DE102017111706A1 - Lichtemissionsvorrichtung - Google Patents

Lichtemissionsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102017111706A1
DE102017111706A1 DE102017111706.7A DE102017111706A DE102017111706A1 DE 102017111706 A1 DE102017111706 A1 DE 102017111706A1 DE 102017111706 A DE102017111706 A DE 102017111706A DE 102017111706 A1 DE102017111706 A1 DE 102017111706A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light emitting
light
emitting element
substrate
translucent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102017111706.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Yamada
Motokazu Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of DE102017111706A1 publication Critical patent/DE102017111706A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

Eine Lichtemissionsvorrichtung enthält: ein Substrat; ein Lichtemissionselement, das auf dem Substrat angeordnet ist, wobei das Lichtemissionselement eine obere Oberfläche und eine seitliche Oberfläche aufweist; eine Reflexionsschicht, die sich auf der oberen Oberfläche des Lichtemissionselements befindet; ein erstes lichtdurchlässiges Bauteil mit einer ersten Oberfläche in Kontakt mit der seitlichen Oberfläche des Lichtemissionselements und mit einer zweiten Oberfläche, die in einer Richtung von dem Lichtemissionselement nach außen in Richtung des Substrats geneigt ist; und ein zweites lichtdurchlässiges Bauteil in Kontakt mit der zweiten Oberfläche und das das Lichtemissionselement bedeckt. Ein Brechungsindex des ersten lichtdurchlässigen Bauteils ist kleiner als ein Brechungsindex des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der japanischen Patentanmeldung Nr. 2016-108389 , eingereicht am 31. Mai 2016. Der Inhalt dieser Anmeldung ist hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen.
  • HINTERGRUND
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Lichtemissionsvorrichtung.
  • In den letzten Jahren sind verschiedene elektronische Bauelemente vorgeschlagen worden und in praktische Verwendung gekommen, wobei für diese Bauelemente eine höhere Leistungsfähigkeit erforderlich ist. Zum Beispiel werden Anwendungen für Hintergrundbeleuchtungen von Flüssigkristallanzeigen und für die allgemeine Beleuchtung, für das Design, sehr geschätzt, wobei es hohe Bedarfe für einen noch dünneren Typ und eine Verkleinerung der Lichtemissionsvorrichtung gibt.
  • Zum Beispiel offenbart die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2006-114863 eine Lichtemissionsvorrichtung, in der eine Sekundärlinse mit einer LED kombiniert ist. Somit kann Licht in einer kurzen Bestrahlungsentfernung gleichförmig gestreut werden, was eine Verringerung der Dicke der Vorrichtung ermöglicht.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Allerdings nimmt beim Kombinieren einer LED und einer Linse die Lichtstärke in einer Richtung im Wesentlichen nach oben in Bezug auf das Substrat wegen einer Emission in Richtungen der oberen Oberfläche der Linse, die durch die Streuung des Lichts verursacht wird, zu, wenn bei einer Grenzfläche zwischen der Linse und der Luftschicht Licht reflektiert wird und/oder direktes Licht von der LED auf ein Lichtdiffusions- und Lichtreflexionsteil, das an einer oberen Oberfläche des Substrats, die sich unter der Linse befindet, vorgesehen ist, auffällt. Aus diesem Grund kann keine ausreichende Verringerung der Lichtstärke in der Richtung im Wesentlichen nach oben erhalten werden, was dazu führen kann, dass die gewünschten Lichtverteilungseigenschaften nicht erzielt werden.
  • Bestimmte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können eine Lichtemissionsvorrichtung schaffen, in der die Menge des in Richtungen der oberen Oberfläche austretenden Lichts verringert sein kann und gewünschte Lichtverteilungseigenschaften erzielt werden können.
  • Eine Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform enthält ein Substrat, ein Lichtemissionselement mit einer seitlichen Oberfläche, das auf dem Substrat montiert ist und das auf seiner oberen Oberfläche eine Reflexionsschicht aufweist, ein erstes lichtdurchlässiges Bauteil mit einer ersten Oberfläche, die mit der seitlichen Oberfläche des Lichtemissionselements in Kontakt steht, und mit einer zweiten Oberfläche, die bei Entfernung von dem Lichtemissionselement in Richtung des Substrats geneigt ist, und ein zweites lichtdurchlässiges Bauteil, das das Lichtemissionselement bedeckt. Das erste lichtdurchlässige Bauteil weist einen kleineren Brechungsindex als das zweite lichtdurchlässigen Bauteil auf.
  • In der Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann die Menge des in Richtung der oberen Oberfläche austretenden Lichts verringert sein und können die gewünschten Lichtverteilungseigenschaften erzielt werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Unteransicht einer Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II in 1.
  • 3 ist eine schematische Darstellung, die einen Zustand der Lichtextraktion darstellt, wenn die Beziehung der Brechungsindizes von der in der ersten Ausführungsform verschieden ist.
  • 4 ist eine schematische Darstellung, die einen Zustand der Lichtextraktion darstellt, wenn die Beziehung der Brechungsindizes von der in der ersten Ausführungsform verschieden ist.
  • 5 ist eine schematische Unteransicht einer Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer Oberflächenlichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform zeigt.
  • 7 ist eine schematische Draufsicht, die ein Beispiel einer Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform zeigt.
  • 8 ist ein Graph, der Lichtverteilungseigenschaften eines Beispiels und von Vergleichsbeispielen zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Im Folgenden werden anhand der beigefügten Zeichnungen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Es wird angemerkt, dass die im Folgenden beschriebene Lichtemissionsvorrichtung das technische Konzept der vorliegenden Erfindung implementieren soll und dass die vorliegende Erfindung, sofern nicht etwas anderes spezifiziert ist, nicht auf die im Folgenden Beschriebenen beschränkt sein soll. Zur Erleichterung der Erläuterung sind die Größen und die Positionsbeziehungen der Bauteile in jeder der Zeichnungen gelegentlich überhöht gezeigt.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 ist eine schematische Draufsicht einer Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform. 2 ist eine schematische Querschnittsansicht der Lichtemissionsvorrichtung entlang der Linie II-II aus 1. Die Lichtemissionsvorrichtung enthält ein Substrat 25, ein Lichtemissionselement 12, das auf dem Substrat 25 angeordnet ist und eine obere Oberfläche aufweist, auf der eine Reflexionsschicht 17 vorgesehen ist, ein erstes lichtdurchlässiges Bauteil 16 und ein zweites lichtdurchlässiges Bauteil 20. Das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 enthält eine erste Oberfläche 16a in Kontakt mit einer seitlichen Oberfläche des Lichtemissionselements 12 und eine zweite Oberfläche 16b, die in der Weise geneigt ist, dass sie dem Substrat 25 in einer Richtung von dem Lichtemissionselement 12 nach außen näher wird. Das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 steht mit der zweiten Oberfläche 16b des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 in Kontakt und bedeckt das Lichtemissionselement 12. Ein Brechungsindex α des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 ist kleiner als ein Brechungsindex β des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20.
  • 1. Struktur des Substrats 25
  • Wie in 2 gezeigt ist, enthält das Substrat 25 z. B. einen Grundplattenkörper 24, Verdrahtungsteile 13a und 13b und eine Schutzschicht 15. Das Substrat 24 ist aus einem Isoliermaterial hergestellt, wobei Beispiele dafür isolierende Harze wie etwa Glasexpoxidharz, Bismaleinimidtriazin, Polyimid (PI), Polyethylennaphthalat (PEN) und Polyethylenterephthalat (PET), Keramiken wie etwa Aluminiumoxid, enthalten. Der Grundplattenkörper 24 kann aus einer Kupferfolie oder aus einer Aluminiumfolie hergestellt sein, die mit einem isolierenden Harz bedeckt ist. Der Grundplattenkörper 24 kann z. B. eine Dicke in einem Bereich von etwa 10 μm bis etwa 100 μm aufweisen.
  • Die Verdrahtungsteile 13a und 13b sind auf einer Hauptoberfläche des Grundplattenkörpers 24 angeordnet. Die Verdrahtungsteile 13a und 13b sind voneinander beabstandet angeordnet. Die wie oben beschriebenen Verdrahtungsteile 13a und 13b sind z. B. aus einem Metallfilm wie etwa aus einer Kupferfolie oder aus einer Aluminiumfolie hergestellt. Die Verdrahtungsteile 13a und 13b können z. B. eine Dicke in einem Bereich von etwa 10 μm bis etwa 60 μm aufweisen. Wenn ein biegsamer Grundplattenkörper 24 verwendet ist, weisen die Verdrahtungsteile 13a und 13b eine Dicke auf, die die Biegsamkeit des Substrats 25 nicht beeinträchtigt, wobei z. B. eine Dicke in einem Bereich von 8 μm bis 150 μm bevorzugt ist.
  • In der ersten Ausführungsform enthält das Substrat 10 ein Paar Verdrahtungsteile 13a und 13b, ist darauf aber nicht beschränkt. Das Substrat 25 enthält wenigstens ein Paar Verdrahtungsabschnitte, kann aber drei oder mehr Verdrahtungsteile enthalten. In diesem Fall können die Lichtemissionselemente 12 über drei oder mehr Verdrahtungsteilen angeordnet sein.
  • Die Schutzschicht 15 bedeckt die Oberflächen des Grundplattenbauteils 24 und der Verdrahtungsteile 13a, 13b. Somit bedeckt die Schutzschicht 15 näherungsweise die gesamte obere Oberfläche des Substrats 25 mit Ausnahme der im Folgenden zu beschreibenden Öffnungsabschnitte 15S. Eine solche Reflexionsschicht 15 ist aus einem Material hergestellt, das dafür ausgelegt ist, das emittierte Licht (einschließlich des Lichts mit einer durch ein Wellenlängenumsetzungsbauteil umgesetzten Wellenlänge) von dem Lichtemissionselement 12 zu reflektieren. Als ein Beispiel für das Material der Schutzschicht 15 kann vorzugsweise eine isolierende weiße Tinte (z. B. ein weißer Resist) verwendet werden, die aus einem Harz auf Siliciumgrundlage, das Titanoxid enthält, hergestellt ist.
  • Die Schutzschicht 15 definiert wenigstens in dem und um das Gebiet, in dem das Lichtemissionselement 12 angeordnet ist, eine Öffnung 15S. 1 zeigt eine Öffnung 15S, die in einem Abschnitt gebildet ist, der Abschnitte der Verdrahtungsteile 13a und 13b enthält. Wie in 2 gezeigt ist, liegen Teile der zwei Verdrahtungsteile 13a und 13b in der Öffnung 15S frei.
  • Die Öffnungen 15S können in einer geeigneten Form wie etwa einer Kreisform oder einer Viereckform gebildet sein, die dafür ausgelegt ist, das Lichtemissionselement 12 in einer Draufsicht zu umgeben. In 1 ist die Öffnung 15S in einer Kreisform gebildet. Nachdem das Lichtemissionselement 12 in der Öffnung 15S montiert worden ist, wird die Öffnung 15S durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 bedeckt. Die Öffnung 15S kann durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 oder sowohl durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 als auch durch ein zweites lichtdurchlässiges Bauteil 20 bedeckt werden.
  • Die Größe der Öffnung 15S ermöglicht ein Gebiet zum elektrischen Verbinden mit den Elektroden des Lichtemissionselements 12. Zum Beispiel befindet sich ein Umfang, der die Öffnung 15S definiert, in Bezug auf jede Seite der Außenlinie des Lichtemissionselements 12 in einer Draufsicht vorzugsweise etwa 50 bis 2000 μm außerhalb. In der ersten Ausführungsform ist die Öffnung 15S außerhalb eines Außenumfangs des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20 definiert.
  • Außerdem kann die Schutzschicht 15 angeordnet sein, die unter dem Lichtemissionselement 12 verläuft, wobei die Öffnungen 15S kleiner als die Form der Lichtemissionselemente 12 in einer Draufsicht sind. Die Schutzschicht 15 kann so angeordnet sein, dass sie ein Fügebauteil 18 umgibt, das das Lichtemissionselement 12 und das Substrat 25 in der Weise verbindet, dass die Öffnung nicht wesentlich gebildet ist.
  • Die Verdrahtungsteile 13a und 13b dienen außerdem als die Anschlussabschnitte, die mit externen Verdrahtungen, die mit einer externen Leistungsquelle verbunden sind, verbunden sind. Vorzugsweise sind die Anschlussabschnitte an einem Endabschnitt der Hauptoberflächenseite des Grundplattenbauteils 25 gebildet und die externen Verdrahtungen können mit bekannten Verbindern, die auf dem Substrat 25 angeordnet sind, verbunden sein.
  • 2. Konfiguration des Lichtemissionselements 12
  • Das Lichtemissionselement 12 ist auf dem Substrat 25 angeordnet. Wie in 1 gezeigt ist, ist das Lichtemissionselement 12 in der in der Schutzschicht 15 definierten Öffnung 15S angeordnet, wenn das Grundelement 25 die Schutzschicht 15 enthält.
  • Das Lichtemissionselement 12 weist auf seiner oberen Oberfläche eine Reflexionsschicht 17 auf. Die Reflexionsschicht 17 ist dafür ausgelegt, Licht von dem Lichtemissionselement 12 zu reflektieren. Mit der Reflexionsschicht 17 kann von dem Lichtemissionselement 12 emittiertes Licht in seitlichen Richtungen von den Oberflächen des Lichtemissionselements 12, auf denen die Reflexionsschicht 17 nicht gebildet ist, emittiert werden. Dementsprechend kann eine Menge des Lichts direkt über dem Lichtemissionselement 12 verringert werden und können Schmetterlingsverteilungseigenschaften erhalten werden. Wenn die Reflexionsschicht 17 direkt auf dem Lichtemissionselement 12 angeordnet ist, werden eine Primärlinse und/oder eine Sekundärlinse unnötig, was im Vergleich zu dem Fall, dass eine Schmetterlingsverteilung unter Verwendung einer Primärlinse und/oder einer Sekundärlinse erhalten wird, eine Verringerung der Dicke der Lichtemissionsvorrichtung ermöglicht.
  • Die Reflexionsschicht 17 ist dafür ausgelegt, Licht von dem Lichtemissionselement 12 zu reflektieren. Zum Beispiel kann die Reflexionsschicht 17 vorzugsweise 70% oder mehr, bevorzugter 80% oder mehr, des von dem Lichtemissionselement 12 emittierten Lichts reflektieren. Die Reflexionsschicht 17 kann z. B. aus einem Metallfilm hergestellt sein oder kann aus einem dielektrischen Mehrschichtfilm (DBR-Film) hergestellt sein.
  • Vorzugsweise weist die Reflexionsschicht 17 für eine Lichtemissionswellenlänge des Lichtemissionselements 12 eine Einfallswinkelabhängigkeit des Reflexionsgrads auf. Genauer weist die Reflexionsschicht 17 vorzugsweise gegenüber schräg auffallendem Licht einen kleineren Reflexionsgrad als gegenüber senkrecht auffallendem Licht auf. Mit dieser Anordnung kann eine mäßige Änderung der Helligkeit direkt über dem Lichtemissionselement erhalten werden, so dass das Auftreten eines äußerst dunklen Abschnitts wie etwa eines dunklen Flecks direkt über dem Lichtemissionselement ausreichend verringert werden kann.
  • Wie in 2 gezeigt ist, ist in der Ausführungsform jedes der Lichtemissionselemente 12 auf Flip-Chip-Art auf dem Substrat 25 montiert. Das Lichtemissionselement 12 ist über entsprechende Fügebauteile 18 mit den Verdrahtungsteilen 13a bzw. 13b verbunden. Das Fügebauteil 18 kann z. B. aus einem Lötmittel wie etwa aus einer Legierung auf Sn-Ag-Cu-Grundlage, aus einer Legierung auf Au-Sn-Grundlage, aus einer Legierung auf einer Sn-Cu-Grundlage, aus einem Metall wie etwa Au, aus einer anisotropen leitfähigen Paste oder aus einer Ag-Paste hergestellt sein.
  • Das Lichtemissionselement 12 enthält z. B. eine n-Schicht, eine aktive Schicht und eine p-Schicht, die der Reihe nach auf einem lichtdurchlässigen Saphirsubstrat geschichtet sind. Die n-Schicht, die aktive Schicht und die p-Schicht können z. B. aus Halbleitern auf Galliumnitridgrundlage hergestellt sein. Die n-Seiten-Elektrode, die mit der n-Schicht verbunden ist, und die p-Seiten-Elektrode, die mit der p-Schicht verbunden ist, sind über jeweilige Fügebauteile 18 mit entsprechenden Verdrahtungsteilen 13 und 13 elektrisch verbunden.
  • 3. Konfiguration des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 und des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20
  • In der vorliegenden Ausführungsform ermöglicht die Verwendung des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 und des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20, die Lichtextraktionsrichtung des von dem Lichtemissionselement 12, das die Reflexionsschicht 17 besitzt, emittierten Lichts zu ändern und eine Verbesserung des Lichtextraktionswirkungsgrads zu erhalten.
  • Das erste lichtdurchlässige Bauteil 16, das dafür konfiguriert ist, von dem Lichtemissionselement 12 in seitlichen Richtungen emittiertes Licht zu empfangen, ist in Kontakt mit den seitlichen Oberflächen des Lichtemissionselements 12 angeordnet. Die Oberfläche des ersten Lichtemissionselements 16 in Kontakt mit den seitlichen Oberflächen des Lichtemissionselements 12 wird als eine erste Oberfläche 16a bezeichnet. Ferner weist das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 eine zweite Oberfläche 16b auf, die in einer Richtung von dem Lichtemissionselement 12 nach außen in Richtung des oberen Substrats 25 geneigt ist (mit anderen Worten, das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 weist eine Dicke auf, die in eine Richtung von dem Lichtemissionselement 12 nach außen abnimmt). Die zweite Oberfläche 16b ist in Bezug auf das Substrat 25 oder auf die Oberflächen der Verdrahtungsteile 13a, 13b geneigt.
  • Die obere Oberfläche des Lichtemissionselements 12, d. h. die obere Oberfläche der Reflexionsschicht 17, liegt von dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 frei. Die seitlichen Oberflächen der Reflexionsschicht 17 sind durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 bedeckt. Das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 kann so angeordnet sein, dass es eine Gesamtheit des mit der Reflexionsschicht 17 versehenen Lichtemissionselements 12 bedeckt.
  • Wie in 1 gezeigt ist, weist das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 vorzugsweise in einer Draufsicht eine kreisförmige Umrissform auf. Wie in 1 gezeigt ist, ist das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 in diesem Fall vorzugsweise so angeordnet, dass es das Lichtemissionselement 12 in der Weise umgibt, dass das Lichtemissionselement 12 in dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 näherungsweise zentriert ist.
  • Das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 ist auf dem Substrat 25 angeordnet, steht mit der zweiten Oberfläche 16b des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 in direktem Kontakt und bedeckt das Lichtemissionselement 12 indirekt oder direkt. Das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 kann eine Zylinderform, eine Halbkugelform oder dergleichen aufweisen.
  • Wie in der Draufsicht aus 1 gezeigt ist, kann das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 so angeordnet sein, dass es die gesamte obere Oberfläche des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 bedeckt und größer als das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 ist. In diesem Fall bedeckt das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 die Außenoberfläche des Substrats 25 an dem Außenumfang des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16, ohne dass das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 dazwischenliegt. Zum Beispiel befindet sich das äußerste Ende des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20 in einer Draufsicht vorzugsweise etwa 50 bis 1000 μm außerhalb des Außenendes des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist der Brechungsindex α des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 kleiner als der Brechungsindex β des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20. In der vorliegenden Patentschrift bezieht sich der Begriff ”Brechungsindex” auf einen Brechungsindex für die Emissionswellenlänge des Lichtemissionselements 12. Wie in 2 durch Pfeile gezeigt ist, tritt das in einer seitlichen Richtung des Lichtemissionselements 12 emittierte Licht von der ersten Oberfläche 16a in das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 ein und breitet sich in Richtung einer Grenzfläche zwischen der zweiten Oberfläche 16b des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 und des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20 aus, wenn α < β ist. Das Licht L1, das sich von dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 zu dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 ausbreitet, breitet sich von einem Medium mit einem kleineren Brechungsindex zu einem Medium mit einem größeren Brechungsindex aus. Somit tritt an der Grenzfläche zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 keine Totalreflexion auf. Die zweite Oberfläche 16b des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 16, d. h. eine Grenzfläche zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20, ist geneigt, wobei sie in einer Richtung von dem ersten Lichtemissionselement 12 nach außen in Richtung des Substrats 25 abgeschrägt ist, so dass das bei der Grenzfläche 12 reflektierte Licht nach oben gelenkt wird.
  • Mit dieser Anordnung kann die Menge des in Richtung der oberen Oberfläche austretenden Lichts durch die Reflexionsschicht 17 verringert werden und kann der Lichtextraktionswirkungsgrad verbessert werden. Wie oben beschrieben wurde, wird das meiste von dem Lichtemissionselement 12 emittierte Licht vorzugsweise so gelenkt, dass es durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 geht, um das Licht in einer Richtung nach oben zu brechen, so dass vorzugsweise alle seitlichen Oberflächen des Lichtemissionselements 12 durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 bedeckt sind.
  • 3 stellt einen Zustand der Extraktion von Licht von dem Lichtemissionselement 12 dar wenn α > β erfüllt ist. Das in einer seitlichen Richtung des Lichtemissionselements 12 emittierte Licht tritt von der ersten Oberfläche 16a in das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 ein und breitet sich in Richtung einer Grenzfläche zwischen der zweiten Oberfläche 16b des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 aus. Das Licht L1, das sich von dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 zu dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 ausbreitet, breitet sich von einem Medium mit einem größeren Brechungsindex zu einem Medium mit einem kleineren Brechungsindex aus. Somit tritt an der Grenzfläche zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 Totalreflexion auf. Insbesondere, wenn Licht von einer seitlichen Oberfläche des Lichtemissionselements 12 emittiert wird, neigt das Licht L1 dazu, unter einem größeren Winkel als einem kritischen Winkel in die zweite Oberfläche 16b einzutreten. Wie durch den Pfeil 13 in 3 gezeigt ist, wird somit eine große Menge Licht in Richtung der Seite des Substrats 25 totalreflektiert und kann durch das Substrat 25 absorbiert werden, was zu einer Verringerung des Lichtextraktionswirkungsgrads führen kann.
  • Außerdem wird die Lichtstärke in einer Richtung direkt nach oben von dem Lichtemissionselement 12 durch Streuung des Lichts erhöht und nimmt die Wirkung der Reflexionsschicht 17 ab, um die optische Absorption durch das Substrat 25 zu verringern, z. B., um den Reflexionsgrad der Verdrahtungsteile 13a, 13b zu erhöhen und/oder eine Lichtreflexionsschutzschicht 15 zu nutzen, um totalreflektiertes Licht zu extrahieren.
  • 4 stellt einen Zustand der Extraktion von Licht von dem Lichtemissionselement 12 dar, wenn α = β erfüllt ist. In diesem Fall tritt an der Grenzfläche zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 keine Totalreflexion auf. Die Brechung des Lichts an der Grenzfläche tritt ebenfalls nicht auf, so dass das Licht 14 in das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 eintritt und sich in dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 ausbreitet, während es den Einfallswinkel beibehält. Wenn mehrere Lichtquellen ausgerichtet und verwendet sind, tritt in Richtung der Ausrichtung emittiertes Licht in die angrenzende Lichtquelle ein und kann absorbiert werden. Somit sollte in der oben beschriebenen Ausführungsform in einer seitlichen Richtung emittiertes Licht durch Brechung des Lichts an der Grenzfläche zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 in einer Richtung nach oben gelenkt werden.
  • Wenn, wie in 6 gezeigt ist, seitlich des Lichtemissionselements 12 ein Reflexionsbauteil 33 angeordnet ist, das in einer seitlichen Richtung emittiertes Licht reflektieren kann, wird Licht, das auf einen Endabschnitt 35 des Reflexionsbauteils 33 auftritt, wegen einer Dicke des Reflexionsbauteils 33 gestreut, um die Lichtstärke in Richtung direkt nach oben von dem Lichtemissionselement 12 zu erhöhen, wobei die Wirkung der Reflexionsschicht 17 abnimmt. Somit kann in der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform in einer seitlichen Richtung emittiertes Licht durch Brechung des Lichts an der Grenzfläche zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 und dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 in einer Richtung nach oben gelenkt werden.
  • Unter Berücksichtigung der Extraktion von Licht von dem Lichtemissionselement 12 zu dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 ist z. B. ein Brechungsindex eines Lichtemissionselements 12, das ein Saphirsubstrat enthält, allgemein höher als ein Brechungsindex eines Lichtemissionselements 12, das ein Harzsubstrat enthält. In diesem Fall ist eine kleinere Differenz der Brechungsindizes des Lichtemissionselements 12 und des ersten lichtdurchlässigen Elements 16 bevorzugt, um den Lichtextraktionswirkungsgrad von dem Lichtemissionselement 12 zu erhöhen. Wenn in der vorliegenden Ausführungsform das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 bzw. das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus einem Harzmaterial hergestellt sind, ist die Differenz der Brechungsindizes des Lichtemissionselements 12 und des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20 höher als die Differenz der Brechungsindizes des Lichtemissionselements 12 und des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16. Dies kann zu einem niedrigen Lichtextraktionswirkungsgrad von dem Lichtemissionselement 12 zu dem ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 führen, wobei die optische Absorption durch das Substrat 25 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform aber verringert werden kann, so dass der Lichtextraktionswirkungsgrad nach außerhalb des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20 (wo Luft vorhanden ist) erhöht werden kann.
  • Der Brechungsindex kann z. B. mit einem Abbe-Refraktometer gemessen werden. Wenn der Brechungsindex wegen der Größe des Bauteils oder dergleichen nicht mit dem Abbe-Refraktometer gemessen werden kann, kann der Brechungsindex durch Bestimmung des Materials des Bauteils und Messung eines ähnlichen Bauteils desselben Materials gemessen werden, um den Brechungsindex des Bauteils zu erhalten.
  • Vorzugsweise sind das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 Harzbauteile. Wenn ein Harzmaterial verwendet wird, kann ein Material mit einem gewünschten Brechungsindex ausgewählt werden. Beispiele für das Harzmaterial enthalten ein Expoxidharzmaterial, ein Harnstoffharzmaterial, ein Silikonharzmaterial, ein Fluorharzmaterial und ein Hybridharzmaterial, das wenigstens eines dieser Harzmaterialien enthält. Das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 enthalten im Wesentlichen keine Materialien, die die geradlinige Ausbreitung des Lichts stören. Um die Viskosität des Harzes einzustellen, kann in den lichtdurchlässigen Bauteilen 16, 20 ein Material wie etwa ein Nanofüllstoff, der kaum eine Streuung von Licht erzeugt, enthalten sein.
  • Außer den oben beschriebenen Harzmaterialien kann für das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 und für das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 ein Material, das die Beziehung der Brechungsindizes α < β erfüllt, wie etwa ein lichtdurchlässiges Glasmaterial, verwendet werden. In diesem Fall können das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus verschiedenen Materialien hergestellt sein, so dass das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 aus einem Harzmaterial hergestellt sein kann und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus einem Glasmaterial hergestellt sein kann.
  • ZWEITE AUSFÜHRUNGSFORM
  • In einer Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform ist das Lichtemissionselement 12 nicht Flip-Chip-montiert, sondern ist das Lichtelement 12 auf der oberen Oberfläche des Substrats 25 montiert.
  • Wie in 5 gezeigt ist, ist das Lichtemissionselement 12 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform in der Weise montiert, dass sich die p-Seiten-Elektrode und die n-Seiten-Elektroden über dem Lichtemissionselement 12 befinden und dass die Elektroden über Drähte 22 mit den Verdrahtungsteilen 13a bzw. 13b elektrisch verbunden sind. Die Oberfläche des Lichtemissionselements 12 mit den Elektroden ist mit einer Reflexionsschicht 17 versehen. Zum Beispiel können Abschnitte der Elektroden maskiert sein und kann die Reflexionsschicht 17 auf den anderen, unmaskierten Abschnitten angeordnet sein oder kann eine Reflexionsschicht 17 mit einer näherungsweise flachen oberen Oberfläche über einer Schutzschicht angeordnet sein und können die Elektroden auf der Reflexionsschicht 17 vorgesehen sein. In der zweiten Ausführungsform ist die Schutzschicht 15, die eine Öffnung 15S definiert, in der Weise angeordnet, dass sich die Öffnung 15S innerhalb des Endabschnitts des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20 befindet.
  • Das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 ist wie in der ersten Ausführungsform auf den seitlichen Oberflächen des Lichtemissionselements 12 angeordnet und die Verbindungsabschnitte der Drähte 22 und der Verdrahtungsteile 13a und 13b sind durch das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 bedeckt. Die Verbindungsabschnitte der Drähte 22 und des Lichtemissionselements 12 sind durch das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 bedeckt. Andere Konfigurationen können ähnlich denen in der ersten Ausführungsform sein und es können ähnliche Wirkungen erhalten werden.
  • Nachfolgend werden Konfigurationen und Bauteile beschrieben, die in der ersten Ausführungsform und in der zweiten Ausführungsform verwendet werden können.
  • Oberflächenlichtemissionsvorrichtung
  • Vorzugsweise enthält die Lichtemissionsvorrichtung in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform mehrere in 1 und 5 gezeigte Lichtemissionsvorrichtungen, die auf einem einzigen Substrat angeordnet sind. Dementsprechend kann eine Oberflächenlichtquelle mit wenig Helligkeitsungleichmäßigkeit gebildet werden. Auf der Oberflächenlichtquelle kann eine Lichtdiffusionsplatte oder eine Wellenlängenumsetzungslage vorgesehen sein. Als Beispiele sind Oberflächenlichtemissionsvorrichtungen in 6 und 7 gezeigt.
  • 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Oberflächenlichtemissionsvorrichtung zeigt, die die Lichtemissionsvorrichtungen in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform enthält. Die in der ersten Ausführungsform dargestellten Lichtemissionsvorrichtungen sind mit vorgegebenen Abständen auf einem gemeinsamen Substrat 25 montiert und zwischen angrenzenden Lichtemissionsvorrichtungen ist das Reflexionsbauteil 33 angeordnet. Das heißt, die Oberflächenlichtemissionsvorrichtung ist mit mehreren Lichtemissionsvorrichtungen der ersten Ausführungsform versehen und auf jedem Gebiet des Substrats 25, das zwischen den Lichtemissionsvorrichtungen von dem zweiten lichtdurchlässigen Bauteil 20 freiliegt, ist ein Reflexionsbauteil 33 angeordnet, das Licht von dem Lichtemissionselement 12 reflektieren kann. Eine Höhe der Reflexionsbauteile 33 ist größer als die Höhen der zweiten lichtdurchlässigen Bauteile 20. Ferner ist über den Reflexionsbauteilen 33 eine Lichtdiffusionsplatte 30 angeordnet, um Licht von den Lichtemissionsvorrichtungen in der Weise zu streuen, dass die Lichtdiffusionsplatte 30 zu den oberen Oberflächen der Lichtemissionselemente 12 näherungsweise parallel ist. Darüber hinaus ist näherungsweise parallel zu der und über der Lichtdiffusionsplatte 30 eine Wellenlängenumsetzungsschicht 32 angeordnet, die dafür konfiguriert ist, die Wellenlänge eines Teils des Lichts in eine andere Wellenlänge umzusetzen.
  • Allgemein ist die Lichtstärke zwischen den Lichtemissionsvorrichtungen auf der Lichtdiffusionsplatte 30 umso kleiner, je kleiner das Verhältnis der Entfernung zwischen dem Substrat 25 und der Lichtdiffusionsplatte 30 (das im Folgenden auch als eine optische Entfernung OD bezeichnet werden kann) zu dem Abstand der Lichtemissionsvorrichtungen (der im Folgenden auch als Schrittweite bezeichnet werden kann), d. h. OD/Schrittweite, ist, was zum Auftreten dunkler Abschnitte auf der Lichtdiffusionsplatte 30 führt. Allerdings kann die Lichtstärke zwischen den Lichtemissionsvorrichtungen mit den Reflexionsbauteilen 33, die wie in der zweiten Ausführungsform angeordnet sind, durch die Reflexionsbauteile 33 kompensiert werden. Somit kann die Helligkeitsungleichmäßigkeit auf der Lichtdiffusionsplatte 33 selbst in einem Gebiet mit kleinem OD/Schrittweite verringert werden. Für das Material des Reflexionsbauteils 33 kann ein Material verwendet werden, das wenigstens die Emissionswellenlänge des Lichtemissionselements 12 reflektieren kann. Zum Beispiel kann eine Metallplatte oder ein Harzmaterial, das einen weißen Füllstoff enthält, geeignet verwendet werden.
  • Die Höhe des Reflexionsbauteils 33 und der Neigungswinkel der lichtreflektierenden Oberfläche in Bezug auf die Oberfläche des Substrats 25 können geeignet bestimmt werden. Die reflektierende Oberfläche kann eine flache Oberfläche oder eine gekrümmte Oberfläche sein, die so gewählt werden kann, dass gewünschte Lichtverteilungseigenschaften erhalten werden. Die Höhe des Reflexionsbauteils 33 kann das 0,3-fache oder weniger, vorzugsweise das 0,2-fache oder weniger, in Bezug auf die Entfernung zwischen den Lichtemissionselementen sein. Mit dieser Anordnung kann die Ungleichmäßigkeit der Helligkeit verringert werden.
  • Vorzugsweise bilden die Reflexionsbauteile 33 eine Gesamtplattenform, in der mehrere der Reflexionsbauteile 33 mit mehreren Durchgangslöchern, die die Anordnung der Lichtemissionsvorrichtungen zulassen, miteinander verbunden sind. In 6 ist eine schematische Querschnittsansicht dargestellt, die zwei Lichtemissionsvorrichtungen enthält, wobei aber z. B., wie in der schematischen Draufsicht aus 7 gezeigt ist, mehrere zehn bis mehrere hundert Lichtemissionsvorrichtungen in einer Matrix angeordnet sein können.
  • Beispiele
  • Beispiel 1
  • 1 und 2 sind eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht einer Lichtemissionsvorrichtung nach Beispiel 1. Wie in 1 gezeigt ist, ist in dem Beispiel 1 ein Lichtemissionselement 12 auf dem Substrat 25, in dem das Lichtemissionselement 12 die auf der oberen Oberfläche des Grundplattenkörpers 24 angeordneten Verdrahtungsteile 13a und 13b über die jeweiligen Fügebauteile 18 überspannt, Flip-Chip-montiert. Von den Verdrahtungsteilen 13a und 13b sind Gebiete, die nicht zum Herstellen einer elektrischen Verbindung verwendet sind, mit einer Schutzschicht 15 versehen. Die obere Oberfläche des Lichtemissionselements 12 ist mit einer Reflexionsschicht 17 versehen.
  • Das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 ist so angeordnet, dass es eine zweite Oberfläche 16b aufweist, die mit den seitlichen Oberflächen des Lichtemissionselements 12 in Kontakt steht, und dass die Reflexionsschicht 17, die sich auf der oberen Oberfläche des Lichtemissionselements 12, die bei Entfernung von dem Lichtemissionselement 12 in Richtung des Substrats 25 geneigt ist, befindet, freiliegt. Ferner ist ein zweites lichtdurchlässiges Bauteil 20 so angeordnet, dass es mit der zweiten Oberfläche 16b des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 und mit der Reflexionsschicht 17 in direktem Kontakt steht. Das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 weist in einer Draufsicht eine Kreisform auf und weist eine gekrümmte Oberfläche auf. Das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 ist in einer konvexen Form mit einer Höhe, die kleiner als sein Radius ist, gebildet und bedeckt das Lichtemissionselement 12 und das erste lichtdurchlässige Bauteil 16.
  • In Beispiel 1 ist der Grundplattenkörper 24 aus einem Glasepoxidgrundmaterial hergestellt, sind die Verdrahtungsteile 13a, 13b aus einem Cu-Material mit einer Dicke von 35 μm hergestellt, ist die Schutzschicht 15 aus einem weißen Lötmittelresist auf Expoxidgrundlage hergestellt und weist sie lichtreflektierende Eigenschaften auf.
  • Das Lichtemissionselement 12 ist eine blaue LED auf Nitridgrundlage mit einer Spitzenemissionswellenlänge von 450 nm mit einer im Wesentlichen quadratischen Form mit einer Seite von 600 μm und mit einer Dicke von 150 μm mit einem dielektrischen Mehrschichtfilm, der als eine Reflexionsschicht 17 auf der oberen Oberfläche des Lichtemissionselements 12 angeordnet ist.
  • In Beispiel 1 ist das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 aus Dimethylsilikon (Brechungsindex 1,41) hergestellt und ist das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus Phenylsilikon (Brechungsindex 1,50) hergestellt. In Beispiel 1 ist der Brechungsindex bei 589 nm gezeigt, wobei aber die Beziehung ”ein Brechungsindex α des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 < ein Brechungsindex β des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20” bei 450 nm, die die Emissionswellenlänge des Lichtemissionselements 18 ist, weiterhin erfüllt ist.
  • Vorzugsweise weist das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus 1 keine lichtstreuenden Eigenschaften auf, wobei aber ein Nanofüllstoff auf Siliciumdioxidgrundlage (durchschnittlicher Partikeldurchmesser etwa 12 mm), der keine Streuung von Licht erzeugt, hinzugefügt ist, um thixotrope Eigenschaften bereitzustellen.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Wie in 3 gezeigt ist, ist das Vergleichsbeispiel 1 abgesehen davon, dass das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 aus Phenylsilikon (Brechungsindex 1,50) hergestellt ist und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus Dimethylsilikon (Brechungsindex 1,41) hergestellt ist, wie in Beispiel 1 ausgeführt ist. Die Brechungsindizes genügen einer Beziehung ”ein Brechungsindex α des ersten lichtdurchlässigen Bauteil 16 > ein Brechungsindex β des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20”.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Wie in 4 gezeigt ist, ist das Vergleichsbeispiel 2 abgesehen davon, dass das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus Phenylsilikon (Brechungsindex 1,50) hergestellt sind, wie in Beispiel 1 ausgeführt ist. Die Brechungsindizes genügen einer Beziehung ”ein Brechungsindex α des ersten lichtdurchlässigen Bauteils 16 = ein Brechungsindex β des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20”.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • Wie in 4 gezeigt ist, ist das Vergleichsbeispiel 3 abgesehen davon, dass das erste lichtdurchlässige Bauteil 16 und das zweite lichtdurchlässige Bauteil 20 aus Dimethylsilikon (Brechungsindex 1,41) hergestellt sind, wie in Beispiel 1 ausgeführt. Die Brechungsindizes genügen ”Brechungsindex α des ersten lichtdurchlässigen Bauteils = Brechungsindex β des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils 20”.
  • Ergebnisse
  • Die Lichtverteilungseigenschaften der Lichtemissionsvorrichtungen in Übereinstimmung mit Beispiel 1 und mit den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 sind in 8 gezeigt.
  • Das Diagramm zeigt, dass in Beispiel 1, in dem α < β ist, Licht, das in einer Querrichtung emittiert wird, in einer Richtung nach oben gebrochen wird, was die Menge des Lichts in Querrichtung nach rechts verringert und dementsprechend die Spitzenhöhe erhöht. Mit der Erhöhung der Spitzenhöhe wird die Menge des Lichts direkt über dem Lichtemissionselement, d. h. die Menge des Lichts in der Nähe von 0°, verhältnismäßig verringert. Dementsprechend kann die relative Lichtstärke in Bezug auf die Spitzenlichtstärke in der Richtung im Wesentlichen nach oben im Vergleich zu den Vergleichsbeispielen 1 und 3 verringert werden und können die gewünschten Lichtverteilungseigenschaften erhalten werden.
  • Die Lichtemissionsvorrichtungen können für die Anzeigevorrichtungen wie etwa für Hintergrundbeleuchtungen von Flüssigkristallanzeigen und Fernsehgerätebildschirmen und Beleuchtungsvorrichtungen verwendet werden.
  • Selbstverständlich ist die vorliegende Offenbarung in Bezug auf beispielhafte Ausführungsformen davon beschrieben worden, wobei dem Fachmann auf dem Gebiet verschiedene andere Ausführungsformen und Varianten einfallen können, die im Schutzumfang und Erfindungsgedanken der Offenbarung liegen, und wobei solche anderen Ausführungsformen und Varianten durch die folgenden Ansprüche erfasst sein sollen.
  • Alle Veröffentlichungen, Patentanmeldungen und technischen Normen, die in dieser Beschreibung verwendet sind, sind hier in demselben Umfang, als ob jede einzelne Veröffentlichung, jede einzelne Patentanmeldung oder jede technische Norm hier spezifisch und einzeln als durch Literaturhinweis eingefügt angegeben wäre, durch Literaturhinweis eingefügt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2016-108389 [0001]
    • JP 2006-114863 [0004]

Claims (9)

  1. Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst: ein Substrat; ein Lichtemissionselement, das auf dem Substrat angeordnet ist, wobei das Lichtemissionselement eine obere Oberfläche und eine seitliche Oberfläche aufweist; eine Reflexionsschicht, die sich auf der oberen Oberfläche des Lichtemissionselements befindet; ein erstes lichtdurchlässiges Bauteil mit einer ersten Oberfläche in Kontakt mit der seitlichen Oberfläche des Lichtemissionselements und mit einer zweiten Oberfläche, die in einer Richtung von dem Lichtemissionselement nach außen in Richtung des Substrats geneigt ist; und ein zweites lichtdurchlässiges Bauteil in Kontakt mit der zweiten Oberfläche und das das Lichtemissionselement bedeckt; wobei ein Brechungsindex des ersten lichtdurchlässigen Bauteils kleiner als ein Brechungsindex des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils ist.
  2. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste lichtdurchlässige Bauteil und das zweite lichtdurchlässige Bauteil jeweils aus einem Harzmaterial hergestellt sind.
  3. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zweite lichtdurchlässige Bauteil das Substrat an einem Ort außerhalb eines Außenumfangs des ersten lichtdurchlässigen Bauteils direkt bedeckt.
  4. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Oberfläche des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils gekrümmt ist.
  5. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das zweite lichtdurchlässige Bauteil in einer Draufsicht eine Kreisform aufweist und wobei eine Höhe des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils kleiner als ein Radius der Kreisform ist.
  6. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Lichtemissionselement auf dem Substrat Flip-Chip-montiert ist.
  7. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: das Substrat ein Verdrahtungsteil umfasst, das sich auf einer Oberseite des Substrats befindet, und das Lichtemissionselement mit dem Verdrahtungsteil über einen Draht elektrisch verbunden ist.
  8. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner ein Reflexionsbauteil umfasst, das dafür konfiguriert ist, Licht von dem Lichtemissionselement zu reflektieren, wobei das Reflexionsbauteil in einem Gebiet außerhalb des zweiten lichtdurchlässigen Bauteils angeordnet ist.
  9. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei eine Höhe des Reflexionsbauteils größer als eine Höhe des zweiten Lichtreflexionsbauteils ist.
DE102017111706.7A 2016-05-31 2017-05-30 Lichtemissionsvorrichtung Pending DE102017111706A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016108389A JP6365592B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 発光装置
JP2016-108389 2016-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017111706A1 true DE102017111706A1 (de) 2017-11-30

Family

ID=59271053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017111706.7A Pending DE102017111706A1 (de) 2016-05-31 2017-05-30 Lichtemissionsvorrichtung

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10720552B2 (de)
JP (1) JP6365592B2 (de)
CN (1) CN107450228B (de)
DE (1) DE102017111706A1 (de)
GB (1) GB2551048B (de)
RU (1) RU2728830C2 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11037911B2 (en) 2017-12-27 2021-06-15 Nichia Corporation Light emitting device
JP7157331B2 (ja) * 2017-12-27 2022-10-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20190138418A (ko) 2018-06-05 2019-12-13 삼성전자주식회사 발광 다이오드 장치
KR20210116828A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
JP2021166133A (ja) * 2020-04-06 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 面状光源および面状光源の製造方法
WO2023023335A1 (en) * 2021-08-19 2023-02-23 Magna Rohinni Automotive, LLC Flexible led display

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114863A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Samsung Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びそのレンズ
JP2016108389A (ja) 2014-12-03 2016-06-20 帝人株式会社 光拡散性ポリカーボネート樹脂組成物

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2114492C1 (ru) * 1996-03-19 1998-06-27 Владимир Семенович Абрамов Светоизлучающий диод
RU2133068C1 (ru) * 1997-07-30 1999-07-10 Абрамов Владимир Семенович Светодиодное устройство
RU2134000C1 (ru) * 1997-12-31 1999-07-27 Абрамов Владимир Семенович Светодиодное устройство
JP3685018B2 (ja) 2000-05-09 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 発光素子とその製造方法
JP4282344B2 (ja) * 2003-02-28 2009-06-17 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7868345B2 (en) * 2004-10-27 2011-01-11 Kyocera Corporation Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus
US7375379B2 (en) * 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
US20070158660A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Acol Technologies S.A. Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
KR101524012B1 (ko) * 2007-12-11 2015-05-29 코닌클리케 필립스 엔.브이. 하이브리드 상부 반사기를 갖는 측면 발광 장치
DE102008025491A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Leiterplatte
EP2289114A1 (de) * 2008-06-10 2011-03-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-modul
JP5176750B2 (ja) * 2008-07-24 2013-04-03 ソニー株式会社 発光素子組立体、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
KR20100030470A (ko) * 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
JP2010147040A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Hitachi Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP5332960B2 (ja) * 2009-06-30 2013-11-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2011114093A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明装置
JP5810301B2 (ja) * 2009-11-25 2015-11-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
US20120075883A1 (en) * 2010-09-28 2012-03-29 Kocam International Co., Ltd. Edge-type led backlight moudle
JP5449274B2 (ja) * 2011-03-25 2014-03-19 シャープ株式会社 照明装置、および表示装置
JP5897862B2 (ja) * 2011-10-13 2016-04-06 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
EP2856012A4 (de) * 2012-05-31 2016-04-06 Lg Innotek Co Ltd Element zur steuerung eines lichtstroms, verfahren zur herstellung des elements, anzeigevorrichtung und lichtemittierende vorrichtung
JP5994472B2 (ja) * 2012-08-09 2016-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
JP2014075571A (ja) * 2012-09-12 2014-04-24 Sharp Corp 発光装置及びその製造方法
WO2015011590A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Koninklijke Philips N.V. Flip-chip side emitting led
US9299895B1 (en) * 2014-09-25 2016-03-29 Prolight Opto Technology Corporation Package structure of enhanced lumen light emitting diode

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006114863A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Samsung Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びそのレンズ
JP2016108389A (ja) 2014-12-03 2016-06-20 帝人株式会社 光拡散性ポリカーボネート樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP6365592B2 (ja) 2018-08-01
JP2017216326A (ja) 2017-12-07
RU2017118566A3 (de) 2020-02-28
RU2728830C2 (ru) 2020-07-31
CN107450228B (zh) 2022-03-29
RU2017118566A (ru) 2018-11-30
GB2551048B (en) 2020-07-29
US20200313043A1 (en) 2020-10-01
US11171261B2 (en) 2021-11-09
GB2551048A (en) 2017-12-06
GB201708592D0 (en) 2017-07-12
US10720552B2 (en) 2020-07-21
US20170345974A1 (en) 2017-11-30
CN107450228A (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017111706A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung
EP2047526B1 (de) Beleuchtungsanordnung
EP1352432B9 (de) Lumineszenzdiode und verfahren zu deren herstellung
DE112008002540B4 (de) LED-Gehäuse und Hintergrundbeleuchtungseinheit unter Verwendung desselben
DE102008025756B4 (de) Halbleiteranordnung
DE112007000773B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung
EP2130072B1 (de) Anordnung mit einem halbleiterchip und einer lichtleiterschicht
DE102019207910B4 (de) Leuchtdiodenchip mit verteiltem Bragg-Reflektor
DE202010017509U1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem
DE102011080458A1 (de) Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung
DE202013012818U1 (de) Linse und lichtemittierendes Modul zur Flächenbeleuchtung
DE102005020908A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung
DE102005008097A1 (de) Flip-Chip-Lichtemissionsbauteil
DE102015112042B4 (de) Optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102007021042A1 (de) Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
DE102016119002A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102005040522B4 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008021402A1 (de) Oberflächenmontierbares Leuchtdioden-Modul und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Leuchtdioden-Moduls
DE102007029369A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112016002539T5 (de) Leuchtdiode
DE19831607B4 (de) Lineares Beleuchtungsbauelement und Bildlesevorrichtung, welche dieses verwendet
DE102005019832A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung
DE102008047579B4 (de) Leuchtmittel
DE102007032274A1 (de) Kompakte Lichtquelle mit hoher Intensität auf LED-Basis
DE102013102967A1 (de) Beleuchtungsmodul mit Lichtleitkörper und Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungsmoduls

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed