JP2002280614A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

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恵 堀内
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光の利用効率の向上、放熱性向上等が課題に
なる。 【解決手段】 透明基板22上に一対の電極23、24
をメタライズし、発光ダイオード素子6を透明接着剤5
aで透明基板22に固着し、発光ダイオード素子6の上
面電極をワイヤボンィングし、発光ダイオード素子6を
透明封止樹脂28で形成した放物球面状または楕円球面
状の焦点に位置するように封止する。放物球面状または
楕円球面状の透明封止樹脂28の表面に光を反射する金
属反射膜(リフレクタ部)25を形成する。リフレクタ
部25と反対側で、発光ダイオード素子6の直上に透明
樹脂よりなる放物/楕円球面状レンズ42を形成する。
発光ダイオード素子6から出た光をリフレクタ部25で
反射し透明封止樹脂28を透過して透明基板22の下面
側に導かれレンズ42で集光する。光の利用効率が向上
し、放熱性に優れたパッケージが安価に提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の発光
ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、軽薄短小を追求する電子機器
向けに提供された表面実装型の発光ダイオードの代表的
な従来構造として、例えば図4に示す発光ダイオードが
知られている。以下その概要について説明する。
【0003】図4において、発光ダイオード1は、ガラ
スエポキシ基板(以下、ガラエポ基板という)2の上面
に一対の上面電極(カソード電極3とアノード電極4)
をパターン形成し、上面電極3の上に透明接着剤5によ
って発光ダイオード素子6を固着すると共に、発光ダイ
オード素子6の上面電極とガラエポ基板2の上面電極
3、4とを金属細線よりなるボンディングワイヤ7で接
続し、このボンディングワイヤ7及び発光ダイオード素
子6を透明封止樹脂8によって封止した構造のものであ
る。
【0004】前記発光ダイオード1を使用する時には、
マザーボード11の上面に発光ダイオード1を載置し、
上面電極と一体に形成された下面電極9、10をマザー
ボード11のプリント配線12、13に半田14で電気
的に固定することによって表面実装が実現するものであ
る。
【0005】しかしながら、上述した発光ダイオード1
は、リフレクタ部がないので、発光ダイオード素子6か
ら出た光が透光性の封止樹脂8の側面に出るので、光の
利用効率が悪かった。
【0006】そこで、上記した発光ダイオード1の問題
を解決するために、図5に示す発光ダイオード1Aが知
られている。発光ダイオード1Aは、銀メッキされたリ
ードフレーム3a、4aを白色成形樹脂でインサート成
形して絶縁基板2Aを形成し、リードフレーム電極3a
の上に、透明接着剤5によって発光ダイオード素子6を
固着すると共に、発光ダイオード素子6の上面電極とリ
ードフレーム電極3a、4aと金属細線よりなるボンデ
ィングワイヤ7で接続し、前記発光ダイオード素子6を
取り囲むように絶縁基板2Aの上方に向かって広がるパ
ラボラ形状をなしたリフレクタ部15aを有する反射部
材15を配設し、前記ボンディングワイヤ7及び発光ダ
イオード素子6を透明封止樹脂8aによって封止した構
造のものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た発光ダイオードは、裏面発光強度の大きい窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる発光ダイオード素子の表面実
装ではボンディングパッド部での光のロスが大きかっ
た。
【0008】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、発光ダイオード素子からの光の
利用効率を向上させ、放熱性に優れた安価な発光ダイオ
ードを提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における発光ダイオードは、絶縁基板上に発
光ダイオード素子を実装し、該発光ダイオード素子の電
極を接続し、発光ダイオード素子を覆うように封止樹脂
にて封止した発光ダイオードにおいて、前記絶縁基板は
透明基板よりなり、該透明基板に電極をメタライズし、
発光ダイオード素子を透明封止樹脂で形成した放物球面
状または楕円球面状の焦点に位置するように実装し、該
放物球面状または楕円球面状の透明封止樹脂の表面に光
を反射する金属反射膜(リフレクタ部)を形成すること
により、前記発光ダイオード素子から出た光をリフレク
タ部で反射し透明封止樹脂を透過して透明基板の下面側
に導かれるように構成したことを特徴とするものであ
る。
【0010】また、絶縁基板上に発光ダイオード素子を
実装し、該発光ダイオード素子の電極を接続し、発光ダ
イオード素子を覆うように封止樹脂にて封止した発光ダ
イオードにおいて、前記絶縁基板は透明基板よりなり、
該透明基板に電極をメタライズし、発光ダイオード素子
を実装し、立体成形基板(MID)等で形成した放物球
面状または楕円球面状の表面にリフレクタ部を電極を兼
ねた金属反射材料を付与し、前記発光ダイオード素子が
該放物球面状または楕円球面状の焦点に位置するよう透
明封止樹脂にて封止し、同時に電気的導通を兼ねて接着
することにより、前記発光ダイオード素子から出た光を
リフレクタ部で反射し透明封止樹脂を透過して透明基板
の下面側に導かれるように構成したことを特徴とするも
のである。
【0011】また、絶縁基板上に発光ダイオード素子を
実装し、該発光ダイオード素子の電極を接続し、発光ダ
イオード素子を覆うように封止樹脂にて封止した発光ダ
イオードにおいて、前記絶縁基板は透明基板よりなり、
該透明基板に電極をメタライズし、発光ダイオード素子
を実装し、該発光ダイオード素子を透明封止樹脂で形成
した放物球面状または楕円球面状の焦点に位置するよう
に封止し、該放物球面状または楕円球面状の透明封止樹
脂の表面に光を反射する金属反射膜(リフレクタ部)を
形成すると共に、前記リフレクタ部と反対側の透明基板
の下面側に透明樹脂で放物球面状レンズまたは楕円球面
状レンズを形成することにより、前記発光ダイオード素
子から出た光をリフレクタ部で反射し透明封止樹脂を透
過して透明基板の下面側に導かれ放物球面状レンズまた
は楕円球面状レンズで集光するように構成したことを特
徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける発光ダイオードについて説明する。図1は、本発明
の第1の実施の形態に係わる発光ダイオードの断面図で
ある。
【0013】図1において、発光ダイオード21は、熱
伝導率1W/m・K以上、例えば石英ガラス基板やサフ
ァイヤガラス基板等の透明基板22に一対の電極23、
24を部分的にメタライズし、発光ダイオード素子6は
透明接着剤5aによって透明基板22に固着されてい
る。そして、発光ダイオード素子6を透明封止樹脂28
で形成した放物球面状または楕円球面状の焦点に位置す
るように封止し、該放物球面状または楕円球面状の透明
封止樹脂28の表面に光を反射する金属反射膜(リフレ
クタ部)25をコーティングしたものである。このリフ
レクタ部25は、銀やアルミニウム等の蒸着によって形
成される。図1は、前記発光ダイオード21をマザーボ
ード11のプリント配線に半田14で電気的に固定して
表面実装が実現したものである。
【0014】上述した構成により、前記発光ダイオード
素子6から出た光はリフレクタ部25で反射し、リフレ
クタ部25は凹レンズのように作用するために、リフレ
クタ部25で反射した光が透明封止樹脂28を透過して
透明基板22の下面側に導かれる。
【0015】上記した発光ダイオード21は、リフレク
タ部25が形成されているので、光の利用効率が向上
し、発光ダイオード素子6が実装してある透明基板22
にメタライズしてあるので、発光ダイオード素子6の放
熱性が良い。また、リフレクタ部25を所望の形状に形
成することが容易である。
【0016】図2は、本発明の第2の実施の形態に係わ
る発光ダイオードの断面図である。図2において、発光
ダイオード31は、透明基板32に一対の電極33、3
4を部分的にメタライズし、発光ダイオード素子6を透
明接着剤5aによって透明基板32に固着されている。
そして、発光ダイオード素子6を透明封止樹脂35で形
成した放物球面状または楕円球面状の焦点に位置するよ
うに封止し、該放物球面状または楕円球面状の封止樹脂
の表面に予め反射材料を付与した立体成形基板、例えば
MID基板36で覆い放物球面状または楕円球面状面で
反射膜(リフレクタ部)37を形成し、前記MID/ア
ルミナ基板36の表面に一対の電極38、39をメタラ
イズし、発光ダイオード素子6を実装した前記透明基板
32に電気的導通を兼ねて接着する。
【0017】上述した構成により、前記発光ダイオード
素子31から出た光はリフレクタ部37で反射し透明封
止樹脂35を透過して透明基板32の下面側に導かれ
る。前述した第1の実施の形態と同様に、発光ダイオー
ド素子31の光の利用効率が向上し、放熱性が良く、リ
フレクタ部37の形成も容易である。
【0018】図3は、本発明の第3の実施の形態に係わ
る発光ダイオードの断面図である。図3において、発光
ダイオード41は、前述した第1の実施の形態で説明し
た発光ダイオード21に、更に前記リフレクタ部25と
反対側の透明基板22の下面側で、且つ発光ダイオード
素子6の直上の位置に透明樹脂で放物球面状レンズまた
は楕円球面状面レンズ42を形成する。発光ダイオード
素子6を放物球面状レンズまたは楕円球面状面レンズ4
2の中心になるように実装することが好ましい。
【0019】上述した構成により、前記発光ダイオード
素子41から出た光はリフレクタ部25で反射し、リフ
レクタ25は凹レンズのように作用するために、リフレ
クタ部25で反射した光が透明封止樹脂28を透過して
透明基板22の下面側に導かれ、更に放物球面状レンズ
または楕円球面状面レンズ42で集光性が高められ、光
の利用効率が向上する。また発光ダイオード素子6が実
装されている透明基板22にメタライズしてあるので発
光ダイオード素子6の放熱性が良い。また更にリフレク
タ部25は所望の形状に形成し易い。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ドーム形状に形成されたリフレクタ部及び半球状のレン
ズ部により、発光ダイオード素子からの光の利用効率が
向上し、放熱性に優れた発光ダイオードを安価に提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係わる発光ダイオ
ードの断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態に係わる発光ダイオ
ードの断面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態に係わる発光ダイオ
ードの断面図である。
【図4】従来の発光ダイオードの断面図である。
【図5】従来の他の発光ダイオードの断面図である。
【符号の説明】
5a 透明接着剤 6 発光ダイオード素子 7 ボンディングワイヤ 21、31、41 発光ダイオード 22、32 透明基板 23、24、38、39 メタライズ 25、37 リフレクタ部 28、35 透明封止樹脂 36 MID基板 42 放物/楕円球面状レンズ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板上に発光ダイオード素子を実装
    し、該発光ダイオード素子の電極を接続し、発光ダイオ
    ード素子を覆うように封止樹脂にて封止した発光ダイオ
    ードにおいて、前記絶縁基板は透明基板よりなり、該透
    明基板に電極をメタライズし、発光ダイオード素子を透
    明封止樹脂で形成した放物球面状または楕円球面状の焦
    点に位置するように実装し、該放物球面状または楕円球
    面状の透明封止樹脂の表面に光を反射する金属反射膜
    (リフレクタ部)を形成することにより、前記発光ダイ
    オード素子から出た光をリフレクタ部で反射し透明封止
    樹脂を透過して透明基板の下面側に導かれるように構成
    したことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 【請求項2】 絶縁基板上に発光ダイオード素子を実装
    し、該発光ダイオード素子の電極を接続し、発光ダイオ
    ード素子を覆うように封止樹脂にて封止した発光ダイオ
    ードにおいて、前記絶縁基板は透明基板よりなり、該透
    明基板に電極をメタライズし、発光ダイオード素子を実
    装し、立体成形基板(MID)等で形成した放物球面状
    または楕円球面状の表面にリフレクタ部と電極を兼ねた
    金属反射材料を付与し、前記発光ダイオード素子が該放
    物球面状または楕円球面状の焦点に位置するよう透明封
    止樹脂にて封止し、同時に電気的導通を兼ねて接着する
    ことにより、前記発光ダイオード素子から出た光をリフ
    レクタ部で反射し透明封止樹脂を透過して透明基板の下
    面側に導かれるように構成したことを特徴とする発光ダ
    イオード。
  3. 【請求項3】 絶縁基板上に発光ダイオード素子を実装
    し、該発光ダイオード素子の電極を接続し、発光ダイオ
    ード素子を覆うように封止樹脂にて封止した発光ダイオ
    ードにおいて、前記絶縁基板は透明基板よりなり、該透
    明基板に電極をメタライズし、発光ダイオード素子を実
    装し、該発光ダイオード素子を透明封止樹脂で形成した
    放物球面状または楕円球面状の焦点に位置するように封
    止し、該放物球面状または楕円球面状の透明封止樹脂の
    表面に光を反射する金属反射膜(リフレクタ部)を形成
    すると共に、前記リフレクタ部と反対側の透明基板の下
    面側に透明樹脂で放物球面状レンズまたは楕円球面状レ
    ンズを形成することにより、前記発光ダイオード素子か
    ら出た光をリフレクタ部で反射し透明封止樹脂を透過し
    て透明基板の下面側に導かれ放物球面状レンズまたは楕
    円球面状レンズで集光するように構成したことを特徴と
    する発光ダイオード。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10308890A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Opto Tech Corporation Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2004260048A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi マイクロタイプ発光装置
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
US7070304B2 (en) 2003-08-07 2006-07-04 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP2007142173A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Koha Co Ltd 照明装置
JP2007165811A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2007311626A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Fujikura Ltd 光源装置
JP2008543041A (ja) * 2005-05-25 2008-11-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ledを備える照明システム
JP2010073592A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
US7723742B2 (en) 2004-04-13 2010-05-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
JP2010147445A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2010170868A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Rohm Co Ltd 照明装置
JP2010232210A (ja) * 2009-03-25 2010-10-14 Denso Corp 発光ダイオードおよびその取付方法
CN103022319A (zh) * 2012-12-17 2013-04-03 四川鼎吉光电科技有限公司 Led封装结构
JP2014032981A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Sharp Corp 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2014107502A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Citizen Holdings Co Ltd 発光装置
JP2014187397A (ja) * 2006-11-15 2014-10-02 Regents Of The Univ Of California テクスチャ化された蛍光体変換層を有する発光ダイオード
CN104681698A (zh) * 2015-01-06 2015-06-03 司红康 一种装饰用led封装结构
US10454010B1 (en) 2006-12-11 2019-10-22 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
RU2717381C2 (ru) * 2015-10-08 2020-03-23 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01205480A (ja) * 1988-02-12 1989-08-17 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード及びled面発光光源
JP2001044516A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01205480A (ja) * 1988-02-12 1989-08-17 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード及びled面発光光源
JP2001044516A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004260048A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi マイクロタイプ発光装置
DE10308890A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Opto Tech Corporation Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode und Verfahren zu dessen Herstellung
US7070304B2 (en) 2003-08-07 2006-07-04 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
CN100376041C (zh) * 2003-08-07 2008-03-19 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
US7719017B2 (en) 2004-01-07 2010-05-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
US8048700B2 (en) 2004-04-13 2011-11-01 Hamamatsu-shi Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
US7723742B2 (en) 2004-04-13 2010-05-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof
US9240529B2 (en) 2004-07-06 2016-01-19 The Regents Of The University Of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US9859464B2 (en) 2004-07-06 2018-01-02 The Regents Of The University Of California Lighting emitting diode with light extracted from front and back sides of a lead frame
JP2008543041A (ja) * 2005-05-25 2008-11-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Ledを備える照明システム
JP2007142173A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Koha Co Ltd 照明装置
US10180213B2 (en) 2005-12-16 2019-01-15 Nichia Corporation Light emitting device
US11187385B2 (en) 2005-12-16 2021-11-30 Nichia Corporation Light emitting device
US10801676B2 (en) 2005-12-16 2020-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
US11421829B2 (en) 2005-12-16 2022-08-23 Nichia Corporation Light emitting device
US8366295B2 (en) 2005-12-16 2013-02-05 Nichia Corporation Light emitting device
US10598317B2 (en) 2005-12-16 2020-03-24 Nichia Corporation Light emitting device
US9491813B2 (en) 2005-12-16 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device
US11692677B2 (en) 2005-12-16 2023-07-04 Nichia Corporation Light emitting device
US9752734B2 (en) 2005-12-16 2017-09-05 Nichia Corporation Light emitting device
JP2007165811A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US9491812B2 (en) 2005-12-16 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device
JP2007311626A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Fujikura Ltd 光源装置
JP2014187397A (ja) * 2006-11-15 2014-10-02 Regents Of The Univ Of California テクスチャ化された蛍光体変換層を有する発光ダイオード
US10644213B1 (en) 2006-12-11 2020-05-05 The Regents Of The University Of California Filament LED light bulb
US10454010B1 (en) 2006-12-11 2019-10-22 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US10593854B1 (en) 2006-12-11 2020-03-17 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting device with light emitting diodes
US10658557B1 (en) 2006-12-11 2020-05-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting device with light emitting diodes
JP2010073592A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2010147445A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2010170868A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Rohm Co Ltd 照明装置
JP2010232210A (ja) * 2009-03-25 2010-10-14 Denso Corp 発光ダイオードおよびその取付方法
JP2014032981A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Sharp Corp 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2014107502A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Citizen Holdings Co Ltd 発光装置
CN103022319A (zh) * 2012-12-17 2013-04-03 四川鼎吉光电科技有限公司 Led封装结构
CN104681698B (zh) * 2015-01-06 2017-12-19 安徽康力节能电器科技有限公司 一种装饰用led封装结构
CN104681698A (zh) * 2015-01-06 2015-06-03 司红康 一种装饰用led封装结构
RU2717381C2 (ru) * 2015-10-08 2020-03-23 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11796163B2 (en) 2020-05-12 2023-10-24 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

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