DE202018004818U1 - Fahrzeugleuchte unter Verwendung eines lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements - Google Patents

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Abstract

Fahrzeugleuchte, die aufweist:eine Lichtquelleneinheit (12), die so konfiguriert ist, dass sie Licht abstrahlt, wobei die Lichtquelleneinheit aufweist:ein Substrat (110), das eine Verdrahtungselektrode aufweist,mehrere lichtabstrahlende Halbleiterbauelemente (150), die auf dem Substrat angeordnet sind, wobei sie mit der Verdrahtungselektrode elektrisch verbunden sind,mehrere Leuchtstoffschichten (180), die jeweils eines der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente abdecken, wobei sie so konfiguriert sind, dass sie Lichtwellenlängen umwandeln, undSperrrippen (160), die auf dem Substrat angeordnet und so konfiguriert sind, dass sie Licht reflektieren, wobei die Sperrrippen zwischen den mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen angeordnet sind,wobei eine Höhe jeder der Sperrrippen eine Höhe jedes der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente in Aufwärtsrichtung von einer Oberseite des Substrats übersteigt.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Anmeldung betrifft eine Fahrzeugleuchte und insbesondere eine Fahrzeugleuchte, die ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement verwendet.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Ein Fahrzeug kann verschiedene Leuchten mit Ausleuchtfunktionen und Signalisierungsfunktionen aufweisen. Beispielsweise kommen Halogenlampen oder Gasentladungslampen zum Einsatz, und in den letzten Jahren sind Leuchtdioden (LEDs) als Lichtquellen für Fahrzeugleuchten von Interesse.
  • Die LED kann einen Freiheitsgrad zur Gestaltung einer Leuchte durch Minimieren ihrer Größe erhöhen und aufgrund einer nahezu permanenten Lebensdauer für Wirtschaftlichkeit sorgen, aber die meisten LEDs werden derzeit in Package-Form produziert. In einigen Beispielen wurden LEDs als lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement entwickelt, das einen Strom in Licht als Bildanzeigelichtquelle für ein Elektronikgerät umwandelt, z. B. ein Informationskommunikationsgerät.
  • In einigen Fällen können Fahrzeugleuchten mit den LEDs in Package-Form eine niedrige Ausbeute bei der Massenproduktion, hohe Fertigungskosten und geringe Flexibilität haben.
  • Seit einiger Zeit entwickelt man intelligente Leuchten mit einer Struktur, bei der ein Teil einer Leuchte selektiv leuchtet. Eine zu einer Leuchte gehörende Struktur kann Interferenz zwischen Licht verhindern, das von jedem von mehreren lichtabstrahlenden Bauelementen abgestrahlt wird.
  • Zusammenfassung der Offenbarung
  • Ein Aspekt der Offenbarung kann eine Sperrrippenstruktur bereitstellen, die verhindern kann, dass abgestrahltes Licht von jedem von lichtabstrahlenden Bauelementen, die zu einer Fahrzeugleuchte gehören, miteinander interferiert.
  • Gemäß einem Aspekt des in dieser Anmeldung beschriebenen Gegenstands weist eine Fahrzeugleuchte eine Lichtquelleneinheit auf, die so konfiguriert ist, dass sie Licht abstrahlt. Die Lichtquelleneinheit verfügt über ein Substrat, das eine Verdrahtungselektrode aufweist, mehrere lichtabstrahlende Halbleiterbauelemente, die mit der Verdrahtungselektrode elektrisch verbunden sind, mehrere Leuchtstoffschichten, die jeweils die mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente abdecken und die so konfiguriert sind, dass sie Lichtwellenlängen umwandeln, und Sperrrippen, die auf dem Substrat angeordnet und so konfiguriert sind, dass sie Licht reflektieren, wobei die Sperrrippen zwischen den mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen angeordnet sind. Eine Höhe jeder der Sperrrippen übersteigt eine Höhe jedes der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente in Dickenrichtung der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente.
  • In einigen Beispielen kann Licht, das von jedem von lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen abgestrahlt wird, die zu einer Fahrzeugleuchte gehören, nicht so miteinander interferieren, dass zu einer Seitenfläche des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements gerichtetes Licht absorbiert oder reflektiert wird. Bei Nutzung einer hier offenbarten Struktur zusammen mit einer Elektrodenstruktur, die die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente auf der Grundlage einer Einheit eines Bauelements steuern kann, kann ein Teil eines gesamten Bereichs der Fahrzeugleuchte selektiv eingeschaltet werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Konzeptansicht einer beispielhaften Fahrzeugleuchte, die ein beispielhaftes lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement verwendet.
    • 2 ist eine vergrößerte Ansicht des Teils A in 1.
    • 3 ist eine Schnittansicht des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements von 2.
    • 4 ist eine Konzeptansicht eines beispielhaften lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements vom Flip-Chip-Typ von 3.
    • 5A bis 5C sind Schnittansichten des Teils A in 1.
    • 6 und 7 sind Konzeptansichten eines beispielhaften Fertigungsverfahrens.
    • 8A bis 8C sind Schnittansichten des Teils A in 1.
    • 9A bis 9C sind Schnittansichten des Teils A in 1.
    • 10 ist eine Konzeptansicht eines Querschnitts eines beispielhaften lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements vom Vertikaltyp.
    • 11 ist eine Schnittansicht einer beispielhaften Lichtquelle, die ein beispielhaftes lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement vom Vertikaltyp verwendet.
  • Nähere Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Nunmehr werden hierin offenbarte beispielhafte Ausführungsformen anhand der beigefügten Zeichnungen näher beschrieben.
  • Eine in dieser Anmeldung beschriebene Fahrzeugleuchte kann einen Scheinwerfer, eine Heckleuchte, eine Positionsleuchte, einen Nebelscheinwerfer, eine Fahrtrichtungsleuchte, eine Bremsleuchte, eine Notleuchte, eine Rückfahrleuchte u. ä. aufweisen. Dem Fachmann wird aber klar sein, dass die Konfiguration gemäß Ausführungsformen, die hier beschrieben sind, auch auf eine neue Produktart angewendet sein kann, die später entwickelt wird, wenn das Bauelement ein zur Lichtabstrahlung fähiges Bauelement ist.
  • 1 ist eine Konzeptansicht einer beispielhaften Ausführungsform einer Fahrzeugleuchte, die ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement verwendet.
  • Eine Fahrzeugleuchte 10 weist einen Rahmen 11, der an einer Fahrzeugkarosserie befestigt ist, und eine Lichtquelleneinheit 12 auf, die am Rahmen 11 angebaut ist.
  • Eine Verdrahtungsleitung zur Stromzufuhr zur Lichtquelleneinheit 12 kann mit dem Rahmen 11 verbunden sein, und der Rahmen 11 kann an der Fahrzeugkarosserie direkt oder mit Hilfe einer Halterung befestigt sein. In einigen Beispielen kann die Fahrzeugleuchte 10 mit einer Linseneinheit versehen sein, um von der Lichtquelleneinheit 12 abgestrahltes Licht stärker zu streuen und scharf zu stellen.
  • Die Lichtquelleneinheit 12 kann eine flexible Lichtquelleneinheit sein, die durch Außenkraft gekrümmt, gebogen, verdreht, gefaltet oder gerollt werden kann.
  • In einem nicht gekrümmten Zustand der Lichtquelleneinheit 12 (beispielsweise einem Zustand mit einem unendlichen Krümmungsradius, nachstehend erster Zustand genannt) ist die Lichtquelleneinheit 12 flach. Wird der erste Zustand in einen Zustand gewechselt, in dem die Lichtquelleneinheit 12 durch Außenkraft gebogen ist (z. B. einen Zustand mit einem endlichen Krümmungsradius, nachstehend zweiter Zustand genannt), kann die flexible Lichtquelleneinheit eine gekrümmte Oberfläche haben, von der mindestens ein Teil gekrümmt oder gebogen ist.
  • Ein Pixel der Lichtquelleneinheit 12 kann durch ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement realisiert sein. Die Offenbarung veranschaulicht beispielhaft eine Leuchtdiode (LED) als Art von lichtabstrahlendem Halbleiterbauelement zum Umwandeln von Strom in Licht. Die LED kann ein lichtabstrahlendes Bauelement mit kleiner Größe sein und kann somit als Pixel auch im zweiten Zustand dienen.
  • Beispielsweise kann die Lichtquelleneinheit 12 eine Einheitslichtquelle, ein Basissubstrat und eine Verbindungselektrode aufweisen. Nachstehend werden die zuvor genannten Aufbauelemente (Komponenten) näher beschrieben.
  • Die Lichtquelleneinheit 12 kann mit der Einheitslichtquelle versehen sein. Im Folgenden wird die Einheitslichtquelle auf der Grundlage der Lichtquelleneinheit 12 näher beschrieben, die nur mit der Einheitslichtquelle versehen ist.
  • 2 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht eines Teils A in 1, 3 ist eine Schnittansicht davon, und 4 ist eine Konzeptansicht eines Beispiels für ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement vom Flip-Chip-Typ von 3.
  • Gemäß 2, 3 und 4 kommt ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement vom Typ mit Passivmatrix (PM) als Einheitslichtquelle zum Einsatz, die das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement verwendet. Allerdings kann das nachstehend beschriebene Beispiel auch auf ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement vom Typ mit Aktivmatrix (AM) anwendbar sein.
  • Die Einheitslichtquelle weist ein Substrat 110, eine erste Elektrode 120, eine zweite Elektrode 140 und mehrere lichtabstrahlende Halbleiterbauelemente 150 auf.
  • Das Substrat 110 kann als Basisschicht für eine in den anschließenden Verfahrensabläufen zu bildende Struktur dienen und kann ein Verdrahtungssubstrat sein, auf dem die erste Elektrode 120 angeordnet ist. Das Substrat 110 kann aus Glas oder Polyimid (PI) gebildet sein, um eine flexible Lichtquelleneinheit zu realisieren. Zusätzlich kann das Substrat 110 aus einem dünnen Metall hergestellt sein. Außerdem kann das Substrat 110 alternativ aus jedem Material mit Isoliervermögen und Flexibilität hergestellt sein, beispielsweise Polyethylennaphthalat (PEN), Polyethylenterephthalat (PET) u. ä. In einigen Beispielen kann das Substrat 110 aus einem transparenten Material oder einem opaken Material hergestellt sein.
  • In einigen Beispielen kann eine Wärmeableitbahn, eine Wärmesenke o. ä. auf dem Substrat 110 angebaut sein, um für eine Wärmeableitfunktion zu sorgen. Beispielsweise kann die Wärmeableitbahn, die Wärmesenke o. ä. auf einer Gegenfläche zu einer Oberfläche angebaut sein, auf der die erste Elektrode 120 angeordnet ist.
  • Die erste Elektrode 120 ist auf dem Substrat 110 angeordnet und kann als plattenförmige Elektrode gebildet sein. Daher kann die erste Elektrode 120 eine auf dem Substrat angeordnete Elektrodenschicht sein und kann als Datenelektrode dienen.
  • Gemäß 2 kann eine Isolierschicht 130 auf dem Substrat 110 angeordnet sein, auf dem die erste Elektrode 120 liegt, und Hilfselektroden 170 können auf der Isolierschicht 130 angeordnet sein. In diesem Fall kann der Zustand, in dem die Isolierschicht 130 auf dem Substrat 110 laminiert ist, ein Einzelverdrahtungssubstrat sein. In einigen Beispielen kann die Isolierschicht 130 aus einem flexiblen Isoliermaterial, z. B. Polyimid (PI), PET oder PEN, gebildet sein oder kann in einem Stück mit dem Substrat 110 hergestellt sein, um ein Einzelsubstrat zu bilden.
  • Die Hilfselektrode 170 ist eine Elektrode, die die erste Elektrode 120 und die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente 150 elektrisch verbindet, und ist auf der Isolierschicht 130 so angeordnet, dass sie einer Position der ersten Elektrode 120 entspricht. Beispielsweise kann die Hilfselektrode 170 eine punktartige Form haben und kann mit der ersten Elektrode 120 über ein Elektrodenloch 171 elektrisch verbunden sein, das durch die Isolierschicht 130 hindurch gebildet ist. Das Elektrodenloch 171 kann durch Füllen eines leitenden Materials in ein Durchgangsloch gebildet sein.
  • In einigen Beispielen kann das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement 150 eine Helligkeit vorsehen, um ein individuelles Einheitspixel zu bilden, obwohl es eine kleine Größe hat. Das individuelle lichtabstrahlende Halbleiterbauelement 150 kann eine Größe von höchstens 80 µm auf einer Seite haben und kann rechteck- oder quadratförmig sein. In diesem Fall liegt eine Fläche des einzelnen lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements im Bereich von 10-10 bis 10-5 m2, und ein Abstand zwischen den lichtabstrahlenden Bauelementen kann im Bereich von 100 µm bis 10 mm liegen.
  • Mit Bezug auf 4 kann das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement ein lichtabstrahlendes Bauelement vom Flip-Chip-Typ sein.
  • Beispielsweise verfügt jedes lichtabstrahlende Halbleiterbauelement über eine p-Elektrode 156, eine p-Halbleiterschicht 155, auf der die p-Elektrode 156 auf einer Seite gebildet ist, eine aktive Schicht 154, die auf der anderen Seite der p-Halbleiterschicht 155 gebildet ist, eine n-Elektrode 153, die auf der aktiven Schicht 154 gebildet ist, und eine n-Elektrode 152, die auf einer Seite der n-Halbleiterschicht 153 angeordnet ist, während sie von der p-Elektrode 156 in Horizontalrichtung beabstandet ist. In diesem Fall kann die p-Elektrode 156 mit der Hilfselektrode 170 elektrisch verbunden sein, und die n-Elektrode 152 kann mit der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden sein.
  • Mit erneutem Bezug auf 2 und 3 kann sich die Hilfselektrode 170 in einer Richtung längs erstrecken, und eine Hilfselektrode kann mit den mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen 150 elektrisch verbunden sein. Beispielsweise können die p-Elektroden des linken und rechten lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements auf der Grundlage der Hilfselektrode mit einer Hilfselektrode elektrisch verbunden sein.
  • Zusätzlich können die mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente 150 ein lichtabstrahlendes Bauelementarray bilden, und Leuchtstoffschichten 180 sind auf dem lichtabstrahlenden Bauelementarray gebildet.
  • Das lichtabstrahlende Bauelementarray kann mehrere lichtabstrahlende Halbleiterbauelemente mit unterschiedlichen Helligkeitswerten aufweisen. Jedes der lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente 150 kann ein Einheitspixel bilden und mit der ersten Elektrode 120 elektrisch verbunden sein. Beispielsweise kann die erste Elektrode 120 mehrmals vorgesehen sein. Die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente können beispielsweise in mehreren Reihen angeordnet sein, und die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente in jeder Reihe können mit einer der mehreren ersten Elektroden elektrisch verbunden sein.
  • Da zusätzlich die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente in Form eines Flip-Chips verbunden sind, können die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente verwendet werden, die auf einem transparenten dielektrischen Substrat gezogen sind. Die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente können beispielsweise lichtabstrahlende Nitrid-Halbleiterbauelemente sein. Da das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement 150 ausgezeichnete Helligkeit hat, kann es ein individuelles Einheitspixel bilden, obwohl es eine kleine Größe hat.
  • In einigen Beispielen liegt die zweite Elektrode 140 zwischen den lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen 150 und ist mit den lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen 150 elektrisch verbunden. Beispielsweise können die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente 150 in mehreren Reihen angeordnet sein, und die zweite Elektrode 140 kann zwischen den Reihen der lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente 150 angeordnet sein.
  • In diesem Fall kann die zweite Elektrode 140 zwischen den lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen 150 liegen, da ein Abstand zwischen den die individuellen Pixel bildenden lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen 150 ausreichend groß ist. Zusätzlich kann die zweite Elektrode 140 als stabartige Elektrode ausgebildet sein, die in einer Richtung länglich ist.
  • Beispielsweise kann auch ein Farbfilter 200 auf den Leuchtstoffschichten 180 laminiert sein, um die Farbreinheit von umgewandeltem Licht zu verbessern. Zusätzlich kann das Farbfilter 200 mit einer Passivierungsschicht 300 abgedeckt sein, um eine Lichtquelleneinheit vor Feuchtigkeit, Sauerstoff und Außenstößen zu schützen. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht durch Ankleben eines Films oder Beschichten mit Harz gebildet sein.
  • In einigen Beispielen können Sperrrippen 160 zwischen den lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen 150 gebildet sein, um zu verhindern, dass von jedem der lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente abgestrahltes Licht miteinander interferiert. In diesem Fall kann die Sperrrippe 160 dazu dienen, die individuellen Einheitspixel voneinander zu trennen.
  • Die Sperrrippen 160 können in Dickenrichtung des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements höher als die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente ausgebildet sein. Folglich absorbiert oder reflektiert die Sperrrippe 160 nicht nur vom lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement abgestrahltes Licht, sondern auch Licht, das von der Leuchtstoffschicht ausgegeben wird, die auf dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement angeordnet ist. Insbesondere absorbiert oder reflektiert die Sperrrippe 160 vom lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement abgestrahltes Licht und Licht, das zu einer Seite des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements von Licht gerichtet ist, das von der Leuchtstoffschicht ausgegeben wird.
  • In einigen Beispielen kann die Sperrrippe 160 aus einem Material mit hoher Lichtabsorptionsrate oder einem weißen Material mit hohem Reflexionsvermögen gebildet sein. In einigen Fällen kann das Material mit hoher Lichtabsorption als schwarzes Material bezeichnet werden. In einigen Beispielen kann die Sperrrippe 160 aus einem glänzenden Metall oder einer glänzenden Legierung hergestellt sein, darunter u. a. Ni, Cr, Cu o. ä. mit hohem Reflexionsvermögen.
  • Die Sperrrippe 160 und die Leuchtstoffschicht 180 können in verschiedenen Formen ausgeführt sein. Nachstehend werden verschiedene Ausführungen beschrieben, die die Sperrrippe 160 und die Leuchtstoffschicht 180 bilden.
  • Der zweckmäßigen Beschreibung halber entfällt im Folgenden eine Beschreibung der anderen Komponenten der Komponenten, die die Lichtquelleneinheit bilden, mit Ausnahme des Halbleitersubstrats 110, des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150, der Sperrrippe 160 und der Leuchtstoffschicht 180, aber dem Fachmann werden jene Komponenten klar sein, die nicht anhand von 2 bis 4 beschrieben sind.
  • Gemäß 2, 3 und 5A kann die Leuchtstoffschicht 180 so angeordnet sein, dass sie eine Seitenfläche und eine Oberseite des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150 umgibt. In diesem Fall kann keine andere Schicht zwischen dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 und der Leuchtstoffschicht 180 eingefügt sein, und die Wellenlänge des vom lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 abgestrahlten Lichts wird in der Leuchtstoffschicht 180 umgewandelt.
  • Gemäß 5B kann ein optischer Spalt 190 zwischen der Leuchtstoffschicht 180 und dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 gebildet sein. Der optische Spalt 190 kann mit Luft gefüllt oder kann aus transparentem Harz hergestellt sein. In diesem Fall wird das vom lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 abgestrahlte und zur Seitenfläche des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150 gerichtete Licht über den optischen Spalt 190 durch die Leuchtstoffschicht 180 absorbiert.
  • Gemäß 5C kann eine optische Spaltschicht 191 unter der Leuchtstoffschicht 180 angeordnet sein. Die optische Spaltschicht 191 kann mit Luft gefüllt oder kann aus transparentem Harz hergestellt sein. Anders als bei der Struktur von 5B wird mit Bezug auf eine Struktur gemäß 5C das vom lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 abgestrahlte und zur Seitenfläche des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150 gerichtete Licht über die optische Spaltschicht 191 durch die Sperrrippe absorbiert oder durch die Sperrrippe reflektiert.
  • In einigen Ausführungen kann die optische Spaltschicht 191 als Struktur zum elektrischen Verbinden des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150 mit einer Verdrahtungselektrode verwendet werden. Beispielsweise kann die optische Spaltschicht 191 eine Schicht mit Haftfähigkeit und Leitfähigkeit sein. In einigen Beispielen können ein Material mit Leitfähigkeit und ein Material mit Haftfähigkeit in der optischen Spaltschicht 191 gemischt sein. Ferner hat die optische Spaltschicht 191 Duktilität, um eine flexible Funktionalität in der Fahrzeugleuchte zu ermöglichen.
  • Als Beispiel kann die optische Spaltschicht 191 ein anisotroper leitender Film (ACF), eine anisotrope leitende Paste, eine leitende Teilchen enthaltende Lösung o. ä. sein. Die optische Spaltschicht 191 kann als Schicht konfiguriert sein, die eine gegenseitige elektrische Verbindung in z-Richtung durch ihre Dicke hindurchgehend ermöglicht, aber elektrische Isolierung in horizontaler x-y-Richtung hat. Folglich kann die optische Spaltschicht 191 als leitende z-Achsenschicht bezeichnet werden.
  • Der anisotrope leitende Film ist ein Film, in dem ein anisotropes leitendes Medium mit einem Isolierbasisteil gemischt ist. Werden Wärme und Druck ausgeübt, erhält nur ein spezifischer Abschnitt Leitfähigkeit durch das anisotrope leitende Medium. Nachstehend wird ein Beispiel beschrieben, in dem Wärme und Druck auf den anisotropen leitenden Film ausgeübt werden, aber alternativ können andere Verfahren verwendet werden, damit der anisotrope leitende Film teilweise Leitfähigkeit haben kann. Zu Beispielen für die anderen Verfahren können ein Verfahren zur Ausübung von Wärme oder Druck, ein UV-Härteverfahren u. ä. gehören.
  • Das anisotrope leitende Medium kann beispielsweise ein leitendes Kügelchen oder ein leitendes Teilchen sein. Der anisotrope leitende Film kann ein Film sein, in dem leitende Kügelchen mit einem Isolierbasisteil gemischt sind. In einigen Fällen kann bei Wärme- und Druckausübung nur ein spezifischer Abschnitt Leitfähigkeit durch die leitenden Kügelchen erhalten. Beispielsweise kann der anisotrope leitende Film mehrere Teilchen enthalten, die jeweils einen Kern und ein leitendes Material aufweisen, das mit einem Isolierfilm beschichtet ist, der aus einem Polymermaterial hergestellt ist. In diesem Fall wird ein Abschnitt des Isolierfilms, an dem Wärme und Druck ausgeübt werden, zerbrochen und erhält dadurch Leitfähigkeit durch den Kern. In einigen Fällen kann die Form des Kerns verformt werden, um eine Schicht zu bilden, die in Dickenrichtung des Films miteinander in Kontakt gebracht wird. In einigen Beispielen werden Wärme und Druck auf den gesamten anisotropen leitenden Film ausgeübt, und eine elektrische Verbindung in z-Achsenrichtung wird infolge einer Höhendifferenz eines durch den anisotropen leitenden Film haftenden Objekts teilweise hergestellt.
  • In einigen Beispielen kann der anisotrope leitende Film mehrere Teilchen enthalten, die jeweils einen Isolierkern aufweisen, der mit einem leitenden Material beschichtet ist. In diesem Fall wird ein Abschnitt des leitenden Materials, auf den Wärme und Druck ausgeübt werden, verformt (durchstochen, zerdrückt), wodurch der Abschnitt Leitfähigkeit in Dickenrichtung des Films hat. Als weiteres Beispiel kann das leitende Material das Isolierbasisteil in z-Achsenrichtung so durchdringen, dass der Film Leitfähigkeit in seiner Dickenrichtung hat. In diesem Fall kann das leitende Material einen scharfen Endabschnitt haben.
  • In einigen Beispielen kann der anisotrope leitende Film ein anisotroper leitender Film (AFC) mit festem Array sein, in dem leitende Kügelchen in eine Oberfläche des Isolierbasisteils eingesetzt sind. Beispielsweise kann das Isolierbasisteil aus einem Material mit Haftfähigkeit gebildet sein, und die leitenden Kügelchen sind auf einem Bodenabschnitt des Isolierbasisteils konzentriert. Bei Wärme- und Druckausübung auf das Basisteil wird der Film zusammen mit den leitenden Kügelchen verformt, um Leitfähigkeit in senkrechter Richtung zu erhalten.
  • Allerdings ist die Offenbarung nicht darauf beschränkt. Alternativ kann der anisotrope leitende Film gebildet sein, indem leitende Kügelchen in das Isolierbasisteil ungeordnet eingesetzt sind, oder kann in Form eines Doppel-AFC konfiguriert sein, in dem mehrere Schichten gebildet und die leitenden Kügelchen in eine der Schichten eingesetzt sind.
  • Die anisotrope leitende Paste kann eine Kombination aus einer Paste und leitenden Kügelchen aufweisen, kann beispielsweise eine Paste sein, in der leitende Kügelchen mit einem Basismaterial gemischt sind, das Isoliervermögen und Haftfähigkeit hat. In einigen Beispielen kann die leitende Teilchen enthaltende Lösung eine Lösung sein, in der leitende Teilchen oder Nanoteilchen enthalten sind.
  • In einigen Beispielen, in denen eine Breite der Sperrrippe wie in der Beschreibung der Lichtquelle gemäß 5A bis 5C im zweistelligen Mikrometerbereich liegt, kann es schwierig sein, die Sperrrippe an einer vorbestimmten Position und in einer vorbestimmten Höhe genau zu bilden. Hat die Sperrrippe eine Höhe, die eine vorbestimmte Höhe übersteigt, kann in einigen Fällen die Dauerbeständigkeit der Sperrrippe beeinträchtigt sein, wodurch die Sperrrippe bei der Fertigung der Lichtquelle beschädigt werden kann.
  • Vor der Beschreibung einer Sperrrippenstruktur wird ein Fertigungsverfahren zum freien Einstellen der Höhe der Sperrrippe beschrieben.
  • 6 und 7 sind Konzeptansichten eines Beispiels für ein Fertigungsverfahren.
  • Mit Bezug auf 6 wird ein erster Schritt des Anordnens mehrerer lichtabstrahlender Halbleiterbauelemente auf einem Substrat durchgeführt. Beispielsweise können eine erste leitende Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite leitende Halbleiterschicht auf einem Wachstumssubstrat angeordnet werden. Das Verfahren kann einen Ätzschritt aufweisen, um die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente zu erzeugen, und einen. Eine erste leitende Elektrode 156 und eine zweite leitende Elektrode 152 können nach dem Ätzschritt gebildet werden.
  • Das Wachstumssubstrat (z. B. ein Wafer) kann aus einem Material mit optischer Transparenz gebildet sein, darunter u. a. Saphir (Al2O3), GaN, ZnO oder AlO. In einigen Beispielen kann das Wachstumssubstrat aus einem Material hergestellt sein, das zum Aufwachsen eines Halbleitermaterials geeignet ist, z. B. einem Trägerwafer. Ferner kann das Wachstumssubstrat aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit gebildet sein. Das Wachstumssubstrat 110 kann beispielsweise ein SiC-Substrat mit höherer Wärmeleitfähigkeit als ein Saphir- (Al2O3) Substrat verwenden. In einigen Beispielen kann das Wachstumssubstrat 110 zusätzlich zu einem leitenden Substrat oder einem Isoliersubstrat Si, GaAs, GaP, InP und/oder Ga203 verwenden.
  • Die erste leitende Elektrode 156 und die erste leitende Halbleiterschicht können eine p-Elektrode bzw. eine p-Halbleiterschicht sein. Die zweite leitende Elektrode 152 und die zweite leitende Halbleiterschicht können eine n-Elektrode bzw. eine n-Halbleiterschicht sein. Allerdings ist die Offenbarung nicht unbedingt darauf beschränkt und kann alternativ auf ein Beispiel angewendet werden, in dem der erste Leitfähigkeitstyp n-leitend und der zweite Leitfähigkeitstyp p-leitend ist.
  • Als Nächstes werden die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente mit dem Verdrahtungssubstrat verbunden, und das Wachstumssubstrat wird entfernt. Werden die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente mit dem Verdrahtungssubstrat gekoppelt, kann eine leitende Klebeschicht genutzt werden.
  • Das Verdrahtungssubstrat befindet sich in einem Zustand, in dem erste und zweite Elektroden darauf gebildet sind, und die ersten und zweiten leitenden Elektroden werden mit den ersten bzw. zweiten Elektroden über die leitenden Klebeschichten o. ä. elektrisch verbunden.
  • Ist in einigen Beispielen gemäß 2 und 3 die Isolierschicht 130 auf dem Substrat gebildet, können die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente auf der Verdrahtungselektrode angeordnet sein, die auf der Isolierschicht 130 gebildet ist. Nachstehend können auf dem Substrat angeordnete Komponenten auch auf der in 2 und 3 beschriebenen Isolierschicht angeordnet sein, was von der Art und Weise der Bildung der Verdrahtungselektrode abhängt.
  • Als Nächstes wird ein zweiter Schritt des Abscheidens einer Keimschicht, die aus einem Metall oder einer Legierung hergestellt ist, zwischen den lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen durchgeführt.
  • Die Sperrrippe kann durch Elektroplattieren gebildet werden. Um das Elektroplattieren durchzuführen, sollte eine Keimschicht 161, die als Elektrode zum Plattieren wirkt, auf dem Substrat gebildet werden. Um eine Verbindungskraft zwischen dem Substrat 110 und der Keimschicht 161 zu verstärken, kann vorab eine Klebeschicht auf dem Substrat 110 abgeschieden sein. Die Klebeschicht kann aus einem Metall hergestellt sein, z. B. Ti, TiN, Cr o. ä., und die Keimschicht 161 kann aus Au, Cu o. ä. hergestellt sein.
  • Anschließend wird ein dritter Schritt des Bildens einer Leuchtstoffschicht durchgeführt, die die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente abdeckt.
  • Die Leuchtstoffschicht 180 kann gebildet werden, indem ein mit einem Leuchtstoff gemischtes Harz auf das Substrat aufgetragen und das mit dem Leuchtstoff gemischte Harz gehärtet wird. In diesem Fall hat die Leuchtstoffschicht 180 die Struktur gemäß 5A.
  • In einigen Beispielen kann ein Verfahren zur Fertigung der Leuchtstoffschicht 180 in Plattenform und zum anschließenden Verbinden der Leuchtstoffschicht 180 mit dem Substrat genutzt werden. Beispielsweise kann die plattenförmige Leuchtstoffschicht 180 gefertigt werden, indem Leuchtstoffpulver in Plattenform gebrannt und eine ausgesparte Struktur auf einer Oberfläche der Platte durch Nassätzen oder Trockenätzen gebildet wird. Hierbei sollte die ausgesparte Struktur an einer Position gebildet werden, an der das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement angeordnet ist.
  • Wird die Leuchtstoffschicht durch die Leuchtstoffplatte gebildet, kann ein Spalt zwischen dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement und der Leuchtstoffschicht gebildet werden. Beispielsweise kann bei Bildung der Leuchtstoffschicht durch die Leuchtstoffplatte die Struktur gemäß 5B gebildet werden. Beim Kleben der Leuchtstoffplatte an das Substrat nach Einfüllen von transparentem Harz in die ausgesparte Struktur kann ein aus dem transparenten Harz hergestellter optischer Spalt zwischen dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement und der Leuchtstoffschicht gebildet werden.
  • Als Nächstes wird ein vierter Schritt des Ätzens eines Teils der Leuchtstoffschicht durchgeführt, um die Keimschicht nach außen freizulegen.
  • Die im dritten Schritt gebildete Leuchtstoffschicht 180 deckt das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement 150 und die Keimschicht 161 ab. Zur Plattierungsdurchführung mit Hilfe der Keimschicht 161 sollte die Keimschicht 161 nach außen freiliegen. Um die Keimschicht 161 freizulegen, wird der Schritt des Ätzens der Leuchtstoffschicht 180 durchgeführt. Geätzt werden sollte ein Bereich, der die Keimschicht 161 in der Leuchtstoffschicht 180 überdeckt. Ist beispielsweise die Keimschicht 161 auf dem Substrat in Maschenform angeordnet, muss auch die Leuchtstoffschicht 180 in Maschenform geätzt werden.
  • Das Ätzen der Leuchtstoffschicht kann durch Nassätzen oder Trockenätzen erfolgen.
  • Beispielsweise kann ein Loch h1 durch Ätzen gebildet werden. Das Loch h1 dient als Form zum Bilden der o. g. Sperrrippe. Je nach Form des Lochs h1 kann die Struktur der Sperrrippe variieren. Die Breite der Sperrrippe kann durch Einstellen einer Breite des Lochs h1 eingestellt werden.
  • Ein fünfter Schritt des Bildens der Sperrrippe auf der Keimschicht durch Auftragen einer Plattierungslösung wird durchgeführt, während eine Spannung an der Keimschicht angelegt wird.
  • Bei Anlegen einer Spannung an der Keimschicht 161 in der Plattierungslösung nach Freilegen der Keimschicht 161 nach außen beginnt ein Metall, auf der Keimschicht 161 abgeschieden zu werden. Hierbei kann das abgeschiedene Metall ein glänzendes Metall sein. Werden eine Konzentration der Plattierungslösung, eine Plattierungszeit, die Stärke der angelegten Spannung o. ä. eingestellt, kann eine Höhe der Sperrrippe eingestellt werden.
  • In einigen Beispielen kann gemäß 7 das offenbarungsgemäße Fertigungsverfahren ferner einen Schritt des Bildens einer Lichtübertragungsschicht 191 aufweisen, die das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement abdeckt, bevor der dritte Schritt nach Durchführung des zweiten Schritts durchgeführt wird. Die durch das Fertigungsverfahren gefertigte Lichtquelle hat die Struktur gemäß 5C.
  • Die Lichtübertragungsschicht 191 kann der anisotrope leitende Film sein. In einigen Beispielen kann die Lichtübertragungsschicht 191 dazu verwendet werden, das lichtabstrahlende Halbleiterbauelement 150 mit dem Verdrahtungssubstrat elektrisch zu verbinden, und die Leuchtstoffschicht 180 kann auf dem anisotropen leitenden Film gebildet werden. In diesem Fall ist die Keimschicht 161 mit der Lichtübertragungsschicht 191 bedeckt. Um die Sperrrippe zu bilden, sollte die Keimschicht 161 nach außen freigelegt werden. Ist also die Lichtübertragungsschicht 191 gebildet, müssen ein Teil der Leuchtstoffschicht und ein Teil der Lichtübertragungsschicht im vierten Schritt geätzt werden. Beispielsweise sollten Bereiche der Leuchtstoffschicht 180 und der Lichtübertragungsschicht 191 geätzt werden, die die Keimschicht 161 überdecken. Eine Seitenfläche eines auf diese Weise gebildeten Lochs h2 kann durch die Leuchtstoffschicht 180 und die Lichtübertragungsschicht 191 gebildet sein.
  • Wie zuvor beschrieben, kann gemäß dem Fertigungsverfahren der Offenbarung aufgrund der Bildung der Sperrrippenstruktur durch Plattieren die Position der Sperrrippenstruktur über die Anordnung des Keimmetalls eingestellt werden, und die Breite und Höhe der Sperrrippe können eingestellt werden, indem eine Plattierungsbedingung eingestellt wird.
  • Nachstehend wird eine Struktur einer gemäß dem vorgenannten Fertigungsverfahren gefertigten Lichtquelle näher beschrieben. Im Folgenden wird die Keimschicht als erste Sperrrippe bezeichnet, und die auf der Keimschicht plattierte Metallschicht wird als zweite Sperrrippe bezeichnet.
  • 8A bis 9C sind Schnittansichten, die einen Teil A in 1 kurz veranschaulichen.
  • Gemäß 8A bis 8C ist eine Höhe einer ersten Sperrrippe 161 niedriger als eine Höhe einer zweiten Sperrrippe 162 in Dickenrichtung des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150. Da die erste Sperrrippe 161 aus einem Metall zum Anlegen einer Spannung beim Plattieren gebildet ist, kann das die erste Sperrrippe 161 bildende Metall niedrigeres Reflexionsvermögen als ein die zweite Sperrrippe 162 bildendes Metall haben. In diesem Fall ist die zweite Sperrrippe 162 höher als die erste Sperrrippe 161 gebildet, so dass eine zur zweiten Sperrrippe 162 gerichtete Lichtmenge größer als eine zur ersten Sperrrippe 161 gerichtete Lichtmenge ist. Somit kann es zu Reflexion im Wesentlichen auf der zweiten Sperrrippe 162 mit relativ hohem Reflexionsvermögen kommen.
  • In einigen Beispielen kann die erste Sperrrippe 161 niedriger als die lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente 150 in Dickenrichtung des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements 150 gebildet sein. Ist die erste Sperrrippe 161 aus einem Metall mit niedrigerer Reflektivität als die zweite Sperrrippe 162 hergestellt, kann zu einer Seitenfläche des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements gerichtetes Licht zur zweiten Sperrrippe 162 gerichtet werden. Dazu sollte die erste Sperrrippe 161 möglichst dünn gebildet sein. Somit kann das meiste Licht, das zur Seitenfläche des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements gerichtet wird, zur zweiten Sperrrippe 162 gerichtet werden.
  • In einigen Beispielen kann gemäß 9A bis 9C eine Breite der ersten Sperrrippe 161 größer als eine Breite der zweiten Sperrrippe 162 sein. Da die ersten Sperrrippen 161 im anhand von 6 und 7 beschriebenen Verfahrensablauf des Ätzens der Leuchtstoffschicht verloren gehen können, sollte die erste Sperrrippe 161 möglichst breit gebildet sein. Auch wenn ein Teil der ersten Sperrrippe 161 im Verfahrensablauf des Ätzens der Leuchtstoffschicht 180 verloren geht, kann somit die erste Sperrrippe 161 die Haftung mit der zweiten Sperrrippe 162 beibehalten. Ist die erste Sperrrippe 161 breit ausgebildet, kann zusätzlich die erste Sperrrippe 161 einen Teil von Licht reflektieren, das zu einer Unterseite des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements gerichtet wird, was eine Lichtmenge der Lichtquelle erhöht.
  • Zuvor wurde die Ausführung beschrieben, in der die Lichtquelle mit Hilfe eines lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements vom Flip-Chip-Typ konfiguriert ist. Allerdings kann die Offenbarung auch auf ein lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement vom Vertikaltyp wie auch vom Flip-Chip-Typ angewendet sein.
  • 10 ist eine Konzeptansicht eines Querschnitts eines lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements vom Vertikaltyp.
  • Gemäß 10 verfügt das vertikale lichtabstrahlende Halbleiterbauelement über eine p-Elektrode 156, eine p-Halbleiterschicht 155, die auf der p-Elektrode 156 gebildet ist, eine aktive Schicht 154, die auf der p-Halbleiterschicht 155 gebildet ist, eine n-Halbleiterschicht 153, die auf der aktiven Schicht 154 gebildet ist, und eine n-Elektrode 152, die auf der n-Halbleiterschicht 153 gebildet ist. In diesem Fall kann die unten liegende p-Elektrode 156 mit der ersten Elektrode 120 elektrisch verbunden sein, und die oben liegende n-Elektrode 152 kann mit der zweiten Elektrode 140 elektrisch verbunden sein. Da das vertikale lichtabstrahlende Halbleiterbauelement 150 die oben und unten angeordnete Elektrode haben kann, lässt sich eine Verkleinerung der Chipgröße erzielen.
  • Da die mit der n-Elektrode 152 elektrisch verbundene zweite Elektrode 140 auf dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 angeordnet ist, wenn die Lichtquelle mit Hilfe des vertikalen lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements aufgebaut ist, kann es zu einem Kurzschluss zwischen der zweiten Elektrode 140 und der aus dem Metall hergestellten Sperrrippe kommen.
  • Die Offenbarung stellt eine Struktur zur Lösung eines solchen Problems bereit.
  • 11 ist eine Schnittansicht zur schematischen Darstellung einer Lichtquelle, die ein vertikales lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement verwendet.
  • Bei Aufbau einer Lichtquelle mit Hilfe eines vertikalen lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements können auf einem Substrat gebildete Sperrrippen jeweils so gebildet sein, dass sie niedriger als eine Oberseite der Leuchtstoffschicht in Dickenrichtung des lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements sind. Bei Aufbau der Lichtquelle zu den anhand von 5A bis 5C beschriebenen Strukturen mit Hilfe des vertikalen lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements muss die zweite Elektrode 140 auf der Leuchtstoffschicht gebildet werden. Um Kurzschluss der zweiten Elektrode 140 und der Sperrrippe 160 zu verhindern, sollte die Sperrwand gemäß 11 niedriger als die Oberseite der Leuchtstoffschicht gebildet sein.
  • Zur zusätzlichen Isolierung kann ein Isoliermaterial auf der Sperrrippe abgeschieden sein, die niedriger als die Oberseite der Leuchtstoffschicht gebildet ist. In diesem Fall kann die zweite Elektrode 140 auf dem Isoliermaterial angeordnet sein.
  • Ein Loch 181 kann in der Leuchtstoffschicht gebildet sein, so dass die auf der Leuchtstoffschicht 180 angeordnete zweite Elektrode 140 mit dem vertikalen lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 elektrisch verbunden ist, und eine Verbindungselektrode 182 zum elektrischen Verbinden der zweiten Elektrode 140 mit dem lichtabstrahlenden Halbleiterbauelement 150 kann im Loch 181 angeordnet sein.
  • Somit kann die Offenbarung den Kurzschluss zwischen der Verdrahtungselektrode und der Sperrrippe auch dann verhindern, wenn die Lichtquelle mit Hilfe des vertikalen lichtabstrahlenden Halbleiterbauelements aufgebaut ist.
  • Dem Fachmann wird klar sein, dass die Offenbarung in anderen spezifischen Formen ausgeführt sein kann, ohne von ihrem Grundgedanken oder ihren wesentlichen Eigenschaften abzuweichen.
  • Sofern nicht anders festgelegt, sollte daher verständlich sein, dass die zuvor beschriebenen Ausführungsformen nicht durch Einzelheiten der vorstehenden Beschreibung beschränkt sind, sondern in ihrem Schutzumfang gemäß der Festlegung in den beigefügten Ansprüchen breit zu interpretieren sind, weshalb alle Änderungen und Abwandlungen im Rahmen der Ansprüche oder von Äquivalenten eines solchen Rahmens durch die beigefügten Ansprüche erfasst sein sollen.

Claims (13)

  1. Fahrzeugleuchte, die aufweist: eine Lichtquelleneinheit (12), die so konfiguriert ist, dass sie Licht abstrahlt, wobei die Lichtquelleneinheit aufweist: ein Substrat (110), das eine Verdrahtungselektrode aufweist, mehrere lichtabstrahlende Halbleiterbauelemente (150), die auf dem Substrat angeordnet sind, wobei sie mit der Verdrahtungselektrode elektrisch verbunden sind, mehrere Leuchtstoffschichten (180), die jeweils eines der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente abdecken, wobei sie so konfiguriert sind, dass sie Lichtwellenlängen umwandeln, und Sperrrippen (160), die auf dem Substrat angeordnet und so konfiguriert sind, dass sie Licht reflektieren, wobei die Sperrrippen zwischen den mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen angeordnet sind, wobei eine Höhe jeder der Sperrrippen eine Höhe jedes der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente in Aufwärtsrichtung von einer Oberseite des Substrats übersteigt.
  2. Leuchte nach Anspruch 1, wobei jede der Sperrrippen aufweist: einen ersten Sperrrippenabschnitt (161), der auf dem Substrat angeordnet und aus einem ersten Material hergestellt ist; und einen zweiten Sperrrippenabschnitt (162), der oben auf dem ersten Sperrrippenabschnitt angeordnet und aus einem zweiten Material hergestellt ist, das sich vom ersten Material unterscheidet.
  3. Leuchte nach Anspruch 2, wobei eine Höhe des ersten Sperrrippenabschnitts (161) kleiner als eine Höhe des zweiten Sperrrippenabschnitts (162) in der Aufwärtsrichtung ist.
  4. Leuchte nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine Höhe des ersten Sperrrippenabschnitts (161) kleiner als eine Höhe der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente in der Aufwärtsrichtung ist.
  5. Leuchte nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei eine Breite des ersten Sperrrippenabschnitts (161) größer als eine Breite des zweiten Sperrrippenabschnitts (162) in Horizontalrichtung entlang der Substratoberseite ist.
  6. Leuchte nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei ein Reflexionsvermögen des zweiten Sperrrippenabschnitts (162) größer als ein Reflexionsvermögen des ersten Sperrrippenabschnitts (161) ist.
  7. Leuchte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine Oberseite jeder der Sperrrippen (160) unter einer Oberseite jeder der mehreren Leuchtstoffschichten in der Aufwärtsrichtung liegt.
  8. Leuchte nach Anspruch 7, die ferner aufweist: Elektrodenlöcher (181), die jeweils die mehreren Leuchtstoffschichten durchdringen, um die mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente freizulegen; und obere Elektroden (182), die jeweils innerhalb der Elektrodenlöcher angeordnet und mit den mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen elektrisch verbunden sind.
  9. Leuchte nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente und die jeweilige entsprechende der mehreren Leuchtstoffschichten einen vorbestimmten Abstand voneinander haben und wobei die Lichtquelleneinheit (12) ferner einen Luftspalt oder eine Lichtübertragungsschicht (190, 191) aufweist, der (die) im Raum angeordnet ist, der zwischen jeden lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen und jeder Leuchtstoffschicht gebildet ist.
  10. Leuchte nach Anspruch 9, wobei die mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente und die jeweilige entsprechende der mehreren Leuchtstoffschichten den vorbestimmten Abstand voneinander in der Aufwärtsrichtung haben.
  11. Leuchte nach Anspruch 9 oder 10, wobei die mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente und die jeweilige entsprechende der mehreren Leuchtstoffschichten den vorbestimmten Abstand voneinander in der Horizontalrichtung haben, die orthogonal zur Aufwärtsrichtung ist.
  12. Leuchte nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die mehreren Leuchtstoffschichten mindestens einen Abschnitt des jeweiligen entsprechenden der mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelemente kontaktieren.
  13. Leuchte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner mit einer Isolierschicht (130), die auf dem Substrat angeordnet ist und die die Verdrahtungselektrode abdeckt, wobei die Isolierschicht die Sperrrippen zwischen den mehreren lichtabstrahlenden Halbleiterbauelementen kontaktiert.
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