DE102014117017A1 - Licht emittierende Vorrichtung - Google Patents

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c/o Panasonic Corporation Tagami Naoki
c/o Panasonic Corporation Kurachi Toshiaki
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Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
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Abstract

Eine Licht emittierende Vorrichtung beinhaltet eine Montierplatte, ein Licht emittierendes Element, das an einer Hauptfläche der Montierplatte montiert ist, und ein Abdichtelement zum Abdecken des Licht emittierenden Elementes. Das Abdichtelement beinhaltet eine erste Abdichtschicht zum Abdecken eines Teiles der Hauptfläche der Montierplatte und des Licht emittierenden Elementes und eine zweite Abdichtschicht zum Abdecken der ersten Abdichtschicht. Die erste Abdichtschicht beinhaltet Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz. Die zweite Abdichtschicht beinhaltet Phosphorteilchen zum Umwandeln eines Teiles von von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertem Licht in ein langwelliges Licht und Ausstrahlen desselben, und Siliziumharz.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Offenbarung betrifft Licht emittierende Vorrichtungen, die mit einem Licht emittierenden Element ausgestattet sind, so beispielsweise einer Licht emittierenden Diode (LED) und einer Laserdiode (LD).
  • 2. Hintergrund
  • Die in 6 gezeigte LED-Vorrichtung 151 wird beispielsweise in dem Patent Nr. 4980492 als Licht emittierende Vorrichtung offenbart.
  • Die LED-Vorrichtung 151 beinhaltet einen Träger 123, einen LED-Chip 114 und ein LED-Abdichtharz 117. Das LED-Abdichtharz 117 beinhaltet ein Siliziumharz 112 und einen Verbund 113 aus einem Wärmewiderstandsmaterial und Phosphor.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung entsprechend der Offenbarung beinhaltet eine Montierplatte, ein Licht emittierendes Element, das an einer Hauptfläche der Montierplatte montiert ist, und ein Abdichtelement zum Abdecken des Licht emittierenden Elementes. Das Abdichtelement beinhaltet eine erste Abdichtschicht zum Abdecken eines Teiles der Hauptfläche der Montierplatte und des Licht emittierenden Elementes und eine zweite Abdichtschicht zum Abdecken der ersten Abdichtschicht. Die erste Abdichtschicht beinhaltet Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid (C2O2), Titanoxid (TiO2), Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz. Die zweite Abdichtschicht beinhaltet Siliziumharz und Phosphorteilchen zum Umwandeln eines Teiles von von dem Licht emittierenden Element emittiertem Licht in ein langwelliges Licht und Ausstrahlen desselben.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung mit vorbeschriebenem Aufbau kann den Wärmewiderstand und die Lichtextraktionseffizienz verbessern.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnung
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Licht emittierenden Vorrichtung bei einer exemplarischen Ausführungsform.
  • 2 ist eine schematische Planansicht der Licht emittierenden Vorrichtung bei der exemplarischen Ausführungsform.
  • 3 ist eine schematische Schnittansicht eines ersten modifizierten Beispiels der Licht emittierenden Vorrichtung bei der exemplarischen Ausführungsform.
  • 4 ist eine schematische Schnittansicht eines zweiten modifizierten Beispiels der Licht emittierenden Vorrichtung bei der exemplarischen Ausführungsform.
  • 5 ist eine schematische Schnittansicht eines dritten modifizierten Beispiels der Licht emittierenden Vorrichtung bei der exemplarischen Ausführungsform.
  • 6 ist eine schematische Schnittansicht einer herkömmlichen Licht emittierenden Vorrichtung.
  • Detailbeschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung bei einer exemplarischen Ausführungsform der Offenbarung wird anhand der Zeichnung beschrieben. Es ist augenscheinlich, dass die nachstehend beschriebene exemplarische Ausführungsform eine bevorzugte Ausführungsform ist, weshalb Werte, Formen, Materialien, Komponenten, Positionen oder die Verbindung der Komponenten, Prozesse und die Prozessabfolge lediglich Beispiele sind. Die Offenbarung ist hierdurch in keinerlei Hinsicht beschränkt.
  • Jede Figur ist ein schematisches Diagramm und daher keine genaue Darstellung. In der Zeichnung wird dasselbe Bezugszeichen an praktisch dieselben Komponenten vergeben, um auf eine doppelte Beschreibung zu verzichten oder die Beschreibung zu vereinfachen.
  • Eine Licht emittierende Vorrichtung 10a bei der exemplarischen Ausführungsform wird nachstehend anhand 1 und 2 beschrieben.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 10a beinhaltet eine Montierplatte 2, ein Licht emittierendes Element 3, das an einer Hauptfläche 2a der Montierplatte 2 montiert ist, und ein Abdichtelement 4 zum Abdecken des Licht emittierenden Elementes 3. Das Abdichtelement 4 beinhaltet eine erste Abdichtschicht 41 zum Abdecken eines Teiles der Hauptfläche 2a der Montierplatte 2 und des Licht emittierenden Elementes 3 und eine zweite Abdichtschicht 42 zum Abdecken der ersten Abdichtschicht 41. Die erste Abdichtschicht 41 beinhaltet Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid (C2O2), Titanoxid (TiO2), Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz. Die zweite Abdichtschicht 42 beinhaltet Phosphorteilchen zum Umwandeln eines Teiles von von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertem Licht in ein langwelliges Licht und Ausstrahlen desselben, und Siliziumharz.
  • Das Licht emittierende Element 3 ist eine LED. Das Licht emittierende Element 3 beinhaltet ein Substrat 31 sowie einen Mehrschichtenfilm 32 mit Bildung aus einem Halbleitermaterial an einer Hauptfläche 31a des Substrates 31.
  • Das Substrat 31 trägt den Mehrschichtenfilm 32. Der Mehrschichtenfilm 32 kann typischerweise durch ein Verfahren des epitaxialen Aufwachsens gebildet werden. Der Mehrschichtenfilm 32 beinhaltet eine Licht emittierende Schicht (nicht dargestellt).
  • Das Licht emittierende Element 3 ist eine blaue LED, die ein blaues Licht emittiert. Bei dem Licht emittierenden Element 3 kann beispielsweise ein GaN-Substrat für das Substrat 31 eingesetzt werden. Als Halbleitermaterial des Mehrschichtenfilmes 32 kann beispielsweise ein GaN-Material eingesetzt werden. Zusätzlich zu dem GaN-Substrat kann beispielsweise ein Saphirsubstrat als Substrat 31 eingesetzt werden. Das Licht emittierende Element 3 kann beispielsweise eine violette LED, die ein violettes Licht emittiert, zusätzlich zu der blauen LED sein.
  • Bei dem Licht emittierenden Element 3 sind eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode an einer Fläche des Licht emittierenden Elementes 3 vorgesehen.
  • Die Größe des Licht emittierenden Elementes 3 ist beispielsweise 0,52 mm mal 0,39 mm, wenn die Planansicht hiervon rechteckig ist. Ist die Planansicht quadratisch, so ist die Größe des Licht emittierenden Elementes 3 beispielsweise 0,3 mm mal 0,3 mm, 0,45 mm mal 0,45 mm oder 1 mm mal 1 mm. Form und Größe des Licht emittierenden Elementes 3 in Planansicht unterliegen keiner Beschränkung.
  • Das Licht emittierende Element 3 ist an einer Montierplatte 2 montiert. Durch das Montieren ist das Licht emittierende Element 3 mechanisch und zudem elektrisch mit der Montierplatte 2 verbunden.
  • Die Montierplatte 2 beinhaltet einen Träger 20 sowie einen ersten Leiter 23 und einen zweiten Leiter 24 mit Ausbildung in vorbestimmten Mustern an der Hauptfläche 20a des Trägers 20. Das Licht emittierende Element 3 sowie der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 sind elektrisch verbunden. Die Montierplatte 2 ist derart ausgebildet, dass der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 elektrisch getrennt sein können. Der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 sind beispielsweise mit einem laminierten Film aus einem Ni-Film und einem Au-Film ausgestaltet. Der Träger 20 ist vorzugsweise mit einem keramischen Substrat 21 ausgestaltet. Im Vergleich zu einem Fall, in dem der Träger 20 mit einem Harzsubstrat ausgestaltet ist, kann der mit dem keramischen Substrat 21 ausgestaltete Träger 20 die Wärmeableitung der Licht emittierenden Vorrichtung 10a verbessern, weshalb die Lichtausgabe vergrößert werden kann.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist das Licht emittierende Element 3 an die Montierplatte 2 über den Bondingteil 5 gebondet. Dies bewirkt, dass das Licht emittierende Element 3 mechanisch mit der Montierplatte 2 verbunden ist. Ein Material des Bondingteiles 5 weist vorzugsweise eine hohe Transmittanz für von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertes Licht auf. Es können beispielsweise Siliziumharz, Epoxidharz oder ein Hybridmaterial aus Siliziumharz und Epoxidharz eingesetzt werden. Dies ermöglicht, dass der Bondingteil 5 von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertes Licht transmittiert.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist das Licht emittierende Element 3 an eine Platzierzone des Licht emittierenden Elementes 3 an dem Träger 20 über einen Bondingteil 5 gebondet.
  • Das keramische Substrat 21, das den Träger 20 ausgestaltet, ist aus einer flachen Lage gebildet. Das keramische Substrat 21 weist eine Lichtdiffusionspermeabilität auf und transmittiert und diffundiert von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertes Licht. Als Material für das keramische Substrat 21 können beispielsweise transluzente Keramiken verwendet werden. Als transluzente Keramiken können beispielsweise Aluminiumoxidkeramiken verwendet werden. Transluzente Keramiken ermöglichen die Anpassung der Transmittanz, des Reflexionsvermögens, des Brechungsindex und der Wärmeleitfähigkeit nach Typ und Konzentration des Bindemittels und anderer Zusatzstoffe.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a weist das keramische Substrat 21 vorzugsweise Lichtdiffusionseigenschaften auf. Von dem Licht emittierenden Element 3 auf das keramische Substrat 21 emittiertes Licht wird in dem keramischen Substrat 21 diffundiert. Dies kann verhindern, dass das von dem Licht emittierenden Element 3 auf das keramische Substrat 21 emittierte Licht zu dem Licht emittierenden Element 3 zurückkehrt. Darüber hinaus wird es einfacher, Licht aus der Projektionszone 201 des Licht emittierenden Elementes 3 an der Hauptfläche 20a des Trägers 20 und der Umgebungszone 202 hiervon zu extrahieren. Entsprechend verbessert sich die Lichtextraktionseffizienz, weshalb sich der Gesamtlichtstrom bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ebenfalls verbessert. Die Projektionszone des Licht emittierenden Elementes 3 an der Hauptfläche 20a des Trägers 20 ist eine Zone, die das Licht emittierende Element 3 in der Dickenrichtung des Licht emittierenden Elementes 3 an der Hauptfläche 20a des Trägers 20 projiziert. Von dem Licht emittierenden Element 3 in der Umgebungszone 202 an der Hauptfläche 20a des Trägers 20 emittiertes Licht wird zu einem Teil emittiert, in dem der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 nicht ausgebildet sind. Die Montierplatte 2 kann eine reflexionsfähige Schicht (nicht dargestellt) zum Reflektieren von Licht aus dem Licht emittierenden Element 3 an der zweiten Fläche 20b des Trägers 20 mit Ausgestaltung mit dem keramischen Substrat 21 aufweisen. Daher kann bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ein reflexionsfähiges Element (nicht dargestellt) zum Reflektieren von Licht aus dem Licht emittierenden Element 3 an der zweiten Fläche 20b der Montierplatte 2 vorgesehen sein. Die reflexionsfähige Schicht und das reflexionsfähige Element sind vorzugsweise in einer Zone ausgebildet, die breiter als eine vertikale Projektionszone des Abdichtelementes 4 an der zweiten Fläche 20b des Trägers 20 mit Ausgestaltung mit dem keramischen Substrat 21 ist. Dies ermöglicht eine Unterdrückung einer Farbungleichmäßigkeit durch Unterdrücken desjenigen von dem Licht emittierenden Element 3 emittierten Lichtes, das nicht durch das Abdichtelement 4 gelangt. Die Farbungleichmäßigkeit ist der Zustand, in dem die Chromatizität durch bzw. um die optische Ausstrahlungsrichtung abweicht. In Bezug auf die Wärmeableitung sind die reflexionsfähige Schicht und das reflexionsfähige Element vorzugsweise aus Metall gebildet. Mit Blick auf die Wärmeableitung sind zudem die reflexionsfähige Schicht und das reflexionsfähige Element vorzugsweise in einer noch breiteren Zone ausgebildet. Dies ermöglicht die Übertragung von Wärme, die in dem Licht emittierenden Element 3 erzeugt und zu der reflexionsfähigen Schicht und dem reflexionsfähigen Element übertragen wird, in eine noch breitere Zone. Entsprechend kann die Wärmeableitung verbessert werden.
  • Das keramische Substrat 21 kann beispielsweise durch Sintern von Aluminiumoxidteilchen gebildet sein. Die Teilchengröße von Aluminiumoxidteilchen ist etwa 0,6 μm. Die Teilchengröße der Aluminiumoxidteilchen ist vorzugsweise in einem Bereich zwischen 0,5 μm und 5 μm. Wird die Teilchengröße der Aluminiumoxidteilchen größer, so nimmt das Reflexionsvermögen des keramischen Substrates 21 ab. Nimmt die Teilchengröße der Aluminiumoxidteilchen ab, so nimmt der Lichtstreueffekt tendenziell zu. Ein niedrigeres Reflexionsvermögen und ein höherer Streueffekt stehen zueinander in einem Kompromissverhältnis.
  • Die Teilchengröße ist bei vorstehender Beschreibung ein Wert, den man aus einer Teilchengrößeverteilungskurve auf Grundlage der Anzahl der Teilchen ermittelt. Die Teilchengrößeverteilungskurve auf Grundlage der Anzahl der Teilchen erhält man durch eine Messung der Teilchengrößeverteilung unter Verwendung eines Bilderzeugungsverfahrens. Darüber hinaus erhält man dies durch die Teilchengröße (Durchschnittsdurchmesser bezüglich zweier Achsen), die man durch eine Bildverarbeitung eines Bildes erhält, das von einem Abtastelektronenmikroskop (SEM) ermittelt wird, und die Anzahl der Teilchen.
  • Bei der Montierplatte 2 werden der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 an einem keramischen Substrat 21 typischerweise durch eine Dünnfilmbildungstechnologie oder eine Plattiertechnologie gebildet.
  • Die Form der Montierplatte 2 ist bei Planansicht rechteckig. Gleichwohl ist die Form der Montierplatte 2 nicht auf rechteckig beschränkt. Sie kann beispielsweise auch eine mehreckige Form sein, die nicht rechteckig oder rund ist.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 10a weist vorzugsweise mehrere Licht emittierende Elemente 3 an der Hauptfläche 2a der Montierplatte 2 auf. Dies kann die Lichtausgabe aus der Licht emittierenden Vorrichtung 10a verbessern. Die Licht emittierenden Elemente 3 sind an der Montierplatte 2 in einer Feldanordnung ausgerichtet. 2 ist eine schematische Planansicht einer Licht emittierenden Vorrichtung 10a. 1 ist eine schematische Schnittansicht eines Querschnittes entlang der Linie 1-1 von 2.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist eine Gruppe von Licht emittierenden Elementen 3, die in Reihe in Licht emittierenden Elementen 3 verbunden sind, an einer virtuellen Linie M1 angeordnet, die den ersten Leiter 23 und den zweiten Leiter 24 verbindet. Eine erste Elektrode des Licht emittierenden Elementes 3 am nächsten an dem ersten Leiter 23 an der virtuellen Linie M ist elektrisch mit dem ersten Leiter 23 durch einen ersten Draht 6a verbunden. Eine zweite Elektrode des Licht emittierenden Elementes 3 am nächsten an dem zweiten Leiter 24 an der virtuellen Linie M1 ist elektrisch mit dem zweiten Leiter 24 durch den zweiten Draht 6b verbunden. Bei benachbarten Licht emittierenden Elementen 3 an der virtuellen Linie M1 ist die erste Elektrode des einen Licht emittierenden Elementes 3 elektrisch mit der zweiten Elektrode des anderen Licht emittierenden Elementes 3 durch einen dritten Draht 6c verbunden. Dies unterdrückt Lichtverluste an dem ersten Leiter 23 und dem zweiten Leiter 24 im Vergleich zu demjenigen Fall, in dem sich der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 in der Nähe eines jeden der Licht emittierenden Elemente 3 befinden. Im Ergebnis kann die Lichtextraktionseffizienz der Lichtemissionsvorrichtung 10a verbessert werden. Die Lichtverluste beinhalten einen Verlust infolge der Absorption von Licht in dem ersten Leiter 23 und dem zweiten Leiter 24. Es können beispielsweise ein Golddraht oder ein Aluminiumdraht als erster Draht 6a, zweiter Draht 6b und dritter Draht 6c verwendet werden.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 10a weist mehrere virtuelle Linien M1 auf. An jeder virtuellen Linie M1 sind vier Licht emittierende Elemente 3 als Gruppe von Licht emittierenden Elementen 3 angeordnet. Bei einem in 2 gezeigten Beispiel sind vier virtuelle Linien M1 vorhanden. Gleichwohl ist die Anzahl von virtuellen Linien M1 oder die Anzahl von Licht emittierenden Elementen 3 an jeder virtuellen Linie M1 nicht beschränkt. Bei dem Licht emittierenden Element 10a weisen die Licht emittierenden Elemente 3 eine Reihen-Parallel-Verbindung auf, wobei man jedoch nicht hierauf beschränkt ist. So können beispielsweise Licht emittierende Elemente in Reihe verbunden sein, oder es können die Licht emittierenden Elemente 3 parallel verbunden sein, solange nur die Montierplatte 2 einen ersten Leiter 23 und einen zweiten Leiter 24 mit Ausbildung in einem vorbestimmten Muster auf Grundlage einer vorbestimmten Verbindungsart der Licht emittierenden Elemente 3 aufweist.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist das Abdichtelement 4 vorzugsweise linear ausgebildet, um so die Gruppe von Licht emittierenden Elementen 3 mit Anordnung an der virtuellen Linie M1, den ersten Draht 6a, den zweiten Draht 6b und den dritten Draht 6c abzudecken. Das Abdichtelement 4 deckt die Licht emittierenden Elemente 3 mit Anordnung an der virtuellen Linie M1, den ersten Draht 6a, den zweiten Draht 6b und den dritten Draht 6c in einer geraden Linie ab. Dies kann das Auftreten einer Fehlverbindung bei dem ersten Draht 6a, dem zweiten Draht 6b oder dem dritten Draht 6c verhindern. Als Ergebnis kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung 10a verbessert werden.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a kann das Abdichtelement 4 beispielsweise eine halbkreisförmige Säulenform aufweisen. Das halbkreisförmige, säulenförmige Abdichtelement 4 kann die Lichtextraktionseffizienz verbessern und die Farbungleichmäßigkeit unterdrücken. Das Abdichtelement 4 weist mehrere erste Abdichtschichten 41 und eine zweite Abdichtschicht 42 auf. Die ersten Abdichtschichten 41 sind vorzugsweise in Halbkugelform ausgebildet, während die zweite Abdichtschicht 42 vorzugsweise in halbkreisförmiger Säulenform ausgebildet ist. Im Vergleich zu einer Struktur der Ausgestaltung eines Abdichtelementes 4 zum Abdecken der Licht emittierenden Elemente 3 mit einer ersten Abdichtschicht und einer zweiten Abdichtschicht kann die Lichtextraktionseffizienz verbessert und zudem die Farbungleichmäßigkeit unterdrückt werden.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist die erste Abdichtschicht 41 vorzugsweise in Halbkugelform ausgebildet, und zwar auch dann, wenn nur ein Licht emittierendes Element 3 vorhanden ist. Dies kann eine Farbungleichmäßigkeit im Vergleich zu der Licht emittierenden Vorrichtung 10b bei einem ersten in 3 gezeigten modifizierten Beispiel unterdrücken, bei dem die erste Abdichtschicht 1 in einer rechteckigen Parallelepipedform ausgebildet ist. Als Form der Oberfläche des Abdichtelementes 4 ist der Einfallswinkel von Licht mit Emission aus dem Licht emittierenden Element 3 an der Oberfläche des Abdichtelementes 4 vorzugsweise kleiner als der kritische Winkel. Der vorstehende Einfallswinkel ist vorzugsweise kleiner als der kritische Winkel im Wesentlichen an der gesamten Oberfläche des Abdichtelementes 4. Zu diesem Zweck ist das Abdichtelement 4 beispielsweise in Halbkugelform ausgebildet. Eine optische Achse des Licht emittierenden Elementes 3 und eine optische Achse eines zylindrischen Linsenabdichtelementes 4 sind vorzugsweise aufeinander abgestimmt. Dies kann eine Totalreflexion an der Oberfläche des Abdichtelementes 4 (Grenzfläche zwischen dem Abdichtelement 4 und Luft) unterdrücken. Da zudem eine Lichtweglänge von dem Licht emittierenden Element 3 zu der Oberfläche des Abdichtelementes 4 unabhängig von der Richtung des von dem Licht emittierenden Element 3 emittierten Lichtes im Wesentlichen ausgeglichen wird, kann die Farbungleichmäßigkeit weiter unterdrückt werden. Die Form des Abdichtelementes 4 ist nicht auf die Halbkugelform beschränkt. Es kann beispielsweise auch eine Halbellipsenform aufweisen.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a weisen der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 Kammform auf und sind mit Orientierung zueinander angeordnet. Gleichwohl unterliegen die Formen des ersten Leiters 23 und des zweiten Leiters 24 keiner besonderen Beschränkung. Darüber hinaus ist die virtuelle Linie M1 nicht auf eine gerade Linie beschränkt. Es kann auch eine Kurve oder eine Kombination aus einer geraden Linie und einer Kurve sein.
  • Die erste Abdichtschicht 41 wird, wie vorstehend beschrieben worden ist, von einem Gemisch aus Siliziumharz- und Ceroxidteilchen gebildet. Die erste Abdichtschicht 41 ist aus Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz gebildet. In der ersten Abdichtschicht 41 sind Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, in einer transparenten Schicht dispergiert, die aus Siliziumharz besteht. Als Kohlenstoff kann beispielsweise Kohlenstoffschwarz bzw. Karbonschwarz bzw. Ruß (carbon black) oder Graphit (black lead) eingesetzt werden. Der Gehalt an denjenigen Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, ist vorzugsweise größer als 0 Gew.-% und 1 Gew.-% oder kleiner. Dies kann eine Verringerung der Lichttransmittanz der ersten Abdichtschicht 41 in der Licht emittierenden Vorrichtung 10a unterdrücken. Die erste Abdichtschicht 41 ist nicht auf einen Typ von Teilchen beschränkt, der wenigstens ein Material enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht. Sie kann auch mehrere Typen enthalten. So kann die erste Abdichtschicht 41 beispielsweise aus einem Gemisch aus Siliziumharz, Teilchen aus Ceroxid und Teilchen aus Titanoxid bestehen.
  • Die zweite Abdichtschicht 42 wird, wie vorstehend beschrieben worden ist, von einem Gemisch aus Siliziumharz- und Phosphorteilchen gebildet, die einen Teil von von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertem Licht in ein langwelliges Licht umwandeln und selbiges ausstrahlen. Die Phosphorteilchen werden durch von dem Licht emittierenden Element 3 emittiertes Licht angeregt und strahlen Licht mit einer Farbe ab, die von derjenigen des Lichtes aus dem Licht emittierenden Element 3 verschieden ist. Dies ermöglicht, dass die Licht emittierende Vorrichtung 10a ein Mischfarbenlicht des von dem Licht emittierenden Element 3 emittierten Lichtes und des von den Phosphorteilchen emittierten Lichtes emittiert. Die Licht emittierende Vorrichtung 10a kann beispielsweise einen blauen LED-Chip als Licht emittierendes Element 3 und gelbe Phosphorteilchen als Phosphorteilchen einsetzen, um weißes Licht zu erhalten. Insbesondere werden blaues Licht, das von einem Licht emittierenden Element 3 emittiert wird, und gelbes Licht, das von gelben Phosphorteilchen emittiert wird, von dem Abdichtelement 4 emittiert, um weißes Licht zu erzeugen.
  • Als Phosphorteilchen können beispielsweise gelbe Phosphorteilchen und rote Phosphorteilchen eingesetzt werden, ohne sich nur auf gelbe Phosphorteilchen zu beschränken. Als gelbe Phosphorteilchen können beispielsweise Ce3+-aktivierte YAG-Phosphorteilchen (Yttrium Aluminum Garnet YAG, Yttrium-Aluminium-Granat) oder Eu2+-aktivierte Oxynitridphosphorteilchen eingesetzt werden. Ein Beispiel für Ce3+-aktivierte YAG-Phosphore ist Y3Al5O12:Ce3+. Ein Beispiel für Eu2+-aktivierte Oxynitridphosphore ist SrSi2O2N2:Eu2+. Als rote Phosphorteilchen können beispielsweise Eu2+-aktivierte Nitridphosphorteilchen eingesetzt werden. Beispiele für Eu2+-aktivierte Nitridphosphore sind (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ und CaAlSiN3:Eu2+.
  • Die Phosphorteilchen sind nicht auf einen Typ von gelben Phosphorteilchen beschränkt. Zwei Typen von gelben Phosphorteilchen mit verschiedenen Licht emittierenden Wellenlängen können verwendet werden. Die Licht emittierende Vorrichtung 10a kann die Farbherstellungs- bzw. Rendereigenschaften vergrößern, indem mehrere Typen von Phosphorteilchen als Wellenlängen umwandelnde Materialien eingesetzt werden. Darüber hinaus können rote Phosphorteilchen oder grüne Phosphorteilchen als Phosphorteilchen eingesetzt werden. Als grüne Phosphorteilchen können beispielsweise Phosphorteilchen mit einer Zusammensetzung von CaSc2O4:Ce3+, Ca3Sc2Si3O12:Ce3+, (Ca, Sr, Ba)Al2O4:Eu2+ oder SrGa2S4:Eu2+ als Phosphorteilchen eingesetzt werden.
  • Die durchschnittliche Teilchengröße von Phosphorteilchen ist beispielsweise vorzugsweise in einem Bereich von 1 μm oder mehr und 10 μm oder weniger. Nimmt die durchschnittliche Teilchengröße der Phosphorteilchen zu, so nimmt die Defektdichte ab. Im Ergebnis nimmt der Energieverlust ab, und die Luminanzeffizienz nimmt zu. Daher ist mit Blick auf die Luminanzeffizienz die durchschnittliche Teilchengröße vorzugsweise gleich 5 μm oder mehr.
  • In der zweiten Abdichtschicht 42 ist der Gehalt der Phosphorteilchen beispielsweise vorzugsweise in einem Bereich von 3 Gew.-% oder mehr und 50 Gew.-% oder weniger.
  • Als Siliziumharz der ersten Abdichtschicht 41 und der zweiten Abdichtschicht 42 kann beispielsweise Thermosetting-Siliziumharz, Zwei-Flüssigkeiten-Aushärtungs-Siliziumharz oder Licht-Aushärtungs-Siliziumharz eingesetzt werden.
  • Zur Herstellung der Licht emittierenden Vorrichtung 10A wird zunächst die Montierplatte 2 präpariert. Sodann werden der nachfolgende erste Prozess, zweite Prozess und dritte Prozess nacheinander ausgeführt. Beim ersten Prozess wird das Licht emittierende Element 3, das ein Die ist, an die Hauptfläche 2a der Montierplatte 2 über den Bondingteil 5 üblicherweise unter Verwendung eines Die-Bonders gebondet. Beim zweiten Prozess werden der erste Draht 6a, der zweite Draht 6b und der dritte Draht 6c unter Verwendung eines Drahtbonders gebildet. Beim dritten Prozess wird das Abdichtelement 4 üblicherweise unter Verwendung eines Dispensersystems gebildet. Bei diesem dritten Prozess wird zuerst die erste Abdichtschicht 41 gebildet, woraufhin die zweite Abdichtschicht 42 gebildet wird.
  • Es wird beispielsweise beim Bilden der ersten Abdichtschicht 41 unter Verwendung des Dispensersystems ein Dispenserkopf entlang der Ausrichtungsrichtung der Licht emittierenden Elemente 3 zu einer Position vertikal über dem Licht emittierenden Element 3 bewegt, woraufhin ein Material der ersten Abdichtschicht 41 von einer Düse abgegeben und aufgetragen wird. Das Material der ersten Abdichtschicht 41 ist Siliziumharz, in dem Teilchen eines Materials, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, verknetet sind.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen eines Materials, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, vorzugsweise gleich 10 μm oder weniger. Ist die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen gleich 10 μm oder mehr, so setzen sich die Teilchen tendenziell beim Aufbringen des Materials der ersten Abdichtschicht 41 zum Abdecken der Licht emittierenden Elemente 3 unter Verwendung des Dispensersystems ab. Wenn jedoch die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen gleich 10 μm oder weniger ist, kann die Dispersibilität verbessert werden. Darüber hinaus ist die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen eines Materials, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, vorzugsweise gleich 1 μm oder mehr. Die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen ist die durchschnittliche Teilchengröße, die auf volumetrischer Grundlage unter Verwendung des dynamischen Lichtstreuverfahrens gemessen wird.
  • Beim Bilden der zweiten Abdichtschicht 42 unter Verwendung des Dispensersystems wird beispielsweise ein Material der zweiten Abdichtschicht 42 aus der Düse zur Aufbringung abgegeben, während der Dispenserkopf in der Ausrichtungsrichtung des Licht emittierenden Elementes 3 bewegt wird. Das Material der zweiten Abdichtschicht 42 ist ein Siliziumharz, in dem Phosphorteilchen verknetet sind.
  • Zum Aufbringen des Materials der zweiten Abdichtschicht 42 wird das Material beispielsweise abgegeben, während der Dispenserkopf bewegt wird.
  • Das Dispensersystem beinhaltet vorzugsweise einen Transfermechanismus zum Bewegen des Dispenserkopfes, einen Sensor zum Messen von Höhen von Tischen bzw. Erhebungen (tables) der Hauptfläche 2a der Montierplatte 2 und der Düse, und eine Steuerung bzw. Regelung zum Steuern bzw. Regeln des Transfermechanismus und einer Materialmenge, die von der Düse abgegeben wird. Der Transfermechanismus kann beispielsweise mit einem Roboter ausgestattet sein. Die Steuerung bzw. Regelung kann beispielsweise durch Installieren eines geeigneten Programms in einem Mikrocomputer realisiert sein. Das Dispensersystem kann mehrere Modelle mit verschiedener Ausrichtung der Licht emittierenden Elemente 3, einer verschiedenen Anzahl der Licht emittierenden Elemente 3 oder verschiedenen Linienbreiten der zweiten Abdichtschicht 42 durch ein je nach Bedarf erfolgendes Ändern des in der Steuerung bzw. Regelung installierten Programms unterstützen.
  • Die Oberfläche der zweiten Abdichtschicht 42 mit Bildung unter Verwendung des Dispensersystems kann auch beispielsweise durch Anpassen der Viskosität des Materials gesteuert bzw. geregelt werden. Eine Krümmung der Oberfläche (konvexe Kurve) der zweiten Abdichtschicht 42 kann durch die Viskosität oder Oberflächenspannung des Materials der zweiten Abdichtschicht 42 oder Höhen des ersten Drahtes 6a, des zweiten Drahtes 6b und des dritten Drahtes 6c ausgestaltet werden. Die Krümmung kann beispielsweise durch Vergrößern der Viskosität oder Oberflächenspannung des Materials oder Vergrößern der Höhen des ersten Drahtes 6a, des zweiten Drahtes 6b und des dritten Drahtes 6c vergrößert werden. Die Breite (Linienbreite) der zweiten Abdichtschicht 42 kann durch Vergrößern der Viskosität oder Oberflächenspannung des Materials verschmälert werden. Die Viskosität des Materials der zweiten Abdichtschicht 42 ist vorzugsweise auf einen Bereich eingestellt, der grob zwischen 100 und 2000 mPa·s liegt. Ein Viskositätswert, der bei Normaltemperatur unter Verwendung eines konischen/planaren Drehviskosimeters gemessen wird, kann beispielsweise als Viskosität verwendet werden.
  • Darüber hinaus kann das Dispensersystem einen Erwärmer zum Erwärmen eines nicht ausgehärteten Materials zum Erreichen einer erforderlichen Viskosität beinhalten. Dies verbessert die Reproduzierbarkeit einer Materialaufbringungsform in dem Dispensersystem. Als Ergebnis kann die Reproduzierbarkeit der Oberflächenform einer jeden von der ersten Abdichtschicht 41 und der zweiten Abdichtschicht 42 verbessert werden.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a beinhaltet das Abdichtelement 4 die erste Abdichtschicht 41 und die zweite Abdichtschicht 42. Die erste Abdichtschicht 41 zum direkten Abdecken der Licht emittierenden Elemente 3 wird von einem Gemisch aus Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz gebildet. Dies kann die Erzeugung eines Risses an dem Abdichtelement 4 infolge einer Wärmeerzeugung aus dem Licht emittierenden Element 3 unterdrücken. Der Wärmewiderstand kann damit verbessert werden.
  • Ein Schätzungsmechanismus zum Verbessern des Wärmewiderstandes ist der nachfolgende Mechanismus, bei dem Teilchen, so beispielsweise solche aus Ceroxid, den Wärmewiderstand des Siliziumharzes verbessern. Wärme, die in dem Licht emittierenden Element 3 erzeugt wird, erzeugt in dem Siliziumharz Radikale, die Grund einer Oxidationsreaktion des Siliziumharzes sind. Da hierdurch Ionen, die in den Teilchen enthalten sind, durch die Reaktion mit Radikalen reduziert werden, erscheint es so, dass die Aushärtung und Verschlechterung infolge der Oxidation des Siliziumharzes unterdrückt werden können. Wenn beispielsweise die Teilchen Ceroxid sind, sind die Ionen, die in den Teilchen enthalten sind, Cerionen. Es gibt jedoch auch andere Schätzungsmechanismen.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a wird die zweite Abdichtschicht 42 von einem Gemisch aus Phosphorteilchen zum Abdecken eines Teiles des von dem Licht emittierenden Element 3 emittierten Lichtes in ein langwelliges Licht und Ausstrahlen desselben und Siliziumharz gebildet. Dies kann die Transmittanz des Lichtes aus dem Abdichtelement 4 im Vergleich zu der Struktur von dispergierenden Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, an dem gesamten Abdichtelement 4 vergrößern. Entsprechend verbessert sich die Lichtextraktionseffizienz in der Licht emittierenden Vorrichtung 10a.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a kann der Bondingteil 5 von einem Gemisch von Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz gebildet werden. Dies verbessert den Wärmewiderstand des Bondingteiles 5, weshalb die Erzeugung eines Risses an dem Bondingteil 5 unterdrückt werden kann. Als Ergebnis kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung 10a weiter verbessert werden. Die durchschnittliche Teilchengröße eines Materials, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, ist vorzugsweise 10 μm oder weniger. Zudem ist die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen vorzugsweise 1 μm oder mehr. In dem Bondingteil 5 ist der Gehalt der Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, vorzugsweise über 0 Gew.-% und 1 Gew.-% oder weniger. Dies kann eine übermäßige Abnahme der Lichttransmittanz des Bondingteiles 5 unterdrücken.
  • 4 ist eine schematische Schnittansicht der Licht emittierenden Vorrichtung 10c, die ein zweites modifiziertes Beispiel der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist. Die grundlegende Struktur der Licht emittierenden Vorrichtung 10c ist grob die gleiche wie diejenige der Licht emittierenden Vorrichtung 10a. Die Licht emittierende Vorrichtung 10c unterscheidet sich von der Licht emittierenden Vorrichtung 10a in Bezug auf denjenigen Umstand, dass der Träger 20 in der Montierplatte 2 mit dem Metallsubstrat 25 ausgestaltet ist. In der Licht emittierenden Vorrichtung 10c sind Komponenten, die dieselben wie diejenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 10a sind, mit denselben Bezugszeichen wie diejenigen der Licht emittierenden Vorrichtung 10a bezeichnet, um eine doppelte Beschreibung zu vermeiden.
  • Als Metallsubstrat 25 kann beispielsweise ein Aluminiumsubstrat oder ein Kupfersubstrat verwendet werden. Eine elektrische Isolierschicht 26 ist an der Oberfläche des Metallsubstrates 25, das der Träger 20 ist, ausgebildet. Bei der Montierplatte 2 sind der erste Leiter 23 und der zweite Leiter 24 an der elektrischen Isolierschicht 26 ausgebildet. Die Montierplatte 2 kann beispielsweise aus einer metallbasierten bedruckten Leiterplatte gebildet sein.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10c beinhaltet die Montierplatte 2 einen Träger 20 sowie den ersten Leiter 23 und den zweiten Leiter 24 mit Ausbildung in vorbestimmten Mustern an der Hauptfläche 20a des Trägers 20 und in elektrischer Verbindung mit den Licht emittierenden Elementen 3. Der Träger 20 ist mit dem Metallsubstrat 25 ausgebildet. Dies verbessert die Wärmeableitung und damit die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung 10c im Vergleich zu einem Fall, in dem ein Harzsubstrat als Träger 20 verwendet wird. Darüber hinaus kann die Lichtausgabe der Licht emittierenden Vorrichtung 10c verbessert werden.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10c beinhaltet die Montierplatte 2 eine weiße Resistschicht 27. Die Resistschicht 27 bedeckt vorzugsweise einen Abschnitt der elektrischen Isolierschicht 26, in dem nichts von der ersten Abdichtschicht 41, dem ersten Leiter 23 und dem zweiten Leiter 24 ausgebildet ist. Es kann beispielsweise ein weißer Resist als Material der Resistschicht 27 eingesetzt werden. Ein Beispiel für einen weißen Resist ist ein Harz, das ein weißes Pigment enthält. Beispiele für ein weißes Pigment sind Bariumsulfat (BaSO4) und Titandioxid (TiO2). Ein Beispiel für Harz ist Siliziumharz.
  • Die Licht emittierende Vorrichtung 10c kann einfacher Licht mit Eintritt in die Montierplatte 2 aus dem Licht emittierenden Element 3 an der Oberfläche der Resistschicht r27 reflektieren, da die weiße Resistschicht 27 vorhanden ist. Dies kann damit die Absorption von Licht mit Emission aus dem Licht emittierenden Element 3 durch die Montierplatte 2 unterdrücken. Entsprechend verbessert sich die Lichtextraktionseffizienz, und es verbessert sich daher die die Lichtausgabe bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10c.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10c kann das Licht emittierende Element 3 an das Metallsubstrat 25 über den Bondingteil 5 gebondet sein. Dies erzeugt einen Wärmeübertragungsweg zum Übertragen von Wärme, die in dem Licht emittierenden Element 3 erzeugt wird, zu dem Metallsubstrat 25 ohne Durchlaufen der elektrischen Isolierschicht 26 als Wärmeübertragungsweg von Wärme, die in dem Licht emittierenden Element 3 in der Licht emittierenden Vorrichtung 10c erzeugt wird. Entsprechend kann die Wärmeableitung der Licht emittierenden Vorrichtung 10c verbessert werden.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10c kann das Licht emittierende Element 3 an dem Metallsubstrat 25 über ein lagenartiges Teilmontierelement (nicht dargestellt) installiert werden. Ein Material des Teilmontierelementes weist vorzugsweise eine Wärmeleitfähigkeit auf, die höher als diejenige der elektrischen Isolierschicht 26 ist, sowie eine kleinere Differenz bei der linearen Expansionsrate mit dem Licht emittierenden Element 3, als dies bei dem Metallsubstrat 25 der Fall ist. Dies ermöglicht eine Übertragung von Wärme, die in dem Licht emittierenden Element 3 erzeugt wird, auf das Teilmontierelement und das Metallsubstrat 25 ohne Durchlaufen der elektrischen Isolierschicht 26. Entsprechend kann die Wärmeableitung der Licht emittierenden Vorrichtung 10c vergrößert werden. Als Material des Teilmontierelementes kann beispielsweise Aluminiumnitrid eingesetzt werden. Das Teilmontierelement und das Metallsubstrat 25 können über einen Bondingteil gebondet sein. Als Material des Bondingteiles zum Bonden des Teilmontierelementes und des Metallsubstrates 25 ist beispielsweise bleifreies Lot, so beispielsweise AuSn und SnAGCu vorzuziehen. Wird AuSn als Material für den Bondingteil zum Bonden des Teilmontierelementes und des Metallsubstrates 25 eingesetzt, so ist eine Vorbehandlung zum Bilden einer Metallschicht aus Au oder Ag vorab an einer Bondingfläche an der Oberfläche des Metallsubstrates 25 erforderlich.
  • 5 ist eine schematische Schnittansicht der Licht emittierenden Vorrichtung 10d, die ein drittes modifiziertes Beispiel der Licht emittierenden Vorrichtung 10a ist. Die grundlegende Struktur der Licht emittierenden Vorrichtung 10d ist grob dieselbe wie diejenige der Licht emittierenden Vorrichtung 10a, wobei jedoch eine Struktur des Abdichtelementes 4 anders ist. Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10d sind dieselben Bezugszeichen an die Komponenten wie diejenigen bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10a vergeben, um eine doppelte Beschreibung zu vermeiden.
  • Bei der Licht emittierenden Vorrichtung 10d beinhaltet das Abdichtelement 4 eine Wärmewiderstandschicht 43 zwischen der zweiten Abdichtschicht 42 und der Hauptfläche 2a der Montierplatte 2. Die Wärmewiderstandsschicht 43 wird von einem Gemisch von Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz gebildet. Dies kann die Erzeugung eines Risses in einer Zone der zweiten Abdichtschicht 42 nahe an der Montierplatte 2 unterdrücken. Es wird davon ausgegangen, dass ein Teil der Wärme, die in dem Licht emittierenden Element 3 erzeugt und durch die Montierplatte 2 übertragen wird, nicht direkt zu der zweiten Abdichtschicht 42, sondern zu der Wärmewiderstandsschicht 43 übertragen wird.
  • In der Wärmewiderstandsschicht 43 ist die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, vorzugsweise 10 μm oder weniger. Darüber hinaus ist die durchschnittliche Teilchengröße der Teilchen vorzugsweise 1 μm oder mehr. In der Wärmewiderstandsschicht 43 ist der Gehalt an Teilchen, die wenigstens ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, vorzugsweise über 0 Gew.-% und 1 Gew.% oder weniger. Dies kann eine übermäßige Abnahme der Lichttransmittanz der Wärmewiderstandsschicht 43 unterdrücken.
  • Die Licht emittierenden Vorrichtungen 10a, 10b, 10c und 10d können als Lichtquelle eines Bereiches einer Beleuchtungsvorrichtung verwendet werden. Geeignete Beispiele für eine Beleuchtungsvorrichtung sind Beleuchtungsfassungen, in denen eines von den Licht emittierenden Elementen 10a bis 10d als Lichtquelle angeordnet ist, sowie Lampen (beispielsweise LED-Lampen mit gerader Röhre und Glühbirnenlampen), wobei jedoch auch andere Beleuchtungsvorrichtungen einsetzbar sind.
  • Bei den Licht emittierenden Vorrichtungen 10a, 10b, 10c und 10d sind die erste Elektrode und die zweite Elektrode an derselben Fläche des Licht emittierenden Elementes 3 angeordnet. Man ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die erste Elektrode kann auch an der einen Fläche des Licht emittierenden Elementes 3 ausgebildet sein, und die zweite Elektrode kann an der anderen Fläche ausgebildet sein.
  • Des Weiteren verwenden die Licht emittierenden Vorrichtungen 10a, 10b, 10c und 10d und 10d LEDs als Licht emittierende Elemente 3. Man ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Es kann beispielsweise auch eine LD eingesetzt werden.

Claims (9)

  1. Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: eine Montierplatte; ein Licht emittierendes Element, das an einer Hauptfläche der Montierplatte montiert ist; und ein Abdichtelement zum Abdecken des Licht emittierenden Elementes, wobei das Abdichtelement beinhaltet: eine erste Abdichtschicht zum Abdecken eines Teiles der Hauptfläche der Montierplatte und des Licht emittierenden Elementes; und eine zweite Abdichtschicht zum Abdecken der ersten Abdichtschicht, wobei die erste Abdichtschicht beinhaltet: ein Teilchen, das wenigstens ein Material enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz, und die zweite Abdichtschicht beinhaltet: ein Phosphorteilchen zum Umwandeln eines Teiles von von dem Licht emittierenden Element emittiertem Licht in ein langwelliges Licht und Ausstrahlen desselben und Siliziumharz.
  2. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Abdichtschicht in Halbkugelform ausgebildet ist.
  3. Licht emittierende Vorrichtung nach einem von Anspruch 1 oder 2, wobei eine durchschnittliche Teilchengröße des Teilchens in der ersten Abdichtschicht nicht kleiner als 1 μm und nicht größer als 10 μm ist.
  4. Licht emittierende Vorrichtung nach einem von Ansprüchen 1 bis 3, wobei die Montierplatte einen Träger, der aus einem keramischen Substrat gebildet ist, sowie einen ersten Leiter und einen zweiten Leiter beinhaltet, wobei beide Leiter an einer Hauptfläche des Trägers ausgebildet und elektrisch mit dem Licht emittierenden Element verbunden sind.
  5. Licht emittierende Vorrichtung nach einem von Ansprüchen 1 bis 3, wobei die Montierplatte einen Träger, der aus einem Metallsubstrat gebildet ist, wo eine elektrische Isolierschicht an der Oberfläche hiervon ausgebildet ist, sowie einen ersten Leiter und einen zweiten Leiter beinhaltet, wobei beide Leiter an dem Träger über die elektrische Isolierschicht ausgebildet und elektrisch mit dem Licht emittierenden Element verbunden sind.
  6. Licht emittierende Vorrichtung nach einem von Ansprüchen 1 bis 5, des Weiteren umfassend einen Bondingteil zum Bonden des Licht emittierenden Elementes an die Montierplatte, wobei der Bondingteil beinhaltet: ein Teilchen, das wenigstens eines enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz.
  7. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine durchschnittliche Teilchengröße des Teilchens in dem Bondingteil nicht kleiner als 1 μm und nicht größer als 10 μm ist.
  8. Licht emittierende Vorrichtung nach einem von Ansprüchen 1 bis 7, wobei das Abdichtelement eine Wärmewiderstandsschicht zwischen der zweiten Abdichtschicht und der Hauptfläche der Montierplatte beinhaltet, und die Wärmewiderstandsschicht beinhaltet: ein Teilchen, das wenigstens eines enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Ceroxid, Titanoxid, Eisenoxid und Kohlenstoff besteht, und Siliziumharz.
  9. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei eine durchschnittliche Teilchengröße des Teilchens in der Wärmewiderstandsschicht nicht kleiner als 1 μm und nicht größer als 10 μm ist.
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