CN102163684B - 发光器件封装和照明系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光器件封装和照明系统。该发光器件封装包括：副底座；发光器件，该发光器件位于副底座上，并且被构造为产生第一波长的光；介电层，该介电层布置在副底座上；以及荧光层，该荧光层位于介电层上，并且被构造为将所述第一波长的光转换为第二波长的光，其中，所述介电层包括具有至少两种不同折射率的多个层，该介电层透射所述第一波长的光并反射所述第二波长的光。

Description

发光器件封装和照明系统
技术领域
本发明的实施例涉及一种发光器件封装和照明系统。
背景技术
发光器件(LED)包括p-n结二极管，其特性包括将电能转换为光能，并且此p-n结二极管例如通过将元素周期表中的III族元素和V族元素组合成化合物半导体来制造。通过调整化合物半导体的组成比，可以使LED显示各种颜色。
LED发出与导带和价带之间的能隙相对应的能量，这在施加正向电压期间、在n层的电子和p层的空穴复合之后发生。此能量通常以光或热的形式发出，在LED中，此能量以光的形式发出。
例如，由于氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以它在光学器件和高输出电子器件开发领域受到了大量关注。特别地，使用了氮化物半导体的蓝光LED、绿光LED以及UVLED已经商业化并广泛使用。
现有技术的白光LED模块是通过将单独的R、G、B光源相组合或通过将蓝光光源或紫外线光源与荧光材料相组合而实现的。
关于在蓝光LED的边缘上涂敷黄色荧光材料的、典型的荧光材料转换型方法，由黄色荧光材料转换的光被发出，使得该光沿着所有方向发出。然后，重新进入发光器件内部的光被吸收到该器件中而进入该器件内部，由此导致该重新进入的光的光学损耗，从而降低该发光器件的发光效率。
发明内容
实施例提供了一种具有有效CRI的发光器件封装和照明系统。
在一个实施例中，发光器件封装包括：副底座；发光器件，该发光器件位于副底座上，并且被构造为产生第一波长的光；介电层，该介电层布置在副底座上；以及荧光层，该荧光层位于介电层上，并且被构造为将所述第一波长的光转换为第二波长的光，其中，所述介电层包括具有至少两种不同折射率的多个层，该介电层透射所述第一波长的光并反射所述第二波长的光。
在另一实施例中，发光器件封装包括：副底座；发光器件，该发光器件位于副底座上，并且被构造为产生第一波长的光；滤光片，该滤光片布置在副底座上；覆盖层，该覆盖层位于滤光片上；以及荧光层，该荧光层位于覆盖层上，并且被构造为将所述第一波长的光转换为第二波长的光，其中，该滤光片包括具有至少两种不同折射率的多个层，该滤光片透射所述第一波长的光并反射所述第二波长的光。
在附图和以下描述中，阐明了一个或多个实施例的细节。从该描述和附图以及权利要求中，其它特征将显而易见。
附图说明
图1是根据一实施例的发光器件封装的截面图。
图2至图5是示出根据一实施例的发光器件封装的光学特性的曲线图。
图6是根据一实施例的、当发光器件封装发光时的视图。
图7至图16是示出根据一实施例的制造发光器件的方法中的多个过程的视图。
图17是根据一实施例的照明单元的透视图。
图18是根据一实施例的背光单元的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图来描述发光器件封装和照明系统。
在实施例的描述中，应当理解，当一个层(或膜)被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接位于另一层或基板上，或者也可以存在有中间层。此外，应当理解，当一个层被称为在另一层“下方”时，它可以直接位于另一层下方，并且也可以存在有一个或多个中间层。另外，还应当理解，当一个层被称为在两个层“之间”时，它可以是位于这两个层之间的唯一一个层，或者也可以存在有一个或多个中间层。
图1是根据一实施例的发光器件封装200的截面图。
发光器件封装200包括：副底座210；发光器件芯片100，该发光器件芯片100位于副底座210上；波长滤光片320，该波长滤光片320位于副底座210上；空间S，该空间S位于发光器件芯片100和波长滤光片320之间；以及荧光层330，该荧光层330位于波长滤光片320上。
荧光层330可以具有均匀厚度，但其不限于此。根据一实施例，由于波长滤光片320具有均匀的顶表面，所以可以毫无困难地实现保形涂覆荧光层的形成。
波长滤光片320可以包括多个介电层，所述多个介电层具有各自不同的反射率。例如，如图13所示，波长滤光片320可以包括第一介电层321和第二介电层322，该第一介电层321具有第一折射率，该第二介电层322具有与第一折射率不同的第二折射率。
在本示例中，第一介电层321和第二介电层322的厚度可以是λ/(4n×cosθ)(其中λ是光的波长，n是每个介电层的折射率，而θ是光的入射角)。
图2至图5是示出根据一实施例的发光器件封装的光学特性的曲线图。图6是根据一实施例的、当发光器件封装发光时的视图。
更详细地，图2示出了根据从发光器件封装的内部到外部的光的波长而产生的透射率。图3示出根据从发光器件封装的外部到内部的光的波长而产生的反射率。
布置在发光器件芯片100和荧光层330之间的波长滤光片320(也称为选择性的波长滤光片)可以是这样一种波长滤光片：即其对光的一个或多个波长具有选择性，并且形成有由低折射率材料和高折射率材料堆叠而成的堆叠分层结构，从而，来自发光器件封装内部的短波长的光容易穿过而到达该发光器件封装的外部，如图2中所指示的，但是由荧光层330转换的长波长的光被重新反射，从而表现出防止或减少光进入该发光器件封装中的特性，如图3中所指示的。
此外，在该发光器件封装中，在选择性的波长滤光片320与发光器件芯片100之间存在有空间S，并且该空间S可以是具有如下项中的至少一种的空间：空气、Ar气、N2气、以及真空。因此，如图6所示，易于通过波长滤光片320将发光器件芯片100发射的短波长的光L1提取到外部，但由荧光层330的荧光材料从发射自发光器件芯片100的短波长的光L1转换而成的长波长的光L2被波长滤光片320反射，从而将该长波长的光L2全部(或大部分)提取到外部。因此，波长滤光片320可以利用从高折射率到低折射率的内部全反射效应来有效提高反射率。短波长的光L1可以是具有大约440nm至460nm波长的蓝光。长波长的光L2可以是具有大约560nm至580nm波长的黄光。
例如，图4是曲线图，示出了按照在根据一实施例的发光器件封装中是否使用气隙而在该发光器件中产生的短波长光的透射率。如图4所示，当使用了气隙时，在入射角大于30°但小于大约75°时，透射率通常较高。当未使用气隙时，在入射角大于30°(若入射角大于30°，则透射率变成零，从而具有全反射)之前，透射率通常较高(或波动)。
图5是曲线图，示出了根据在发光器件封装中是否使用气隙而由布置在发光器件外部的荧光材料产生的长波长光的反射率。当使用了气隙时，除了稍大于40°处的入射角之外，长波长光的反射率通常较高。当未使用气隙时，长波长光的反射率具有v形形状，其在稍小于60°的入射角附近具有低点。
根据一实施例的发光器件封装，位于发光芯片和荧光层之间的选择性的波长滤光片透射诸如蓝色可见光或紫外光的、具有高能量的短波长的光，但反射来自荧光材料的具有低能量的、长波长的光，从而能够获得有效的显色指数。
在下文中，将参考图7至图16、根据一实施例来描述制造发光器件封装的方法的过程。
首先，如图7所示，制备副底座210。副底座210可以由具有优异的导热性以及与发光器件芯片材料类似的热膨胀系数的材料形成。例如，副底座210可以由硅材料、合成树脂材料或金属材料形成。例如，副底座210可以由硅(Si)形成，但其不限于此。PCB或低温共烧陶瓷(LTCC)可以用于该副底座210。
接下来，如图8所示，可以通过部分去除副底座210的一部分来形成腔体C。可以对具有腔体C的副底座210进行绝缘处理。
接下来，如图9所示，可以在副底座210上形成第一电极层220和第二电极层230。第一电极层220和第二电极层230可以彼此电气隔离，并用作导体以向发光器件芯片100提供电力。此外，第一电极层220和第二电极层230可用于通过反射从发光器件芯片100产生的光来提高光效率，并且可用于将发光器件芯片100产生的热量排出到外部。
副底座210可以包括用于防止齐纳二极管的ESD(静电放电)的器件和单独的反射杯，该齐纳二极管可以形成在副底座210中。
接下来，如图10所示，将发光器件芯片100安装在副底座210上。可以首先制造出该发光二极管芯片100，以便安装在副底座210上。
发光器件芯片100可以由GaN、GaAs、GaAsP以及GaP形成。例如，绿光LED和蓝光LED可以使用GaN(或InGaN)，而黄光LED和红光LED可以使用InGaAlP和AlGaAs。另外，根据用于发光二极管芯片100的化合物半导体的材料的成分变化，可以实现全部颜色。
在下文中，将描述发光器件芯片100的制造过程，但该制造过程不限于此。
首先，制备第一衬底。该第一衬底包括导电衬底或绝缘衬底。例如，该第一衬底可以使用如下项中的至少一种：Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3。可以通过湿法清洗该第一衬底来去除其表面上的异物杂质。
稍后，可以在该第一衬底上形成发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层112、有源层114以及第二导电型半导体层113。
可以在掺杂有第一导电型掺杂物的情况下利用III-V族化合物半导体来实现第一导电型半导体层112。如果第一导电型半导体层112是N型半导体层，则所述第一导电型掺杂物是N型掺杂物，且因此可以包括Si、Ge、Sn、Se、以及Te，但其不限于此。
第一导电型半导体层112可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)组成式的半导体材料。
第一导电型半导体层112可以由如下项中的至少一种形成：GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、以及InP。
使用诸如化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射、以及氢化物气相外延(HVPE)等的方法，可以将第一导电型半导体层112形成为N型GaN层。此外，可以通过将包括诸如Si等的n型杂质的TMGa、NH3、N2以及SiH4注入腔室中来形成该第一导电型半导体层。
有源层114可以形成为如下结构中的至少一种：单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、或量子点结构。例如，有源层114可以形成为MQW结构，其中注入了TMGa、NH3、N2、以及TMIn，但其不限于此。
有源层114的阱层/势垒层可以形成为如下项中的至少一种的成对结构：InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(或InGaAs)、以及GaP/AlGaP(或InGaP)，但其不限于此。该阱层可以由具有比势垒层低的带隙的材料形成。
在如下的至少一个位置处、即有源层上和/或有源层下方可以形成有导电型包覆层。该导电型包覆层可以由AlGaN基半导体形成，并且可以具有比有源层14高的带隙。
第二导电型半导体层113可以具有掺杂了第二导电型掺杂物的III-V族化合物半导体，例如具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)组成式的半导体材料。第二导电型半导体层113可以选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP。如果第二导电型半导体层113是P型半导体层，则所述第二导电型掺杂物可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba来作为P型掺杂物。第二导电型半导体层113可以形成为单层或多层，但其不限于此。
第二导电型半导体层113由p型GaN层形成，包括诸如TMGa、NH3、N2、或Mg等的p型杂质的(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}注入该p型GaN层中，但其不限于此。
在本实施例中，第一导电型半导体层112可以用N型半导体层实现，而第二导电型半导体层113可以由P型半导体层形成，但它们不限于此。此外，在第二导电型半导体层113上，可以形成有与诸如N型半导体层的第二导电型具有相反极性的半导体。因此，可以用N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的一种来实现该发光结构110。
接下来，将第二电极层120形成在第二导电半导体层113上。第二电极层120可以包括欧姆层、反射层、接触层、以及支撑衬底。
例如，第二电极层120可以包括欧姆层，并且该欧姆层可以与发光结构110欧姆接触，以允许平稳地供应电力。通过将单一金属或金属合金与金属氧化物以多层的形式堆叠，可以形成该欧姆层。
例如，欧姆层可以由如下项中的至少一种形成：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-GaZnO(AGZO)、In-GaZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、和Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf，但其不限于此。
此外，第二电极层120可以包括反射层，并因此反射从发光结构110入射的光，从而能够提高光提取效率。
例如，该反射层可以由金属或合金形成，其包括如下项中的至少一种：Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf。此外，该反射层可以由金属或合金以及诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO等的透明导电材料以多层的形式形成，并且可以通过堆叠IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni以及AZO/Ag/Ni来形成。
另外，如果第二电极层120包括结层(junctionlayer)，则反射层可以用作结层，或者可以包括阻挡金属或结合金属。例如，该结层可以包括如下项中的至少一种：Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag或Ta。
另外，第二电极层120可以包括支撑衬底。该支撑衬底支撑发光结构110，并且可以是向发光结构110提供电力的导体。该支撑衬底可以由具有优异导电性的导电半导体材料、金属、或金属合金形成。
例如，该支撑衬底可以包括如下项中的一种：Cu、Cu合金、Au、Ni、Mo、Cu-W、以及诸如Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe和SiC等的载具晶圆。
形成该支撑衬底的方法可以包括：电化学金属沉积法、电镀法、以及使用共晶金属的结合法。
接下来，移除所述第一衬底，以露出第一导电型半导体层112。移除该第一衬底的方法可以包括激光剥离法或化学剥离法。另外，可以通过物理研磨来移除该第一衬底。
接下来，将发光器件芯片100附接在副底座210上。将发光器件芯片100附接在副底座210上的步骤可以通过如下方法来执行，该方法包括：利用聚合物粘合剂来附接该发光器件芯片100，或使用镀在发光器件芯片100上的共晶金属。
例如，通过使用具有优异工艺能力的Ag导电环氧树脂、通过焊接来附接发光器件芯片100，或者，如果要求高的导热性，则可以采用共晶结合法，但其不限于此。
发光器件芯片100可以电连接到第一电极层220和第二电极层230。
接下来，如图11所示，发光器件芯片100可以通过电线240电连接到第一电极层220和/或第二电极层230。在本示例中，发光器件芯片100可以是竖直型发光器件芯片，因此仅使用一根电线240。在另一示例中，发光器件芯片100可以是并列式发光器件芯片，因此可以使用两根布线240。
接下来，可以在副底座210上形成密封材料250。密封材料250包括玻璃、共晶材料以及环氧材料，但其不限于此。
接下来，将参考图12至图14来描述包括荧光层330的波长滤光片320。
首先，如图12所示，制备覆盖层310。该覆盖层310可以由玻璃形成，但其不限于此。接下来，如图13所示，将波长滤光片320形成在覆盖层310上。
波长滤光片320可以包括多个层，其中，各自具有不同折射率的多个介电层被重复堆叠。
例如，波长滤光片320可以包括第一介电层321和第二介电层322，该第一介电层321具有第一折射率，该第二介电层322具有与第一介电层321的第一折射率不同的第二折射率。
可以以多个交替循环的形式来形成第一介电层321和第二介电层322的堆叠分层结构。例如，相对于450nm的蓝光波长具有1.46的折射率的SiO2层(其用作第一介电层321)以及具有2.44的折射率的TiO2层(其用作第二介电层322)能够以四分之一波长片(λ/4·n·m)重复的方式来堆叠。根据所堆叠的层的数目，能够获得外部激发光(即，来自荧光层的光)的高反射率，并且能够获得内部产生光(即，来自发光器件芯片的光)的高透射率，但这不受所使用的介电层的堆叠层的数目和材料限制。在本示例中，第一介电层321和第二介电层322的厚度是λ/(4n×cosθ)(其中λ是光的波长，n是每个(或各个)介电层的折射率，而θ是光的入射角)。另外，m是其数目或厚度。
根据一实施例，波长滤光片320形成有由低折射率的材料和高折射率的材料堆叠而成的结构，从而，来自发光器件封装内部的短波长的光在毫无困难或未被反射的情况下穿过而到达外部，如图2所示。然而，由荧光层转换的长波长的光被再次反射，从而实现防止或减少光进入发光器件封装中的特性，如图3所示。
接下来，可以在与覆盖层310的形成有波长滤光片320的侧相反的一侧形成荧光层330。可以通过保形涂覆来使荧光层330具有均匀的厚度，但其不限于此。
荧光层330可以在蓝光LED芯片上加入黄色荧光材料(例如YAG和TAG)，或者可以在UVLED芯片上使用三色(红色/绿色/蓝色)荧光材料，但其不限于此。
该荧光材料可以包括基质材料和活性材料。Ce活性材料可以应用于YAG基质材料，而Eu活性材料可以应用于硅酸盐基基质材料，但其不限于此。
接下来，如图15所示，波长滤光片320可以接触在副底座210上。在本示例中，可以在波长滤光片320和发光器件芯片100之间形成有空间S。
在发光器件封装200中，在选择性的波长滤光片320与发光器件芯片100之间存在有空间S，并且该空间S可以具有如下项中的至少一种：空气、Ar气、N2气、以及真空。因此，如图6所示，易于通过滤光片将发光器件芯片100发射的短波长的光L1提取到外部，但由荧光层330的荧光材料从发射自发光器件芯片100的短波长的光L1转换而成的长波长的光L2被该滤光片反射。因此，该选择性的波长滤光片320可以通过从高折射率到低折射率的内部全反射效应来有效提高反射率。
由于已参考图4和图5分别讨论了该发光器件封装的长波长光和短波长光的透射性和反射性，所以为了简洁起见，将省略其详细讨论。
最后，如图16所示，通过以每个芯片100为单位将发光器件封装200分开，可以完成该发光器件封装。
发光器件封装200可以应用于照明系统。例如，该照明系统可以包括图17的照明单元、图18的背光单元、交通灯、车辆头灯、以及标识牌。
图17是根据一实施例的、使用发光器件封装的照明单元1100的透视图。参考图17，照明单元1100包括：壳体1110、安装在壳体1110处的发光模块1130、以及连接端子1120，该连接端子1120安装在壳体1110处并接收来自外部电源的电力。
壳体1110可以由具有优异的耐热保护的材料形成，并因此可以由金属材料或树脂材料形成。
发光模块1130可以包括基板1132和安装在该基板1132上的至少一个发光器件封装200。
基板1132可以是在绝缘体上印制有电路图案的基板，并且可以包括普通印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、以及陶瓷PCB。
此外，基板1132可以由能够有效反射光的材料形成，或者可以形成有诸如白色和银色等的能够有效反射光的颜色。
根据上述实施例中的至少一个实施例的发光器件封装200可以安装在基板1132上。每个发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)100。该LED100可以包括用于发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的彩色LED以及发射UV光的紫外光(UV)LED。
发光模块1130可以布置成具有多种LED组合，以获得一定颜色和亮度。例如，为了获得高显色指数(CRI)，可以组合布置白色LED、红色LED、以及绿色LED。
连接端子1120电连接到发光模块1130，以提供其电力。如图17所示，连接端子1120螺旋形地组合到插座型的外部电源中，但其不限于此。例如，连接端子1120可以形成为插头的形式，并且插入到外部电源中，或者可以通过电线连接到外部电源。
图18是根据一实施例的背光单元的分解透视图。背光单元1200包括：导光板1210；发光模块单元1240，该发光模块单元1240用于将光提供给导光板1210；反射构件1220，该反射构件1220位于导光板1210下方；以及底盖1230，该底盖1230用于容纳导光板1210、发光模块单元1240以及反射构件1220，但其不限于此。
导光板1210可以用于使光漫射，以获得平面光或面光。导光板1210由透明材料形成，并且可以包括如下项中的至少一种：诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)、以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂。
发光模块单元1240将光提供到导光板1210的至少一侧，并且最终用作安装有该背光单元的显示装置的光源。
发光模块单元1240可以接触导光板1210，但其不限于此。更详细地，发光模块单元1240包括基板1242以及安装在该基板1242上的多个发光器件封装200。基板1242可以接触导光板1210，但其不限于此。
基板1242可以是包括电路图案的印刷电路板(PCB)。然而，除了普通PCB之外，基板1242还可以包括金属芯PCB和柔性PCB，但其不限于此。
另外，关于所述多个发光器件封装200，用于发射光的出光平面可以安装在基板1242上，从而与导光板1210间隔开。
在导光板1210下方可以布置有反射构件1220。反射构件1220把入射到导光板1210的底部的光向上反射，从而能够提高该背光单元的亮度。反射构件1220可以由PET、PC和PVC树脂形成，但其不限于此。
底盖1230可以容纳导光板1210、发光模块单元1240以及反射构件1220。为此，底盖1230可以形成有开口盒体形式的顶部，但其不限于此。
底盖1230可以由金属材料或树脂材料形成，并且可以使用诸如模制或挤出成型等的工艺来制造。
根据实施例的发光器件封装，位于发光芯片和荧光层之间的选择性的波长滤光片透射诸如蓝色可见光或紫外光的、具有高能量的短波长的光，但反射来自荧光材料的具有低能量的长波长的光，从而能够获得有效的显色指数。
在本说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的任何引用均意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中各处出现的这类短语不必都指向同一实施例。此外，当结合任一实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合这些实施例中的其它实施例来实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域的技术人员可以想到许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说，除了组成部件和/或布置结构方面的变化和修改之外，替代用途也将是显而易见的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域的技术人员可以想到许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说，除了组成部件和/或布置结构方面的变化和修改之外，替代用途也将是显而易见的。

Claims (8)

1.一种发光器件封装，包括：
副底座；
发光器件，所述发光器件被布置在位于所述副底座上的电极层的上表面的某些部分上，并且被构造为产生第一波长的光；
介电层，所述介电层布置在形成在所述副底座上的密封材料上；
玻璃覆盖层，所述玻璃覆盖层布置在所述介电层上；以及
荧光层，所述荧光层位于所述玻璃覆盖层上，并且被构造为将所述第一波长的光转换为第二波长的光，
其中，所述介电层包括具有至少两种不同折射率的多个层，所述介电层透射所述第一波长的光并反射所述第二波长的光，其中，所述玻璃覆盖层布置在所述介电层和所述荧光层之间，所述多个层包括：
第一介电层，所述第一介电层具有第一折射率；以及
第二介电层，所述第二介电层具有与所述第一折射率不同的第二折射率，
其中，所述第一介电层和所述第二介电层的厚度是λ/(4n×cosθ)，其中，λ是光的波长，n是每个介电层的折射率，而θ是光的入射角，
其中，所述密封材料、所述介电层、所述玻璃覆盖层、所述荧光层中的每个均包括平坦的顶表面，并且被顺序地堆叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，在所述介电层和所述发光器件之间形成有空间，并且
其中，所述电极层包括彼此电气隔离的第一电极层和第二电极层。
3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述空间填充有折射率比所述介电层小的材料。
4.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述空间包括如下项中的至少一种：空气、Ar气、N2气、以及真空。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述介电层透射来自所述发光器件的所述第一波长的光，并且反射来自所述荧光层的所述第二波长的光。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一波长是440nm至460nm，而所述第二波长是560nm至580nm。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述荧光层具有均匀的厚度。
8.一种照明系统，所述照明系统包括发光模块单元，所述发光模块单元装备有根据权利要求1至7中的任一项所述的发光器件封装。
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