JP3908240B2 - 発光ダイオード構造 - Google Patents
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Description
発光ダイオードが耐久性に優れる、寿命が長い、小型で性能が高い、消費電力が少ないなどの長所を有し、且つ水銀などの有害物質を含まず環境の汚染を引き起こさないことから、現在の照明市場は発光ダイオードを照明とすることに対し、大きな期待を寄せている。
1、本発明は、同一の発光ダイオード構造で両面発光の機能を得ることができる。同時に片面発光する発光ダイオードを二つ使用する必要が無いことから、各片面発光の発光ダイオードを加工するために必要なコストを節減することができる。
2、本発明は、発光ダイオード構造の両面で異なる色の光線を発することを可能にする。
本発明が発表する技術に基づく両面発光が可能な発光ダイオードチップ(LED die)10の構造は、基板(substrate)11と、該基板11の上下表面に対称に形成された同じ構造のある第1部分(first portion)12と第2部分(second portion)13からなる。その内、第1部分12は基板11の上部表面に、第2部分13は基板11の下部表面に形成する。第1部分12、第2部分13の構造は完全に一致し、上下の位置が逆となるのみであることから、説明の重複を避けるため、本実施例では第1部分12を例として説明するにとどめる。
該容器20の内部には適切な大きさの収容空間を有し、且つこの収容空間内の相対する両端に、それぞれ第1電極21、および第2電極22を形成する。発光ダイオードチップ10は、第1、第2電極21、22の間に設置する。その内、第1電極21はn電極128に接続する導線121aと接続し、第2電極22はp電極127に接続する導線121bと接続する。また蛍光パウダー30を第1電極21、第2電極22、および発光ダイオードチップ10で隔てられた収容空間に充填する。ここで使用している基板11がサファイア基板であることから、黄色の蛍光パウダー30を採用する。発光ダイオードチップ10が発する光が蛍光パウダー30を励起することによって、白色光を作り出すことができる。
11 基板
12 第1部分
121a、121b 導線
122 n型窒化ガリウム層
123 活性層
124 p型窒化ガリウム層
125 表面電極
126 絶縁層
127 p電極
128 n電極
13 第2部分
20 容器
21 第1電極
22 第2電極
30 蛍光パウダー
Claims (5)
- n型窒化ガリウム層、活性層、p型窒化ガリウム層、表面電極、絶縁層が含まれており、該n型窒化ガリウム層は基板の表面に、該活性層はn型窒化ガリウム層上方の一部表面に、該p型窒化ガリウム層は活性層の上方に、該表面電極はp型窒化ガリウム層の上方に形成されており、前記p電極は表面電極の上方に、n電極はn型窒化ガリウム層の活性層に覆われていない表面に形成され、絶縁層はp電極とn電極の周囲を遮断している構造の第1部分と、基板を挟んで対称に配置され前記第1部分と同じ構造の第2部分とを備えていることを特徴とする発光ダイオードチップ。
- 前記基板の材質は、サファイアであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。
- 前記絶縁層の材質は酸化シリコン(SiO2)であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光ダイオードチップ。
- 発光ダイオードチップと、容器からなる発光ダイオード構造であって、
前記発光ダイオードチップは、基板と、該基板の両面に対称に設けられたn電極とp電極を有し、かつn電極とp電極にそれぞれ接続する二本の導線を有する第1部分と第2部分が含まれることと、
前記容器の内部には収容空間を有し、且つ収容空間内の相対する両端にそれぞれ電極が設けられ、前記発光ダイオードチップは両電極の間に設置し、一つの電極はn電極に接続する導線と、もう一つの電極はp電極に接続する導線と接続しており、また、蛍光パウダーを両電極と発光ダイオードチップで隔てられた収容空間にそれぞれ充填し、容器の両面で発光させることができることを特徴とする発光ダイオード構造。 - 前記容器内部の隔てられた収容空間に二種類の色違い蛍光パウダーをそれぞれ充填してあることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオード構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168278A JP3908240B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 発光ダイオード構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168278A JP3908240B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 発光ダイオード構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005347677A JP2005347677A (ja) | 2005-12-15 |
JP3908240B2 true JP3908240B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=35499732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004168278A Expired - Fee Related JP3908240B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 発光ダイオード構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3908240B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100761076B1 (ko) | 2005-04-28 | 2007-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
EP2087563B1 (en) | 2006-11-15 | 2014-09-24 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
KR101416718B1 (ko) | 2008-07-17 | 2014-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
ES2355174T3 (es) * | 2008-08-27 | 2011-03-23 | Panasonic Corporation | Refrigerador. |
KR101929888B1 (ko) | 2011-10-10 | 2018-12-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN103151447B (zh) * | 2013-03-11 | 2016-03-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种双面发光二极管结构及其制作方法 |
CN103840064A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-06-04 | 晶科电子(广州)有限公司 | 一种立体式发光的led器件及其制作方法 |
CN106299065B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-11-27 | 光州科学技术院 | 基板、其制造方法及利用其的发光二极管 |
JPWO2017018470A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2018-05-17 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 発光装置、発光システム、及び、発光装置の製造方法 |
JP7466933B2 (ja) * | 2018-12-31 | 2024-04-15 | ナノエックス | 両面発光ledチップ |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5142491A (ja) * | 1974-10-08 | 1976-04-10 | Mitsubishi Monsanto Chem | |
JPH07202265A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
JP4496596B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2010-07-07 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
-
2004
- 2004-06-07 JP JP2004168278A patent/JP3908240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005347677A (ja) | 2005-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061226 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 6 |
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