JP2014187397A - テクスチャ化された蛍光体変換層を有する発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、オプトエレクトロニクス応用のためのLED光抽出に関する。より具体的には、本発明は、高効率の(Al,Ga,In)Nベースの発光ダイオード応用のための、最適化された光学部品および蛍光体層と組み合わされた(Al,Ga,In)Nと、その製作方法とに関する。さらなる拡張は、成形された高屈折率光抽出材料と、成形された光学素子との、一般的な組み合わせである。
【選択図】図3
Description
本特許出願は、以下の同時係属中かつ同一人に譲渡された特許出願と関連する。すなわち、
Tetsuo Fujii、Yan Gao、Evelyn.L.Hu、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第10/581,940号、名称「HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING」(2006年6月7日出願、代理人整理番号30794.108−US−WO(2004−063))、該出願は、Tetsuo Fujii、Yan Gao、Evelyn
L.Hu、およびShuji Nakamuraによる、PCT特許出願第US2003/03921号、名称「HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING」(2003年12月9日出願、代理人整理番号30794.108−US−WO−01(2004−063))の35U.S.C Section365(c)の下での利益を主張する;
Rajat Sharma、P.Morgan Pattison、John F.Kaeding、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/054,271号、名称「SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE」(2005年2月9日出願、代理人整理番号30794.112−US−01(2004−208));
Akihiko Murai、Lee McCarthy、Umesh K.Mishra、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/175,761号、名称「METHOD FOR WAFER BONDING (Al,In,Ga)N AND Zn(S,Se) FOR OPTOELECTRONICS APPLICATIONS」(2005年7月6日出願、代理人整理番号30794.116−US−U1(2004−455))、該出願は、Akihiko Murai、Lee McCarthy、Umesh K.Mishra、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/585,673号、名称「METHOD FOR WAFER BONDING (Al,In,Ga)N AND Zn(S,Se) FOR OPTOELECTRONICS APPLICATIONS」(2004年7月6日出願、代理人整理番号30794.116−US−P1(2004−455−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,957号、名称「HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DISTRIBUTED FEEDBACK(DFB) LASERS BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.121−US−01(2005−144−1));
Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/923,414号、名称「SINGLE OR MULTI−COLOR HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2007年10月24日出願、代理人整理番号30794.122−US−C1(2005−145−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、Aurelien J.F.David、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsに対する、米国特許第7,291,864号、名称「SINGLE
OR MULTI−COLOR HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE」(2007年11月6日発行、代理人整理番号30794.122−US−01(2005−145−1))の継続出願である;
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第11/067,956号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) WITH OPTIMIZED PHOTONIC CRYSTAL EXTRACTOR」(2005年2月28日出願、代理人整理番号30794.126−US−01(2005−198−1));
James S.Speck、Troy J.Baker、およびBenjamin A.Haskellによる、米国特許出願第11/403,624号、名称「WAFER
SEPARATION TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF FREE−STANDING (AL,IN,GA)N WAFERS」(2006年4月13日出願、代理人整理番号30794.131−US−U1(2005−482−2))、該出願は、James S.Speck、Troy J.Baker、およびBenjamin A.Haskellによる、米国仮特許出願第60/670,810号、名称「WAFER SEPARATION TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF FREE−STANDING (AL,IN,GA)N WAFERS」(2005年4月13日出願、代理人整理番号30794.131−US−P1(2005−482−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
James S.Speck、Benjamin A.Haskell、P.Morgan Pattison、およびTroy J.Bakerによる、米国特許出願第11/403,288号、名称「ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL,IN,GA)N LAYERS」(2006年4月13日出願、代理人整理番号30794.132−US−U1(2005−509−2))、該出願は、James S.Speck、Benjamin A.Haskell、P.Morgan Pattison、およびTroy J.Bakerによる、米国仮特許出願第60/670,790号、名称「ETCHING TECHNIQUE FOR THE FABRICATION OF THIN (AL,IN,GA)N LAYERS」(2005年4月13日出願、代理人整理番号30794.132−US−P1(2005−509−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国特許出願第11/454,691号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD」(2006年6月16日出願、代理人整理番号30794.134−US−U1(2005−536−4))、該出願は、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/691,710号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDING STRUCTURE
FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS,AND ITS FABRICATION METHOD」(2005年6月17日出願、代理人整理番号30794.134−US−P1(2005−536−1))と、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/732,319号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS,AND ITS FABRICATION METHOD」(2005年11月1日出願、代理人整理番号30794.134−US−P2(2005−536−2))と、Akihiko Murai、Christina Ye Chen、Daniel B.Thompson、Lee S.McCarthy、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびUmesh K.Mishraによる、米国仮特許出願第60/764,881号、名称「(Al,Ga,In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECRONIC APPLICATIONS AND ITS FABRICATION METHOD」(2006年2月3日出願、代理人整理番号30794.134−US−P3(2005−536−3))との、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Frederic S.Diana、Aurelien J.F.David、Pierre M.Petroff、およびClaude C.A.Weisbuchによる、米国特許出願第11/251,365号、名称「PHOTONIC STRUCTURES FOR EFFICIENT LIGHT EXTRACTION AND CONVERSION IN MULTI−COLOR LIGHT EMITTING DEVICES」(2005年10月14日出願、代理人整理番号30794.142−US−01(2005−534−1));
Claude C.A.Weisbuch、およびShuji Nakamuraによる、米国特許出願第11/633,148号、名称「IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DISTRIBUTED FEEDBACK(DFB) LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER A PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH」(2006年12月4日出願、代理人整理番号30794.143−US−U1(2005−721−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/741,935号、名称「IMPROVED HORIZONTAL EMITTING,VERTICAL EMITTING,BEAM SHAPED,DFB LASERS FABRICATED BY GROWTH OVER PATTERNED SUBSTRATE WITH MULTIPLE OVERGROWTH」(2005年12月2日出願、代理人整理番号30794.143−US−P1(2005−721−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N.Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国特許出願第11/593,268号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年11月6日出願、代理人整理番号30794.161−US−U1(2006−271−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、Hisashi Masui、Natalie N.Fellows、およびAkihiko Muraiによる、米国仮特許出願第60/734,040号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2005年11月4日出願、代理人整理番号30794.161−US−P1(2006−271−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国特許出願第11/608,439号、名称「HIGH
EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年12月8日出願、代理人整理番号30794.164−US−U1(2006−318−3))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/748,480号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2005年12月8日出願、代理人整理番号30794.164−US−P1(2006−318−1))と、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/764,975号、名称「HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED)」(2006年2月3日出願、代理人整理番号30794.164−US−P2(2006−318−2))との、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Hong Zhong、John F.Kaeding、Rajat Sharma、James S.Speck、Steven P.DenBaars、およびShuji
Nakamuraによる、米国特許出願第11/676,999号、名称「METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N OPTOELECTRONIC DEVICES」(2007年2月20日出願、代理人整理番号30794.173−US−U1(2006−422−2))、該出願は、Hong Zhong、John F.Kaeding、Rajat Sharma、James S.Speck、Steven P.DenBaars、およびShuji Nakamuraによる、米国仮特許出願第60/774,467号、名称「METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga、B)N OPTOELECTRONIC DEVICES」(2006年2月17日出願、代理人整理番号30794.173−US−P1(2006−422−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.191−US−U1(2007−047−3))、該出願は、Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,014号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.191−US−P1(2007−047−1))と、Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/883,977号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) THROUGH MULTIPLE EXTRACTORS」(2007年1月8日出願、代理人整理番号30794.191−US−P2(2007−047−2))との、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Claude C.A.Weisbuch、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH EFFICIENCY WHITE,SINGLE OR MULTI−COLOUR LED BY INDEX MATCHING STRUCTURES」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.196−US−U1(2007−114−2))、該出願は、Claude C.A.Weisbuch、James S.Speck、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,026号、名称「HIGH EFFICIENCY WHITE,SINGLE OR MULTI−COLOUR LED BY INDEX MATCHING STRUCTURES」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.196−US−P1(2007−114−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars、およびStacia Kellerによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE(LED) WITH EMITTERS WITHIN STRUCTURED MATERIALS」(同日に出願、代理人整理番号30794.197−US−U1(2007−113−2))、該出願は、Aurelien J.F.David、Claude C.A.Weisbuch、Steven P.DenBaars、およびStacia Kellerによる、米国仮特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY LED WITH EMITTERS WITHIN STRUCTURED MATERIALS」(同日に出願、代理人整理番号30794.197−US−P1(2007−113−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Evelyn L.Hu、Shuji Nakamura、Yong Seok Choi、Rajat Sharma、およびChiou−Fu Wangによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「ION BEAM TREATMENT FOR THE STRUCTURAL INTEGRITY OF AIR−GAP III−NITRIDE DEVICES PRODUCED BY PHOTOELECTROCHEMICAL(PEC) ETCHING」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.201−US−U1(2007−161−2))、該出願は、Evelyn L.Hu、Shuji Nakamura、Yong Seok Choi、Rajat Sharma、およびChiou−Fu Wangによる、米国仮特許出願第60/866,027号、名称「ION BEAM TREATMENT FOR THE STRUCTURAL INTEGRITY OF AIR−GAP III−NITRIDE DEVICES PRODUCED BY PHOTOELECTROCHEMICAL(PEC) ETCHING」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.201−US−P1(2007−161−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびHisashi Masuiによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY SPHERE LED」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.204−US−U1(2007−271−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびHisashi Masuiによる、米国仮特許出願第60/866,025号、名称「HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY SPHERE LED」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.204−US−P1(2007−271−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
Shuji Nakamura、およびSteven P.DenBaarsによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「STANDING TRANSPARENT MIRROR−LESS(STML) LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.205−US−U1(2007−272−2))、該出願は、Shuji Nakamura、およびSteven P.DenBaarsによる、米国仮特許出願第60/866,017号、名称「STANDING TRANSPARENT MIRROR−LESS(STML) LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.205−US−P1(2007−272−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;および、
Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国特許出願第xx/xxx,xxx号、名称「TRANSPARENT MIRROR−LESS(TML) LIGHT EMITTING DIODE」(2007年11月15日出願、代理人整理番号30794.206−US−U1(2007−273−2))、該出願は、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、およびJames S.Speckによる、米国仮特許出願第60/866,023号、名称「TRANSPARENT MIRROR−LESS(TML) LIGHT EMITTING DIODE」(2006年11月15日出願、代理人整理番号30794.206−US−P1(2007−273−1))の、35U.S.C Section119(e)のもとでの利益を主張する;
上記の出願の全てが、本明細書において参考として援用される。
本発明は、LED光抽出と、オプトエレクトロニクス応用のための高い発光効果を有する白色LEDとに関し、より具体的には、テクスチャ化された蛍光体変換層を有するLEDに関する。
従来の白色LEDにおいては、蛍光体変換層は、一般的には、青色GaNチップの上に直接配置される。表面は、通常平滑であり、GaNチップの表面に対して整合(conformal)する。GaNチップからの青色光子は、蛍光体変換層において、低エネルギーの光子(黄、緑、および赤)にダウンコンバートされる。これらの光子の多くの部分が、蛍光体変換層内に内部反射され、チップに戻るように指向され、ここで光子が再吸収される。これは、全体的な発光効率の低下をもたらす。
(項目1)
第1の波長領域で光を放射するLEDチップと、
該LEDチップに結合される封入層であって、該第1の波長領域に対して透明な、封入層と、
該封入層に結合され、かつ該LEDチップから離れた蛍光体層であって、該蛍光体層は、該第1の波長領域で該LEDチップによって放射された該光を、少なくとも第2の波長領域の光に変換し、該蛍光体層の表面の少なくとも一部分は、テクスチャ化される、蛍光体層と、
を備える、発光ダイオード(LED)。
(項目2)
前記LEDは、(Al,Ga,In)N材料系、(Al,Ga,In)As材料系、(Al,Ga,In)P材料系、(Al,Ga,In)AsPNSb材料系、ZnGeN2材料系、およびZnSnGeN2材料系を含む群から選択される材料から作られる、項目1に記載のLED。
(項目3)
前記テクスチャ化された蛍光体層は、円錐の形状を有する、項目1に記載のLED。
(項目4)
前記封入層は、前記放射波長に対して透明な、エポキシ、ガラス、空気、および他の材料を備える、項目3に記載のLED。
(項目5)
前記蛍光体層の第2の表面の少なくとも一部分が、テクスチャ化される、項目4に記載のLED。
(項目6)
透明電極が、ITO、ZnO、および薄い金属を含む群から選択される材料を備え、該透明電極は、前記LEDチップの表面に置かれる、項目1に記載のLED。
(項目7)
前記LEDチップは、電流拡散層をさらに備える、項目6に記載のLED。
(項目8)
テクスチャ化されたサファイア基板が、前記LEDチップからの光透過を増加させるために該LEDチップに使用される、項目1に記載のLED。
(項目9)
前記テクスチャ化されたサファイア基板の後側が、テクスチャ化される、項目8に記載のLED。
(項目10)
前記LEDチップは、逆円錐の形状に成形される、項目1に記載のLED。
(項目11)
光は、前記LEDチップの前記放射表面に対して垂直な方向に、該LEDチップから抽出される、項目1に記載のLED。
(項目12)
鏡面をさらに備える、項目1に記載のLED。
(項目13)
前記鏡面は、該鏡面に当たる光が、前記LEDチップから離れる方向に反射するように、設計される、項目12に記載のLED。
(項目14)
第1の波長領域で光を放射し、かつ第1の屈折率を有する、LEDチップと、
該LEDチップに結合される封入層であって、該封入層は、該第1の波長領域対して透明であり、かつ該第1の屈折率よりも低い第2の屈折率を有し、該第2の屈折率は1を上回る、封入層と、
該封入層に結合され、かつ該LEDチップから離れた蛍光体層であって、該蛍光体層は、該第1の波長領域で放射された光を、少なくとも第2の波長領域の光に変換し、該LEDチップから最も遠い該蛍光体層の表面の少なくとも一部分は、該LEDチップから放射される該光に対して垂直でない、蛍光体層と、
とを備える、発光ダイオード(LED)。
(項目15)
前記LEDは、(Al,Ga,In)N材料系、(Al,Ga,In)As材料系、(Al,Ga,In)P材料系、(Al,Ga,In)AsPNSb材料系、ZnGeN2材料系、およびZnSnGeN2材料系を含む群から選択される材料から作られる、項目14に記載のLED。
(項目16)
前記蛍光体層は、円錐の形状を有する、項目15に記載のLED。
(項目17)
前記蛍光体層の第2の表面の少なくとも一部分が、テクスチャ化され、該第2の表面は前記LEDチップに近い、項目15に記載のLED。
(項目18)
透明電極が、ITO、ZnO、および薄い金属を含む群から選択される材料を備え、該透明電極は、前記LEDチップの表面に置かれる、項目15に記載のLED。
(項目19)
前記LEDチップは、電流拡散層をさらに備える、項目15に記載のLED。
(項目20)
前記封入層は、前記放射波長に対して透明な、エポキシ、ガラス、および他の材料を備える、項目15に記載のLED。
ここで図面を参照するが、これらの図面において、同じ参照番号は対応する部品を表す。
本発明は、LEDの発光色を変えるために蛍光体を使用する高効率LEDについて記載する。図1は、白色発光色を得るために蛍光体を利用する白色LEDの構造を示す。蛍光体層は、逆円錐形状のエポキシ成形体の表面の近傍に置かれる。蛍光体層の表面が粗面化されるときには、白色LEDの発光効果は、蛍光体層が平面の白色LEDと比較して、図2に示すように増加する。表面の粗面化は、蛍光体層と空気との間の界面における光の反射を低減することによって、光抽出効率を改善する。
図1〜図19の全てにおいて、LED構造の詳細が示されているわけではない。放射層(通常、AlInGaN MQW)、p型GaN、n−GaN、サファイア基板のみが図示される。完全なLED構造においては、p−AlGaN電子阻止層、InGaN/GaN超格子、などのような、他の層が存在し得る。ここで、光抽出効率が主に表面層またはエピタキシャルウエハの状態によって決定されることから、最重要部分はLEDチップの表面である。したがって、LEDチップの一部分(表面層)のみが、全ての図面において図示される。
蛍光体層の粗面化またはテクスチャ化により、蛍光体層からの光抽出を増加させることによって、また、蛍光体層の励起効率を増加させることによって、蛍光体層の変換効率が増加する。
以下の参考文献は、本明細書において参考として援用される。
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3.Appl.Phys.Lett.2002年、81、3152−54。
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要約すれば、本発明は、高効率のLEDを備える。本発明に従った発光ダイオード(LED)は、第1の波長領域で光を放射するLEDチップと、LEDチップに結合される封入層であって、第1の波長領域に対して透明な封入層と、封入層に結合されかつLEDチップから離れた蛍光体層であって、該蛍光体層は、第1の波長領域でLEDチップによって発光された光を少なくとも第2の波長領域の光に変換し、蛍光体層の表面の少なくとも一部分は、テクスチャ化される、蛍光体層と、を備える。
Claims (29)
- 発光デバイスであって、
透明板を有するリードフレームと、
発光ダイオード(LED)チップであって、前記リードフレーム内の前記透明板の上または上方に配置され、前記LEDチップの少なくとも前側および後側を介して光を放射するLEDチップと
を含み、
前記リードフレーム内の前記透明板は、前記LEDチップの少なくとも前側および後側から前記LEDチップの光が抽出されることを可能にする、デバイス。 - 前記透明板に隣接する前記LEDチップの一面は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記リードフレーム内の前記透明板を介する前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項1に記載のデバイス。
- 前記LEDチップは、透明基板を含み、前記透明基板は、前記透明板に隣接する、請求項1に記載のデバイス。
- 前記透明基板は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記リードフレーム内の前記透明板を介する前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項3に記載のデバイス。
- 前記透明基板は、パターニングされたサファイア基板(PSS)であり、前記パターニングされたサファイア基板は、前記LEDチップとパターニングされたサファイア基板との間の境界を介する光抽出を増大させる、請求項3に記載のデバイス。
- 前記透明板は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記リードフレーム内の前記透明板を介する前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項1に記載のデバイス。
- 少なくとも1つの成形体であって、前記LEDチップ上および周囲に形成され、前記LEDチップから放射される光に対して透明である、成形体と、
蛍光体層であって、前記成形体と共に形成され、前記LEDチップによって放射される光の波長を変換する蛍光体層と
をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。 - 前記成形体は、円錐形である、請求項7に記載のデバイス。
- 前記成形体は、球形である、請求項7に記載のデバイス。
- 前記蛍光体層の少なくとも一部は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記蛍光体層内での光の内部反射を最小化する、請求項7に記載のデバイス。
- 前記LEDチップの表面上に堆積された1つ以上の透明接触層をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記透明接触層のうちの少なくとも1つは、成形、パターニング、テクスチャ化、または粗面化されて、前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項11に記載のデバイス。
- 前記LEDチップから放射される光を反射するための鏡面をさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
- 前記LEDチップは、(Al,Ga,In)N材料系、(Al,Ga,In)As材料系、(Al,Ga,In)P材料系、(Al,Ga,In)AsPNSb材料系、ZnGeN 2 材料系、およびZnSnGeN 2 材料系を含む群から選択される材料から作られる、請求項1に記載のデバイス。
- 発光デバイスを製作する方法であって、
透明板を有するリードフレームを提供することと、
発光ダイオード(LED)チップを、前記リードフレーム内の前記透明板の上または上方に配置することと
を含み、
光は、前記LEDチップの少なくとも前側および後側を介して放射され、
前記リードフレーム内の前記透明板は、前記LEDチップの少なくとも前側および後側から前記LEDチップの光が抽出されることを可能にする、方法。 - 前記透明板に隣接する前記LEDチップの一面は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記リードフレーム内の前記透明板を介する前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項15に記載の方法。
- 前記LEDチップは、透明基板を含み、前記透明基板は、前記透明板に隣接する、請求項15に記載の方法。
- 前記透明基板は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記リードフレーム内の前記透明板を介する前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項17に記載の方法。
- 前記透明基板は、パターニングされたサファイア基板(PSS)であり、前記パターニングされたサファイア基板は、前記LEDチップとパターニングされたサファイア基板との間の境界を介する光抽出を増大させる、請求項17に記載の方法。
- 前記透明板は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記リードフレーム内の前記透明板を介する前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項15に記載の方法。
- 前記LEDチップの上および周囲に少なくとも1つの成形体を形成することであって、前記成形体は、前記LEDチップから放射される光に対して透明である、ことと、
前記成形体と共に蛍光体層を形成することであって、前記蛍光体層は、前記LEDチップによって放射される光の波長を変換する、ことと
をさらに含む、請求項15に記載の方法。 - 前記成形体は、円錐形である、請求項21に記載の方法。
- 前記成形体は、球形である、請求項21に記載の方法。
- 前記蛍光体層の少なくとも一部は、粗面化、テクスチャ化、またはパターニングされて、前記蛍光体層内での光の内部反射を最小化する、請求項21に記載の方法。
- 前記LEDチップの表面上に1つ以上の透明接触層を堆積することをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記透明接触層のうちの少なくとも1つは、成形、パターニング、テクスチャ化、または粗面化されて、前記LEDチップからの光抽出を増大させる、請求項25に記載の方法。
- 前記LEDチップから放射される光を反射するための鏡面を加えることをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記LEDチップは、(Al,Ga,In)N材料系、(Al,Ga,In)As材料系、(Al,Ga,In)P材料系、(Al,Ga,In)AsPNSb材料系、ZnGeN 2 材料系、およびZnSnGeN 2 材料系を含む群から選択される材料から作られる、請求項15に記載の方法。
- 本願明細書に記載された発明。
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