CN102194936B - 发光器件、发光器件封装、以及照明系统 - Google Patents

发光器件、发光器件封装、以及照明系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供发光器件、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极。反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。

Description

发光器件、发光器件封装、以及照明系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年3月9日提交的韩国专利申请No.10-2010-0020922的优先权，通过引用将其整体合并在此。
技术领域
实施例涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。
从此LED发射的光的波长取决于被用于制造LED的半导体材料。这是因为被发射的光的波长取决于半导体材料的带隙，涉及价带电子和导带电子之间的能量差。
近年来逐渐地增加LED的亮度，LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED可以实现具有优秀的效率的发射白光的LED。
发明内容
实施例提供具有新结构的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
实施例还提供具有提高的光效率的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
实施例还提供具有热辐射效率的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
在一个实施例中，发光器件包括：反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中所述反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。
在另一实施例中，发光器件包括：反射金属支撑，该反射金属支撑包括具有压应力的第一反射金属层和具有拉应力的第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，
在又一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；封装主体上的第一和第二电极；发光器件，该发光器件电气地连接到封装主体上的第一和第二电极；以及封装主体上的成型构件，该成型构件包围所述发光器件，其中发光器件包括：反射金属支撑，该反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；反射金属支撑上的发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构层上的电极，其中所述反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个。
在附图和下面的描述中提出一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显然的。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的视图。
图2是根据第二实施例的发光器件的视图。
图3是根据第三实施例的发光器件的视图。
图4是根据第四实施例的发光器件的视图。
图5至图7是用于解释制造根据第一实施例的发光器件的工艺的视图。
图8是根据实施例的发光器件封装的视图。
图9是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。
图10是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下，并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了便于描述和清晰，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
在下文中，将会参考附图描述发光器件、发光器件封装、照明系统、以及制造根据实施例的发光器件的方法。
图1是根据第一实施例的发光器件的视图。
参考图1，根据第一实施例的发光器件包括反射金属支撑80、反射金属支撑80上的发光结构层150、以及发光结构层150上的电极90。
反射金属支撑80可以包括第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。当第一反射金属层80a和第二反射金属层80b被限定为一对单元层时，反射金属支撑80可以包括多对单元层。
例如，反射金属支撑80可以包括2对至80对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。特别地，反射金属支撑80可以包括30对至70对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b，而且，可以包括40对至60对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。
第一反射金属层80a和第二反射金属层80b可以由相同的金属或者不同的金属形成。例如，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以具有大约0.1μm至大约10μm的厚度。特别地，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的一个可以具有大约0.4μm至大约0.8μm的厚度，并且第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的另一个可以具有大约0.8μm至1.2μm的厚度。
反射金属支撑80可以包括相互堆叠的多对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b，并且包括具有大约50μm至大约200μm的厚度。反射金属支撑80可以具有比发光结构层150厚的厚度。例如，发光结构层150可以具有大约3μm至大约4μm的厚度。
第一反射金属层80a可以具有压应力，并且第二反射金属层80b可以具有拉应力。另一方面，第一反射金属层80a可以具有拉应力，并且第二反射金属层80b可以具有压应力。
由于第一反射金属层80a和第二反射金属层80b具有彼此相反的应力，所以第一反射金属层80a的压应力和第二反射金属层80b的拉应力可以相互偏移以减少反射金属支撑80的应力。因此，由于反射金属支撑80的应力对发光结构层150具有很小的影响，所以反射金属层80可以具有厚的厚度。
例如，第一反射金属层80a可以具有大约100MPa至大约2,000MPa的压应力，并且第二反射金属层80b可以具有大约100MPa至大约2,000MPa的拉应力。其中多对第一反射金属层80a和第二反射金属层80b相互堆叠的反射金属支撑80可以具有大约0MPa至大约2,000MPa的压应力或者拉应力。
第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由使用诸如溅射工艺或者电子束蒸镀工艺的干沉积工艺能够形成的金属形成。例如，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由具有高的反射率的Al、Ag、以及APC(Ag-Pd-Cu)合金中的至少一个形成。
而且，由于第一反射金属层80a和第二反射金属层80b接触第二导电类型半导体层50，所以第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由相对于第二导电类型半导体层50具有低的接触电阻的Au-Ni合金形成。
反射金属支撑80可以直接设置在第二导电类型半导体层50下，以接触第二导电类型半导体层50。
发光结构层150具有包括第一导电类型半导体层30、有源层40、以及第二导电类型半导体层50的堆叠结构。当将电力施加给第一导电类型半导体层30和第二导电类型半导体层50时，光从有源层40发射。
而且，第一导电类型InGaN/GaN超晶格结构或者InGaN/InGaN超晶格结构可以设置在第一导电类型半导体层30和有源层40之间。
而且，第二导电类型AlGaN层可以设置在第二导电类型半导体层50和有源层40之间。
例如，第一导电类型半导体层30可以包括n型半导体层。第一导电类型半导体层30可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，可以由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN中的一个形成。在此，n型半导体层被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的n型掺杂物。
有源层40是其中通过第一导电类型半导体层30注入的电子(或者空穴)和通过第二导电类型半导体层50注入的空穴(或者电子)可以被复合以通过取决于有源层40的形成材料的能带的带隙差发射光的层。
有源层40可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的一个，但是不限于此。
有源层40可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。当有源层40具有MQW结构时，有源层40可以包括相互堆叠的多个阱层和多个阻挡层。例如，可以以InGaN阱层/GaN阻挡层的循环形成有源层40。
其中掺杂有n型或者p型掺杂物的掺杂的包覆层(未示出)可以设置在有源层40上/下。通过AlGaN层或者InAlGaN层，可以实现包覆层(未示出)。
例如，通过p型半导体层，可以实现第二导电类型半导体层50。第二导电类型半导体层50可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，可以由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、以及InN中的一个形成。而且，p型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的p型掺杂物。
第一导电类型半导体层30可以包括p型半导体层，并且第二导电类型半导体层50可以包括n型半导体层。而且，包括n型或者p型半导体层的第三导电类型半导体层(未示出)可以设置在第二导电类型半导体层50上。因此，发光结构层可以具有np结结构、pn结结构、npn结结构、以及pnp结结构中的至少一个。而且，杂质可以被均匀地或者非均匀地掺杂在第一和第二导电类型半导体层30和50中。因此，发光结构层可以具有各种结构，但是不限于此。
电极90设置在第一导电类型半导体层30上，并且反射金属支撑80设置在第二导电类型半导体层50下，以分别向有源层40提供电力。电极90可以由Au、Al、以及Pt中的至少一个形成，以容易执行引线结合。
发光器件可以是GaN基发光二极管，其发射具有大约450nm至大约480nm的波长区域，特别地，具有大约465nm的波长区域中的中心波长(centroid wavelength)，并且具有大约15nm至大约40nm的半峰全宽的蓝光。
在根据第一实施例的发光器件中，由于使用干沉积工艺形成反射金属支撑80，所以存在的优势是排除可能出现环境污染的湿法镀工艺。
而且，在根据第一实施例的发光器件中，由于没有利用其中使用焊料金属附着导电支撑衬底的方法，而使用干沉积工艺形成反射金属支撑80，所以可以防止由于焊料金属的裂缝或者低的热传递特性而降低发光器件的可靠性。
而且，在根据第一实施例的发光器件中，由于反射金属支撑80包括第一反射金属层80a和第二反射金属层80b，所以可以减少反射金属支撑80的应力。因此，随着反射金属支撑80的应力减少，可以减少发光结构层的缺陷的出现。
而且，在根据第一实施例的发光器件中，发光结构层150下的具有高反射率的反射金属支撑80可以用作反射层和导电支撑衬底，该反射层用于反射从发光结构层150发射的光，该导电支撑衬底用于支撑发光结构层150。因此，存在的优势是可以简化发光器件的结构。
而且，在根据第一实施例的发光器件中，由于发光结构层150下的具有高反射率的反射金属支撑80具有厚的厚度，所以从发光结构层150发射的光可以通过封装主体来反射，以沿着发光结构层150的向下方向前进。然后，该光被重新反射并且被发射到封装主体的外部。因此，可以提高发光器件的发光效率。
图2是根据第二实施例的发光器件的视图。
在根据第二实施例的发光器件的描述中，将会省略与根据第一实施例的发光器件的重复的描述。
参考图2，在根据第二实施例的发光器件中，欧姆接触层60可以设置在根据第一实施例的发光器件的发光结构层150和反射金属支撑80之间。
欧姆接触层60可以由透明电极层形成。例如，欧姆接触层60可以由ITO、ZnO、RuOx、TiOx、以及IrOx中的至少一个形成，或者可以由Ni、Ag、以及Au中的至少一个形成。
在配置有欧姆接触层60的情况下，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b应该具有与第二导电类型半导体层50的欧姆接触特性是不必要的。第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以由具有高反射率的Al、Ag、以及APC(Ag-Pd-Cu)中的至少一个形成。
欧姆接触层60可以直接接触发光结构层150的第二导电类型半导体层和反射金属支撑80。
在根据第二实施例的发光器件中，由于配置有欧姆接触层60，所以存在非常好优势是发光器件具有与第二导电类型半导体层50的优秀的欧姆接触特性。
图3是根据第三实施例的发光器件的视图。
在根据第三实施例的发光器件的描述中，将会省略与根据第一实施例的发光器件重复的描述。
参考图3，在根据第三实施例的发光器件中，焊料金属层70和防氧化层100可以设置在根据第一实施例的反射金属支撑80下。
通过焊料金属层70，可以容易地将发光器件附着到封装主体或者基板。例如，焊料金属层70可以包括Au-Sn焊料、Ag-Sn焊料、以及Pb-Sn焊料中的一个。
防氧化层100防止焊料金属层70和反射金属层80被氧化。
焊料金属层70可以直接设置在反射金属支撑80下，以接触反射金属支撑80。防氧化层100可以直接设置在焊料金属层70下，以接触焊料金属层70。
尽管未示出，能够使用焊料金属层70和防氧化层100中的一个。在这样的情况下，防氧化层100可以接触反射金属支撑80。
而且，在根据第三实施例的发光器件中，焊料金属层70和防氧化层100中的至少一个可以是可适用的。
图4是根据第四实施例的发光器件的视图。
在根据第四实施例的发光器件的描述中，将会省略与根据第一实施例的发光器件的重复的描述。
参考图4，在根据第四实施例的发光器件中，电流阻挡区域110可以设置在根据第一实施例的发光结构层150下。
电流阻挡区域110可以由电介质材料或者具有低导电性的材料形成。而且，电流阻挡区域110可以具有与第二导电类型半导体层50的肖特基接触特性的材料形成。
电流阻挡区域110的至少部分可以垂直地重叠电极90。当配置有电流阻挡区域110时，在反射金属支撑80和电极90之间流动的电流可以扩展到有源层40的宽区域。因此，可以提高发光器件的内部量子效率。
电流阻挡区域110下的第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个可以与对应于电流阻挡区域110的位置的第二导电类型半导体层50间隔开。即，第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个的与电流阻挡区域110的位置相对应的中心部分可以比第一反射金属层80a和第二反射金属层80b中的每一个的外围部分低。而且，第一反射金属层80a的一部分可以设置在与第二反射金属层80b的一部分相同的水平部分上。
反射金属支撑80直接设置在电流阻挡区域110下，以接触电流阻挡区域110的下表面和侧表面。
尽管未示出，电流阻挡区域110可以被应用于根据第二实施例的发光器件或者根据第三实施例的发光器件。而且，电流阻挡区域110可以接触第二导电类型半导体层50。
图5至图7是用于解释制造根据第一实施例的发光器件的工艺的视图。
参考图5，包括缓冲层的未掺杂的氮化层20形成在生长衬底10上。包括第一导电类型半导体层30、有源层40、以及第二导电类型半导体层50的发光结构层150形成在未掺杂的氮化层20上。
例如，生长衬底10可以由蓝宝石(Al2O3)、Si、SiC、GaAs、ZnO、以及MgO中的至少一个形成，但是不限于此。例如，发光结构层150可以生长在生长衬底10上，并且蓝宝石衬底可以被用作生长衬底10。
多个突起图案可以形成在生长衬底10上。突起图案可以分散从有源层40发射的光，以提高光效率。例如，突起图案中的每一个可以具有半球形、多边形、锥形、以及纳米柱形中的一个。
尽管没有将第一导电类型掺杂物有意注入未掺杂的氮化层20中，未掺杂的氮化层20也可以是具有第一导电类型导电性的氮化层。例如，未掺杂的氮化层20可以包括未掺杂的GaN层。缓冲层可以形成在未掺杂的氮化层20和生长衬底10之间。而且，未掺杂的氮化层20的形成不是必要的，则可以不形成未掺杂的氮化层20。
未掺杂的氮化层20可以包括GaN基半导体层。例如，未掺杂的GaN层可以被用作未掺杂的氮化层，该未掺杂的GaN层是通过将三甲基镓(TMGa)气体、氢气、以及氨气注入到腔室内而生长的。
可以将三甲基镓(TMGa)气体、含有N型杂质(例如，Si)的硅烷(SiH4)、氢气、以及氨气注入腔室内，以生长第一导电类型半导体层30。然后，有源层40和第二导电类型半导体层50形成在第一导电类型半导体层30上。
有源层40可以具有单量子阱结构或者多量子阱(MQW)结构。例如，有源层40可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的堆叠结构。
可以将三甲基镓(TMGa)气体、包含P型杂质(例如，Mg)的双(乙基环戊二烯基)镁(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体、氢气、以及氨气注入腔室内，以生长第二导电类型半导体层50。
参考图6，反射金属支撑80形成在第二导电类型半导体层50上。首先，第一反射金属层80a形成在第二导电类型半导体层50上，并且第二反射金属层80b形成在第一反射金属层80a上。然后，第一反射金属层80a再次形成在第二反射金属层80b上，并且第二反射金属层80b再次形成在第一反射金属层80a上。在此，重复地执行上述工艺。
使用干沉积工艺，可以形成第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。干沉积工艺可以包括溅射工艺或者电子束蒸镀工艺。在溅射工艺的情况下，可以使用高速溅射工艺。高速溅射工艺表示下述溅射工艺，即在其中磁性材料设置在阴极溅射靶的背侧以在电场中垂直地形成磁场，然后，电子的移动被限制在靶周围以诱导旋转往复运动并且增加移动路径，从而增加等离子体密度并且提高溅射产额。
第一反射金属层80a和第二反射金属层80b可以由相同的金属或者不同的金属形成。
当第一反射金属层80a和第二反射金属层80b可以由相同的金属形成时，可以变化溅射工艺的条件，以允许第一反射金属层80a和第二反射金属层80b分别具有拉应力和压应力。
例如，根据当溅射相同金属时形成具有拉应力的结构和具有压应力的结构的工艺，如果增加被溅射或者蒸镀的金属的能量，由于到达衬底的金属可以具有能够被扩散直到所想要位置的足够的能量，所以可以形成具有压应力的反射金属层。形成具有压应力的反射金属层的工艺可以包括增加溅射功率的工艺、减少溅射气体的压力的方法、增加衬底的温度的方法、以及脉冲溅射工艺。例如，在脉冲源或者DC源被制备为电源的情况下，当施加脉冲源时，形成具有压应力的反射金属层。而且，当施加DC源时，形成具有拉应力的反射金属层。类似地，溅射功率、气体压力、以及衬底温度可以被控制，以选择性地形成具有拉应力的反射金属层和具有压应力的反射金属层。
而且，当使用不同材料形成第一反射金属层80a和第二反射金属层80b时，可以使用容易产生拉应力或者压应力的金属。而且，以与如上所述相同的金属使用产生拉应力和压应力的工艺，可以形成第一反射金属层80a和第二反射金属层80b。
参考图7，生长衬底10和未掺杂的氮化层20被去除。使用化学剥离工艺或者激光剥离工艺可以去除生长衬底10和未掺杂的氮化层20。
电极90形成在通过去除生长衬底10和未掺杂的氮化层20而暴露的第一导电类型半导体层30上。因此，可以制造如图1中所示的根据第一实施例的发光器件。
尽管未示出，在第二导电类型半导体层形成在图5中之后，当在反射金属支撑80形成之前进一步形成欧姆接触层60时，可以制造根据第二实施例的发光器件。
尽管未示出，当反射金属支撑80形成在图6中之后进一步形成焊料金属层70和防氧化层100时，可以制造根据第三实施例的发光器件。
尽管未示出，在第二导电类型半导体层50形成在图5中之后，当在反射金属支撑80形成之前进一步形成电流阻挡区域110时，将会描述根据第四实施例的发光器件。
图8是根据实施例的发光器件封装的视图。
参考图8，根据实施例的发光器件封装包括：封装主体200、设置在封装主体200上的第一电极层210和第二电极层220、设置在封装主体200上并且电气地连接至第一电极层210和第二电极层220的发光器件500、以及包围发光器件500的成型构件400。
封装主体200可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。而且，倾斜表面可以设置在发光器件500的周围。
第一电极层210和第二电极层220相互电隔离，以向发光器件500供应电力。而且，第一电极层210和第二电极层220可以反射在发光器件500中产生的光，以增加光效率。另外，第一电极层210和第二电极层220可以将在发光器件500中产生的热散发到外部。
发光器件500可以应用于在图1至图4中描述的发光器件。发光器件500可以设置在封装主体200上或者在第一电极层210和第二电极层220上。
反射金属支撑80可以设置在发光器件500的最薄弱的部分上，并且可以仅结合材料设置在反射金属支撑80和封装主体200之间或者第一电极层210和第二电极层220之间。
通过线300，发光器件500可以电气地连接到第二电极220。
成型构件400可以包围发光器件500，以保护发光器件500。而且，荧光体可以被包含在成型构件400中，以改变从发光器件500发射的光的波长。
通过成型构件400和空气之间的界面，可以完全地反射从发光器件500发射的光的部分600。因此，被完全地反射的光没有被发射到外部。然后，通过发光器件500的反射金属支撑80可以反射由封装主体反射且入射到发光器件500的光，并且将该光发射到外部。
在根据实施例的发光器件封装中，由于发光器件500包括发光结构层150下的具有优秀反射率的反射金属支撑80，所以当与使用具有低反射率的导电支撑衬底替代反射金属支撑80进行比较时发光器件500可以具有高发光效率。
而且，发光器件封装可以包括板上芯片(COB)型发光器件封装。封装主体200可以具有平顶表面，并且多个发光器件500可以设置在封装主体200上。
而且，可以提供多个根据实施例的发光器件。多个发光器件可以被排列在基板上。诸如导光板、棱镜片、扩散片、以及荧光片的光学构件可以设置在从发光器件封装发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以起背光单元的作用。根据另一实施例，根据上述实施例的发光器件500或者发光器件封装可以被实现为照明单元。例如，照明单元可以包括显示装置、指示装置、灯、以及街灯。
图9是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。然而，图9的背光单元1100是照明系统的示例，并且本公开不限于此。
参考图9，背光单元1100可以包括底盖1140、设置在底盖1140中的导光构件1120、以及设置在导光构件1120的至少一侧或者下表面上的发光模块1110。而且，反射片1130可以设置在导光构件1120下。
底盖1140可以具有盒形状，该盒形状具有开口的上侧，以容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。底盖1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是其不限于此。
发光模块1110可以包括：基板和安装在基板上的多个发光器件或者发光器件封装。多个发光器件或者发光器件封装可以向导光构件1120提供光。
如图9中所示，发光模块1110可以设置在底盖1140的至少一个内表面上。因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个横向表面提供光。
发光模块1110可以设置在导光构件1120下表面，以朝着导光构件1120的下表面提供光。根据背光单元1100的设计，可以对此进行各种变化，因此，本公开不限于此。
导光构件1120可以设置在底盖1140内。导光构件1120可以接收从发光模块1110提供的光，以产生平面光，从而将平面光导向显示面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
光学片1150可以设置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片(light collection sheet)、亮度增强片、以及荧光片中至少一个。例如，扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片可以被堆叠以形成光学片1150。在这样的情况下，扩散片1150可以使从发光模块1110发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片将扩散光聚集在显示面板(未示出)中。在此，从聚光片发射的光是随机偏振的光。亮度增强片可以增强从聚光片发射的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是反射式增光膜(Dual brightness enhancement film)。荧光片可以是包括荧光体的透光板或者膜。
反射片1130可以设置在导光构件1120下。反射片1130将通过导光构件1120的下表面发射的光朝着导光构件1120的发光表面反射。
反射片1130可以由例如PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂的具有优秀的反射率的材料形成，但是其不限于此。
图10是示出根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。然而，图10的照明单元1200是照明系统的示例，并且因此，本公开不限于此。
参考图10，照明单元1200可以包括：壳体1210、设置在壳体1210上的发光模块1230、以及设置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有良好散热性的材料形成，例如，可以由由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板1232和安装在基板1232上的至少一个发光器件封装1231。
电路图案可以被印制在电介质上以形成基板1232。例如，基板1232可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
而且，基板1232可以由有效反射的材料形成，或者具有在其上由其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装1231可以安装在基板1232上。发光器件封装1231可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的有色LED，和发射紫外(UV)线的UV LED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合，以获得色感(colorimpression)和亮度。例如，可以相互组合白光LED、红光LED和绿光LED，以确保高显色指数。而且，荧光片可以进一步设置在从发光模块1230发射的光的路径上。荧光片改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄色荧光体。因此，从发光模块1230发射的光经过荧光片，以最终发射白光。
连接端子1220可以电气地连接至发光模块1230，以向发光模块1230提供电力。参考图10，以插座形式将连接端子1220螺纹联接到外部电源，但是其不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头的形状，并且因此，可以被插入到外部电源中。可替代地，连接端子1220可以通过线连接到外部电源。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (10)

1.一种发光器件，包括：
反射金属支撑，所述反射金属支撑包括至少两对第一和第二反射金属层；
所述反射金属支撑上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；
电流阻挡区域，所述电流阻挡区域在所述反射金属支撑和所述发光结构层之间；以及
电极，所述电极在所述发光结构层上，
其中所述反射金属支撑包括Al、Ag、APC(Ag-Pd-Cu)合金、以及Au-Ni合金中的至少一个，并且
其中所述反射金属支撑直接设置在所述第二导电类型半导体层之下，从而接触所述第二导电类型半导体层，
其中所述反射金属支撑直接设置在所述电流阻挡区域之下，
其中所述第一和第二反射金属层中的每一个的与所述电流阻挡区域的位置相对应的中心部分比所述第一和第二反射金属层中的每一个的外围部分低，并且
其中所述第一和第二反射金属层是30对至70对。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡区域由具有与所述第二导电类型半导体层的肖特基接触特性的材料形成。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡区域的至少部分与所述电极垂直地重叠。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射金属支撑具有比所述发光结构层厚的厚度。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一和第二反射金属层中的每一个具有0.1μm至10μm的厚度，并且所述反射金属支撑具有50μm至200μm的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第二反射金属层由相同的材料形成。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第二反射金属层由不同的材料形成。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一反射金属层具有压应力，并且所述第二反射金属层具有拉应力。
9.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
第一和第二电极，所述第一和第二电极在所述封装主体上；
根据权利要求1至权利要求8中的任何一项所述的发光器件，所述发光器件电气地连接到所述封装主体上的所述第一和第二电极；以及
所述封装主体上的成型构件，所述成型构件包围所述发光器件。
10.一种使用发光器件作为光源的照明系统，所述照明系统包括：
基板；和
根据权利要求1至8中的任何一项所述的至少一个发光器件，所述至少一个发光器件设置在所述基板上。
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