CN100376041C - 发光二极管 - Google Patents

发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN100376041C
CN100376041C CNB2004100874420A CN200410087442A CN100376041C CN 100376041 C CN100376041 C CN 100376041C CN B2004100874420 A CNB2004100874420 A CN B2004100874420A CN 200410087442 A CN200410087442 A CN 200410087442A CN 100376041 C CN100376041 C CN 100376041C
Authority
CN
China
Prior art keywords
concave surface
surface portion
light
emitting diode
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2004100874420A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1601777A (zh
Inventor
今井贞人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of CN1601777A publication Critical patent/CN1601777A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100376041C publication Critical patent/CN100376041C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

发光二极管包括有线路基板，安装在此线路基板上的反射构件，在线路基板上形成的半球形凹面部，在反射构件上形成的且与半球形凹面部连接配置的圆锥台状凹面部，设置在线路基板的半球形凹面部内的透明的台，安装在此台上的LED芯片，设置在半球形凹面部内和圆锥台状凹面部内覆盖此LED芯片的密封体。

Description

发光二极管
相关申请参考
本申请要求2003年8月7日提交的日本专利申请No.2003-206617的优先权，其全部内容作为参考引用在此。
技术领域
本发明涉及一种用于个人电脑、打印机、PDA(个人数字助理)、传真、寻呼机、便携式电话等民用设备中的发光二极管。
背景技术
近年来，在装有光通信功能的笔记本电脑、PDA、便携式电话等便携式设备等的各种电子设备中，具有易看见背光装置的薄型液晶显示装置正得以广泛使用。提供给现有小型薄电子设备用的表面安装型发光二极管一般具有如下结构：在玻璃环氧基板表面布图(パタ—ン)形成一对表面电极，并用透明粘着剂将LED(发光二极管)芯片固定在这些电极上，在对LED芯片的表面电极和上述基板的电极进行引线焊接的同时，将覆盖LED芯片的透光性树脂安装在基板上。
由于这种结构的发光二极管没有反射部，从LED芯片射出的光在透光性树脂的侧面射出，因此光的利用率低。
因此，使从LED芯片射出的光具有良好利用率的发光二极管，例如日本特开2002-280614所示，正得以广泛使用。
上述专利文献记载的发光二极管21，如图2所示，通过用白色成型树脂镶嵌成型镀银的电极图形22、23来形成绝缘基板24，在用透明粘着剂25将LED芯片26固定在电极图形22、23上的同时，用由金属细线构成的焊接线27连接LED芯片26的表面电极(未图示)和电极图形22、23，在绝缘基板24上设置具有包围LED芯片26的、向绝缘基板24上方以抛物线形状扩展的反射部28a的反射构件28。
另外，在反射部28a内设置覆盖LED芯片26的透光性树脂29。
用焊锡20将如上所述构成的发光二极管21表面安装在印刷基板19上。
然而，在如上所述的发光二极管21中，虽然来自LED芯片26上面和侧面的光被以抛物线形状扩展的反射部28a反射后向上方射出，但从LED芯片26下面射出的光却被电极图形22、23或绝缘基板24遮挡，不能有效地利用，存在来自LED芯片26的光损耗大这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述背景技术中的问题点形成的，其目的在于提供一种提高LED芯片的发光利用率的发光二极管。
为实现上述目的，本发明发光二极管包括有线路基板；安装在所述线路基板上的反射构件；在所述线路基板上形成的具有反射面的半球形凹面部；在所述反射构件上形成的且与所述半球形凹面部连接配置的圆锥台状凹面部；设置在所述线路基板的半球形凹面部内的透明的台；安装在所述透明的台的上面的LED芯片；和设置在所述半球形凹面部内和所述圆锥台状凹面部内覆盖所述LED芯片的密封体；由所述半球形凹面部的反射面反射从LED芯片射出的光。
从LED芯片上方射出的光的一部分穿过透明的密封体射向外部的同时，光的另一部分被圆锥台状凹面部反射，此反射光穿过密封体射向反射构件的外部。另一方面，从LED芯片下方射出的光穿过透明台后被半球形凹面部反射，此反射光穿过密封体射向外部。这样，从LED芯片射出的大部分光能够被半球形凹面部和圆锥台状凹面部有效地反射，从而有效地利用。
附图说明
图1是表示本发明发光二极管的一个实施例的截面图。
图2是现有发光二极管的截面图。
具体实施方式
下面参照附图来说明本发明发光二极管的一个实施例。
图1示出了本发明发光二极管1。
此发光二极管1具有线路基板2和设置在此线路基板2上的、通过适当的固定机构(未图示)固定的反射构件3。
线路基板2具有设置在其大致中央部用来反射光的半球形凹面部4，反射构件3具有在半球形凹面部4上方、与此半球形凹面部连接设置的带有反射光的构件的圆锥台状凹面部5。
优选地，在这些半球形凹面部4和圆锥台状凹面部5的表面上分别形成金属反射膜6。这些金属反射膜6由易于反射光的银或铝等，例如通过蒸镀而形成的膜构成。这里应注意，也可以将半球形凹面部4和圆锥台状凹面部5的表面形成为镜面以反射光。
在线路基板2的半球形凹面部4内，在其大致中央部设置有透明的台7。所述台7的上表面7a形成为水平面，下表面7b具有与半球形凹面部4的球面相应的球面。另外，此台7通过向半球形凹面部4注入透明树脂使其硬化成上述形状来形成，或事先作成上述形状后将其安装在半球形凹面部4内。
LED芯片8设置在上述透明台的上表面7a上，并用例如透明粘着剂9固定。这里应注意，LED芯片8设置在台7的水平面7a上时，最好将LED芯片8设置在半球形凹面部4的大致中心上。这是因为当LED芯片8设置在半球形凹面部4的中心时，从LED芯片8射出的光可均匀地射向半球形凹面部4。
LED芯片8通过引线焊接，即借助引线12、13与设置在线路基板2上的一对电极图形10，11连接。这一对电极图形形成在级路基板2上。
LED芯片8固定在台7上后，设置覆盖LED芯片8和引线12，13的密封体14。在此实施例中，通过向半球形凹面部4和圆锥台状凹面部5注入流动的透光性树脂并使之硬化来形成密封体。
另外，上述发光二极管1通过焊锡20表面安装在印刷电路基板19上。
对上述结构的发光二极管的作用加以说明。
在图1中，在从LED芯片8上方射出的光的一部分穿过透明的密封体14射向反射构件3的外部的同时，光的另一部分被圆锥台状凹面部5反射，此反射光穿过密封体14射向反射构件3的外部。另一方面，从LED芯片8下方射出的光穿过透明台7后被半球形凹面部4反射，此反射光穿过密封体14射向外部。
更为详细地描述，从LED芯片8上面射出的光，穿过透明的密封体14以及被圆锥台状凹面部5的金属反射膜6反射后向线路基板2上方的规定方向射出。在LED芯片8射出的光中，从下面射出的光被形成在半球形凹面部4上的金属反射膜6反射并聚光后向线路基板2上方的规定方向射出。此外，在LED芯片8射出的光中，从侧面射出的光被形成在半球形凹面部4和圆锥台状凹面部5上的金属反射膜3反射后向线路基板2上方的规定方向射出。这样，由于来自LED芯片8上面、侧面和下面的光射向线路基板2上方的同一规定方向，因此射向此规定方向的光具有非常高的辉度。
如上所述，根据本发明，由于在LED芯片射出的光中，尤其是来自LED芯片下面的光被线路基板的半球形凹面部反射和聚光，且此被反射和聚光的光再进一步被圆锥台状凹面部反射或聚光，因此，可无损耗地有效利用从LED芯片射出的光。
虽然述及了本发明的优选实施例，但本发明并不限于此实施例，可以对此实施例进行各种变型。例如，通过在反射构件上形成半球形凹面部，在线路基板上形成圆锥台状凹面部，可使本发明发光二极管具有满足使用目的的配光特性。

Claims (7)

1.一种发光二极管，其特征在于，具有：
线路基板；
安装在所述线路基板上的反射构件；
在所述线路基板上形成的具有反射面的半球形凹面部；
在所述反射构件上形成的且与所述半球形凹面部连接配置的圆锥台状凹面部；
设置在所述线路基板的半球形凹面部内的透明的台；
安装在所述透明的台的上面的LED芯片；
和设置在所述半球形凹面部内和所述圆锥台状凹面部内覆盖所述LED芯片的密封体；
由所述半球形凹面部的反射面反射从LED芯片射出的光。
2.根据权利要求1记载的发光二极管，其特征在于，所述圆锥台状凹面部具有反射面，在所述半球形凹面部的反射面和所述圆锥台状凹面部的反射面上形成有金属反射膜。
3.根据权利要求2记载的发光二极管，其特征在于，所述金属反射膜通过银或铝的蒸镀来形成。
4.根据权利要求1记载的发光二极管，其特征在于，所述台由透明树脂形成。
5.根据权利要求1记载的发光二极管，其特征在于，所述密封体由透明树脂形成。
6.根据权利要求1记载的发光二极管，其特征在于，所述透明的台的下面具有与所述半球形凹面部的凹面相应的凸面形状，上面形成为水平面。
7.根据权利要求1记载的发光二极管，其特征在于，所述LED芯片在所述半球形凹面部的中心部载置在所述透明的台的上面。
CNB2004100874420A 2003-08-07 2004-08-06 发光二极管 Expired - Fee Related CN100376041C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP206617/2003 2003-08-07
JP2003206617A JP2005056941A (ja) 2003-08-07 2003-08-07 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1601777A CN1601777A (zh) 2005-03-30
CN100376041C true CN100376041C (zh) 2008-03-19

Family

ID=34113721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100874420A Expired - Fee Related CN100376041C (zh) 2003-08-07 2004-08-06 发光二极管

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7070304B2 (zh)
JP (1) JP2005056941A (zh)
CN (1) CN100376041C (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191138A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 発光装置
JP2005191446A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子用パッケージ及びこれを具えた発光デバイス
WO2005124877A2 (en) * 2004-06-18 2005-12-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led with improve light emittance profile
EP1720386B1 (en) * 2005-04-25 2015-06-03 NGK Spark Plug Company Limited Wiring board
KR100631992B1 (ko) * 2005-07-19 2006-10-09 삼성전기주식회사 측면 방출형 이중 렌즈 구조 ｌｅｄ 패키지
US8231251B2 (en) * 2005-10-28 2012-07-31 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple piece reflective angle transformer
JP2007165803A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Sharp Corp 発光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7657147B2 (en) * 2006-03-02 2010-02-02 Solar Light Company, Inc. Sunlight simulator apparatus
TWI303115B (en) * 2006-04-13 2008-11-11 Epistar Corp Semiconductor light emitting device
TWI314366B (en) * 2006-04-28 2009-09-01 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
JP2007329155A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Fujikura Ltd 発光ダイオード光源装置とその製造方法、照明装置、表示装置及び交通信号機
DE112007001950T5 (de) 2006-08-21 2009-07-02 Innotec Corporation, Zeeland Elektrische Vorrichtung mit platinenloser Montageanordnung für elektrische Komponenten
EP3489572A1 (en) * 2006-08-29 2019-05-29 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
WO2008060615A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
EP1928026A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
TWI460881B (zh) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California 透明發光二極體
US7712933B2 (en) * 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
US7611271B2 (en) * 2007-03-19 2009-11-03 3M Innovative Properties Company Efficient light injector
US7841741B2 (en) * 2007-04-02 2010-11-30 Endicott Interconnect Technologies, Inc. LED lighting assembly and lamp utilizing same
KR100912442B1 (ko) * 2007-07-19 2009-08-14 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
JP5263658B2 (ja) * 2007-11-30 2013-08-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
US8230575B2 (en) 2007-12-12 2012-07-31 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
JP2009176933A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp 発光装置及び照明装置
JP2009212394A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Oki Data Corp 半導体装置、ｌｅｄヘッド及び画像形成装置
JP5157836B2 (ja) * 2008-11-12 2013-03-06 東芝ライテック株式会社 照明器具
KR101047791B1 (ko) * 2008-11-18 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2010125889A1 (ja) * 2009-04-27 2010-11-04 京セラ株式会社 発光器具
JP5499325B2 (ja) 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
JP5708983B2 (ja) 2010-03-29 2015-04-30 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP5747546B2 (ja) 2010-03-29 2015-07-15 東芝ライテック株式会社 照明装置
US8851731B2 (en) * 2011-10-24 2014-10-07 Ningbo Baishi Electric Co., Ltd Light-diffusion LED lamp
CN103137823B (zh) * 2011-11-24 2015-10-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及应用该发光二极管的直下式背光源
US9022631B2 (en) 2012-06-13 2015-05-05 Innotec Corp. Flexible light pipe
CN103047624B (zh) * 2012-12-19 2014-07-23 山西光宇半导体照明股份有限公司 一种光源固定结构
CN105042375B (zh) * 2015-08-04 2018-03-20 浙江萤尔光电科技有限公司 一种led灯具
DE102016224064A1 (de) * 2016-12-02 2018-06-07 Eaton Protection Systems Ip Gmbh & Co. Kg Elektrisches/Elektronisches Betriebsmittel, Verfahren zur Kühlung und Überwachung des Betriebsmittels sowie Sicherheitsschalteinrichtung
US11257987B2 (en) * 2017-10-16 2022-02-22 PlayNitride Inc. Structure with micro light-emitting device
KR20210086816A (ko) * 2019-12-30 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6355946B1 (en) * 1998-12-16 2002-03-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with reflector
JP2002124704A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型発光ダイオード
JP2002280614A (ja) * 2001-03-14 2002-09-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
CN1399355A (zh) * 2001-07-25 2003-02-26 株式会社西铁城电子 发光二极管器件
US20030067264A1 (en) * 2001-10-09 2003-04-10 Agilent Technologies, Inc. Light-emitting diode and method for its production

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5894196A (en) * 1996-05-03 1999-04-13 Mcdermott; Kevin Angled elliptical axial lighting device
DE10245580B4 (de) * 2002-09-27 2006-06-01 Siemens Ag Einrichtung zur Erzeugung eines Bildes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6355946B1 (en) * 1998-12-16 2002-03-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with reflector
JP2002124704A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型発光ダイオード
JP2002280614A (ja) * 2001-03-14 2002-09-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
CN1399355A (zh) * 2001-07-25 2003-02-26 株式会社西铁城电子 发光二极管器件
US20030067264A1 (en) * 2001-10-09 2003-04-10 Agilent Technologies, Inc. Light-emitting diode and method for its production

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005056941A (ja) 2005-03-03
US20050030752A1 (en) 2005-02-10
CN1601777A (zh) 2005-03-30
US7070304B2 (en) 2006-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100376041C (zh) 发光二极管
CN102097423B (zh) 发光器件封装和照明系统
JP5204866B2 (ja) 発光素子パッケージ及びこれを備えた照明システム
US7222993B2 (en) Light emitting diode device
CN102147080B (zh) 背光单元和使用该背光单元的显示装置
US8860074B2 (en) Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system having the same
US9645299B2 (en) Light unit and display apparatus having the same
US8269243B2 (en) LED unit
JP2003229603A (ja) 両面発光ｌｅｄパッケージ
CN103075678A (zh) 光源模块和具有该光源模块的照明设备
JP2000183407A (ja) 光半導体装置
JP2001185762A (ja) 裏面実装チップ型発光装置
JP4282344B2 (ja) 発光ダイオード
KR20120131712A (ko) 발광소자 패키지
US20090321763A1 (en) Light emitting diode
CN103165798B (zh) 发光二极管封装结构及其透镜
US6822265B2 (en) Light emitting diode
US20060145173A1 (en) Light emitting diode package and process of making the same
KR20110128693A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN107919431B (zh) 发光二极管芯片级封装结构及直下式背光模块
KR20140096849A (ko) 발광소자 패키지
CN208937883U (zh) 一种闪光灯组件和终端设备
CN201527994U (zh) 侧光式发光元件封装壳体及封装结构
KR101896671B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 모듈
KR102042471B1 (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080319

Termination date: 20170806