TWI618946B - 螢光劑裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI618946B
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張克蘇
Yen-I Chou
周彥伊
Chi Chen
陳琪
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Abstract

本案係關於一種螢光劑裝置，適用於發出第一波段光之光源系統，螢光劑裝置包括基板及第一螢光層。第一螢光層包括第一螢光劑及第二螢光劑。第一螢光劑形成於基板以轉換第一波段光為第二波段光，其中第二波段光包括第一色光及第二色光。第二螢光劑分佈於第一螢光劑之間以轉換第一波段光為第二色光，俾增加第二色光之出光強度。藉此，該第二色光之出光強度係有效地被增加。

Description

螢光劑裝置及其製造方法
本案係關於一種螢光劑裝置，尤指一種螢光劑裝置及其製造方法。
近年來，各式各樣的投影設備，例如投影機(Projector)已被廣泛地應用於家庭、學校或者各種商務場合中，以用於將一影像訊號源所提供之影像訊號放大顯示於屏幕。為節省電力消耗以及縮小裝置體積，目前的投影設備之光源系統(Illumination System)已使用固態發光元件，例如發光二極體或雷射元件，來取代傳統的高密度氣體放電燈(HID Lamp)或高壓汞燈。
一般而言，投影機之光源系統可發出三原色光，即紅光(R)、綠光(G)、藍光(B)等三原色光。在三原色固態發光元件，即紅光固態發光元件、綠光固態發光元件及藍光固態發光元件之間，以藍光固態發光元件之發光效率最佳。由於紅光固態發光元件及綠光固態發光元件之發光效率較差，故紅光及綠光可使用藍光固態發光元件配合波長轉換裝置(例如螢光劑色輪)產生。也就是說，利用藍光固態發光元件配合螢光劑色輪可以直接發出紅光或綠光，以取代紅光固態發光元件或綠光固態發光元件。因此，光源系統整體之發光效率提高，且該光源系統的製造成本降低。
然而，使用固態發光元件發出一激發光以及使用螢光劑色輪轉換該激發光仍具有不少缺點。當使用固態發光元件配合塗佈有螢光劑的螢光劑色輪發出一受激光並經分色而投影時，某一色光之出光強度或者色彩飽和度皆可能有不足的問題。
因此，如何發展一種可改善上述習知技術缺失之螢光劑裝置及其製造方法，實為目前尚待解決之問題。
本案之主要目的為提供一種螢光劑裝置及其製造方法，俾解決前述習知技術的至少一個缺點。
本案之另一目的為提供一種螢光劑裝置及其製造方法，其螢光層包括第一螢光劑及第二螢光劑，藉由該第二螢光劑的轉換，可增加經該第一螢光劑轉換後之第二波段光中包括的某一色光的出光強度。
本案之另一目的為提供一種螢光劑裝置及其製造方法，由於包括第一螢光劑及第二螢光劑的第二螢光層於光路徑上係形成於僅包括第一螢光劑的第一螢光層之後，第一波段光的大部分能量皆被第一螢光層的第一螢光劑所降低，使得該第二螢光劑的轉換效率能夠被增加。
為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括一基板以及一第一螢光層。該第一螢光層包括一第一螢光劑及一第二螢光劑，第一螢光劑形成於該基板，以轉換該第一波段光為一第二波段光。該第二波段光包括一第一色光及一第二色 光。該第二螢光劑分佈於該第一螢光劑之間，以轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該第二色光之出光強度。
為達上述目的，本案之另一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統沿一光路徑發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括一基板、一第一螢光層及一第二螢光層。該基板設置於該光路徑。該第一螢光層形成於該基板之一側。該第二螢光層於該光路徑上形成於該第一螢光層之後。該第一螢光層包括一第一螢光劑及x重量百分比之第二螢光劑，且該第二螢光層包括該第一螢光劑及y重量百分比之該第二螢光劑，其中y大於x。該第一螢光劑係將該第一波段光轉換為一第二波段光。該第二波段光包括一第一色光及一第二色光。該第二螢光劑係將該第一波段光轉換為該第二色光，俾增加該第二色光之出光強度。
為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光至該螢光劑裝置，以使該第一波段光受該螢光劑裝置轉換為一第二波段光，該螢光劑裝置包括一基板以及一第一螢光層。該第一螢光層形成於該基板且包括一第一成份及一第二成份。該第一成份將該第一波段光轉換為一第一色光及一第二色光。該第二成份分佈於該第一成份之間，以轉換該第一波段光為一第三色光。該第二色光之光譜範圍與該第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且該第一色光、該第二色光及該第三色光係整合為該第二波段光。
為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統沿一光路徑發出一第一波段光至該螢光劑裝置，以使該第一波段光受該螢光劑裝置轉換為一第二 波段光，該螢光劑裝置包括：一基板、一第一螢光層及一第二螢光層。該第一螢光層形成於該基板且包括一第一成份及一第二成份。該第一成份將該第一波段光轉換為一第一色光及一第二色光。該第二成份分佈於該第一螢光層之該第一成份之間，以轉換該第一波段光為一第三色光。該第二螢光層包括該第一成份及該第二成份。該第一成份將該第一波段光轉換為該第一色光及該第二色光；以及該第二成份，分佈於該第二螢光層之該第一成份之間，以轉換該第一波段光為該第三色光；其中，每一該第一螢光層及該第二螢光層之厚度係大於或等於10微米並小於或等於500微米。該第一波段光係沿該光路徑依序穿透該第二螢光層並進入該第一螢光層。該第二色光之光譜範圍與該第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且該第一色光、該第二色光及該第三色光係整合為該第二波段光。
為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置之製造方法，包括步驟：提供一基板；形成一第一螢光層於該基板，其中該第一螢光層包括一第一螢光劑及一第二螢光劑，該第一螢光劑係轉換一第一波段光為一第二波段光，該第二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二螢光劑係轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該螢光劑裝置輸出之該第二色光之出光強度。
為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置之製造方法，包括步驟：提供一反射式基板；形成一第一螢光層於該反射式基板，其中該第一螢光層包括一第一螢光劑及一第二螢光劑，該第一螢光劑係轉換一第一波段光為一第二波段光，該第 二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二螢光劑係轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該螢光劑裝置輸出之該第二色光之出光強度；以及形成一第二螢光層於該第一螢光層上，其中該第二螢光層包括該第一螢光劑，以轉換該第一波段光為該第二波段光並降低該第一波段光之能量。
為達上述目的，本案之一較佳實施態樣為提供一種螢光劑裝置之製造方法，包括步驟：提供一穿透式基板；形成一第二螢光層於該穿透式基板，其中該第二螢光層包括一第一螢光劑，以轉換一第一波段光為一第二波段光並降低該第一波段光之能量；以及形成一第一螢光層於該第二螢光層上，其中該第一螢光層包括該第一螢光劑及一第二螢光劑，該第一螢光劑係轉換該第一波段光為該第二波段光，該第二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二螢光劑係轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該螢光劑裝置輸出之該第二色光之出光強度。
1‧‧‧螢光劑裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一螢光層
12‧‧‧第二螢光層
13‧‧‧反射層
2‧‧‧光源系統
3‧‧‧螢光劑裝置
30‧‧‧基板
31‧‧‧第一螢光層
32‧‧‧第二螢光層
33‧‧‧反射層
4‧‧‧光源系統
C1‧‧‧第一色光
C2‧‧‧第二色光
L1‧‧‧第一波段光
L2‧‧‧第二波段光
P‧‧‧光路徑
R‧‧‧第二螢光劑
Y‧‧‧第一螢光劑
第1A圖係顯示本案一實施例之包括一反射式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。
第1B圖係顯示第1A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。
第2A圖係顯示本案一實施例之包括一穿透式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。
第2B圖係顯示第2A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。
第3圖係顯示本案一實施例之包括一反射式基板之一螢光劑裝置之結構示意圖。
第4圖係顯示本案一實施例之包括一穿透式基板之一螢光劑裝置 之結構示意圖。
第5圖係顯示本案包括黃色螢光劑及紅色螢光劑之一螢光劑裝置，習知技術採用黃色螢光劑之一螢光劑裝置，以及習知技術採用紅色螢光劑之一螢光劑裝置之可見光之強度-波長圖。
第6A圖係顯示本案一實施例之包括一反射式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。
第6B圖係顯示第6A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。
第7A圖係顯示本案一實施例之包括一穿透式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。
第7B圖係顯示第7A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。
體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖示在本質上係當作說明之用，而非架構於限制本案。
第1A圖係顯示本案一實施例之包括一反射式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。第1B圖係顯示第1A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。如第1A圖及第1B圖所示，本案之螢光劑裝置1適用於一光源系統2，其中光源系統2發出一第一波段光L1。螢光劑裝置1包括基板10及第一螢光層11。第一螢光層11包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R。第一螢光劑Y係形成於基板10，以轉換第一波段光L1為第二波段光L2。第二波段光L2係可被光學裝置分色或分光以用於投影，且包括第一色光C1及第二色光C2。第二螢光劑R係分佈於第一螢光劑Y之間，以轉換第一 波段光L1為第二色光C2，俾增加該第二色光C2之出光強度。
應注意的是在螢光劑裝置1的一製造方法中，在基板10被提供之後，包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R之第一螢光層11係被形成於基板10。第二螢光劑係用於轉換第一波段光L1以加強第二色光C2，以使螢光劑裝置1輸出之第二色光C2之出光強度提升。第二螢光劑R可以平均分佈或梯度分佈之方式被添加於第一螢光層11，使得第二螢光劑R分佈於第一螢光劑Y之間。當然，第二螢光劑R可以被用來透過一混合方法與第一螢光劑Y混合為一混合物。可替換地，第二螢光劑R及第一螢光劑Y可被形成為複數個區段。該複數個區段係例如以圓餅狀分佈的方式分佈於第一螢光層11，但不以此為限。每一個區段皆包括第一螢光劑Y或第二螢光劑R，亦或每一個區段皆同時包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R。
在此實施例以及後續的實施例中，第一螢光劑Y係可為例如黃色螢光劑，但不以此為限。同時，第二螢光劑R係可為例如紅色螢光劑，但不以此為限。於某些情況下，第二螢光劑R可為綠色螢光劑。第二螢光劑R的主要精神係在於提升受第一螢光劑Y激發的受激光(第二波段光L2)包括的色光中的至少一個色光的強度並調整其色彩飽和度。進一步言之，元件符號“Y”及“R”於圖式中係被繪製以用於標示第一螢光劑及第二螢光劑，然並非係用以限制第一螢光劑及第二螢光劑的顏色。
第2A圖係顯示本案一實施例之包括一穿透式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。第2B圖係顯示第2A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。如第2A圖及第2B圖所示，本案之螢光劑裝置1適用於一光源系統2，且螢光劑裝置1包括基 板10及第一螢光層11，其中第一螢光層11係與前述實施例之第一螢光層11相同，故於此不再贅述。於此實施例中，基板10為一穿透式基板。
應注意的是本案之螢光劑裝置1係可以另一種方式被考慮或理解。於一實施例中，第一螢光層11係形成於基板10且包括第一成份及第二成份。第一成份可為該第一螢光劑，且第二成份亦同理。此外，該第一成份將第一波段光L1轉換為第一色光C1及第二色光C2。該第二成份分佈於該第一成份之間，以轉換第一波段光L1為第三色光，其中第二色光C2之光譜範圍與第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且第一色光、第二色光及第三色光係整合為第二波段光L2。由於第二色光C2之光譜範圍與第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，故第二色光C2之至少一部份的強度係被提升。
另一方面，當受第二成份轉換之第三色光與受第一成份轉換之第二色光C2相同時，第二色光C2之光譜範圍與第三色光之光譜範圍係完整地重疊，且第一螢光劑1即與上述之實施例相符。換言之，受第二成份轉換之色光的光譜範圍係可被選擇或調整，以符合實際需求，但並不受限於本案的各個實施例。
第3圖係顯示本案一實施例之包括一反射式基板之一螢光劑裝置之結構示意圖。如第1B圖及第3圖所示，螢光劑裝置1更包括第二螢光層12。於一些實施例中，基板10為一反射式基板，且第二螢光層12係設置於第一螢光層11。第二螢光層12包括第一螢光劑Y，以轉換第一波段光L1為第二波段光L2以及降低第一波段光L1之能量。也就是說，當入射光(即第一波段光L1)穿透第二螢光層 12時，入射光的大部分的能量係被用於轉換。舉例而言，輸入至第一螢光層11之第一波段光L1之殘餘能量係少於40瓦特，但不以此為限。
每一第一螢光層11及第二螢光層12之厚度係大於或等於10微米(10μm)，並小於或等於500微米(500μm)。於較佳實施例中，每一第一螢光層11及第二螢光層12之厚度係大於或等於50微米(50μm)，並小於或等於200微米(200μm)。應注意的是第一螢光層11的厚度可與第二螢光層12的厚度相同或不同。此外，第二螢光劑R的重量百分比相對於第一螢光劑Y系小於85%。
在此實施例中，本案之螢光劑裝置1更包括一反射層13。反射層13係形成於基板10及第一螢光層11之間，以反射至少該第二波段光L2。反射層13的實例包括但不限於一全反射層或一分光層。當使用一分光層作為反射層13時，與第二波段光L2具有相同的波長範圍之一色光係可被反射層13反射。當然，第一色光C1及第二色光C2二者皆可被反射層13反射。另當使用一全反射層時，幾乎所有的可見光皆被反射層13反射。
在包括反射式基板之螢光劑裝置1的一製造方法中，在反射式基板被提供之後，包括第一螢光劑Y及第二螢光劑R之第一螢光層11係被形成於反射式基板。第二螢光劑係如上述用於轉換第一波段光L1為第三色光，以使螢光劑裝置1輸出之第二色光C2之出光強度提升。接著，第二螢光層12係被形成於第一螢光層11上。第二螢光層12包括第一螢光劑Y，以轉換第一波段光L1為第二波段光L2以及降低第一波段光L1的能量。除此之外，反射層13係可被預先鍍覆於基板10，或於此製造方法之製程中被形成於基板10。
請參閱第2B圖及第4圖。第4圖係顯示本案一實施例之包括一穿透式基板之一螢光劑裝置之結構示意圖。在此實施例中，螢光劑裝置1更包括一第二螢光層12。基板10為一穿透式基板，且第二螢光層12係設置於第一螢光層11及基板10之間。第二螢光層12包括第一螢光劑Y，以轉換第一波段光L1為第二波段光L2並同時降低第一波段光L1之能量。換言之，當入射光(即第一波段光L1)穿透第二螢光層12時，入射光的大部分的能量係被用於轉換後，方才進入第一螢光層11。舉例而言，輸入至第一螢光層11之第一波段光L1之殘餘能量係少於40瓦特，但不以此為限。
每一第一螢光層11及第二螢光層12之厚度係大於或等於10微米，並小於或等於500微米。於較佳實施例中，每一第一螢光層11及第二螢光層12之厚度係大於或等於50微米，並小於或等於200微米。第二螢光劑R的重量百分比相對於第一螢光劑Y係小於85%。
在一實施例中，本案之螢光劑裝置1更包括一反射層13。反射層13係形成於基板10及第二螢光層12之間，以反射第二波段光L2。反射層13的實例包括但不限於一分光層。當使用一分光層作為反射層13時，與第一波段光L1具有相同的波長範圍的一色光係可穿透反射層13，且與第二波段光L2具有相同的波長範圍之一色光係可被反射層13反射。
在包括穿透式基板之螢光劑裝置1的一製造方法中，在穿透式基板被提供之後，包括第一螢光劑Y之第二螢光層12係被形成於穿透式基板。然後，第一螢光層11係被形成於第二螢光層12上。第一螢光層11包括第一螢光劑Y，以轉換第一波段光L1為第二波段光L2，且第二波段光L2包括第一色光C1及第二色光C2。接著，第 二螢光劑R係被添加於第一螢光層11，以轉換第一波段光L1為第二色光C2，以使螢光劑裝置1輸出之第二色光C2之出光強度提升。除此之外，反射層13係可被預先鍍覆於基板10，或於此製造方法之製程中被形成於基板10。
請參閱第1圖、第3圖及第5圖，其中第5圖係顯示本案包括黃色螢光劑及紅色螢光劑之一螢光劑裝置，習知技術採用黃色螢光劑之一螢光劑裝置，以及習知技術採用紅色螢光劑之一螢光劑裝置之可見光之強度-波長圖。其目的係與習知技術採用黃色螢光劑的螢光劑裝置及習知技術採用紅色螢光劑的螢光劑裝置作比較。第5圖標示出本案第3圖示出的螢光劑裝置1(即「黃色於黃色及紅色之上」之曲線)、習知技術採用黃色螢光劑的螢光劑裝置(即「黃色螢光劑」之曲線)以及習知技術採用紅色螢光劑的螢光劑裝置(即「紅色螢光劑」之曲線)所輸出的紅光強度(在「紅色」區域)。明顯地，本案螢光劑裝置1的紅光強度係大於習知技術之任一者。進一步地，下表一示出比較數據。其中第二螢光劑R相對於第一螢光劑Y的重量百分比為25%。習知技術採用黃色螢光劑的螢光劑裝置的紅光強度係被定為100%，以作為比較的基礎。
第6A圖係顯示本案一實施例之包括一反射式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。第6B圖係顯示第6A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。如第6A圖及第6B圖所示，適用於光源系統4且包括反射式基板之螢光劑裝置3係於此被揭露。光源系統4沿光路徑P發出第一波段光L1。螢光劑裝置3包括基板30、第一螢光層31及第二螢光層32。基板30係設置於光路徑P。第一螢光層31係形成於基板30之一側。第二螢光層32係於光路徑P上形成於第一螢光層31之後。第一螢光層31包括第一螢光劑Y及x重量百分比(即x wt%)之第二螢光劑R。第二螢光層32包括第一螢光劑Y及y重量百分比(即y wt%)之第二螢光劑R，且y係大於x(y>x)。第一螢光劑Y係轉換第一波段光L1為第二波段光L2。第二波段光L2包括第一色光C1及第二色光C2。第二螢光劑R係轉換第一波段光L1為第二色光C2，俾增加第二色光C2之出光強度。
進一步地，x係大於0，且y係小於85。x及y的關係式可整理為0<x<y<85。換言之，第一螢光層31及第二螢光層32各自包括範圍在0至85的特定重量百分比的第二螢光劑R，以用於轉換第一波段光L1為第二色光C2，且第二螢光層32之第二螢光劑R之重量百分濃度係大於第一螢光層31之第二螢光劑R之重量百分濃度。在本實施例中，第一螢光層31主要係被設置來降低第一波段光L1的能 量。
每一第一螢光層31及第二螢光層32之厚度係大於或等於10微米，並小於或等於500微米。於較佳實施例中，每一第一螢光層31及第二螢光層32之厚度係大於或等於50微米，並小於或等於200微米。
第7A圖係顯示本案一實施例之包括一穿透式基板之一螢光劑裝置及包括該螢光劑裝置之一光源系統之示意圖。第7B圖係顯示第7A圖所示之該螢光劑裝置之結構示意圖。如第7A圖及第7B圖所示，適用於光源系統4且包括穿透式基板之螢光劑裝置3係於此被揭露。光源系統4沿光路徑P發出第一波段光L1。螢光劑裝置3包括基板30、第一螢光層31及第二螢光層32。基板30、第一螢光層31及第二螢光層32係與第6A圖及第6B圖所示之實施例相同，故於此不再贅述。此實施例與第6A圖及第6B圖所示之實施例的唯一差異，係在於第6B圖所示之基板30為一反射式基板，而第7B圖所示之基板30為一穿透式基板。
表二為一比較數據。習知技術採用紅色螢光劑的螢光劑裝置的紅光強度係被定為100%，以作為比較的基礎。
綜上所述，本案提供一種螢光劑裝置及其製造方法，其螢光層包括第一螢光劑及第二螢光劑，藉由該第二螢光劑的轉換，可增加經該第一螢光劑轉換後之第二波段光中包括的某一色光的出光強度。同時，由於包括第一螢光劑及第二螢光劑的第二螢光層於光路徑上係形成於僅包括第一螢光劑的第一螢光層之後，第一波段光的大部分能量皆被第一螢光層的第一螢光劑所降低，使得該第二螢光劑的轉換效率能夠被增加。
縱使本發明已由上述之實施例詳細敘述而可由熟悉本技藝之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。
1‧‧‧螢光劑裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一螢光層
C2‧‧‧第二色光
L1‧‧‧第一波段光
L2‧‧‧第二波段光
R‧‧‧第二螢光劑
Y‧‧‧第一螢光劑

Claims (19)

  1. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一第一螢光層，包括：一第一螢光劑，形成於該基板，以轉換該第一波段光為一第二波段光，其中該第二波段光包括一第一色光及一第二色光；以及一第二螢光劑，分佈於該第一螢光劑之間且與該第一螢光劑混合為一混合物，以轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該第二色光之出光強度；以及一第二螢光層，其中該基板為一反射式基板，該第二螢光層係設置於該第一螢光層，且該第二螢光層包括該第一螢光劑，以轉換該第一波段光為該第二波段光以及降低該第一波段光之能量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中自該第二螢光層輸入至該第一螢光層之該第一波段光之殘餘能量係少於40瓦特。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中每一該第一螢光層及該第二螢光層之厚度係大於或等於50微米，並小於或等於200微米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，其中該第二螢光劑之重量百分比相較於該第一螢光劑係小於85%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之螢光劑裝置，更包括一反射層，其中該反射層係設置於該基板及該第一螢光層之間，以反射該第二波段光。
  6. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一第一螢光層，包括：一第一螢光劑，形成於該基板，以轉換該第一波段光為一第二波段光，其中該第二波段光包括一第一色光及一第二色光；以及一第二螢光劑，分佈於該第一螢光劑之間且與該第一螢光劑混合為一混合物，以轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該第二色光之出光強度；以及一第二螢光層，其中該基板為一穿透式基板，該第二螢光層係設置於該第一螢光層及該穿透式基板之間，且該第二螢光層包括該第一螢光劑，以轉換該第一波段光為該第二波段光以及降低該第一波段光之能量。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之螢光劑裝置，其中輸入至該第一螢光層之該第一波段光之殘餘能量係少於40瓦特。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之螢光劑裝置，其中每一該第一螢光層及該第二螢光層之厚度係大於或等於50微米，並小於或等於200微米。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之螢光劑裝置，該第二螢光劑之重量百分比相較於該第一螢光劑係小於85%。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之螢光劑裝置，更包括一反射層，其 中該反射層係設置於該基板及該第二螢光層之間，以反射該第二波段光。
  11. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統沿一光路徑發出一第一波段光，該螢光劑裝置包括：一基板，設置於該光路徑；以及一第一螢光層，形成於該基板之一側；以及一第二螢光層，於該光路徑上形成於該第一螢光層之後；其中該第一螢光層包括一第一螢光劑及x重量百分比之第二螢光劑，且該第二螢光層包括該第一螢光劑及y重量百分比之該第二螢光劑，其中y大於x，該第一螢光劑係將該第一波段光轉換為一第二波段光，該第二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二螢光劑係將該第一波段光轉換為該第二色光，俾增加該第二色光之出光強度。
  12. 如申請專利範圍第12項所述之螢光劑裝置，其中x大於0，且y小於85。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之螢光劑裝置，其中每一該第一螢光層及該第二螢光層之厚度係大於或等於10微米，並小於或等於500微米。
  14. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光至該螢光劑裝置，以使該第一波段光受該螢光劑裝置轉換為一第二波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一第一螢光層，形成於該基板且包括：一第一成份，其中該第一成份將該第一波段光轉換為一第一色光及一第二色光；以及 一第二成份，分佈於該第一成份之間且與該第一成份混合為一混合物，以轉換該第一波段光為一第三色光，其中該第二色光之光譜範圍與該第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且該第一色光、該第二色光及該第三色光係整合為該第二波段光；以及一第二螢光層，其中該第二螢光層包括該第一成份，以同時地轉換該第一波段光為該第一色光及第二色光並降低該第一波段光之能量，且該第一波段光係沿一光路徑依序穿透該第二螢光層並進入該第一螢光層。
  15. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統發出一第一波段光至該螢光劑裝置，以使該第一波段光受該螢光劑裝置轉換為一第二波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一第一螢光層，形成於該基板且包括：一第一成份，其中該第一成份將該第一波段光轉換為一第一色光及一第二色光；以及一第二成份，分佈於該第一成份之間且與該第一成份混合為一混合物，以轉換該第一波段光為一第三色光，其中該第二色光之光譜範圍與該第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且該第一色光、該第二色光及該第三色光係整合為該第二波段光；以及一第二螢光層，其中該第二螢光層包括該第一成份及該第二成份，且該第一波段光係沿一光路徑依序穿透該第二螢光層並進入該第一螢光層，其中該第一螢光層中第二成份與第一成份的比值為y，該第二螢光層中第二成份與第一成份的比值為x，y大於x ，且x等於或大於0。
  16. 一種螢光劑裝置，適用於一光源系統，該光源系統沿一光路徑發出一第一波段光至該螢光劑裝置，以使該第一波段光受該螢光劑裝置轉換為一第二波段光，該螢光劑裝置包括：一基板；一第一螢光層，形成於該基板且包括：一第一成份，其中該第一成份將該第一波段光轉換為一第一色光及一第二色光；以及一第二成份，分佈於該第一螢光層之該第一成份之間，以轉換該第一波段光為一第三色光；以及一第二螢光層，包括：該第一成份，其中該第一成份將該第一波段光轉換為該第一色光及該第二色光；以及該第二成份，分佈於該第二螢光層之該第一成份之間，以轉換該第一波段光為該第三色光；其中，每一該第一螢光層及該第二螢光層之厚度係大於或等於10微米並小於或等於500微米，該第一波段光係沿該光路徑依序穿透該第二螢光層並進入該第一螢光層，該第二色光之光譜範圍與該第三色光之光譜範圍係至少部分地重疊，且該第一色光、該第二色光及該第三色光係整合為該第二波段光。
  17. 如申請專利範圍第18項所述之螢光劑裝置，其中該第一螢光層中第二成份與第一成份的比值為y，該第二螢光層中第二成份與第一成份的比值為x，y大於x，且x等於或大於0。
  18. 一種螢光劑裝置之製造方法，包括步驟：提供一反射式基板； 形成一第一螢光層於該反射式基板，其中該第一螢光層包括一第一螢光劑及一第二螢光劑，該第一螢光劑係轉換一第一波段光為一第二波段光，該第二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二螢光劑係轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該螢光劑裝置輸出之該第二色光之出光強度；以及形成一第二螢光層於該第一螢光層上，其中該第二螢光層包括該第一螢光劑，以轉換該第一波段光為該第二波段光並降低該第一波段光之能量。
  19. 一種螢光劑裝置之製造方法，包括步驟：提供一穿透式基板；形成一第二螢光層於該穿透式基板，其中該第二螢光層包括一第一螢光劑，以轉換一第一波段光為一第二波段光並降低該第一波段光之能量；以及形成一第一螢光層於該第二螢光層上，其中該第一螢光層包括該第一螢光劑及一第二螢光劑，該第一螢光劑係轉換該第一波段光為該第二波段光，該第二波段光包括一第一色光及一第二色光，且該第二螢光劑係轉換該第一波段光為該第二色光，俾增加該螢光劑裝置輸出之該第二色光之出光強度。
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