TWI591864B

TWI591864B - 發光裝置及其製備方法

Info

Publication number: TWI591864B
Application number: TW104127458A
Authority: TW
Inventors: 陳建清; 費致傑; 李崇華; 葉銘城; 鄭國勳
Original assignee: 廣科精密股份有限公司
Priority date: 2015-08-26
Filing date: 2015-08-26
Publication date: 2017-07-11
Also published as: TW201709566A; CN106486586B; CN106486586A

Description

發光裝置及其製備方法

本發明係關於一種發光裝置，係由新穎之螢光材料塗佈方法製備而成，尤指一種具有優異耐久性、耐候性、抗刮性及穩固螢光性質之發光裝置。

近年來，因發光二極體(LED)具有發光效率高、耗電量少、使用壽命長、及元件體積小等優點，已廣泛應用於各種發光裝置中。然而，發光二極體具有散熱、亮度不足和亮度遞減等問題，且無法直接激發出白光，因此，已有許多研究企圖發展出高效率之白光LED，以取代現有的照明設備。

目前主流之白光LED，係利用藍光發光二極體晶片配合黃光之YAG螢光粉體，以做為白光光源。雖然以此互補色原理所產生白光，其光譜波長分布之連續性不如太陽光，而有色彩不均的情形，故色彩飽和度較低。據此，以此方式產生之白光光源僅可用於簡單的照明，並無法廣泛應用於民生照明市場。此外，亦可利用紫外光發光二極體晶片配合紅光、綠光、以及藍光三色螢光粉，藉由紅藍綠三原色之混光機制，可混合成白光。

目前，形成可發出白光之發光二極體係採用下述方法進行封裝。首先，依預定色溫秤取一適當比例之一種以上之螢光粉。接著，將螢光粉加入至樹脂(如：矽氧樹脂或環氧樹脂)並攪拌，使螢光粉可均勻分散於樹脂中。而後，將分散有螢光粉之樹脂與固化劑混合，以點膠機將分散有螢光粉之高黏性膠體102覆蓋於LED晶片101上，經烘乾及封裝製程，可製得一蓋有固態螢光膠體之白光LED元件10，如圖1所示。然而，所製得之白光LED元件，由於螢光粉之外型比重及尺寸不規則，故固態螢光膠體容易因螢光粉材質性質不統一，而導致色溫不準與混光不均等問題。

為了加強固定螢光膠塊、並防止因水氣滲入而造成LED元件受損，一般將再度覆蓋透明有機矽膠或環氧樹脂膠噴塗於固態螢光膠體上。然而，在長時間操作下，有機矽膠或環氧樹脂膠常會有黃化或碎裂等現象發生，仍無法阻止水氣或雜質滲入LED元件，致使發光效率降低甚至整體元件失效。並且，有機矽膠層或環氧樹脂膠層對溫度的耐受性不高(僅能適用於約150℃以下)，故使用LED元件時必須考量環境溫度，大為降低LED的應用價值。因此，目前亟需發展出一種具有優異耐久性、耐候性、抗刮性之的發光裝置，此發光裝置並同時具有混光均勻、折射率佳等特性，以期能大幅增加白光發光裝置的應用價值。

本發明之主要目的係在提供一種具有優異耐久性、耐候性、抗刮性之的發光裝置，其係由第一發光單元及第二發光單元組合而成，其中螢光材料係緊密貼覆第一發光單元，並且本發明之發光裝置具有混光均勻、折射率佳、出光強度集中等特性。

為達成上述目的，本發明之發光裝置係經由一種新穎的螢光材料塗佈方法所完成，包括下列步驟：(A)將一螢光材料分散於一第二溶劑中，以形成一螢光材料溶液；(B)將一第一發光單元置於一容器，並注入一第三溶劑，且該第三溶劑係覆蓋該第一發光單元之表面；(C)將一第四溶劑注入該第三溶劑，以形成一第五溶劑；(D)將該螢光材料溶液添加至該第五溶劑，以於該第五溶劑表面形成一螢光材料薄膜；(E)移除該容器中之該第五溶劑，使該螢光材料薄膜形成於該第一發光單元表面；(F)於該螢光材料薄膜上形成一保護層；以及(G)熱處理形成有該保護層之該第一發光單元；其中，該保護層係為一矽氮材料層，且製得之該發光裝置之耐受溫度係320℃以上。

於步驟(D)中，該第五溶劑為第三溶劑與第四溶劑之組合，於步驟(C)中形成第五溶劑之後靜置0~30分鐘、較佳為5~20分鐘、更佳為5~10分鐘，將步驟(A)中形成的螢光材料溶液置入第五溶劑中，進而可使螢光材料薄膜良好形成在第一發光單元表面。

於步驟(E)後、以及步驟(F)前，可更包括一步驟(E1)：乾燥形成有該螢光材料薄膜之該基板，以去除殘留在該第一發光單元上之第二溶劑。並且，於步驟(G)後，可更包括一步驟(G1)：重複該步驟(A)至步驟(G)，以形成複數螢光材料薄膜及複數保護層，據此，可形成交替設置之該螢光材料薄膜與該保護層。本技術領域中具有通常知識者可依據實際所需的混光機制，而決定設置之螢光材料薄膜數量。

於本發明之螢光材料塗佈方法中，第二溶劑、第三溶劑及第四溶劑並無特殊限制，只要符合下述條件：第三溶劑比重大於第二溶劑與第四溶劑。詳述之，當第四溶劑加入第三溶劑形成第五溶劑時，第二與第四溶劑會形成暫時性的介面，而靜置時間超過約30分鐘以後，此介面會消失，即第四溶劑與第三溶劑完全混合。較佳地，該第二溶劑、該第三溶劑、及該第四溶劑可各自獨立地選自由：水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇、丙酮、丁酮、正丁烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醚、乙二醇二甲醚(DME)、二氯甲烷(DCM)、二甲基甲醯胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、3-甲氧基丙晴(MPN)及其混合物所組成之群組；然本發明不限於此。該第二溶劑較佳為正丁烷或異丙醇，該第三溶劑較佳為乙酸乙酯，及該第四溶劑較佳為乙醚或3-甲氧基丙晴(MPN)。

本發明另提供一種發光裝置，係由上述方法製成，該發光裝置包括：一第一發光單元；以及一第二發光單元，係覆蓋於該第一發光單元上，且該第二發光單元包括一螢光材料薄膜及一保護層，其中，該保護層位於該螢光材料薄膜上，該保護層係為一矽氮材料層，且該發光裝置之耐受溫度係超過320℃。

於本發明之發光裝置中，該第一發光單元及該第二發光單元之厚度並無特別限制，而該第一發光單元及該第二發光單元之總厚度係介於105μm至225μm之間，較佳於120μm至210μm之間。此外，本發明之發光裝置具有一不均勻之表面，故發光裝置之外觀為不平整的板狀結構。

於本發明之發光裝置及其製備方法中，該矽氮材料層可包含：至少一種式I所示之矽氮化合物、一第一溶劑及一觸媒，

其中n是正整數，較佳為介於4至3000之間，更佳為介於4至300之間；且該矽氮化合物的數均分子量為150至150,000克/莫耳，較佳為10,000至15,000克/莫耳之間。

其中，該矽氮化合物熱處理後具有高硬度、對基板具有高黏附性、且耐高溫，即使在約300℃以上溫度之條件下，由矽氮化合物、第一溶劑及觸媒形成之矽氮材料層依然穩固而未有黃化、裂化等現象發生，保護螢光材料薄膜而避免螢光粉剝離的情形。此外，該矽氮化合物可參雜一奈米級材料，其係為至少一選自由TiO₂、SiO₂、ZnO、ZrO、Y₂O₃、Al₂O₃、CoO、MnO₂、PbO、NiO、CuO、及其複合物所組成之群組，該奈米級材料之粒徑可介於5nm至500nm之間，可調變材料折射率與光穿透率，促進混光效果與出光效率。

其中，該第一溶劑為無水狀態的溶劑，其為至少一選自由二甲苯、甲苯、乙醇、甲醇、異丙醇、乙二醇、乙酸丁酯、乙酸乙酯、二元酯(Dibasic ester)、以及石油醚所組成之群組；較佳為二元酯與甲醇混和物。另外，該觸媒為N-雜環狀化合物、一-烷基胺、二-烷基胺、三烷基胺、有機酸、無機酸、過氧化物、金屬羧酸鹽、乙烯基丙酮酸錯合物、金屬或有機金屬化合物；較佳為N-雜環狀化合物或金屬羧酸鹽。本技術領域中具有通常知識者可依據選用的矽氮化合物，考慮保護層所需的硬度、流動性等性質而選擇適當溶劑及觸媒。由矽氮化合物、第一溶劑及觸媒形成之矽氮材料層較佳能滲入螢光材料薄膜與基板間之孔隙，穩固螢光材料之發光性能。

於本發明之發光裝置及其製備方法中，該螢光材料可包括一螢光粉體，較佳可更包括一球型載體；在該螢光材料包括該螢光粉體及該球型載體之情況下，螢光粉體可覆蓋球型載體表面；螢光粉體可包含於球型載體內部；或部分螢光粉體係覆蓋球型載體表面，而部分螢光粉體係包含於球型載體內部。同時，球型載體之材料可為SiOx、TiOx、PS、PMMA、或三聚氰胺樹脂。螢光粉體之材料可為一般習知之螢光粉，如：選自由ZnO、ZrO₂、PbO、Y₂O₃、 Y₂O₂、Zn₂SiO₄、Y₃Al₅O₁₂、Y₃(AlGa)₅O₁₂Y₂SiO₅、LaOCl、InBO₃、ZnGa₂O₄、ZnS、PbS、CdS、CaS、SrS、ZnxCd1-xS、Y₂O₂S、AlN、及Gd₂O₂S所組成之群組之化合物，且做為螢光粉體之化合物可更摻雜至少一選自由Cu、Ag、Eu、Yb、La、Cl、Tb、Al、Ce、Er、Zn、Mn、及其他鑭系元素(Pr、Pm、Sm、Ho、Er)所組成之群組之元素。再者，球型載體之粒徑較佳係介於10μm至100μm之間，更佳係介於25μm至50μm之間；而螢光粉體之粒徑較佳係介於5μm至50μm之間，更佳係介於10μm至25μm之間。藉此，由於螢光材料粒徑及性質均一，而可於基板表面形成均勻之螢光材料薄膜。

於本發明之發光裝置及其製備方法中，第一發光單元可為任何LED晶片或LED元件半成品，較佳為一形成有磊晶層之藍光磊晶片、一正裝LED晶片(face-up chip)、一垂直LED晶片(vertical chip)、或一覆晶LED晶片。

於本發明之發光裝置及其製備方法中，該保護層可利用本技術領域中常見之塗佈方法形成於該螢光材料薄膜上，例如旋塗法、棒塗法、刮刀塗法、輥塗法、噴霧塗法、刷毛塗法、浸漬塗法等。因此，螢光材料薄膜可被穩固於基板上而不易被剝離，同時調整塗佈有螢光材料之基板之折射率。

據此，透過本發明之螢光材料塗佈方法，能夠以簡便之製程將性質均一之螢光材料薄膜形成於基板上，以及將矽氮保護層形成於螢光材料薄膜上，進而製作出混光均勻、折射率佳、同時具有優異耐久性之發光裝置，即使經過長時間操作也不會有黃化或劣化等現象發生，有效防止水氣或雜質滲入發光裝置，穩定維持裝置之發光效率。

10‧‧‧LED元件

101‧‧‧LED晶片

102‧‧‧膠體

20‧‧‧第一發光單元

210‧‧‧螢光粉

211‧‧‧第二溶劑

21‧‧‧第一螢光粉薄膜

21’‧‧‧第二螢光粉薄膜

21”‧‧‧第三螢光粉薄膜

22‧‧‧第一保護層

22’‧‧‧第二保護層

22”‧‧‧第三保護層

23‧‧‧第三溶劑

24‧‧‧容器

25‧‧‧第四溶劑

26‧‧‧第五溶劑

27‧‧‧介面

30,30’‧‧‧第二發光單元

圖1係習知發光二極體之示意圖。

圖2A至2H係本發明實施例1之螢光材料塗佈於基板表面之流程圖。

以下係藉由特定的具體實施例說明本創作之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本創作之其他優點與功效。本創作亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。

實施例1

圖2A至圖2H係本發明實施例1之螢光材料塗佈於基板表面之步驟示意圖。

[配製螢光粉溶液]

首先，取螢光粉做為一螢光材料，採用粒徑約15μm之Y₂O₃：La³⁺、YAG：La³⁺、以及CdSe：ZnS之混合物。藉由調整各種螢光粉體之比例，經藍光發光二極體激發後，此螢光粉可於其表面進行混光而發出白光。

而後，將螢光粉210混合於具有高分散性之第二溶劑211中，得到一螢光粉混合溶液，其中螢光粉於第二溶劑中重量百分比為20wt%，如圖2A所示。在此，係採用正丁烷做為第二溶劑。

[形成螢光粉薄膜]

如圖2B所示，取一第一發光單元20，並將其置於一容器24底部，其中，此第一發光單元係為一覆晶LED晶片，而後，於容器24中注入第三溶劑23，在此，係採用純水做為第三溶劑。接著，如圖2C所示，於容器24中再注入第四溶劑25，而第四溶劑加入量為第三溶劑的1wt%。當第四溶劑25加入第三溶劑23時，第三溶劑23與第四溶劑25間形成一暫時性的介面27，第三溶劑23和第四溶劑25組成第五溶劑26，在此，係採用乙醚做為第四溶劑。然後，形成第五溶劑26靜置5分鐘，於第五溶劑26表面置入圖2A所示之螢光粉混合溶液，由於做為第三溶劑23之乙酸乙酯之比重高於做為第二溶劑211之正丁烷，故螢光材料溶液中的螢光粉210可排列在其表面上，而形成一第一螢光粉薄膜21，如圖2D所示。

而後，將第五溶劑26自容器24內去除，使第一螢光粉薄膜21於發光裝置20表面成型，如圖2E所示。接著，將容器24置於乾燥處理設備(圖中未示)中，以蒸發除去殘餘溶劑。待乾燥完全後，則可得到一形成於發光裝置20表面之第一螢光粉薄膜21，如圖2F所示。

[形成保護層]

配製一矽氮材料溶液，使用的矽氮化合物結構如下式II，與二元酯、甲醇混和溶劑(溶劑重比1：1)、金屬鈀觸媒(重量比0.5wt%)與奈米級TiO₂(粒徑20nm，重量比1wt%)混合。

混合均勻後，以旋轉塗佈法將矽氮材料溶液塗佈於第一螢光粉薄膜21上，而形成一第一保護層22，如圖2G所示。靜置後，將具有第一螢光粉薄膜21及第一保護層22之第一發光單元20進行熱處理10秒至1小時，再進行退火處理，則完成本實施例之發光裝置表面，可形成無機矽氧、矽氮氧或矽氮等材料層，且該裝置表面為不均勻之表面。於圖2G中，第一螢光粉薄膜21及第一保護層22之組合為第二發光單元30。於此，第一發光單元20與第二發光單元30的總厚度為115μm。本技術領域中具有通常知識者可依據配製之矽氮材料溶液性質而選擇適合的固化方式。

因此，上述形成堅固且具防水氧之矽氮材料層，能夠強化固定螢光粉層，經過長時間工作下不會有黃化或劣化等現象發生，可防止水氣滲入而造成LED晶片受損，避免基板發光效率劣化，並且能夠耐高溫超過320度℃以上。將上述製得之塗佈有螢光粉薄膜之覆晶LED晶片，經試點亮後，所發出的混光色溫為5400K。

並且，更可重複如圖2B至圖2G等所示之上述步驟，形成具有多層螢光粉薄膜與多層保護膜交互設置之複合結構，如圖2H所示，於第一保護層22上可再依序形成第二螢光粉薄膜21’、第二保護層22’、第三螢光粉薄膜21”及第三保護層22”，如此一來，所形成之螢光粉薄膜混光效果可達到預期之色溫以及演色性。於圖2H中，第一保護層22、第二螢光粉薄膜21’、第二保護層22’、第三螢光粉薄膜21”及第三保護層22”之組合為第二發光單元30’。於此，第一發光單元20與第二發光單元30’的總厚度為145μm。並且，保護層與螢光粉薄膜交替設置，可有效區隔該些螢光粉薄膜，若需設置不同螢光粉材料製成之薄膜，以保護層相隔可避免各螢光粉薄膜互混/干擾，影響所需之混光效果。

[實施例2]

本實施例之製作方法係如實施例1所述。除了本實施例中使用之螢光粉採用粒徑為25μm且材料為PMMA之奈米球作為球型載體，而螢光粉體採用粒徑約5μm之Y₂O₃：La³⁺、YAG：La³⁺、以及CdSe：ZnS之混合物，且螢光粉體之混合物係包含於球型載體內部。此外，採用異丙醇做為第二溶劑，以及採用3-甲氧基丙晴(MPN)做為第四溶劑。因此，本實施例中製得塗佈有螢光粉薄膜之覆晶LED晶片，經試點亮後，所發出的混光色溫為5700K。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

20‧‧‧第一發光單元

21‧‧‧第一螢光粉薄膜

22‧‧‧第一保護層

30‧‧‧第二發光單元

Claims

一種發光裝置，包括：一第一發光單元；以及一第二發光單元，係覆蓋於該第一發光單元上，且該第二發光單元包括一螢光材料薄膜及一保護層；其中，該保護層位於該螢光材料薄膜上，該保護層係為一矽氮材料層，且該發光裝置之耐受溫度係320℃以上；其中，該矽氮材料層包含：至少一種式I所示之矽氮化合物，其中n是正整數，且該矽氮化合物的數均分子量為150至150,000克/莫耳。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該第一發光單元及該第二發光單元之總厚度係介於105μm至225μm之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，係具有一不均勻之表面。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該矽氮材料層包含：一第一溶劑及一觸媒。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該矽氮化合物係參雜一奈米級材料，其係為至少一選自由TiO₂、SiO₂、ZnO、ZrO、Y₂O₃、Al₂O₃、CoO、MnO₂、PbO、NiO、CuO、及其複合物所組成之群組。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該奈米級材料之粒徑係介於5nm至500nm之間。
如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中，該第一溶劑為至少一選自由二甲苯、甲苯、乙醇、甲醇、異丙醇、乙二醇、乙酸丁酯、乙酸乙酯、二元酯(Dibasic ester)、以及石油醚所組成之群組。
如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，其中，該觸媒為N-雜環狀化合物、一-烷基胺、二-烷基胺、三烷基胺、有機酸、無機酸、過氧化物、金屬羧酸鹽、.乙烯基丙酮酸錯合物、金屬或有機金屬化合物。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該第一發光單元係為一形成有磊晶層之藍光磊晶片、一正裝LED晶片(face-up chip)、一垂直LED晶片(vertical chip)或一覆晶LED晶片(flip chip)。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該螢光材料包括一球型載體、以及一螢光粉體。
如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該螢光粉體係覆蓋該球型載體表面或包含於該球型載體內部。
如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該球型載體之材料係SiOx、TiOx、PS、PMMA、或三聚氰胺樹脂，而X之範圍係介於0.5~2之間。
如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該螢光粉體係為至少一選自由ZnO、ZrO₂、PbO、Y₂O₃、Y₂O₂、Zn₂SiO₄、Y₃Al₅O₁₂、Y₃(AlGa)₅O₁₂Y₂SiO₅、LaOCl、InBO₃、ZnGa₂O₄、ZnS、PbS、CdS、CaS、SrS、ZnxCd_1-xS、Y₂O₂S、AlN、Gd₂O₂S所組成之群組之化合物，且X係介於0.5至2之間。
如申請專利範圍第13項所述之發光裝置，其中該化合物係摻雜至少一選自由Cu、Ag、Eu、Yb、La、Cl、Tb、Al、Ce、Er、Zn、Mn、Pr、Pm、Sm、Ho、及Er所組成之群組之元素。
如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該球型載體之粒徑係介於10μm至100μm之間。
如申請專利範圍第10項所述之發光裝置，其中該螢光粉體之粒徑係介於5μm至50μm之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第二發光單元包括複數螢光材料薄膜及複數保護層，其中該螢光材料薄膜與該保護層係交替設置。
一種發光裝置之製備方法，包括下列步驟：(A)將一螢光材料分散於一第二溶劑中，以形成一螢光材料溶液；(B)將一第一發光單元置於一容器，並注入一第三溶劑，且該第三溶劑係覆蓋該第一發光單元之表面；(C)將一第四溶劑注入該第三溶劑，以形成一第五溶劑；(D)將該螢光材料溶液添加至該第五溶劑，以於該第五溶劑表面形成一螢光材料薄膜；(E)移除該容器中之該第五溶劑，使該螢光材料薄膜形成於該第一發光單元表面；(F)於該螢光材料薄膜上形成一保護層；以及(G)熱處理形成有該保護層之該第一發光單元；其中，該保護層係為一矽氮材料層，且製得之該發光裝置之耐受溫度係320℃以上。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，其中，該矽氮材料層包含：至少一種式I所示之矽氮化合物、一第一溶劑及一觸媒，其中n是正整數，且該矽氮化合物的數均分子量為150至150,000克/莫耳。
如申請專利範圍第19項所述之發光裝置之製備方法，其中，該矽氮化合物係參雜一奈米級材料，其係為至少一選自由TiO₂、SiO₂、ZnO、ZrO、Y₂O₃、Al₂O₃、CoO、MnO₂、PbO、NiO、CuO、及其複合物所組成之群組。
如申請專利範圍第20項所述之發光裝置，其中，該奈米級材料之粒徑係介於5nm至500nm之間。
如申請專利範圍第19項所述之發光裝置之製備方法，其中，該第一溶劑為至少一選自由二甲苯、甲苯、乙醇、甲醇、異丙醇、乙二醇、乙酸丁酯、乙酸乙酯、二元酯、以及石油醚所組成之群組。
如申請專利範圍第19項所述之發光裝置之製備方法，其中，該觸媒為N-雜環狀化合物、一-烷基胺、二-烷基胺、三烷基胺、有機酸、無機酸、過氧化物、金屬羧酸鹽、乙烯基丙酮酸錯合物、金屬或有機金屬化合物。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，其中，於步驟(E)後、以及步驟(F)前，更包括一步驟(E1)：乾燥形成有該螢光材料薄膜之該第一發光單元。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，於步驟(G)後，更包括一步驟(G1)：重複該步驟(A)至步驟(G)，以形成複數螢光材料薄膜及複數保護層。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，其中該第三溶劑之比重係大於該第二溶劑及該第四溶劑之比重。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，其中該螢光材料係包括一球型載體、以及一螢光粉體。
如申請專利範圍第26項所述之發光裝置之製備方法，其中該螢光粉體係覆蓋該球型載體表面或包含於該球型載體內部。
如申請專利範圍第26項所述之發光裝置之製備方法，其中該球型載體之材料係SiOx、TiOx、PS、PMMA、或三聚氰胺樹脂。
如申請專利範圍第26項所述之發光裝置之製備方法，其中該螢光粉體係為至少一選自由ZnO、ZrO₂、PbO、Y₂O₃、Y₂O₂、Zn₂SiO₄、Y₃Al₅O₁₂、Y₃(AlGa)₅O₁₂Y₂SiO₅、LaOCl、InBO₃、ZnGa₂O₄、ZnS、PbS、CdS、CaS、SrS、ZnxCd_1-xS、Y₂O₂S、AlN、Gd₂O₂S所組成之群組之化合物，且X係介於0.5至2之間。
如申請專利範圍第29項所述之發光裝置之製備方法，其中該化合物係摻雜至少一選自由Cu、Ag、Eu、Yb、La、Cl、Tb、Al、Ce、Er、Zn、Mn、Pr、Pm、Sm、Ho、及Er所組成之群組之元素。
如申請專利範圍第26項所述之發光裝置之製備方法，其中該球型載體之粒徑係介於10μm至100μm之間。
如申請專利範圍第26項所述之發光裝置之製備方法，其中該螢光粉體之粒徑係介於5μm至50μm之間。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，其中該第二溶劑、該第三溶劑、及該第四溶劑係各自獨立地選自由：水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、異丙醇、丙酮、丁酮、正丁烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醚、乙二醇二甲醚(DME)、二氯甲烷(DCM)、二甲基甲醯胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、3-甲氧基丙晴(MPN)及其混合物所組成之群組。
如申請專利範圍第18項所述之發光裝置之製備方法，其中該第一發光單元係為一形成有磊晶層之藍光磊晶片、一正裝LED晶片(face-up chip)、一垂直LED晶片(vertical chip)或一覆晶LED晶片(flip chip)。