CN102088051B

CN102088051B - 发光器件和发光器件制造方法

Info

Publication number: CN102088051B
Application number: CN201010585795.9A
Authority: CN
Inventors: 宋炫暾
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: LG Innotek Co Ltd
Priority date: 2009-12-08
Filing date: 2010-12-07
Publication date: 2015-12-09
Anticipated expiration: 2030-12-07
Also published as: CN102088051A; US20110133241A1; KR100986327B1; US8692278B2; EP2333853A3; EP2333853B1; EP2333853A2

Abstract

公开了一种发光器件、发光器件封装、照明系统和发光器件的制造方法。所述发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；所述发光结构上的第一欧姆层；和包括在所述第一欧姆层上的图案的第二欧姆层。

Description

发光器件和发光器件制造方法

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装、照明系统和发光器件制造方法。

背景技术

发光器件(LED)包括具有将电能转化成光能特性的p-n结二极管。p-n结二极管可以通过结合元素周期表的III-V族元素来形成。LED可以通过调节化合物半导体的组成比例而显示各种颜色。

当向LED施加正向电压时，n层的电子与p层的空穴复合，使得可以产生与导带和价带之间的能隙相对应的能量。该能量主要作为热或光实现，并且LED发射作为光的能量。

氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能，使得氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件领域中引起关注。特别地，已经开发并广泛使用了采用氮化物半导体的蓝色、绿色和UV发光器件。

近来，已经改进了半导体生长结构或外延生长工艺以开发具有优异的光提取效率的发光器件。

为了提高光提取效率，已经提出一种对透明电极进行图案化的技术。然而，当对透明电极进行图案化时，发光结构可能因等离子体冲击而受损、在透明电极的蚀刻工艺期间出现结晶破裂以及因为微型图案化而残留光刻胶残余。

发明内容

本发明实施方案提供一种发光器件、发光器件封装和照明系统，其中光提取图案形成在欧姆层上，使得可以消除失效因素，例如漏电流或驱动电压的增加。

根据实施方案的发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；在所述发光结构上的第一欧姆层；和包括在所述第一欧姆层上的图案的第二欧姆层。

一种制造根据实施方案的发光器件的方法，其包括形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；在所述发光结构上形成第一欧姆层；在所述第一欧姆层上形成第二欧姆层；和在所述第二欧姆层上形成图案。

附图说明

图1是显示根据第一实施方案的发光器件的截面图；

图2-5是显示用于制造根据第一实施方案的发光器件的方法的截面图；

图6是显示根据第二实施方案的发光器件的截面图；

图7是显示根据实施方案的发光器件封装的截面图；

图8是显示根据实施方案的发光单元的透视图；和

图9是显示根据实施方案的背光单元的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装和照明系统。

在描述实施方案时，应理解，当称层(或膜)在另一层或衬底“上”时，其可以直接位于另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当称层在另一层“下”时，其可以直接位于另一层下，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，还应了解，当称层在两层“之间”时，其可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。(实施方案)

图1是显示根据第一实施方案的发光器件100的截面图。

根据第一实施方案的发光器件100包括具有第一导电半导体层122、有源层124和第二导电半导体层126的发光结构120、形成在发光结构210上的第一欧姆层132和形成在第一欧姆层132上并且包括图案P的第二欧姆层134。

发光结构120形成在非导电衬底110上并且第一欧姆层132形成在第二导电半导体层126上，使得发光器件可用作横向型发光器件，但是实施方案不限于此。

图案P可包括光子结晶图案，但是实施方案不限于此。例如，图案P可包括凹凸图案。

根据实施方案，图案P具有周期性的二维结构，例如三角形晶格结构、矩形晶格结构、阿基米德晶格结构或准晶体结构。此外，除周期性图案之外，图案P还可具有不规则随机图案。

根据实施方案，图案P可包括彼此连接以进行电流扩散的空穴。

根据实施方案的图案H的周期为约100nm至约5000nm，填充因子为约5％至约95％，所述填充因子的定义为包括图案P的第二欧姆层134相对于LED芯片的顶表面面积的面积比。

第二欧姆层134可具有比第一欧姆层132低的密度。因此，第二欧姆层134的材料之间的结合能可以低于第一欧姆层132的材料之间的结合能。

根据实施方案，第二欧姆层134的结晶性能可相对低于第一欧姆层132的结晶性能。例如，第二欧姆层134和第一欧姆层132可具有无定形结构、多晶结构或单晶结构，但是实施方案不限于此。

第一和第二欧姆层132和134可通过使用相同的材料形成。例如，第一和第二欧姆层132和134可包括氧化物层、氮化物层和金属层中的至少一种，但是实施方案不限于此。

例如，第一和第二欧姆层132和134可包括选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、ZnO、IrO_x、RuO_x、NiO、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au、Ni/IrO_x/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种，但是实施方案不限于此。

此外，第一和第二欧姆层132和134可利用不同的材料形成。

实施方案提供基于结合能差异原位形成欧姆层的方法。也就是说，由于第一和第二欧姆层之间的结合能差异而形成边界表面，使得可以在第二欧姆层中形成光子结晶图案，并且可以在具有量子点结构的发光器件中形成光提取图案。

尽管实施方案可原位提供欧姆层，但是由于结合能差异，欧姆层在功能方面分为欧姆层和光提取图案层。

根据相关技术，光提取图案通过蚀刻工艺或剥离工艺形成在欧姆层上。此时，欧姆层的表面可能在蚀刻工艺期间受损，并且杂质在剥离工艺期间渗入欧姆层中，使得欧姆特性可能降低并且漏电流可能增加。为此，根据实施方案，欧姆层在功能上分为欧姆层和光提取图案层。

可以提供包含与欧姆层的材料不同的材料的薄膜以形成光提取图案而不损伤欧姆层。然而，该薄膜可能增加发光结构和电极之间的电阻，使得工作电压可能增加。

因此，根据实施方案，欧姆层和光提取图案层通过利用相同的材料原位形成。此时，欧姆层可通过改变在形成欧姆层和光提取图案层时的压力而具有与光提取图案层不同的功能。因此，欧姆层的蚀刻行为可因欧姆层和光提取图案层之间的结合能差异而与光提取图案层不同。相应地，当光提取图案形成在第二欧姆层上时，在第一和第二欧姆层之间的边界表面可用作蚀刻停止层。

根据实施方案的发光器件，可利用结合能差异在第二欧姆层上形成光提取图案，而不降低欧姆特性。

根据实施方案，光提取图案形成在欧姆层上，以便能够消除失效因素，例如漏电流和驱动电压增加。

也就是说，欧姆层被分为欧姆层和光提取图案层，使得可以防止欧姆层在蚀刻过程中受损，可以获得稳定的驱动电压，并且可以防止漏电流。

此外，由于可因结合能差异而形成边界表面，所以在形成欧姆层时可以调节光提取图案层的深度。此外，因为结合能差异而在第一和第二欧姆层之间形成的边界表面可用作蚀刻停止层，使得在形成光提取图案时可以消除失效因素。

在下文中，将参考图2至5描述根据第一实施方案的发光器件的制造方法。

根据实施方案，发光器件可包括GaN、GaAs、GaAsP或GaP。例如，绿-蓝LED可包括GaN(InGaN)，黄-红LED可包括InGaAlP或AlGaAs。此外，可以通过调节上述材料的组成来实现全色。

首先，制备如图2所示的衬底110。衬底110包括导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底110可包括Al₂O₃、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga₂O₃中的至少一种。可在衬底110上形成凹凸结构，但是实施方案不限于此。衬底110可进行湿清洗以从衬底110表面移除杂质。

然后，在衬底110上形成包括第一导电半导体层122、有源层124和第二半导体层126的发光结构120。

例如，发光结构120可通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、MBE(分子束外延)或HVPE(氢化物气相外延)法形成，但是实施方案不限于此。

可在衬底110上形成缓冲层(未显示)。缓冲层可降低发光结构120和衬底120之间的晶格失配。缓冲层可包括III-V族化合物半导体。例如，缓冲层可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种。可在缓冲层上形成未掺杂的半导体层，但是实施方案不限于此。

第一导电半导体层122可包括掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族化合物半导体。如果第一导电半导体层122是N型半导体层，则第一导电掺杂剂是N型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te，但是实施方案不限于此。

第一导电半导体层122可包括具有组成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。

此外，第一导电半导体层122可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一种。

第一导电半导体层122可包括通过CVD、MBE、溅射或HVPE形成的N型GaN层。此外，第一导电半导体层122可通过向室中注入三甲基镓(TMGa)气体、氨(NH₃)气、氮(N₂)气和包含N型杂质如硅的硅烷(SiH₄)气体来形成。

通过第一导电半导体层122注入的电子与通过第二导电半导体层126注入的空穴在有源层124相遇，使得有源层124可发射具有基于有源层(发光层)124的固有能带所确定的能量的光。

有源层124可包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。例如，有源层124可通过注入TMGa气体、NH₃气体、N₂气体和三甲基铟(TMIn)气体形成为具有MQW结构，但是实施方案不限于此。

有源层124可具有阱/势垒层，包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)和GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一种，但是实施方案不限于此。阱层可包括带隙能低于势垒层的带隙能的材料。

在有源层124上和/或下可形成导电覆层。导电覆层可包括带隙能高于有源层124的带隙能的AlGaN基半导体。

第二导电半导体层126包括掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层126可包括具有组成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。具体而言，第二导电半导体层126可包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。如果第二导电半导体层126是P型半导体层，则第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。第二导电半导体层126可制备成单层或多层，但是实施方案不限于此。

第二导电半导体层126可包括P型GaN层，其可以通过向室中注入TMGa气体、NH₃气、N₂气和包含P型杂质(例如镁)的(EtCp₂Mg){Mg(C₂H₅C₅H₄)₂}气体来形成，但是实施方案不限于此。

根据实施方案，第一导电半导体层122可包括N型半导体层，第二导电半导体层126可包括P型半导体层，但是实施方案不限于此。此外，半导体层，如极性与第二导电半导体层126的极性相反的N型半导体层(未显示)，可形成在第二导电半导体层126上。因此，发光结构120可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。

然后，如图3所示，在发光结构120上形成第一欧姆层132。例如，第一欧姆层132可形成在第二导电半导体层126上，但是实施方案不限于此。根据第二实施方案，第一欧姆层形成在第一导电半导体层上。

第一欧姆层132可以制备成包括功函数满足Ф_m＞Ф_s的金属、金属合金和金属氧化物的堆叠结构。

例如，当第一欧姆层132形成在P型半导体层上时，欧姆层132的功函数可满足Ф_m＞Ф_s。然而，如果第一欧姆层132形成在N型半导体层上，如第二实施方案所公开的，则欧姆层132的功函数可满足Ф_m＜Ф_s。

此外，第一欧姆层132可包括选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、ZnO、IrO_x、RuO_x、NiO、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au、Ni/IrO_x/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种，但是实施方案不限于此。

然后，如图4所示，第二欧姆层134形成在第一欧姆层132上。

第二欧姆层134可以在形成第一欧姆层132时原位形成。

第二欧姆层134可以在比用于形成第一欧姆层132的压力更低的压力下形成。

因此，第二欧姆层134可具有比第一欧姆层132低的密度。因此，第二欧姆层134的材料之间的结合能可以低于第一欧姆层132的材料之间的结合能。

第一和第二欧姆层132和134可利用相同的材料形成。例如，第二欧姆层134包括功函数满足Ф_m＞Ф_s的氧化物层、氮化物层和金属层中的至少一种，但是实施方案不限于此。

此外，第一和第二欧姆层132和134可利用不同的材料形成。

根据实施方案，为了形成基于第一和第二欧姆层132和134之间的结合能差异的边界表面，在改变氧分压、电源功率和气体时间的同时原位形成第一和第二欧姆层132和134。因此，第一和第二欧姆层132和134可具有不同的物理性质，即使它们利用相同的材料形成也是如此，因而可以防止层间应力。

这种结合能交换表面改变基于边界表面的上层和下层之间的蚀刻行为，使得欧姆层和光提取图案层可具有不同的功能。

根据实施方案，在形成第二欧姆层134时，注入惰性气体，同时在形成第一欧姆层132之后，在预定的时间段内将氧分压改变10倍以上。因此，改变内部等离子体行为，从而改变表面性质。

由于在边界表面处改变结合能，所以在边界表面之后形成的薄膜具有低的膜密度，因而该薄膜可具有不同的物理性质。

然后，如图5所示，在第二欧姆层134上形成图案P。图案P可包括光子结晶图案，但是实施方案不限于此。例如，图案P可包括凹凸图案。

例如，图案P通过部分蚀刻第二欧姆层134来形成，并且第一和第二欧姆层132和134之间的边界表面可用作蚀刻停止层。

根据实施方案，图案P具有周期性二维结构，例如三角形晶格结构、矩形晶格结构、阿基米德晶格结构或准晶体结构。此外，图案P可具有除周期性图案之外的不规则随机图案。

根据实施方案的图案H的周期为约100nm至约5000nm，填充因子为约5％至约95％，所述填充因子的定义为包括图案P的第二欧姆层134相对于LED芯片上表面面积的面积比。

根据实施方案，图案P可填充空气、环氧树脂和电介质中的至少一种。如果图案P填充有电介质，则该电介质可具有高于1且低于3的折射率。如果图案P填充有空气，则在图案区域上形成光刻胶层或绝缘材料并且在第二欧姆层134上形成额外的材料。然后，选择性移除光刻胶层或绝缘材料。

然后，在第二欧姆层134上形成第二电极(未显示)，并且在衬底110下方形成反射层105。

根据实施方案，反射层105反射从发光结构120入射的光，由此提高光提取效率。

例如，反射层105可包括金属或金属合金，包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种。此外，反射层105可利用上述金属或金属合金以及透射导电材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO而制备成多层。例如，反射层105可具有包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的堆叠结构。

根据实施方案的发光器件，可利用结合能差异在欧姆层上形成光提取图案，而不降低欧姆特性。

根据实施方案，光提取图案形成在欧姆层上，从而可以消除失效因素，例如漏电流和驱动电压增加。

图6显示根据第二实施方案的发光器件100b的截面图。

在第二实施方案中采用垂直型发光器件。第二实施方案可采用第一实施方案的技术特征，并且以下说明将着重于与第一实施方案的差别。

根据第二实施方案的发光器件包括在发光结构120下的第二电极150。第二电极150可包括欧姆层(未显示)、反射层(未显示)、结合层(未显示)和导电衬底(未显示)中的至少一种。

第二电极150可以与第二导电半导体层126相邻，但是实施方案不限于此。

在非导电衬底(未显示)上形成发光结构120，在发光结构120上形成第二电极150，然后移除非导电衬底。根据另一实施方案，可以在非导电衬底上生长发光结构120。

根据第二实施方案，第一欧姆层132可形成在第一导电半导体层122上，但是实施方案不限于此。

根据实施方案的发光器件，可利用结合能在欧姆层上形成光提取图案而不降低欧姆特性。

图7是显示发光器件封装200的视图，所述发光器件封装200包括根据实施方案的发光器件。

参照图7，发光器件封装200包括封装体205、形成在封装体205上的第三电极层213和第四电极层214、设置在封装体205上且电连接至第三电极层213和第四电极层214的发光器件100、以及围绕发光器件100的模制构件240。

封装体205可包括硅材料、合成树脂材料或金属材料。发光器件100周围可形成有倾斜表面。

第三电极层213和第四电极层214彼此电隔离并向发光器件100供电。第三电极层213和第四电极层214反射来自发光器件100的光以提高发光效率，并且将发光器件100中产生的热释放到外部。

图1中所示的横向型发光器件可用作发光器件100，但是实施方案不限于此。例如，如图6所示的垂直型发光器件可用作发光器件100。

发光器件100可安装在封装体205或第三电极层213和第四电极层214上。

发光器件100通过导线连接方案、倒装芯片连接方案和芯片连接方案电连接至第三电极层213和/或第四电极层214。根据实施方案中，发光器件100通过导线230电连接至第三电极层213并且通过芯片连接方案电连接至第四电极层214。

模制构件240围绕发光器件100以保护发光器件100。此外，模制构件240可包含磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。

根据实施方案的多个发光器件封装可以以阵列布置在衬底上，并且可以在从发光器件封装发射的光的光路上设置包括导光板、棱镜片、散射片或荧光片的光学构件。所述发光器件封装、衬底和光学构件可以用作背光单元或照明单元。例如，照明系统可包括背光单元、照明单元、指示器、灯或街灯。

图8是显示根据实施方案的照明单元1100的透视图。图8所示的照明单元1100是照明系统的一个实例，但是实施方案不限于此。

参照图8，照明单元1100包括壳体1110、安装在壳体1110中的发光模块1130和安装在壳体1110中以接收来自外部电源的电力的连接端子1120。

优选地，壳体1110包括具有优异的散热特性的材料。例如，壳体1110包括金属材料或树脂材料。

发光模块1130可包括衬底1132和安装在衬底1132上的至少一个发光器件封装200。

衬底1132包括印刷有电路图案的绝缘构件。例如，衬底1132包括PCB(印刷电路板)、MC(金属芯)PCB、F(柔性)PCB或陶瓷PCB。

此外，衬底1132可包括有效反射光的材料。衬底1132的表面可涂有颜色如白色或银色以有效反射光。

在衬底1132上可以安装至少一个发光器件封装200。每个发光器件封装200可包括至少一个LED(发光二极管)。LED可包括发射红色、绿色、蓝色或白色光的彩色LED和发射UV(紫外)光的UV发光器件。

发光模块1130的LED可以以各种方式布置以提供各种颜色和亮度。例如，可以布置白色LED、红色LED和绿色LED以获得高的显色指数(CRI)。

连接端子1120电连接至发光模块1130以向发光模块1130供电。如图8所示，连接端子1120具有与外部电源螺旋连接的插座形状，但是实施方案不限于此。例如，连接端子1120可以制成插入外部电源中或通过导线与外部电源连接的插针形式。

图9是显示根据实施方案的背光单元1200的分解透视图。图9所示的背光单元1200是照明系统的一个实例，但实施方案不限于此。

根据实施方案的背光单元1200包括导光板1210、为导光板1210提供光的发光模块1240、位于导光板1210下的反射构件1220和将导光板1210、发光模块1240和反射构件1220容纳于其中的底盖1230，但是实施方案不限于此。

导光板1210可散射光以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如，导光板1210可利用丙烯酰基树脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC树脂和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂制造。

发光模块1240向导光板1210的至少一个横向侧提供光，并且用作包括背光单元在内的显示设备的光源。

发光模块1240可设置为与导光板1210相邻，但是实施方案不限于此。具体而言，发光模块1240包括衬底1242和安装在衬底1242上的多个发光器件封装200，并且衬底1242可与导光板1210相邻，但是实施方案不限于此。

衬底1242可以包括具有电路图案的印制电路板(PCB)(未显示)。此外，衬底1242还可包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但是实施方案不限于此。

此外，发光器件封装200布置为使得发光器件封装200的光出射表面与导光板1210间隔预定的距离。

反射构件1220设置在导光板1210下。反射构件1220将通过导光板1210的底表面向下行进的光反射向导光板1210，由此提高背光单元的亮度。例如，反射构件1220可包括PET、PC或PVC树脂，但是实施方案不限于此。

底盖1230可将导光板1210、发光模块1240和反射构件1220容纳于其中。为此，底盖1230具有开放上表面的盒形状，但是实施方案不限于此。

底盖1230可利用金属材料或树脂材料通过压制工艺或挤出工艺制成。

如上所述，根据实施方案的发光系统包括发光器件封装，从而可以提高发光系统的可靠性。

该说明书中提及的“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等是指关于实施方案所描述的具体特征、结构或特征包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中各处使用的这类短语不一定都是指相同的实施方案。此外，当针对任意实施方案描述具体特征、结构或特征时，关于实施方案的其它特征、结构或特性来实现该特征、结构或特性也在本领域技术人员的范围内。

虽然已经参照本发明的多个示例性实施方案描述本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，可以对本公开内容、附图和所附权利要求中的主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使用对本领域的技术人员而言也是明显的。

Claims

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

在所述发光结构上的第一欧姆层；和

包括在所述第一欧姆层上的图案的第二欧姆层，

其中所述第二欧姆层形成在所述第一欧姆层上，

其中所述第二欧姆层包含与所述第一欧姆层的材料相同的材料，

其中所述图案包括彼此连接以进行电流扩散的空穴，

其中由于所述第一欧姆层和第二欧姆层之间的结合能差异而形成在所述第一欧姆层和第二欧姆层之间形成的边界表面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二欧姆层的密度低于所述第一欧姆层的密度。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中构成所述第二欧姆层的材料的结合能低于构成所述第一欧姆层的材料的结合能。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第二欧姆层上形成有第二电极。

5.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中所述图案的所述空穴填充有空气、环氧树脂和电介质中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一欧姆层和所述第二欧姆层包含氧化物层、氮化物层和金属层中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一欧姆层和所述第二欧姆层包含ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au、TiN、Pt和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构形成在非导电衬底上，并且所述第一欧姆层形成在所述第二导电半导体层上。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第二导电半导体层下的第二电极，其中所述第一欧姆层形成在所述第一导电半导体层上。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案包括光子结晶图案和凹凸图案中的至少一种。

11.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；

在所述发光结构上形成第一欧姆层；

在所述第一欧姆层上形成第二欧姆层；和

在所述第二欧姆层中形成图案，

其中所述图案包括彼此连接以进行电流扩散的空穴，

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一欧姆层上形成所述第二欧姆层时，所述第二欧姆层与所述第一欧姆层的形成一起原位形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一欧姆层上形成所述第二欧姆层时，在比形成所述第一欧姆层的过程所需压力更低的压力下形成所述第二欧姆层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一欧姆层上形成所述第二欧姆层时，所述第二欧姆层的密度低于所述第一欧姆层的密度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述第一欧姆层上形成所述第二欧姆层时，构成所述第二欧姆层的材料的结合能低于构成所述第一欧姆层的材料的结合能。

16.根据权利要求12所述的方法，其中在所述第二欧姆层上形成第二电极。

17.根据权利要求13-15中任一项所述的方法，其中所述图案的所述空穴填充有空气、环氧树脂和电介质中的至少一种。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第二欧姆层上形成所述图案时，通过部分蚀刻所述第二欧姆层来形成所述图案，并且所述第一欧姆层和所述第二欧姆层之间的边界用作蚀刻停止层。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一欧姆层和所述第二欧姆层包含氧化物层、氮化物层和金属层中的至少一种。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一欧姆层和所述第二欧姆层包含ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au、TiN、Pt和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种。

21.根据权利要求11所述的方法，其中所述发光结构形成在非导电衬底上，并且所述第一欧姆层形成在所述第二导电半导体层上。

22.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述第二导电半导体层下形成第二电极，其中所述第一欧姆层形成在所述第一导电半导体层上。