CN102237463B - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统。该发光器件包括：第一电极层、发光结构、以及第二电极层。发光结构形成在第一电极层上以发射具有大约430nm至大约470nm的主峰波长区域的蓝色系列光，并且包括光提取结构。第二电极层包括在光提取结构上的由其等离子体频率不同于蓝色系列光的波长的金属材料形成的第一层。

Description

发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统
技术领域
本发明涉及一种发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯的现有的光源相比，LED具有诸如低功率消耗、半永久性寿命、快速响应时间、稳定性、以及环保的更好的特征。因此，为了将现有的光源替换为LED进行了许多的研究。LED越来越多地被用作诸如液晶显示器(LCD)、电子显示牌、街灯、以及在室内和室外使用的所有种类的灯的发光设备的光源。
发明内容
实施例提供发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统。
实施例还提供具有增强的发光效率的发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统。
在一个实施例中，发光器件包括：第一电极层；发光结构，该发光结构形成在第一电极层上以发射具有大约430nm至大约470nm的主峰波长区域的蓝色系列光，并且包括光提取结构；以及第二电极层，该第二电极层包括在光提取结构上的第一层，该第一层由其等离子体(plasmon)频率不同于蓝色系光的波长的金属材料形成。
在又一实施例中，发光器件封装包括：主体；第一和第二导电层，该第一和第二导电层被布置在主体上；发光器件，该发光器件被布置在主体上并且被电连接到第一和第二导电层；以及成型构件，该成型构件围绕发光器件，其中该发光器件包括：第一电极层；发光结构，该发光结构形成在第一电极层上以发射具有大约430nm至大约470nm的主峰波长区域的蓝色系列光，并且包括光提取结构；以及第二电极层，该第二电极层包括在光提取结构上的第一层，该第一层由其等离子体频率不同于蓝色系列光的波长的金属材料形成。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据说明书和附图以及根据权利要求，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光器件的侧截面图。
图2是图1的发光器件的俯视图。
图3是图1的区域A的放大图。
图4是示出当具有周期图案的光提取结构形成在第一层和发光结构之间的界面处时通过比较下述情况的反射率获得的模拟结果的图，所述情况包括是图1中的发光器件的第二电极层的最下层的第一层由银(Ag)形成的情况和第一层由铝(A1)形成的情况。
图5至图9是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的视图。
图10是根据第二实施例的发光器件的侧截面图。
图11和图12是图10的区域B的放大图。
图13是示出通过测量根据第一实施例的发光器件的第二电极层的反射率和根据第二实施例的发光器件的第二电极层的反射率获得的试验结果的图。
图14是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图15是示出根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。
图16是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的发光单元的透视图。
具体实施方式
现在详细地参考本公开的实施例，在附图中示出其示例。
在实施例的描述中，将理解的是，在层(或者膜)、区域、图案、或者组件被称为在另一衬底、层(或者膜)、区域或者图案“上”或者“下”的情况下，“上”和“下”包括“直接”和“间接”的所有意义。当元件被称为在“上”或者“下”时，基于元件能够包括“在元件下”以及“在元件上”。此外，将会参考附图描述在每层的“上”或者“下”。
在附图中，为了清楚或者方便起见，每层(或者膜)、区域、图案或者结构的厚度或者尺寸可以被夸大、省略或者示意性地示出并且因此没有完全地反映其实际尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、其制造方法、发光器件封装以及发光系统。
图1是根据第一实施例的发光器件100的侧截面图。图2是图1的发光器件100的俯视图。图3是图1的区域A的放大图。
参考图1至图3，根据第一实施例的发光器件100可以包括第一电极层110；发光结构120，该发光结构120形成在第一电极层110上；以及第二电极层130，该第二电极层130形成在发光结构120的顶部的部分区域处。
第一电极层110可以包括导电支撑构件112、在导电支撑构件112上的反射层114以及在发射层114上的欧姆层116。可以仅形成反射层114和欧姆层116中的一个，在该情况下可以形成具有优异的反射特性的欧姆层116。
发光结构120可以由III-V族化合物半导体形成并且通过电子空穴复合操作产生光。例如，发光结构120可以包括第二导电半导体层122、在第二导电半导体层122上的有源层124以及在有源层124上的第一导电半导体层126。
光提取结构128可以形成在发光结构120的顶部。光提取结构128将通过全反射约束到发光结构120内部的光提取到外部并且因此增强光提取效率。
第二电极层130可以形成为单金属层或者多金属层，并且与第一电极层110一起将电力提供到发光结构120。第二电极层130可以包括用于引线键合的电极焊盘130a，和用于电流扩展的分支130b。分支130b可以从电极焊盘130a分支。
参考图3，例如，是第二电极层130的最下层的第一层131由具有高反射率的金属形成，并且是第二电极层130的最上层的第三层133由具有高粘附强度的金属形成并且因此可以容易地引线键合。第一和第三层131和133之间的第二层132可以由用于防止第一和三层131和133之间的层间扩散的金属形成。
第一层131反射从发光结构120输入的光，并且因此能够防止入射到第二电极130的光由于光吸收而损失。
第一层131可以形成为包括具有高反射率的银(Al)。然而，当与光提取结构128的凸部和凹部对应的凹部和凸部形成在第一层131和第一导电半导体层126之间的界面处时，可以显著地减少Ag的反射率。
图4是示出当具有周期图案的光提取结构128形成在第一层131和第一导电半导体层126之间的界面的第一导电半导体层126时通过比较下述情况的反射率获得的模拟结果的图，所述情况包括第一层131由Ag形成的情况以及第一层131由铝(Al)形成的情况。在图4中，X轴表示光提取结构128的晶格常数(或者周期)，并且Y轴表示反射率。在试验中使用的光是具有大约430nm至大约470nm的主峰波长区域的蓝色系列光。
参考图4，在第一层131由Ag形成的情况下，当第一层131是光提取结构128的晶格常数接近于0的平滑表面时第一层131具有高反射率。然而，随着光提取结构128的晶格常数增加，第一层131的反射率迅速地减少。
另一方面，在第一层131由Al形成的情况下，当光提取结构128的晶格常数是0时由铝(Al)形成的第一层131的反射率低于由Ag形成的第一层131的反射率。然而，当光提取结构128的晶格常数增加时，能够看到由铝(Al)形成的第一层131的反射率高于由Ag形成的第一层131的反射率。
因为Ag的等离子体频率接近于蓝色系列波长，所以示出此结果。换言之，入射到Ag的表面上的蓝色系列光的一部分变成表面等离子体状态并且作为热能消失，并且反射率减少了光变成热能的程度。
在第一实施例中，因此，第一层131可以形成为包括具有不同于蓝色系列波长的等离子体频率的金属材料，例如，包括Al来替代Ag。
通过模拟结果可以看出，当第一层131由包括Al的金属材料形成时，第一层131和第一导电半导体层126之间的界面的反射率增强，因此增强了根据第一实施例的发光器件100的发光效率。
在下文中，将会详细地描述根据第一实施例的发光器件100的元件。
第一电极层110可以包括导电支撑构件112、在导电支撑构件112上的反射层114以及在反射层114上的欧姆层116。
导电支撑构件112支撑发光结构120，例如，其可以由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、Cu-W、载具晶圆(例如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、以及Ga203)、以及具有注入的杂质的半导体衬底中的至少一个形成。
反射层114向上反射从发光结构120输入的光，从而增强光提取效率。例如，反射层114可以形成为包括具有高反射率的Ag、Al、Pt、钯(Pd)以及Cu中的任意一个。而且，反射层114可以利用金属或者合金以及诸如铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)以及锑锡氧化物(ATO)的透射导电材料而形成为多层。例如，反射层114可以堆叠有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、以及AZO/Ag/Ni。
欧姆层116与发光结构120的第二导电半导体层122形成欧姆接触以将电力平滑地提供到发光结构120。例如，欧姆层116可以形成为包括从由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一个，但是不限于此。
发光结构120可以由III-V族化合物半导体形成。例如，光提取结构120可以包括第二导电半导体层122、在第二导电半导体层122上的有源层124、以及在有源层124上的第一导电半导体层126。
例如，第二导电半导体层122可以形成为可以从具有InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料(例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN)中选择的p型半导体层。诸如镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)或者钡(Ba)的p型掺杂物可以被掺杂在第二导电半导体层122上。
通过将TMGa气体、NH3气体、以及(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体连同氢气一起注入室可以形成第二导电半导体层122。
有源层124可以形成在第二导电半导体层122上。由于在复合从第一和第二导电半导体层126和122提供的电子和空穴的操作中出现的能带隙差使得有源层124可以产生光。
有源层124可以形成为包括具有InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。有源层124可以形成为单阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的至少一个。当有源层124形成为MQW结构时，可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成有源层124。例如，可以以InGaN阱层/GaN势垒层的周期形成有源层124。
通过将TMGa气体、TMIn气体以及NH3气体连同氢气一起注入室来形成有源层124。
导电包覆层可以形成在有源层140上/下面，并且导电包覆层可以由AlGaN基半导体形成。
例如，第一导电半导体层126可以形成为可以从具有InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料(例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN)中选择的n型半导体层。诸如Si、Ge、或者Sn的p型掺杂物可以掺杂在第一导电半导体层126上。
通过将TMGa气体、NH3气体以及SiH4连同氢气一起注入室可以形成第一导电半导体层126。而且，第一导电半导体层126可以形成为单层或者多层。
相反地，第一导电半导体层126可以包括p型半导体层，并且第二导电半导体层122可以包括n型半导体层。而且，包括n型或者p型半导体层的第三导电半导体层(未示出)可以形成在第二导电半导体层122上。因此，发光结构120可以包括np结结构、pn结结构、npn结结构以及pnp结结构中的至少一个。而且，第一和第二导电半导体层126和122的杂质掺杂浓度可以是保形或者非保形的。即，可以不同地形成发光结构120，但是不限于此。
光提取结构128可以形成在发光结构120的顶部处。光提取结构128将通过全反射约束到发光结构120的内部的光提取到外部，并且因此增强光提取效率。
光提取结构128可以具有通过湿法蚀刻形成的任意的表面粗糙，或者可以形成为通过构图工艺形成的周期图案。
在这样的情况下，光提取结构128形成为具有大约200nm至大约3000nm的平均周期。即，当光提取结构128具有表面粗糙时，光提取结构128可以形成为构成粗糙的各结构之间的平均距离大约是200nm至大约3000nm。此外，光提取结构128可以形成为具有大约200nm至大约3000nm的周期的周期图案。
当光提取结构128的周期小于或者大于大约200nm至大约3000nm时，光提取结构128不会有效地提取从发光结构120发射的可见光系列光和紫外系列光。
此外，如上所述，发光结构128的周期与第二电极层130的第一层131的反射率有关。即，可以根据第一层131的材料选择性地确定光提取结构128的周期。
第二电极层130可以形成为单金属层或者多金属层，并且与第一电极层110一起将电力提供到发光结构120。第二电极层130可以包括用于引线键合的电极焊盘130a，和用于电流扩展的分支130b。
可以形成一个或者多个电极焊盘130a。因此，可以形成一个或者多个引线键合。
分支130b从电极焊盘130a分支并且形成在第一导电半导体层126的顶部处，从而防止电流集中在电极焊盘130a的外围中。
第二电极层130可以形成为具有多层结构。例如，如图3中所示，是最下层的第一层可以由具有高反射率的金属形成，是最上层的第三层133由具有高粘附强度的金属形成并且因此容易引线键合。第一层131和第三层133之间的第二层132可以由用于防止第一和第三层131和133之间的层间扩散的金属形成。
如上所述，当发光结构120产生蓝色系列光并且光提取结构128形成在第一导电半导体层126上时，第一层131可以由包括Al的金属形成。然而，第一层131不限于此，并且第一层131可以形成为包括Ag、Al、Pt、Pd以及Cu中的至少一个。
例如，第二层132可以形成为包括是用于防止层间扩散的材料的Ti、Ni、Cu、N、Zr、Cr、Ta以及Rh中的至少一个。第二层132可以具有形成为具有不同的材料的多个层的多层结构。
例如，第三层133可以形成为包括是具有高粘附强度的材料的Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu以及Ag中的至少一个。第三层133可以具有形成为具有不同的材料的多层中的多层结构。
在下文中，将会详细地描述制造根据第一实施例的发光器件的方法。然而，将会省略或者示意性地描述与上述内容重复的描述。
图5至图9是示出制造根据第一实施例的发光器件100的方法的视图。
参考图5，包括第一导电半导体层126、有源层124以及第二导电半导体层122的发光结构120可以形成在生长衬底105上。未掺杂的半导体层(未示出)或者缓冲层(未示出)可以进一步形成在生长衬底105和第一导电半导体层126之间。
生长衬底105可以由蓝宝石衬底(Al2O3)单晶体衬底、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge以及AlN中的至少一个形成，但是不限于此。
通过湿清洁生长衬底105，能够移除表面的杂质。生长衬底105的顶部可以形成为倾斜以平滑地生长发光结构120并且增强发光器件100的光提取效率，或者其上可以形成多个凸起图案。例如，凸起图案可以形成为半球形、多边形、三角锥形状、以及纳米柱形状中的任意一个。
以有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、以及氢化物气相外延(HVPE)中的至少一个，可以在生长衬底105上形成发光结构120、未掺杂的半导体层(未示出)以及缓冲层(未示出)，但是不限于此。
参考图6，第一电极层110可以形成在发光结构120上。
第一电极层110可以包括导电支撑构件112、在导电支撑构件112上的反射层114、以及在反射层114上的欧姆层116。
例如，可以以电子束沉积、溅射、以及PECVD中的任意一个形成反射层114和欧姆层116，但是不限于此。可以仅形成反射层114和欧姆层116中的一个或者可以不形成反射层114和欧姆层116，但是不限于此。
可以以沉积工艺或者镀工艺形成导电支撑构件112。或者，导电支撑构件112可以被制备为单独的片或者以结合工艺形成。当以结合工艺形成导电支撑构件112时，粘附层(未示出)可以进一步形成在导电支撑构件112和反射层114之间。
参考图7，通过移除生长衬底105可以暴露第一导电半导体层126。在这样的情况下，为了容易地移除生长衬底105，可以上下颠倒图6的发光器件。
以使用高输出激光的激光剥离(LLO)工艺或者化学剥离(CLO)工艺可以移除生长衬底105。或者，通过扒掉(rakeout)生长衬底105，可以移除生长衬底105。
此外，当生长衬底105被移除时，表面缺陷层会形成在暴露的第一导电半导体层126中。可以以湿法蚀刻工艺或者干法蚀刻工艺移除表面缺陷层。
参考图8，光提取结构128形成在第一导电半导体层126的顶部处。
如上所述，光提取结构128可以通过湿法蚀刻工艺形成为具有任意表面，或者通过构图工艺形成为具有周期图案。
参考图9，第二电极层130可以形成在发光结构120的第一导电半导体层126上，并且因此可以提供根据第一实施例的发光器件100。
第二电极层130可以包括电极焊盘130a，和从电极焊盘130a分支的分支130b。
可以形成掩模图案，并且其后通过沿着掩模图案执行镀工艺或者沉积工艺可以形成第二电极层130。然而，第二电极层130不限于此。
此外，电极焊盘130a的堆叠结构可以等于或者不同于分支130b的堆叠结构。
例如，在电极焊盘130a中，要求形成具有高粘附强度的第三层133作为用于引线键合的最上面层。然而，在分支130b中可以不形成第三层133。而且，分支130b可以由透明的电极材料形成。
在下文中，将会详细地描述根据第二实施例的发光器件100B。然而，将会省略或者示意性地示出与第一实施例重复的描述。
图10是根据第二实施例的发光器件100B的侧截面图。图11和图12是图10的区域B的放大图。
参考图10至图12，根据第二实施例的发光器件100B可以包括：第一电极层110；形成在第一电极层110上的发光结构120；第二电极层130，该第二电极层130形成在发光结构120的顶部的部分区域处；以及低折射率层140，该低折射率层140具有低于发光结构120的折射率的折射率并且形成在发光结构120和第二电极层130之间。
此外，光提取结构128可以形成在发光结构120的顶部处。光提取结构128将通过全反射约束到发光结构120内部的光提取到外部并且因此增强光提取效率。
在根据第二实施例的发光结构100B中，与根据第一实施例的发光器件100中不同的是，形成了低折射率层140。除了低折射率层140之外，根据第二实施例的发光结构100B与根据第一实施例的发光器件100相同。
低折射率层140可以由具有光透射性和低于发光结构120的折射率的折射率的材料形成。
这是因为通过形成低折射率层140，从低折射率层140和第一导电半导体层126之间的界面全反射的光的量增加，并且因此入射到是第二电极层130的最下层的第一层131a的光的量减少。
换言之，因为入射到第一层131a的光的量减少，所以变为表面等离子体状态并且作为热能消失的光的量能够减少光变为热能的程度。这导致第二电极层130的反射率的增加。
此外，低折射率层140改变光的入射角，并且因此能够允许由于折射和扩散使得增强光提取效率。
通过试验结果能够看到低折射率层140的效果。
图13是示出通过测量根据第一实施例的发光器件100的第二电极层130的反射率和根据第二实施例的发光器件100B的第二电极层130的反射率获得的试验结果的图。
在图13中，X轴表示光提取结构128的晶格常数，并且Y轴表示第二电极层130的反射率。
根据第一实施例的发光器件100包括由Al形成的第二电极层的第一层直接地接触由GaN形成的发光结构的结构。根据第二实施例的发光器件100B包括低折射率层140形成在由GaN形成的发光结构120和由Al形成的第二电极层130的第一层131a之间的结构。
参考图12，示出形成低折射率层140的情况的反射率高于没有形成低折射率层140的情况的反射率。
低折射率层140可以选择性地由导电材料和绝缘材料中的一个形成。
具有导电材料的低折射率层140可以由导电氧化物、导电氮化物或者导电硫化物形成，特别地，由ITO、ZnO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx以及RuOx中的一个形成。
例如，具有绝缘材料的低折射率层140可以由从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3以及TiO2组成的组中选择的至少一个形成。
当低折射率层140由绝缘材料形成时，如图12中所示，低折射率层140的面积可以小于第二电极130的底部的面积使得第二电极层130的至少一部分电连接到发光结构120。
可以以电子束沉积、溅射、或者PECVD形成低折射率层140，但是不限于此。
如上所述，根据实施例的发光器件增强了形成在半导体层上的电极的反射率，从而增强发光效率。
图14是根据实施例的包括发光器件100的发光器件封装的截面图。
参考图14，根据实施例的发光器件封装包括：主体20；设置在主体20上的第一和第二导电层31和32；设置在主体20上并且电连接至第一和第二导电层31和32的发光器件100；以及围绕发光器件100的成型构件40。
主体20可以形成为包括硅材料、塑料材料、或者金属材料。倾斜平面可以形成在发光器件100周围。
第一和第二导电层31和32相互电气地断开，并且向发光器件100提供电力。而且，第一和第二导电层31和32反射通过发光器件100产生光，从而增加光效率。第一和第二导电层31和32可以将通过发光器件100产生的热散发到外部。
发光器件100可以设置在主体20、第一导电层31、或者第二导电层32上。
布线方案示出为发光器件100通过布线电连接到第一和第二导电层31和32。例如，可以以倒装芯片方案或者贴片方案将发光器件100可以电连接到第一和第二导电层31和32。
成型构件40可以围绕发光器件100，从而保护发光器件100。而且，荧光材料可以被包含在成型构件40中，并且改变从发光器件100发射的光的波长。
至少一个透镜可以形成在成型构件40或者主体20上，并且包括凸透镜、凹透镜、或者具有凹凸形状的透镜。
多个根据实施例的发光器件封装被排列在基板上。是光学构件的导光面板、棱镜片、扩散片、以及荧光片可以设置在从发光器件封装发射的光的路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以用作背光单元或者发光单元。例如，发光系统可以包括背光单元、发光单元、指示装置、灯、以及街灯。
图15是示出根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。图15的背光单元1100是发光系统的示例，并且不限于此。
参考图15，背光单元1100包括底框1140、被布置在底框1140中的导光构件1120、以及被布置在导光构件1120的底部或者导光构件1120的至少一侧的发光模块1110。而且，反射片1130可以被布置在导光构件1120的下面。
底框1140的顶部可以形成为开口的盒形状，从而底框1140容纳导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130，并且底框1140可以由金属材料或者树脂材料形成。然而，底框1140不限于此。
发光模块1110可以包括：基板700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。发光器件封装600可以将光提供给导光构件1120。在根据实施例的发光模块1110中，发光器件封装600被布置在基板700处，但是可以直接布置根据实施例的发光器件200。
如图15中所示，发光模块1110可以布置在底框1140的至少一个内侧中，并且因此将光提供到导光构件1120的至少一侧。
发光模块1110可以被布置在底框1140下面，并且将光提供到导光构件1120的底部。然而，发光模块1110不限于此，并且可以根据背光单元1100的设计进行各种修改。
导光构件1120可以布置在底框1140内部。导光构件1120可以将通过发光模块1110提供的光转换为平面光源，并且将平面光源导向显示面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光面板。例如，导光面板可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、COC树脂、或者聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
光学片1150可以被布置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括漫射片、光引导片、亮度增强片、以及荧光片。例如，通过堆叠漫射片、光引导片、亮度增强片、以及荧光片可以形成光学片1150。在这样的情况下，光学片1150可以保形地漫射从发光模块1110发射的光，并且通过光引导片可以将漫射光引导到显示面板(未示出)。在此，从光引导片发射的光是任意偏振的光，并且亮度增强片可以增加从光引导片发射的光的偏振的程度。例如，光引导片可以是竖直和/或水平棱镜片。例如，亮度增强片可以是双亮度增强膜。而且，荧光片可以是包括荧光材料的光透射板或膜。
反射片1130可以被布置在导光构件1120的下方。反射片1130可以将通过导光构件1120的底部发射的光反射到导光构件1120的光输出表面。
例如，反射片1130可以由例如PET、PC、或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料形成，但是不限于此。
图16是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的发光单元的透视图。图16的发光单元1200是发光系统的示例，但是不限于此。
参考图16，发光单元1200可以包括：壳体1210、被布置在壳体1210处的发光模块1230、以及被布置在壳体1210处并且接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有优异的散热特性的材料形成，例如，可以由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。在根据实施例的发光模块1110中，至少一个发光器件封装600被布置在基板700处，但是可以直接地布置根据实施例的发光器件200。
通过在绝缘材料上印刷电路图案可以形成基板700，例如，基板700可以包括，印刷电路板(PCB)、金属核PCB、柔性PCB、以及陶瓷PCB。
基板700可以由有效地反射光的材料形成，或者其表面形成有有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装600可以被安装在基板700上。至少一个发光器件封装600可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括发射诸如红色、绿色、蓝色或者白色的彩色光的彩色LED和发射UV的紫外(UV)LED。
为了获得色感和亮度，发光模块1230可以被布置为具有各种LED的组合。为了确保高显色指数(CRI)，例如，通过组合白色LED、红色LED、以及绿色LED可以布置发光模块1230。而且，荧光片可以被进一步布置在从发光模块1230发射的光的行进路径上，并且改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄色荧光材料，并且从发光模块1230发射的光经过荧光片以最终显示为白色光。
连接端子1220可以电连接至发光模块1230并且提供电力。如图16中所示，连接端子1220通过旋转被插入并且然后耦接到插座方案的外部电源，但是不限于此。例如，连接端子1220可以形成为插头形状并且被插入到外部电源，或者通过布线连接到外部电源。
在上述发光系统中，导光构件、漫射片、光引导片、亮度增强片以及荧光片中的至少一个可以被布置在从发光模块发射的光的行进路径上，并且能够获得想要的光学效果。
如上所述，发光系统包括根据实施例的具有优异的发光效率的发光器件或者发光器件封装，从而具有优异的发光效率。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到的多个其它修改和实施例也将落入本公开的原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (10)

1.一种发光器件，包括：
第一电极层；
发光结构，所述发光结构形成在所述第一电极层上以发射具有430nm至470nm的主峰波长区域的蓝色系列光；
第二电极层，所述第二电极层设置在光提取结构上，包含第一层，并且包括用于引线键合的电极焊盘和用于电流扩展的分支，
其中所述发光结构包括第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层以及在所述有源层上的第一导电半导体层，所述第一导电半导体层的顶表面具有第一凹部和第一凸部以形成光提取结构；以及
低折射率层，所述低折射率层在所述第一导电半导体层和所述第一层之间，所述低折射率层具有低于所述第一导电半导体层的折射率的折射率，
其中，所述电极焊盘和所述分支中的每一个包括：
第一层，所述第一层包含具有不同于所述蓝色系列光的波长的等离子体频率的Al，
在所述第一层上的第三层，所述第三层由具有粘附性的金属材料形成；以及
在所述第一层和所述第三层之间的第二层，所述第二层由防止层间扩散的金属材料形成，
其中所述低折射率层由绝缘材料形成，所述低折射率层具有与所述光提取结构的第一凹部和第一凸部相对应的第二凹部和第二凸部，
其中所述第一层的第一部分接触并且电连接到所述第一导电半导体层的顶表面，并且所述第一层的第二部分接触所述低折射率层的顶表面，
其中所述第二电极层的第一层具有与所述光提取结构的第一凹部和第一凸部相对应的第三凹部和第三凸部，并且
其中具有周期图案的光提取结构在所述第一层和所述第一导电半导体层之间的界面处形成在所述第一导电半导体层上。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构形成为具有任意的表面粗糙或者周期图案。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构具有200nm至3000nm的周期。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层为n型半导体层，并且所述第二导电半导体层为p型半导体层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一电极层包括：
导电支撑构件；
在所述导电支撑构件上的反射层；以及
在所述反射层上的欧姆层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一层形成为与所述光提取结构的形状相对应。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述低折射率层由光透射材料形成。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述低折射率层由从由SixOy、SixNy、SiOxNy、Al2O3以及TiO2组成的组中选择的至少一个形成。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述第三层具有是以具有不同的材料的多个层形成的多层结构。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二层具有是以具有不同的材料的多个层形成的多层结构。
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