eine adäquate Menge reflektierenden Materials1 wird am Bodenabschnitt des Farbkonversionselements7 abgeschieden, um die gewünschte Lichtwellenlänge und/oder Farbtemperatur zu erhalten. - In dieser Ausführungsform ist das Substrat
5 sowie die Seiten des LED-Dies4 und niedrigere Teile des Farbkonversionselements7 mit reflektierendem Material1 beschichtet. Insbesondere die untere Fläche14 des Farbkonversionselements7 , die den LED-Die4 nicht bedeckt, ist beschichtet. Zusätzlich oder alternativ dazu sind auch untere Seiten15 des Farbkonversionselements7 mit reflektierendem Material1 beschichtet. - Bei einer in
13 gezeigten anderen Ausführungsform weist das LED-Modul ein in einem Gehäuse, das den Licht in einer ersten Wellenlängenregion emittierenden LED-Die4 umgibt, abgeschiedenes Farbkonversionsmaterial7 auf. Das Gehäuse10 ist aus transparenten Material wie beispielsweise Silikon oder Glas gefertigt. Wiederum wird die Farbtemperatur der Licht-emittierenden Einrichtung gemessen. Außerhalb des Gehäuses10 wird dann eine adäquate Menge eines reflektierenden Materials1 abgesetzt, das einen Bodenabschnitt des Gehäuse10 bedeckt. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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Claims (17)
- LED-Modul mit einer Platte wie beispielsweise einer gedruckten Leiterplatte oder einem Träger wie beispielsweise einem SMD-Träger (
5 ), und wenigstens einem direkt oder indirekt auf der Platte oder dem Träger (5 ) montierten LED-Chip (4 ), wobei ein optisches Element (6 ,7 ) auf der Oberseite des LED-Chips (4 ) angeordnet, das heißt abgeschieden oder montiert ist, und wobei das LED-Modul außerdem eine vorzugsweise weiße reflektierende Schicht (1 ) aufweist, welche die Fläche der Platte oder des Trägers (5 ), auf der das Element (6 ,7 ) angeordnet ist, bedeckt und/oder das Element (6 ,7 ) partiell bedeckt. - LED-Modul nach Anspruch 1, wobei das reflektierende Material eine Schicht ist mit einer Dicke zwischen 5 μm und 250 μm, vorzugsweise 20 μm–200 μm, noch bevorzugter 100 μm–150 μm.
- LED-Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei das reflektierende Material eine Schicht ist, deren obere Fläche niedriger als die obere Fläche des LED-Chips ist, wenn das LED-Modul mit dem LED-Chip auf der Oberseite der Platte oder des Trägers von der Seite betrachtet wird.
- LED-Modul nach Anspruch 3, wobei das reflektierende Material eine Schicht ist, deren Dicke zwischen 75% und 90% der Dicke des LED-Chips ist.
- LED-Modul nach Anspruch 1, wobei auch seitliche Seitenwände des LED-Chips mit einem Material bedeckt sind, das angeordnet ist, um für auf den LED-Chip emittiertes Licht reflektierend zu sein.
- LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Element (
6 ,7 ) und/oder auf der oberen Fläche des LED-Chips ein Farbkonversionsmaterial präsent ist. - LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das reflektierende Material wenigstens für das vom LED-Chip und, wenn im optischen Element (
6 ,7 ) vorhanden, dem Farbkonversionsmaterial emittierten Spektrum reflektierend ist. - LED-Modul nach Anspruch 6 oder 7, wobei das LED-Modul im Wesentlichen weißes Licht emittiert, das eine Mischung aus dem Spektrum des LED-Chips und dem Emissionsspektrum des Farbkonversionsmaterials ist.
- LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das reflektierende Material ein elektrisch nicht-leitendes Material ist.
- LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei unter dem gleichen Element (
6 ,7 ) mehrere LED-Chips angeordnet sind. - LED-Modul nach Anspruch 10, wobei wenigstens ein LED-Chip ein Spektrum, beispielsweise blaues Licht, das durch einen Leuchtstoff partiell herunterkonvertiert ist, emittiert und wenigstens ein weiterer LED-Chip ein Spektrum, beispielsweise rotes Licht, das vom Leuchtstoff im Wesentlichen unbeeinflusst bleibt, emittiert.
- LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Element vorgeformt (
7 ) oder als ein Kugelaufsatz (6 ) abgeschieden ist. - LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das weiße reflektierende Material (
1 ) auf ein den LED-Chip (4 ) und/oder das Element (6 ,7 ) umgebendes Gehäuse (10 ) aufgebracht ist. - Retrofit-LED-Lampe, die wenigstens ein LED-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
- Verfahren zur Verbesserung der Chromatizitätskoordinatentoleranz eines LED-Moduls mit einer Platte oder einen SMD-Träger (
5 ) und wenigstens einem direkt oder indirekt auf der Platte oder dem Träger (5 ) montierten LED-Chip (4 ), wobei ein im wesentlichen transparentes Element (6 ,7 ) auf der Oberseite des LED-Chips (4 ) und vorzugsweise dem Bereich der Platte oder des Trägers, der den LED-Chip umgibt, angeordnet, das heißt abgeschieden oder montiert ist, gekennzeichnet durch den Schritt: Bedecken der Fläche der Platte oder des Trägers (5 ), auf der das Element (6 ,7 ) angeordnet ist, und/oder wenigstens einer Seitenwand des LED-Chips (4 ) und/oder partiell Bedecken des Elements (6 ,7 ) mit weißem reflektierenden Material. - Verfahren zur Einstellung des Spektrums wie beispielsweise der Wellenlänge oder der Farbtemperatur von Licht, das emittiert wird von einem LED-Modul, das eine gedruckte Leiterplatte oder einen SMD-Träger (
5 ) und wenigstens einen direkt oder indirekt auf der Platte oder dem Träger (5 ) montierten LED-Chip (4 ) aufweist, wobei ein Element (6 ,7 ) auf der Oberseite des LED-Chips (4 ) angeordnet, d. h. verteilt oder montiert ist, aufweisend: Bedecken der Fläche der Platte oder des Trägers (5 ), auf der das Element (6 ,7 ) abgeschieden ist, und/oder Bedecken wenigstens einer Seitenwand des LED-Chips (4 ) und/oder partiell Bedecken des Elements (6 ,7 ) mit weißem reflektierenden Material. - Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Wellenlänge bezüglich der Farbtemperatur des vom LED-Modul emittierten Lichts zuerst gemessen wird, und der Schritt zum Bedecken mit weißem reflektierenden Material nur ausgeführt wird, wenn die gemessene Wellenlänge bezüglich der Farbtemperatur nicht in einem gewünschten Bereich ist.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09154642.4 | 2009-03-09 | ||
EP09154642 | 2009-03-09 | ||
EP09157636.3 | 2009-04-08 | ||
EP09157636A EP2228841A1 (de) | 2009-03-09 | 2009-04-08 | LED-Modul mit verbesserter Lichtausgabe |
PCT/EP2010/052453 WO2010102910A2 (en) | 2009-03-09 | 2010-02-26 | Led module with improved light output |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112010001153T5 true DE112010001153T5 (de) | 2012-05-16 |
Family
ID=42133785
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202009018419U Expired - Lifetime DE202009018419U1 (de) | 2009-03-09 | 2009-04-08 | LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung |
DE202009005453U Expired - Lifetime DE202009005453U1 (de) | 2009-03-09 | 2009-04-09 | LED-Modul für umgerüstete Lampen und umgerüstete LED-Lampe |
DE112010001153T Withdrawn DE112010001153T5 (de) | 2009-03-09 | 2010-02-26 | LED-Modul mit verbesserter Lichtausbeute |
DE112010001181T Withdrawn DE112010001181A5 (de) | 2009-03-09 | 2010-02-26 | LED-Modul für umgerüstete Lampen und umgerüstete LED-Lampe |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202009018419U Expired - Lifetime DE202009018419U1 (de) | 2009-03-09 | 2009-04-08 | LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung |
DE202009005453U Expired - Lifetime DE202009005453U1 (de) | 2009-03-09 | 2009-04-09 | LED-Modul für umgerüstete Lampen und umgerüstete LED-Lampe |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112010001181T Withdrawn DE112010001181A5 (de) | 2009-03-09 | 2010-02-26 | LED-Modul für umgerüstete Lampen und umgerüstete LED-Lampe |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9203001B2 (de) |
EP (3) | EP2228841A1 (de) |
JP (2) | JP2012519976A (de) |
KR (2) | KR101301112B1 (de) |
CN (2) | CN102349169B (de) |
DE (4) | DE202009018419U1 (de) |
GB (2) | GB2480216B (de) |
WO (2) | WO2010102910A2 (de) |
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- 2009-04-08 DE DE202009018419U patent/DE202009018419U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2009-04-08 EP EP09157636A patent/EP2228841A1/de not_active Withdrawn
- 2009-04-09 DE DE202009005453U patent/DE202009005453U1/de not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-02-26 DE DE112010001153T patent/DE112010001153T5/de not_active Withdrawn
- 2010-02-26 GB GB1115666.8A patent/GB2480216B/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 CN CN201080011603.1A patent/CN102349169B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 WO PCT/EP2010/052453 patent/WO2010102910A2/en active Application Filing
- 2010-02-26 CN CN201080011322.6A patent/CN102349168B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 EP EP10707254.8A patent/EP2406834B1/de active Active
- 2010-02-26 WO PCT/EP2010/052459 patent/WO2010102911A2/de active Application Filing
- 2010-02-26 GB GB1115372.3A patent/GB2480047B/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 JP JP2011553386A patent/JP2012519976A/ja active Pending
- 2010-02-26 DE DE112010001181T patent/DE112010001181A5/de not_active Withdrawn
- 2010-02-26 KR KR1020117023436A patent/KR101301112B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-02-26 JP JP2011553385A patent/JP5746982B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 KR KR1020117023437A patent/KR20110124358A/ko active Search and Examination
- 2010-02-26 US US13/255,694 patent/US9203001B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 US US13/255,856 patent/US9252342B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 EP EP10705602A patent/EP2406832A2/de not_active Withdrawn
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DE112010001181A5 (de) | 2012-05-16 |
CN102349168A (zh) | 2012-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |