CN102332520B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件，包括：导电支撑构件；设置在导电支撑构件上的第一导电层；设置在第一导电层上的第二导电层；发光结构，该发光结构包括设置在第二导电层上的第一半导体层、设置在第一半导体层和第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及设置在第一导电层和第二导电层之间的绝缘层，其中第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层的第一扩展部分，并且包括从第一扩展部分延伸并且设置在第一半导体层中的第二扩展部分，其中绝缘层设置在第一扩展部分的侧表面上，以及其中第二扩展部分的侧表面接触第一半导体层。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年7月12日提交的韩国专利申请No.10-2010-0067115的优先权，其全部内容通过引用结合在此。
技术领域
本公开涉及一种发光器件和照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是用于将电能转换为光的半导体元件。与诸如荧光灯和白炽电灯等的现有的光源相比较，LED具有低功率消耗、半永久性寿命跨度、快速响应速度、安全、以及环保的优点。为此，许多的研究专注于利用LED来置换现有光源。LED现在日益用作用于例如用于室内和室外的各种灯、液晶显示器件、电标识牌、以及街灯等的照明器件的光源。
发明内容
一个实施例是发光器件。发光器件包括：
导电支撑构件；
第一导电层，该第一导电层设置在导电支撑构件上；
第二导电层，该第二导电层设置在第一导电层上；
发光结构，该发光结构包括：设置在第二导电层上的第一半导体层、设置在第一半导体层和第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及
绝缘层，该绝缘层设置在第一导电层和第二导电层之间，
其中，第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层的第一扩展部分，并且包括从第一扩展部分延伸并且设置在第一半导体层中的第二扩展部分，
其中，绝缘层设置在第一扩展部分的侧表面上，以及
其中，第二扩展部分的侧表面接触第一半导体层。
另一实施例是发光器件。发光器件包括：
导电支撑构件；
第一导电层，该第一导电层设置在导电支撑构件上；
第二导电层，该第二导电层设置在第一导电层上；
发光结构，该发光结构包括：设置在第二导电层上的第一半导体层、设置在第一半导体层和第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及
绝缘层，该绝缘层设置在第一导电层和第二导电层之间，
其中，第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层的导电通孔并且设置在第一半导体层中，
其中，绝缘层设置在导电通孔的侧表面上，以及
其中，导电通孔的高度大于设置在导电通孔的侧表面上的绝缘层的高度。
附图说明
图1是示出根据本公开实施例的发光器件的截面视图。
图2A是示出根据本公开实施例的发光器件的顶表面视图。
图2B是示出沿着图2A的线A-A’截取的发光器件的截面视图。
图2C是详细示出图2B的区域“B”的视图。
图2D是示出图2B中所示的发光器件的另一实施例的截面视图。
图3A至图3K是示出根据本公开实施例的制造发光器件的方法的视图。
图4是示意性地示出发光器件封装的视图。
图5是示出根据本公开实施例的包括发光器件封装的背光单元的视图。
图6是示出包括图4中所示的发光器件封装的照明系统1500的透视图。
具体实施方式
在附图中，仅仅为了描述的方便和清楚，每个层的厚度或者尺寸可以放大、省略或者示意性地示出。各个组件的尺寸可以不必要地表示它的实际尺寸。
此外，当元件称为是在另一元件“上”或者“下”时，它可以直接地在元件上/下，或者也可以存在一个或者多个插入元件。当元件称为是在“上”或者“下”时，可以基于元件包括“在元件下”以及“在元件上”。
在下文中，将会参考附图来详细地描述本公开实施例。
[发光器件]
图1是示出根据实施例的包括通孔电极的垂直型发光器件200的截面的视图。
在下文中，为了描述的方便，假定通过导电通孔220a、220b以及220c电连接到n型导电层220的半导体层270是n型半导体层，并且形成在p型导电层240和有源层260之间的半导体层250是p型半导体层。
在图1中所示的发光器件中，导电通孔220a、220b以及220c形成为从n型导电层220穿透p型导电层240、p型半导体层250以及有源层260，并且延伸到n型半导体层270的特定区域。图1中所示的发光器件200的结构提供优秀的光提取效率，因为通过电极没有阻挡实际上发射光的n型半导体层270的顶表面。
图2A是示出根据另一实施例的发光器件300的顶表面的视图。图2B是示出沿着图2A的线A-A’截取的发光器件300的截面的视图。图2C是示出图2B的区域“B”的放大图。
参考图2A至图2C，根据另一实施例的发光器件300包括：导电支撑构件310、第一导电层320、第二导电层330、发光结构340、350和360、以及绝缘层370。在此，为了便于描述，假定第一导电层320是n型导电层，第二导电层330是p型导电层，第一半导体层340是n型半导体层，并且第二半导体层350是p型半导体层。
导电支撑构件310形成为包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se、Mo以及GaAs中的至少一种。例如，导电支撑构件310是由Si和Al的金属合金制成。
第一导电层320包括与导电支撑构件310接触的导电部分320a和至少一个导电通孔B。
图2B中所示的导电通孔B的底表面与导电通孔B的顶表面的面积比是从1至2.5。在此，导电通孔B的底表面与直接接触导电部分320a的表面相对应。导电通孔B的顶表面与直接接触第一半导体层340的表面相对应。
图2C中所示的导电部分320a的厚度等于或者大于0.7μm并且等于或者小于2μm，并且更加优选地是大约1μm。
导电通孔B包括第一扩展部分320b和第二扩展部分320c，都在图2C中示出。第一扩展部分320b和第二导电层330、第二半导体层350以及有源层360都位于同一层中。第二扩展部分320c从第一扩展部分320b延伸并且设置在第一半导体层340的特定区域处。导电部分320a、第一扩展部分320b以及第二扩展部分320c允许导电支撑构件310电连接到第一半导体层340。
第一导电层320通过第二扩展部分320c的顶表面和侧表面直接电连接到第一半导体层340。
因为通过第一导电层320将导电支撑构件310电连接到第一半导体层340，所以第一导电层320由具有与导电支撑构件310和第一半导体层340的最小接触电阻的材料制成。
第一导电层320形成为包括Ag、Al、Au、Pt、Ti、Cr以及W中的至少一种。
绝缘层370使第一导电层320与除了导电支撑构件310和第一半导体层340之外的层电绝缘。
具体地，绝缘层370包括第一绝缘层370a和第二绝缘层370b。第一绝缘层370a设置在第一扩展部分320b的侧表面上，并且使第二导电层330与第一扩展部分320b、第二半导体层350与第一扩展部分320b、以及有源层360与第一扩展部分320b电绝缘。
第二绝缘层370b设置在第一导电层320和第二导电层330之间，使得第一导电层320与第二导电层330电绝缘。
第一绝缘层370a的高度小于导电通孔B的高度。相反地，导电通孔B的高度大于第一绝缘层370a的高度。在此，第一绝缘层370a的高度对应于基于导电部分320a的顶表面的、在第一半导体层340的方向上的高度。导电通孔B的高度对应于基于导电部分320a的顶表面的、在第一半导体层340的方向上的高度。在此，应注意的是，用于高度的基准表面不仅包括导电部分320a的顶表面，而且包括导电部分320a的底表面和导电支撑构件310的顶表面或者底表面。
第一绝缘层370a的高度可以等于第一扩展部分320b的高度。在此，第一扩展部分320b的高度对应于基于导电部分320a的顶表面的、在第一半导体层340的方向上的高度。在此，应注意的是，用于高度的基准表面不仅包括导电部分320a的顶表面，而且包括导电部分320a的底表面和导电支撑构件310的顶表面或者底表面。
同时，尽管未示出，但是第一绝缘层370a的高度可以大于第一扩展部分320b的高度。即，第一绝缘层370a可以设置在第二扩展部分320c的侧表面的一部分上。
第一绝缘层370a的厚度等于或者大于200nm并且等于或者小于1000nm。当第一绝缘层370a具有在该范围内的厚度时，改善了第一绝缘层370a的稳定性。更加具体地，最好具有大约500nm的厚度。
第二扩展部分320c的底表面的面积大于第一扩展部分320b的顶表面的面积。在此，第一扩展部分320b的顶表面接触第二扩展部分320c的底表面。在此，第二扩展部分320c的底表面与第一扩展部分320b的顶表面的面积比是从1至1.4。
第二扩展部分320c的宽度可以等于或者大于第一扩展部分320b的宽度。而且，第二扩展部分320c的宽度可以等于或者小于第一扩展部分320b的宽度和两个第一绝缘层370a的宽度的总和。第二扩展部分320c的宽度可以大于第一扩展部分320的宽度和两个第一绝缘层370a的厚度的总和。
绝缘层170包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiOxNy、SixNy)、金属氧化物(Al2O3)以及基于氟的化合物中的至少任意一种。
在图2A至图2C中所示的实施例中，可以通过使第二扩展部分320c和第一半导体层340之间的绝缘面积最小化，来增加第一导电层320和第一半导体层340之间的接触面积。
第二导电层330形成在绝缘层370上。在第一扩展部分320b穿透的区域中不存在第二导电层330。
第二导电层330形成为包括Ag、Al、Pt、Ni、Pd、Au、Ir以及透明导电氧化物(ITO和GZO)中的至少一种。因为第二导电层330电接触第二半导体层350，所以这旨在最小化第二半导体层350的接触电阻。
第二导电层330可以包括用于在有源层360的方向上反射从有源层360发射的光的欧姆层或者反射层。
第二导电层330包括至少一个向外暴露的区域。在暴露区域上，设置施加外部电力的p型电极焊盘331a和331b。在暴露区域上，不设置第二半导体层350、有源层360以及第一半导体层340。如图2A中所示，暴露区域设置在发光器件300的角部，并且p型电极焊盘331a和331b设置在暴露区域上。当p型电极焊盘331a和331b设置在发光器件300的角部时，能够最大化发光器件300的发光区域。
第二导电层330的厚度等于或者大于50nm并且等于或者小于1000nm。
发光结构340、350以及360设置在第二导电层330上。
发光结构340、350以及360包括第一半导体层340、第二半导体层350以及有源层360。具体地，第二半导体层350设置在第二导电层330上。第一半导体层340设置在第二半导体层350上。有源层360设置在第一半导体层340和第二半导体层350之间。
第一半导体层340由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的经验式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN等形成。诸如Si、Ge以及Sn等的n型掺杂物可以掺杂在第一半导体层340上。
第二半导体层350由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的经验式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN等形成。诸如Mg和Zn等的p型掺杂物可以掺杂在第二半导体层350上。
有源层360由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的经验式的半导体材料形成。当以多量子阱(MQW)结构形成有源层360时，通过堆叠多个阱层和多个势垒层，例如，以InGaN阱层/GaN势垒层的周期来形成有源层360。
根据组成第一半导体层340和第二半导体层350的材料，有源层360由其他材料形成。换言之，有源层360通过电子和空穴的复合将能量转换为光并且发射。因此，建议有源层360由具有的能带隙小于第一半导体层340和第二半导体层350的能带隙的材料来形成。
同时，向外暴露的有源层360能够在发光器件300的加工期间起电流泄漏路径的作用。在此，通过在发光器件300的侧面上形成钝化层380来防止此问题。钝化层380保护发光结构，尤其保护有源层360免受外部的影响，并且防止泄漏电流流动。钝化层380是由硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiOxNy、SixNy)以及基于氟的化合物形成。否则，钝化层380可以是通过前述的材料组成的复合层。
关于根据图2A至图2C中所示的实施例的发光器件300，当使形成在导电通孔B的侧面上的第一绝缘层370a最小化时，与图1中所示的发光器件的接触面积相比，能够更多地增加第一导电层320和第一半导体层340之间的接触面积。当接触面积增加时，在发光器件300内的电流流动被激活，使得光输出并且光提取效率增加。因此，存在改善电特性的优势。
在图1中所示的发光器件中，导电通孔220a的高度越大，导电通孔220a的侧面就越倾斜。因此，电连接到n型半导体层270的导电通孔220a的顶表面的面积减少。然后，尽管图2A至图2C中所示的根据实施例的发光器件包括与图1中所示的导电通孔220a相同的导电通孔B，但是发光器件具有获得大于图1中所示的发光器件的接触面积的优点。
图2D是示出根据图2B中所示的发光器件300的另一实施例的发光器件300’的截面视图。将会省略与图2B的相同的组件的描述。
图2D中所示的根据另一实施例的发光器件300’的导电通孔B’具有粗糙表面。具体地，接触第一半导体层340’的导电通孔B’的顶表面具有粗糙表面。当导电通孔B’的顶表面具有粗糙表面时，由于表面面积增加而使接触电阻减少。因此，能够改善发光器件300’的欧姆接触特性。此外，表面的粗糙改变光的临界角并且允许容易地提取光，使得能够改善发光器件300’的光提取效率。在此，粗糙表面具有微单位(microunit)的周期。然而周期不限于此。能够不均匀地形成粗糙部。
根据另一实施例的发光器件300’的第一半导体层340’具有粗糙表面。具体地，在第一半导体层340’中，暴露的顶表面和与导电通孔B’的顶表面接触的欧姆接触表面具有粗糙表面。当顶表面和欧姆接触表面具有粗糙表面时，由于表面面积增加而使接触电阻减少。因此，能够改善发光器件300’的欧姆接触特性。此外，表面的粗糙改变光的临界角并且允许容易地提取光，使得能够改善发光器件300’的光提取效率。在此，粗糙表面具有微单位的周期。然而周期不限于此。能够不均匀地形成粗糙。
[制造发光器件的方法]
图3A至图3K是示出根据实施例的制造发光器件的方法的视图。
如图3A中所示，都包括在发光结构中的第一半导体层440、有源层460以及第二半导体层450顺序地形成。
首先，通过使用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或者分子束外延(MBE)以及氢化物气相外延(HVPE)等的半导体生长工艺，第一半导体层440、有源层460以及第二半导体层450顺序地生长在半导体生长衬底(未示出)上。
通过将诸如Si、Ge以及Sn等的n型掺杂物掺入到具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的经验式的，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN等的半导体材料中，来形成第一半导体层440。
有源层460由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的经验式的半导体材料来形成。当以多量子阱(MQW)结构形成有源层460时，通过堆叠多个阱层和多个势垒层，例如以InGaN阱层/GaN势垒层的周期，来形成有源层460。
根据组成第一半导体层440和第二半导体层450的材料，有源层460由其他材料形成。换言之，有源层460通过电子和空穴的复合将能量转换为光并且发射。因此，建议有源层460由具有的能带隙小于第一半导体层440和第二半导体层450的能带隙的材料形成。
通过将诸如Mg、Zn等的p型掺杂物掺入到具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的经验式的，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN等的半导体材料中，来形成第二半导体层450。
如图3B中所示，通过使用共同曝光工艺(commonexposureprocess)和蚀刻工艺，来蚀刻(首先蚀刻)第二半导体层450、有源层460和第一半导体层440，使得形成至少一个第一蚀刻孔420a。具体地，蚀刻并且穿透第二半导体层450和有源层460，并且将第一半导体层440蚀刻到预定深度，然后形成第一蚀刻孔420a。通过使用例如ICP-RIE等的蚀刻工艺来形成第一蚀刻孔420a。
如图3C中所示，绝缘材料沉积在第一蚀刻孔420a内，然后第一绝缘层470a形成在第一蚀刻孔420a的侧壁上。第一绝缘层470a的绝缘材料包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiOxNy，SixNy)、金属氧化物(Al2O3)以及基于氟的化合物中的至少一种。
如图3D中所示，蚀刻(第二蚀刻)第一半导体层440，使得第二蚀刻孔420b形成为具有大于第一蚀刻孔420a的深度。在此，通过蚀刻第一蚀刻孔420a的基部表面，即，第一半导体层440的一部分，来形成第二蚀刻孔420b。通过使用例如ICP-RIE等的蚀刻工艺来形成第二蚀刻孔420b。
如图3E中所示，通过将导电材料沉积在第二蚀刻孔420b中，来形成第一导电通孔421a。在此，第一导电通孔421a与通过后续工艺形成的第二导电通孔的一部分相对应。组成第一导电通孔421a的导电材料包括Ag、Al、Au、Pt、Ti、Cr以及W中的至少一种。
如图3F中所示，通过将导电材料沉积在第二半导体层450上来形成第二导电层430。在此，组成第二导电层430的导电材料包括Ag、Al、Pt、Ni、Pd、Au、Ir以及透明导电氧化物中的至少一种。透明导电氧化物包括ITO和GZO中的一种。在此，通过透明导电氧化物组成第二导电层430，因为第二导电层430和第二半导体层450之间的电接触不仅使第二半导体层450和第二导电层430之间的接触电阻最小化，而且通过向外反射从有源层460产生的光来改善光发射效率。
如图3G中所示，通过将绝缘材料沉积在第二导电层430上来形成第二绝缘层470b。第二绝缘层470b的绝缘材料包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiOxNy，、SixNy)、金属氧化物(Al2O3)以及基于氟的化合物中的至少一种。
如图3H中所示，通过沉积导电材料来形成第二导电通孔421b，然后形成第一导电层420。第二导电通孔421b与穿透第二导电层430、第二半导体层450以及有源层460的结构相对应，并且突出到第一半导体层440的特定区域。
如图3I中所示，导电支撑构件410形成在第一半导体层420下方。导电支撑构件410的组成材料包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se以及GaAs中的至少一种。例如，导电支撑构件310由Si和Al的金属合金来制成。根据从由前述材料组成的组中选择的材料，通过使用镀覆方法或者结合方法来形成导电支撑构件410。
如图3J中所示，蚀刻发光结构的角部。更具体地，位于发光结构的角部的第一半导体层440、有源层460以及第二半导体层450被蚀刻，然后第二导电层430的一部分向外暴露。结果，形成暴露区域。通过使用ICP-RIE方法等来蚀刻发光结构。
如图3K中所示，通过将导电材料沉积在第二导电层430的暴露区域上或者通过在暴露区域上镀覆或者结合电极材料，来形成电极焊盘。
[发光器件封装]
在下文中，将参考图4来描述根据实施例的发光器件封装。图4示意性地示出发光器件封装1000。
如图4中所示，根据实施例的发光器件封装1000包括：封装体1100、第一电极层1110、第二电极层1120、发光器件1200以及填料1310。
封装体1100形成为包括硅材料、合成树脂材料或者金属材料。倾斜表面形成在发光器件1200周围，因此改善光提取效率。
第一电极层1100和第二电极层1120设置在封装体1100中。第一电极层1110和第二电极层1120相互电隔离并且将电力提供到发光器件1200。第一电极层1110和第二电极层1120反射从发光器件1200产生的光并且增加发光效率。第一电极层1110和第二电极层1120也耗尽从发光器件1200生成的热。
发光器件1200电连接到第一电极层1110和第二电极层1120。发光器件1200设置在封装体1100上或者设置在第一电极层1110或者第二电极层1120上。
以引线结合方式或者倒装芯片方式并且以管芯结合工艺，发光器件1200也电连接到第一电极层1110和第二电极层1120。
填料1310形成为包围并且保护发光器件1200。填料1310包括荧光材料并且改变从发光器件1200发射的光的波长。
发光器件封装1000装备有来自实施例所公开的发光器件的至少一个中的一个或者多个。对发光器件的数目不存在限制。
根据实施例的多个发光器件封装1000排列在支撑构件上。诸如导光板、棱镜片以及扩散片等的光学构件可以设置发光器件封装1000的光学路径上。此发光器件封装1000、支撑构件以及光学构件能够起照明单元的作用。
通过都包括在前述实施例中已经描述的半导体发光器件或者发光器件封装的显示器件、指示器件以及照明器件等，能够执行另一实施例。例如，照明器件可以包括灯或者街灯。
[背光单元(BLU)]
图5是示出根据实施例的包括发光器件封装的背光单元1100的视图。图5中所示的背光单元1100是照明系统的示例，并且其不限于此。
参考图5，背光单元1100包括：底部框架1140、设置在底部框架1140中的导光构件1120以及设置在导光构件1120的至少一个侧表面或者底表面上的发光模块1110。另外，反射片1130可以设置在导光构件1120下方。
底部框架1140可以具有盒子形状，该盒子形状具有开口的顶侧，以容纳导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130。底部框架1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但不限于此。
发光模块1110包括：基板300和实施例的多个发光器件封装200。发光器件封装设置在基板上。多个发光器件封装200向导光构件1120提供光。
如图5中所示，将发光模块1110设置在底部框架1140的至少一个内表面上。因此，发光模块1110朝着导光构件1120的至少一个侧表面提供光。
可替选地，发光模块1110可以设置在底部框架1140的底表面上，以朝着导光构件1120的底表面提供光。其可以根据背光单元的设计来不同地变化。即，本公开的精神和范围不限于此。
导光构件1120设置在底部框架1140内。导光构件1120接收来自于发光模块1110的光，并且将光引导向显示面板(未示出)作为表面光。
例如，导光构件1120是导光板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基树脂、或者聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)中的一种形成。
光学片1150设置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一种。例如，通过顺序地堆叠这样的扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片，可以形成光学片1150。在这样的情况下，光学片1150使从发光模块1110发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片将扩散的光聚集到显示面板(未示出)上。在此，通过聚光片输出的光是随机偏振的光。亮度增强片增强通过聚光片输出的光的偏振。例如，聚光片可以是水平型和/或垂直型棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。荧光片可以是包括荧光体的透明板或者透明膜。
反射片1130设置在导光构件1120下方。反射片1130将通过导光构件1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。
反射片1130由诸如PET、PC或者PVC树脂的、具有高反射率的树脂材料来形成，但不限于此。
[照明系统]
图6是示出包括图4中所示的发光器件封装的照明系统1500的透视图。
参考图6，照明系统1500包括：壳体1510、设置在壳体1510上的发光模块1530、连接到壳体1510的盖子1550、以及连接到壳体1510并且供应有来自于外部电源的电力的连接端子1570。
壳体1510由具有良好热辐射特性的材料来形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1530包括：板1531和基于实施例的并且安装在板1531上的至少一个发光器件封装1533。将多个发光器件封装1533在板1531上径向地布置成以预定间隔相互间隔开。
板1531是在其上已经印制有电路图案的绝缘基板，并且包括，例如，印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB或者陶瓷PCB、FR-4基板等。
而且，板1531由能够有效率地反射光的材料来形成。板1531的表面可以具有诸如白色或者银色的、能够有效率地反射光的颜色。
至少一个发光器件封装1533设置在板1531上。发光器件封装1533中的每一个包括至少一个发光二极管(LED)。LED芯片包括发射红光、绿光、蓝光或者白光的LED和发射紫外线(UV)的UVLED。
发光模块1530能够具有发光器件封装的各种组合，以便获得所想要的颜色和亮度。例如，发光模块1530能够具有白光LED、红光LED、以及绿光LED的组合，以便获得高显色指数(CRI)。
连接端子1570电连接至发光模块1530，以便提供电力。将连接端子1570以插座的形式旋拧且连接到外部电源。然而，对将连接端子1570连接到外部电源的方法不存在限制。例如，连接端子1570可以以插头的形式制成并且插入到外部电源中，或者可以通过电源线连接到外部电源。
在实施例中描述的特征、结构以及效果等包括在本公开的至少一个实施例中，并且没有必要限于一个实施例。此外，通过实施例所属的本领域的技术人员能够在其他的实施例中组合或者修改在每个实施例中提供的特征、结构和效果等。因此，与组合和修改有关的内容应该解释为包括在本发明的范围内。
前述的实施例和优点仅是示例的，并且不应解释为用于限制本发明。本教导能够容易地应用于其他类型的设备。前述实施例的描述是示例性的，并且没有限制权利要求的范围。许多的替换、修改、以及变化将会对本领域的技术人员来说是明显的。

Claims (19)

1.一种发光器件，包括：
导电支撑构件；
第一导电层，所述第一导电层设置在所述导电支撑构件上；
第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上；
发光结构，所述发光结构包括：设置在所述第二导电层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层和所述第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及
绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，
其中，所述第一导电层包括穿透所述第二导电层、所述第二半导体层以及所述有源层的第一扩展部分，并且包括从所述第一扩展部分的顶表面延伸且设置在所述第一半导体层中的第二扩展部分，
其中，所述绝缘层设置在所述第一扩展部分的侧表面上，以及
其中，所述第二扩展部分的侧表面和顶表面直接接触所述第一半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的顶表面具有粗糙表面。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的底表面的面积大于所述第一扩展部分的顶表面的面积。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的底表面与所述第一扩展部分的顶表面的面积比是从1至1.4。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的宽度等于或大于所述第一扩展部分的宽度。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，设置在所述第一扩展部分的侧表面上的所述绝缘层的厚度等于或大于200nm并且等于或小于1000nm。
7.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述绝缘层设置在所述第二扩展部分的侧表面的一部分上。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一导电层由具有与所述导电支撑构件和所述第一半导体层的最小接触电阻的材料制成。
9.一种发光器件，包括：
导电支撑构件；
第一导电层，所述第一导电层设置在所述导电支撑构件上；
第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上；
发光结构，所述发光结构包括：设置在所述第二导电层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层和所述第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及
绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，
其中，所述第一导电层包括导电通孔，所述导电通孔穿透所述第二导电层、所述第二半导体层以及所述有源层并且设置在所述第一半导体层中，
其中，所述绝缘层设置在所述导电通孔的侧表面上，以及
其中，所述导电通孔的高度大于设置在所述导电通孔的侧表面上的绝缘层的高度。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述导电通孔的顶表面具有粗糙表面。
11.根据权利要求9或10所述的发光器件，其中，所述导电通孔的底表面与所述导电通孔的顶表面的面积比是从1至2.5。
12.根据权利要求9或10所述的发光器件，其中，设置在所述导电通孔的侧表面上的所述绝缘层的厚度等于或大于200nm并且等于或小于1000nm。
13.根据权利要求1、2、9以及10中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括向外暴露的一个区域，并且进一步包括设置在暴露区域上的电极焊盘。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述暴露区域设置在所述发光器件的角部。
15.根据权利要求1、2、9以及10中的任何一项所述的发光器件，包括：
钝化层，所述钝化层设置在所述发光结构的侧表面上。
16.根据权利要求1、2、9以及10中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的顶表面具有粗糙表面。
17.根据权利要求1、2、9以及10中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括反射层和欧姆层中的至少一种。
18.根据权利要求1、2、9以及10中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括Ag、Al、Pt、Ni、Pd、Au、Ir以及透明导电氧化物中的至少一种，并且其中所述透明导电氧化物包括ITO和GZO中的一种。
19.根据权利要求9或10所述的发光器件，其中，所述第一导电层由具有与所述导电支撑构件和所述第一半导体层的最小接触电阻的材料制成。
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