JP2003152225A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

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JP2003152225A JP2001340832A JP2001340832A JP2003152225A JP 2003152225 A JP2003152225 A JP 2003152225A JP 2001340832 A JP2001340832 A JP 2001340832A JP 2001340832 A JP2001340832 A JP 2001340832A JP 2003152225 A JP2003152225 A JP 2003152225A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来に比べて放熱性を向上でき且つ発光ダイオ
ードチップからの光を効率良く外部へ取り出すことがで
きる発光装置を提供する。 【解決手段】アルミニウムよりなる金属板１１に前方へ
突出する突出部１１ａを設け、突出部１１ａの前面に収
納凹所１１ｂを形成してある。収納凹所１１ｂの底面に
発光ダイオードチップ１が搭載されており、ＬＥＤチッ
プ１が金属板１１に熱的に結合されている。金属板１１
の前面にはガラスエポキシ基板よりなるプリント回路基
板１２が接合されている。プリント回路基板１２には、
突出部１１ａが挿入される挿入孔１３が貫設されてい
る。プリント回路基板１２が絶縁基材を構成している。
ＬＥＤチップ１とボンディングワイヤＷとは透明な封止
樹脂からなる樹脂封止部５０によって封止されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードチ
ップを用いた発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発光ダイオードチップを用い
た発光装置として図１８（ａ）に示す構成のものが提案
されている。図１８（ａ）に示す構成の発光装置は、ア
ルミニウムなどの高熱伝導性を有する金属材料よりなる
金属板２１の一表面上に例えばガラスエポキシなどの絶
縁樹脂よりなる絶縁層２２が形成され、絶縁層２２上に
銅箔よりなる配線部（配線パターン）２３が形成された
金属基板２０に発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチ
ップと称す）１を実装してある。ここにおいて、絶縁層
２２の厚さは１００μｍ程度である。また、ＬＥＤチッ
プ１は、ボンディングワイヤＷを介して配線部２３と電
気的に接続されている。なお、ＬＥＤチップ１として
は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光
部を形成したものが用いられている。
【０００３】また、上述の発光装置では、金属基板２０
においてＬＥＤチップ１を実装した部分の周囲に円形に
開口した枠状の枠部材３０を接着材よりなる接着層４０
（図１８（ｂ）参照）を介して接着して、枠部材３０の
内側にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透明な封止
樹脂を流し込んでＬＥＤチップ１を封止してある。ま
た、枠部材３０は、金属基板２０に近づくほど内径が小
さくなる断面逆台形状に開口されているが、図１８
（ｂ）に示すように、金属基板２０の近傍では金属基板
２０に近づくほど内径が大きくなっている。
【０００４】ここにおいて、ＬＥＤチップ１からの光は
枠部材３０の内側に充填された封止樹脂よりなる樹脂封
止部５０を通して前面側（図１８（ａ）における上面
側）へ取り出される。
【０００５】ところで、図１８（ａ）に示す構成の発光
装置では、ＬＥＤチップ１が熱伝導性の高い金属基板２
０上に直接実装されているので、表面実装型ＬＥＤを基
板上に実装した場合に比べて、ＬＥＤチップ１で発生し
た熱を容易に外部へと逃がすことができるから、放熱性
が高く、ＬＥＤチップ１の温度上昇による発光効率の低
下、ＬＥＤチップ１の寿命低下、封止樹脂部５０の劣化
などを抑制できるという利点を有している。また、枠部
材３０としては、白色系の樹脂が用いられており、ＬＥ
Ｄチップ１の光が枠部材３０の内周面３１で反射されて
外部へ取り出されるので、枠部材３０がＬＥＤチップ１
の光を反射させる反射部材としての機能を有し、ＬＥＤ
チップ１からの光を効率よく前面側に取り出すことがで
きるという利点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の発光装置では、ＬＥＤチップ１が金属板２１上に直
接実装されているのではなく、金属板２１よりも熱伝導
率が低く１００μｍ程度の厚さを有する絶縁層２２上に
実装されているので、金属板２１上に直接実装する場合
に比べて放熱性が低下してしまうという不具合があっ
た。
【０００７】また、上記従来の発光装置では、枠部材３
０と金属基板２０との間に接着層４０が介在しており、
ＬＥＤチップ１の厚さが８０μｍ程度であるのに対し
て、配線部２３の厚さ（つまり、銅箔の厚さ）と、接着
層４０の厚さと、枠部材３０において金属基板２０に近
い側で金属基板２０に近づくほど内径が大きくなってい
る部分の厚さとを加算した厚さＨ（図１８（ｂ）参照）
の方が大きくなっており（厚さＨは３００μｍ程度であ
る）、枠部材３０が反射部材としての機能を有するのは
ＬＥＤチップ１よりも高い位置に存在している部分だけ
である。したがって、ＬＥＤチップ１がサファイア基板
などの透明基板を用いている場合、ＬＥＤチップ１の発
光部からの光が横方向へも放射されるので、ＬＥＤチッ
プ１から横方向へ放射された光を外部へ効率良く取り出
すことができないという不具合があった。
【０００８】ところで、放熱性を向上させるためにＬＥ
Ｄチップ１を実装する部分の絶縁層２２を除去して金属
板２１上にＬＥＤチップ１を実装することも考えられる
が、この場合、絶縁層２２の厚さを上記Ｈに加算した厚
み分が反射部材として機能しない部分（無効部）となる
ので、ＬＥＤチップ１から横方向へ放射された光を外部
へ取り出す効率がさらに低下してしまうことになる。
【０００９】また、上記従来の発光装置では、外部への
光の取り出し効率を高めるために枠部材３０の材料とし
て白色系の樹脂を用いているが、ＬＥＤチップ１の実装
工程における加熱時に白色系の樹脂が酸化して着色さ
れ、反射性能が低下してしまうことがあった。しかも、
ＬＥＤチップ１として青色ＬＥＤチップを用いた場合、
ＬＥＤチップ１から放射される青色の光によって枠部材
３０の樹脂が劣化して着色され、反射性能が低下してし
まうことがあった。
【００１０】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、従来に比べて放熱性を向上でき且つ
発光ダイオードチップからの光を効率良く外部へ取り出
すことができる発光装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、前方に突出した突出部が設けら
れ且つ突出部の前面に収納凹所が形成された金属板と、
収納凹所の底部に配置されて金属板に熱的に結合した発
光ダイオードチップと、突出部が挿入される挿入孔が形
成され金属板に重ねた形で金属板に接合された絶縁基材
と、透光性を有し発光ダイオードチップを封止した封止
樹脂とを備えてなることを特徴とするものであり、発光
ダイオードチップが収納凹所の底部に配置されて金属板
に熱的に結合されているので（つまり、発光ダイオード
チップが金属板に直接実装されているので）、従来のよ
うに絶縁層を介して実装したものに比べて放熱性が向上
し、発光ダイオードチップの温度上昇による発光効率の
低下、寿命低下、封止樹脂の低下などを抑制でき、ま
た、発光ダイオードチップから放射された光が収納凹所
の内周面で反射されて収納凹所の外へ向かって取り出さ
れるので、発光ダイオードチップの光を効率良く取り出
すことができ、また、発光ダイオードチップの実装工程
における加熱時に反射性能が劣化したり発光ダイオード
チップの光が照射されることによる反射性能が劣化した
りするのを抑えることができる。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記絶縁基材は、前記封止樹脂の少なくとも一部が
充填される樹脂充填部が設けられているので、前記封止
樹脂としてエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などのモール
ド用の樹脂を用いて容易に封止することができる。
【００１３】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、前記絶縁基材の前面側に重ねた形で接合され前記挿
入孔の周部を全周にわたって囲む枠状の枠部材を備え、
前記封止樹脂が前記樹脂充填部および枠部材の内側に充
填されているので、前記封止樹脂を充填するスペースを
容易に且つ安価に形成することができる。
【００１４】請求項４の発明は、請求項２の発明におい
て、前記絶縁基材は、前記発光ダイオードチップに電気
的に接続される配線部が前記樹脂充填部の内周面へ延長
された立体回路成形品からなるので、前記封止樹脂を充
填する部材を前記絶縁基材と別途に形成する必要がなく
て組立が容易になるとともにり、発光ダイオードチップ
と配線部との電気的接続も容易になる。
【００１５】請求項５の発明は、請求項１の発明におい
て、前記金属板が前記発光ダイオードチップに電気的に
接続される配線部の一部を兼ねているので、厚み方向の
両面にそれぞれ電極を有する発光ダイオードチップを前
記収納凹所の底面に実装することができる。
【００１６】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、前記収納凹所の内面に前記金属板よりも反射率の高
い金属材料からなる反射膜が形成されているので、前記
金属板の材料の選択肢を増やすことができ、例えば前記
金属板の材料として前記絶縁基材との接着性のより高い
材料やより熱伝導率の高い材料を選択することができ
る。
【００１７】請求項７の発明は、請求項３の発明におい
て、前記枠部材の内周面に前記枠部材よりも反射率の高
い金属材料からなる反射膜が形成されているので、前記
発光ダイオードチップから出射された光の外部への取り
出し効率を向上させることができる。
【００１８】請求項８の発明は、請求項３の発明におい
て、前記枠部材とともに前記絶縁基材の前面側に重ねた
形で接合され且つ前面側に配線部が設けられた回路部品
実装基材を備え、回路部品実装基材の厚みは、前記枠部
材が回路部品実装基材よりも前方へ突出しない厚さであ
るので、リフロー工程により表面実装型の回路部品を回
路部品実装基材の前面側へ容易に実装することができ
る。
【００１９】請求項９の発明は、請求項３の発明におい
て、前記枠部材の内側において前記絶縁基材の前面側に
前記絶縁基材よりも反射率の高い反射部材を設けてある
ので、前記発光ダイオードチップから出射された光の外
部への取り出し効率をさらに向上させることができる。
【００２０】請求項１０の発明は、請求項１の発明にお
いて、前記収納凹所の内周面が回転放物面の一部からな
るので、発光ダイオードチップの側面側や後面側へ出射
された光を前面側へ効率良く反射させることができ、発
光ダイオードチップから出射された光の外部への取り出
し効率をさらに向上させることができる。
【００２１】請求項１１の発明は、請求項１の発明にお
いて、前記絶縁基材は、前記金属板と重ならない領域が
設けられ、当該領域の後面側に回路部品が実装されてい
るので、回路部品がリード実装型の回路部品であっても
前記金属板を介して短絡する危険を冒すことなく実装す
ることができ、また、発光ダイオードチップから出射し
た光が回路部品によって吸収されたり反射されたりする
ことがなく、発光ダイオードチップから出射された光の
外部への取り出し効率をさらに向上させることができ
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施形態の発光
装置は、図１に示すように、アルミニウムよりなる金属
板１１に前方（図１における上方）へ突出する円柱状の
複数の突出部１１ａを設け、各突出部１１ａの前面にそ
れぞれ発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチップと称
す）１を収納する収納凹所１１ｂを形成してある。すな
わち、金属板１１は、前方に突出した複数の突出部１１
ａが設けられ且つ各突出部１１ａの前面に収納凹所１１
ｂが形成されている。ここにおいて、収納凹所１１ｂ
は、底面にＬＥＤチップ１を直接実装できるように底面
の面積（サイズ）を設定してあり、深さ方向の寸法をＬ
ＥＤチップ１の厚みよりも大きな寸法に設定してある。
【００２３】金属板１１は、収納凹所１１ｂの底面（底
部）に発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチップと称
す）１が搭載（配置）されており、ＬＥＤチップ１が金
属板１１に熱的に結合されている。収納凹所１１ｂは、
円形状に開口されており、前面に近づくほど内径が徐々
に大きくなるように形成されている。つまり、収納凹所
１１ｂは開口側が広くなるように内周面が傾斜してい
る。したがって、ＬＥＤチップ１から横方向へ出射した
光は収納凹所１１ｂの内周面で反射され収納凹所１１ｂ
の外へ取り出される。
【００２４】金属板１１の前面には、ガラスエポキシ基
板よりなるプリント回路基板１２を重ねた形でプリント
回路基板１２が接合されている。ここにおいて、プリン
ト回路基板１２は銅箔よりなる配線部（配線パターン）
１２ａが設けられた面と反対側の面が金属板１１と接着
されている。プリント回路基板１２には、金属板１１か
ら突出した突出部１１ａがそれぞれ挿入される複数の挿
入孔１３が厚み方向に貫設されている。ここにおいて、
金属板１１の前面からの突出部１１ａの突出高さ（突出
量）とプリント回路基板１２の厚さとは略同じに値にな
るように設定されている。
【００２５】プリント回路基板１２の前面に設けられた
配線部１２ａは挿入孔１３の近傍まで延長されており、
金属細線（例えば、金細線）よりなるボンディングワイ
ヤＷを介してＬＥＤチップ１と電気的に接続されてい
る。上述のように、ＬＥＤチップ１を搭載する収納凹所
１１ｂの底面が金属板１１におけるプリント回路基板１
２との接合面よりも前方に突出していることによって、
ＬＥＤチップ１表面のパッド（図示せず）と配線部１２
ａの高さをほぼ同じとすることができ、ボンディングワ
イヤＷによるＬＥＤチップ１と配線部１２ａとの電気的
接続を容易に行うことができる。なお、本実施形態で
は、プリント回路基板１２が絶縁基材を構成している。
【００２６】ＬＥＤチップ１としては、サファイア基板
上に窒化ガリウム系の発光部を形成した青色ＬＥＤチッ
プを用いている。
【００２７】ＬＥＤチップ１とボンディングワイヤＷと
はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透明な封止樹脂
からなる樹脂封止部５０によって封止されている。な
お、本実施形態では、樹脂封止部５０を形成する際にモ
ールド用のエポキシ樹脂を滴下しているが、金型を用い
てトランスファ用のエポキシ樹脂で樹脂封止部５０を形
成してもよく、この場合には樹脂封止部５０の形状制御
が容易になり、樹脂封止部５０を例えば前方に凸となる
半球状の形状に形成して樹脂封止部５０にレンズとして
の機能を持たせることも可能になる。
【００２８】なお、本実施形態では、金属板１１の厚さ
を０．６ｍｍ、各突出部１１ａの直径を１ｍｍ、各突出
部１１ａの突出高さ（突出量）を０．３ｍｍ、各収納凹
所１１ｂの深さを０．３ｍｍとし、各収納凹所１１ｂの
底面の直径を０．７ｍｍに設定してある。一方、プリン
ト回路基板１２の厚さは０．３ｍｍに設定してある。ま
た、ＬＥＤチップ１は収納凹所１１ｂの底面に載置でき
るようにチップサイズを３５０μｍ□に設定し、厚さを
８０μｍに設定してある。
【００２９】しかして、本実施形態の発光装置では、金
属板１１から突出した突出部１１ａの前面に設けた収納
凹所１１ｂの底面にＬＥＤチップ１を実装してあるの
で、ＬＥＤチップ１で発生した熱を、金属板１１を通し
て速やかに外部へ放熱させることができる。すなわち、
金属板１１が放熱板として機能することになる。また、
ＬＥＤチップ１の前面の高さ位置は突出部１１ａの前面
よりも低いので、ＬＥＤチップ１から横方向に放出され
た光は突出部１１ａに形成された収納凹所１１ｂの内周
面によって反射されて外部へ取り出されることになり、
光取り出し効率が向上する。
【００３０】しかも、突出部１１ａが金属によって形成
されているので、ＬＥＤチップ１の実装工程における加
熱によって反射部材として機能する部分が酸化劣化する
のを従来に比べて抑えることができ、また、反射部材と
して機能する部分がＬＥＤチップ１からの青色光が照射
されることによって劣化するのを抑えることができる。
【００３１】なお、本実施形態では、プリント回路基板
１２における挿入孔１３の内周面と突出部１１ａの外周
面との間の空間が樹脂充填部を構成している。
【００３２】（実施形態２）本実施形態の発光装置の基
本構成は実施形態１と略同じであって、図２に示すよう
に、白色のプラスティック樹脂よりなる枠状（円環状）
の枠部材３０をプリント回路基板１２の前面において挿
入孔１３を全周にわたって囲むように接合してあり、Ｌ
ＥＤチップ１およびボンディングワイヤＷを封止する樹
脂封止部５０を構成する封止樹脂が枠部材３０の内側に
充填されている点が相違する。ここにおいて、封止樹脂
部５０の前面と枠部材３０の前面とは略揃っている。枠
部材３０は、前面側に近づくにつれて徐々に内径が大き
くなるような形状に形成されている。なお、樹脂封止部
５０は、透明のエポキシ樹脂を滴下することによって形
成されている。
【００３３】しかして、本実施形態では、枠部材３０を
設けていることによって、樹脂封止部５０の材料として
モールド用の封止樹脂を用いても樹脂封止部５０の形状
を簡単に制御することができる。
【００３４】また、プリント回路基板１２の前面の配線
部１２ａは枠部材３０の下を通って挿入孔１３の近傍ま
で延長されているので、枠部材３０を設けているにもか
かわらず、ＬＥＤチップ１と配線部１２ａとをボンディ
ングワイヤＷによって電気的に接続する作業が容易にな
る。ＬＥＤチップ１としては、実施形態１と同様、サフ
ァイア基板上に窒化ガリウム系の発光部を形成した青色
ＬＥＤチップを用いている。
【００３５】なお、本実施形態においても実施形態１と
同様、金属板１１の厚さを０．６ｍｍ、各突出部１１ａ
の直径を１ｍｍ、各突出部１１ａの突出高さ（突出量）
を０．３ｍｍ、各収納凹所１１ｂの深さを０．３ｍｍと
し、各収納凹所１１ｂの底面の直径を０．７ｍｍに設定
してある。一方、プリント回路基板１２の厚さは０．３
ｍｍに設定してある。また、ＬＥＤチップ１は収納凹所
１１ｂの底面に載置できるようにチップサイズを３５０
μｍ□に設定し、厚さを８０μｍに設定してある。ま
た、枠部材３０は内径を３ｍｍ、厚さを１ｍｍに設定し
てある。
【００３６】ところで、本実施形態では、金属板１１の
前面に突出した突出部１１ａの前面に収納凹所１１ｂを
設けて収納凹所１１ｂの底面（底部）にＬＥＤチップ１
を搭載（配置）してあるが、図３に示すように、突出部
１１ａの前面にＬＥＤチップ１を直接実装した構造であ
っても、ＬＥＤチップ１から横方向に放出される光が枠
部材３０の下端部で遮られることがなく、外部へ取り出
される。
【００３７】（実施形態３）本実施形態の発光装置は、
図４に示すように構成されたものであり、実施形態１で
説明したプリント回路基板１２（図１参照）の代わり
に、立体成形した樹脂よりなる絶縁基材の表面に立体的
な配線部６１を形成したＭＩＤ(Molded Interconected
Device)基板６０を用いている点が実施形態１と相違
する。すなわち、本実施形態では、金属板１１の前面に
ＭＩＤ基板６０が重ねて接合されている。ここにおい
て、ＭＩＤ基板６０は、金属板１１の前面に突出した突
出部１１ａが挿入される挿入孔６２ａおよび挿入孔６２
ａに連通し封止樹脂が充填される樹脂充填部６２ｂが成
形時に形成されている。ただし、封止樹脂は挿入孔６２
ａの内周面と突出部１１ａの外周面との間の空間にも充
填される。ＭＩＤ基板６０における挿入孔６２ｂ近傍の
厚さは突出部１１ａの突出量と略同じになるように寸法
を設定してある。なお、本実施形態では、ＭＩＤ基板６
０が立体回路成形品を構成している。
【００３８】また、ＭＩＤ基板６０は、前面に形成され
た配線部６１が樹脂充填部６２ｂの内周面に沿って挿入
孔６２ｂの近傍まで延長されており、配線部６１とＬＥ
Ｄチップ１とがボンディングワイヤＷを介して電気的に
接続されている。ＬＥＤチップ１としては、実施形態１
と同様、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光部を
形成した青色ＬＥＤチップを用いている。
【００３９】なお、実施形態１と同様の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。また、本実施形態に
おいても実施形態１と同様、金属板１１の厚さを０．６
ｍｍ、各突出部１１ａの直径を１ｍｍ、各突出部１１ａ
の突出高さ（突出量）を０．３ｍｍ、各収納凹所１１ｂ
の深さを０．３ｍｍとし、各収納凹所１１ｂの底面の直
径を０．７ｍｍに設定してある。
【００４０】一方、ＭＩＤ基板６０の絶縁基材はアモデ
ル樹脂（ＢＰアモコポリマーズ社の商標）により形成さ
れており、樹脂充填部６２ｂは円形状に開口され前面に
近づくほど内径が徐々に大きくなっている。ここに、Ｍ
ＩＤ基板６０の絶縁基材は、挿入孔６２ａ周部における
厚さを０．３ｍｍ、樹脂充填部６２ｂ周部における厚さ
を１．３ｍｍに設定してある。なお、ＭＩＤ基板６０の
絶縁基材としてポリフタルアミド樹脂を用いてもよい。
【００４１】封止樹脂部５０の前面とＭＩＤ基板６０の
前面とは略揃っている。本実施形態では、ＭＩＤ基板６
０に樹脂充填部６２ｂが形成されているので、実施形態
２のように封止樹脂を充填するための枠部材３０（図２
参照）を別途に形成して接着する工程が不要となり、実
施形態２に比べて組立作業が容易になる。
【００４２】ところで、本実施形態では、複数のＬＥＤ
チップ１に対して１つのＭＩＤ基板６０を用いている
が、図５に示すように、前面に複数の突出部１１ａを突
出した金属板１１にガラスエポキシ基板よりなるプリン
ト回路基板１２を重ねて接合し、ＬＥＤチップ１毎にＭ
ＩＤ基板６０を設けるようにしてもよい。すなわち、各
ＭＩＤ基板６０には、プリント回路基板１２において突
出部１１ａが挿入された挿入孔１３に対応した部位に挿
入孔６２ａが形成され、前面側に挿入孔６２ａに連通し
た樹脂充填部６２ｂが形成されている。
【００４３】図５に示す例では、ＬＥＤチップ１とＭＩ
Ｄ基板６０の配線部６１とがボンディングワイヤＷによ
り接続され、ＭＩＤ基板６０の配線部６１がプリント回
路基板１２の配線部１２ａと接続されている。すなわ
ち、ＬＥＤチップ１は、ボンディングワイヤＷおよびＭ
ＩＤ基板６０の配線部６１を介してプリント回路基板１
２の配線部１２ａと電気的に接続されている。ＭＩＤ基
板は大面積化が難しく比較的高価であるが、図５に示す
構成を採用することによって、ＭＩＤ基板の材料使用量
を少なくでき、大面積の発光装置を比較的安価に実現す
ることが可能になる。
【００４４】（実施形態４）本実施形態の発光装置の基
本構成は図４に示した実施形態３と略同じであって、図
６に示すように、金属板１１を回転刃カッターで切断し
て切断部１５を形成することで突出部１１ａ同士を電気
的に絶縁し、ＭＩＤ基板６０における配線部６１の一部
を樹脂充填部６２ｂの内周面および挿入孔６２ａの内周
面に沿ってＭＩＤ基板６０の裏面まで延長して金属板１
１と電気的に接続している点が相違する。
【００４５】また、本実施形態では、ＬＥＤチップ１と
して、ＡｌＩｎＧａＰ系の材料により形成された発光部
を有し厚み方向の両面に電極を有する赤色ＬＥＤチップ
を用いており、ＬＥＤチップ１の裏面を導電性ペースト
（例えば、銀ペースト）を用いて収納凹所１１ｂの底面
に実装してある。つまり、ＬＥＤチップ１の裏面の電極
と金属板１１とを電気的に接続してある。また、ＬＥＤ
チップ１の表面の電極（パッド）をＭＩＤ基板６０の配
線部６１とボンディングワイヤＷを介して電気的に接続
してある。
【００４６】なお、実施形態３と同様の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。また、本実施形態に
おいても実施形態３と同様、金属板１１の厚さを０．６
ｍｍ、各突出部１１ａの直径を１ｍｍ、各突出部１１ａ
の突出高さ（突出量）を０．３ｍｍ、各収納凹所１１ｂ
の深さを０．３ｍｍとし、各収納凹所１１ｂの底面の直
径を０．７ｍｍに設定してある。
【００４７】しかして、本実施形態では、ＬＥＤチップ
１として厚み方向の両面に電極を有するＬＥＤチップを
用いることができる。また、仮に複数のＬＥＤチップが
並列接続されているとすれば個々のＬＥＤチップの電圧
特性によってＬＥＤチップに流れる電流が異なってしま
うが、本実施形態では、各ＬＥＤチップ１が直列に接続
されているので、電流制御することが可能である。
【００４８】（実施形態５）本実施形態の発光装置の基
本構成は図６に示した実施形態４と略同じであって、図
７に示すように、それぞれ突出部１１ａが突出した複数
の金属板１１をＭＩＤ基板６０の裏面側（図７における
下面側）に接着し、ＭＩＤ基板６０の表面（図７におけ
る上面）の配線部６１の一部をスルーホール６３を介し
て裏面まで延長して金属板１１と電気的に接続している
点が相違する。
【００４９】なお、実施形態４と同様の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。また、本実施形態に
おいても実施形態４と同様、金属板１１の厚さを０．６
ｍｍ、各突出部１１ａの直径を１ｍｍ、各突出部１１ａ
の突出高さ（突出量）を０．３ｍｍ、各収納凹所１１ｂ
の深さを０．３ｍｍとし、各収納凹所１１ｂの底面の直
径を０．７ｍｍに設定してある。
【００５０】しかして、本実施形態では、実施形態４と
同様、ＬＥＤチップ１として厚み方向の両面に電極を有
するＬＥＤチップ１を用いることができる。また、仮に
複数のＬＥＤチップが並列接続されているとすれば個々
のＬＥＤチップの電圧特性によってＬＥＤチップに流れ
る電流が異なってしまうが、本実施形態では、各ＬＥＤ
チップ１が直列に接続されているので、電流制御するこ
とが可能である。
【００５１】（実施形態６）本実施形態の発光装置は、
図８に示すように構成されており、基本構成は図４に示
した実施形態３と略同じである。ところで、実施形態３
では金属板１１としてアルミニウム板を用いていたが、
本実施形態では金属板１１としてアルミニウム板よりも
ＭＩＤ基板６０との接着性が高く且つ熱伝導率の高い銅
板を用いており、図８に示すように、金属板１１の前面
に突出した突出部１１ａの前面に形成した収納凹所１１
ｂの底面および内周面に金属板１１よりも反射率の高い
金属材料であるアルミニウムからなる反射膜１７を設け
ている点が相違する。ここに、反射膜１７は、金属板１
１において収納凹所１１ｂ以外の部分をマスキングして
アルミニウムを蒸着することで形成している。なお、ア
ルミニウムの熱伝導率は２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）、銅の熱
伝導率は４０３Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。
【００５２】なお、実施形態３と同様の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。また、本実施形態に
おいても実施形態３と同様、金属板１１の厚さを０．６
ｍｍ、各突出部１１ａの直径を１ｍｍ、各突出部１１ａ
の高さ（突出量）を０．３ｍｍ、各収納凹所１１ｂの深
さを０．３ｍｍとし、各収納凹所１１ｂの底面よりなる
載置面の直径を０．７ｍｍに設定してある。また、ＭＩ
Ｄ基板６０の絶縁基材はアモデル樹脂（ＢＰアモコポリ
マーズ社の商標）により形成されており、樹脂充填部６
２ｂは円形状に開口され前面に近づくほど内径が徐々に
大きくなっている。ここに、ＭＩＤ基板６０の絶縁基材
は、挿入孔６２ａ周部における厚さを０．３ｍｍ、樹脂
充填部６２ｂ周部における厚さを１．３ｍｍに設定して
ある。なお、ＭＩＤ基板６０の絶縁基材としてポリフタ
ルアミド樹脂を用いてもよい。
【００５３】本実施形態では、金属板１１として銅板を
用いているので、金属板１１としてアルミニウム板を用
いている場合に比べて、金属板１１とＭＩＤ基板６０に
おける絶縁基材との接着性が向上するとともに、ＬＥＤ
チップ１で発生した熱を効率良く外部へ放熱させること
ができる（つまり、放熱性が向上する）。
【００５４】ところで、本実施形態では、実施形態３と
同様にＬＥＤチップ１として青色ＬＥＤチップを用いて
いるが、銅は青色の波長に対して反射率が低いので、Ｌ
ＥＤチップ１からの光の外部への取り出し効率が低下し
てしまうのを防ぐために、収納凹所１１ｂの底面および
内周面に銅よりも反射率の高いアルミニウムからなる反
射膜１７を形成してある。したがって、放熱性が高く且
つ光の取り出し効率の高い発光装置を実現することがで
きる。なお、本実施形態では、収納凹所１１ｂの底面お
よび内周面に形成する反射膜１７の材料としてアルミニ
ウムを採用してるが、アルミニウムに限らず、例えば銀
を採用してもよく、銀を採用する場合には例えば銀メッ
キによって形成すればよい。
【００５５】しかして、本実施形態では、収納凹所１１
ｂの内周面に金属板１１よりも反射率の高い金属材料か
らなる反射膜１７が形成されているので、金属板１１の
材料の選択肢を増やすことができ、金属板１１の材料と
してＭＩＤ基板６０の絶縁基材との接着性のより高い材
料や放熱性の高い材料を選択することができる。
【００５６】（実施形態７）本実施形態の発光装置の基
本構成は実施形態２と略同じであって、図９に示すよう
に、枠部材３０の内周面３１にアルミニウムよりなる反
射膜３３を形成している点が相違する。ここに、反射膜
３３の材料としてアルミニウムを採用してるが、アルミ
ニウムに限らず、例えば銀を採用してもよく、銀を採用
する場合には例えば銀メッキによって形成すればよい。
【００５７】なお、実施形態２と同様の構成要素には同
一の符号を付して説明を省略する。また、本実施形態に
おいても実施形態２と同様、金属板１１の厚さを０．６
ｍｍ、各突出部１１ａの直径を１ｍｍ、各突出部１１ａ
の突出高さ（突出量）を０．３ｍｍ、各収納凹所１１ｂ
の深さを０．３ｍｍとし、各収納凹所１１ｂの底面の直
径を０．７ｍｍに設定してある。一方、プリント回路基
板１２の厚さは０．３ｍｍに設定してある。また、ＬＥ
Ｄチップ１は収納凹所１１ｂの底面に載置できるように
チップサイズを３５０μｍ□に設定し、厚さを８０μｍ
に設定してある。また、枠部材３０は内径を３ｍｍ、厚
さを１ｍｍに設定してある。
【００５８】ところで、封止樹脂に拡散材や蛍光体粒子
が分散されていない場合にはＬＥＤチップ１から放出さ
れた光のほとんどが枠部材３０の内周面３１に照射され
ることなく外部へ取り出される。これに対して、本実施
形態の発光装置では、樹脂封止部５０の封止樹脂に拡散
材が分散されており、ＬＥＤチップ１から放出された光
が拡散材により散乱されながら樹脂封止部５０内を進む
が、枠部材３０の内周面３１に反射膜３３が形成されて
いるので、拡散材によって散乱された光が枠部材３０の
内周面に直接照射されずに反射膜３３で反射されて外部
へ取り出されることになり、光取り出し効率を高めるこ
とができる。
【００５９】（実施形態８）本実施形態の発光装置の基
本構成は実施形態２と略同じであって、図１０に示すよ
うに、枠部材３０とともに絶縁基材たるプリント回路基
板１２の前面側に重ねた形で接合されたガラスエポキシ
基板よりなるプリント回路基板７０を備えている点が相
違する。プリント回路基板７０は前面に銅箔よりなる配
線部（配線パターン）７１が設けられており、後面（裏
面）がプリント回路基板１２と接合されている。プリン
ト回路基板７０は枠部材３０に対応する部位に窓孔７０
ａが形成されており、プリント回路基板７０の前面に設
けられた配線部７１が窓孔７０ａの内周面に沿ってプリ
ント配線基板１２の配線部１２ａに接触する位置まで延
長されている。なお、実施形態２と同様の構成要素には
同一の符号を付して説明を省略する。
【００６０】プリント回路基板７０と枠部材３０とは厚
みを略等しく設定してある。言い換えれば、プリント回
路基板７０の厚みは、枠部材３０がプリント回路基板７
０よりも前方へ突出しないように設定されている。な
お、本実施形態では、プリント回路基板７０が回路部品
実装基材を構成している。
【００６１】ところで、リフロー工程によって抵抗器や
トランジスタなどの回路部品を実装する場合、マスクを
用いて回路部品の実装箇所のみに半田を塗布する工程が
必要であるが、実施形態２の発光装置では図２に示した
ように前面が平坦ではなくてプリント回路基板１２の前
面側に枠部材３０が突出しており、プリント回路基板１
２の前面側にマスクを被せることが難しい。
【００６２】これに対して、本実施形態では、上述のよ
うに、プリント回路基板７０の厚みと枠部材３０の厚み
とを略等しく設定してあり、プリント回路基板７０の前
面と枠部材３０の前面とが略揃うので、リフロー工程に
より表面実装型の回路部品５をプリント回路基板７０の
前面側へ容易に実装することができる。
【００６３】なお、本実施形態では、回路部品実装基材
としてガラスエポキシ基板よりなるプリント回路基板７
０を用いているが、回路部品実装基材はガラスエポキシ
基板に限定するものではなく、配線部７１以外が絶縁性
の材料により形成されていればよい。また、本実施形態
では、回路部品実装基材たるプリント回路基板７０の厚
みと枠部材３０の厚みとを略等しく設定してあるが、プ
リント回路基板７０の厚みを枠部材３０の厚みより大き
くしてもプリント回路基板７０上にマスクを被せること
ができ、リフロー工程による回路部品５の実装が容易に
なる。
【００６４】ところで、図１０に示した例では、絶縁基
材たるプリント回路基板１２上に回路部品実装基材たる
プリント回路基板７０および枠部材３０を重ねて接合し
てあるが、図１１に示すように、プリント回路基板７０
にプリント回路基板１２の挿入孔１３と連通し封止樹脂
が充填される樹脂充填部７２を設けてプリント回路基板
７０を枠部材に兼用するようにしてもよい。なお、プリ
ント回路基板７０の表面の配線部７１の一部はスルーホ
ール７３を介して裏面まで延長されプリント回路基板１
２の表面の配線部１２ａと電気的に接続されている。
【００６５】図１１に示す構成を採用することにより、
図１０に示した構成と同様、抵抗器やトランジスタなど
の回路部品５をリフロー工程によって容易に実装するこ
とができる。さらに、絶縁基材たるプリント回路１２の
挿入孔１３毎に対応して個別に枠部材３０（図１０参
照）を取り付ける必要がなくなるので組立工程を簡略化
でき、枠部材３０と挿入孔１３との位置合わせも容易に
なる。
【００６６】また、図１１に示す構成において、図１２
に示すように、回路部品実装基材たるプリント回路基板
７０の樹脂充填部７２の内周面にプリント回路基板７０
よりも反射率の高い材料よりなる反射膜７４を形成すれ
ば、枠部材としての機能を高めることができ、ＬＥＤチ
ップ１の光を外部へ効率良く取り出すことができる。な
お、本実施形態では反射膜７４をスルーホールめっきに
より形成しているが、スルーホールめきに限らず、例え
ば、プリント回路基板７０に比べて反射率の高い白塗料
などを樹脂充填部７２の内周面に塗布して形成してもよ
い。
【００６７】（実施形態９）本実施形態の発光装置の基
本構成は実施形態２と略同じであって、図１３に示すよ
うに、枠部材３０の内側において絶縁基材たるプリント
回路基板１２の前面側に円環状の反射部材１８を設けて
いる点に特徴がある。ただし、プリント回路基板１２の
前面に形成されている配線部１２ａ（ＬＥＤチップ１と
の接続に利用される部分）は反射部材１８により覆わな
いようにしてある。反射部材１８は、プリント回路基板
１２よりも反射率の高い材料により形成すればよく、本
実施形態では、反射部材１８の材料としてシルク印刷用
の白シルクを用いている。なお、図１３（ａ）は図１３
（ｂ）のＢ−Ｂ’断面に相当する（ただし、図１３
（ｂ）は封止樹脂を充填していない状態の概略平面図で
ある）。また、実施形態２と同様の構成要素には同一の
符号を付して説明を省略する。
【００６８】しかして、本実施形態の発光装置では、枠
部材３０の内側において絶縁基材たるプリント回路基板
１２の前面側にプリント回路基板１２よりも反射率の高
い反射部材１８を設けてあるので、ＬＥＤチップ１から
出射された光の外部への取り出し効率をさらに向上させ
ることができる。
【００６９】なお、本実施形態では、反射部材１８の材
料としてシルク印刷用の白シルクを用いているが、白シ
ルクに限らず、例えば、絶縁基材よりも反射率の高い金
属膜を用いてもよい。
【００７０】（実施形態１０）本実施形態の発光装置の
基本構成は実施形態２と略同じであって、図１４に示す
ように、金属板１１の突出部１１ａに設ける収納凹所１
１ｂの内周面が回転放物面の一部からなる点に特徴があ
る。また、本実施形態では、収納凹所１１ｂの底部に底
面から前方に突出しＬＥＤチップ１を配置する載置部１
１ｃが一体に突設されている。ここにおいて、収納凹所
１１ｂは、回転放物面の回転中心軸が開口の中心を通り
焦点がＬＥＤチップ１の発光部における発光層の中心部
に位置している。すなわち、載置部１１ｃの突出量は、
回転放物面の焦点がＬＥＤチップ１の発光部における発
光層の中心部に位置するように設定してある。なお、実
施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明
を省略する。
【００７１】しかして、本実施形態の発光装置では、特
にＬＥＤチップ１の側面から出射した光を効率良く発光
装置の前面側へ反射させることができ、発光装置の外部
への光の取り出し効率を向上させることができる。
【００７２】ところで、図１４に示した例では、ＬＥＤ
チップ１を載置する載置部１１ｃの前面の面積をＬＥＤ
チップ１のチップ面積（ＬＥＤチップ１の後面の面積）
と略同じかやや大きい程度に設定してあるが、図１５に
示すように、載置部１１ｃの前面の面積をＬＥＤチップ
１のチップ面積よりも小さくすれば、ＬＥＤチップ１の
後方へ出射された光の一部も効率良く発光装置の前面側
に反射させることができ、図１４の構成に比べて光の取
出し効率をさらに向上させることができる。
【００７３】（実施形態１１）本実施形態の発光装置を
説明する前に図１７に示す参考例を説明する。図１７に
示す構成の発光装置の基本構成は図２に示した実施形態
２と略同じであって、プリント回路基板１２において金
属板１１と重ならない領域が設けられ、当該領域の前面
側にリード実装型の回路部品５をまとめて実装している
点にある。図１７に示す構成を採用することにより、回
路部品５がリード実装型の回路部品であっても金属板１
１を介して短絡する危険を冒すことなく実装することが
できるという利点がある。
【００７４】本実施形態の発光装置の基本構成は図１７
に示した参考例と略同じであって、図１６に示すよう
に、プリント回路基板１２において金属板１１と重なら
ない領域が設けられ、当該領域の後面側にリード実装型
の回路部品５をまとめて実装している点にある。ここに
おいて、プリント回路基板１２の前面の配線部１２ａは
スルーホール１４を介して上記領域の後面まで延長され
て各回路部品５のリードと適宜接続されている。
【００７５】しかして、本実施形態の発光装置では、図
１７に示した参考例と同様、回路部品５がリード実装型
の回路部品５であっても金属板１１を介して短絡する危
険を冒すことなく実装することができるという利点があ
り、しかも、ＬＥＤチップ１から出射した光が回路部品
５によって吸収されたり反射されたりすることがなく、
ＬＥＤチップ１から出射された光の外部への取り出し効
率をさらに向上させることができるという利点がある。
【００７６】
【発明の効果】請求項１の発明は、前方に突出した突出
部が設けられ且つ突出部の前面に収納凹所が形成された
金属板と、収納凹所の底部に配置されて金属板に熱的に
結合した発光ダイオードチップと、突出部が挿入される
挿入孔が形成され金属板に重ねた形で金属板に接合され
た絶縁基材と、透光性を有し発光ダイオードチップを封
止した封止樹脂とを備えてなるものであり、発光ダイオ
ードチップが収納凹所の底部に配置されて金属板に熱的
に結合されているので（つまり、発光ダイオードチップ
が金属板に直接実装されているので）、従来のように絶
縁層を介して実装したものに比べて放熱性が向上し、発
光ダイオードチップの温度上昇による発光効率の低下、
寿命低下、封止樹脂の低下などを抑制できるという効果
があり、また、発光ダイオードチップから放射された光
が収納凹所の内周面で反射されて収納凹所の外へ向かっ
て取り出されるので、発光ダイオードチップの光を効率
良く取り出すことができるという効果があり、また、発
光ダイオードチップの実装工程における加熱時に反射性
能が劣化したり発光ダイオードチップの光が照射される
ことによる反射性能が劣化したりするのを抑えることが
できるという効果がある。
【００７７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記絶縁基材は、前記封止樹脂の少なくとも一部が
充填される樹脂充填部が設けられているので、前記封止
樹脂としてエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などのモール
ド用の樹脂を用いて容易に封止することができるという
効果がある。
【００７８】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、前記絶縁基材の前面側に重ねた形で接合され前記挿
入孔の周部を全周にわたって囲む枠状の枠部材を備え、
前記封止樹脂が前記樹脂充填部および枠部材の内側に充
填されているので、前記封止樹脂を充填するスペースを
容易に且つ安価に形成することができるという効果があ
る。
【００７９】請求項４の発明は、請求項２の発明におい
て、前記絶縁基材は、前記発光ダイオードチップに電気
的に接続される配線部が前記樹脂充填部の内周面へ延長
された立体回路成形品からなるので、前記封止樹脂を充
填する部材を前記絶縁基材と別途に形成する必要がなく
て組立が容易になるとともにり、発光ダイオードチップ
と配線部との電気的接続も容易になるという効果があ
る。
【００８０】請求項５の発明は、請求項１の発明におい
て、前記金属板が前記発光ダイオードチップに電気的に
接続される配線部の一部を兼ねているので、厚み方向の
両面にそれぞれ電極を有する発光ダイオードチップを前
記収納凹所の底面に実装することができるという効果が
ある。
【００８１】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、前記収納凹所の内面に前記金属板よりも反射率の高
い金属材料からなる反射膜が形成されているので、前記
金属板の材料の選択肢を増やすことができ、例えば前記
金属板の材料として前記絶縁基材との接着性のより高い
材料やより熱伝導率の高い材料を選択することができる
という効果がある。
【００８２】請求項７の発明は、請求項３の発明におい
て、前記枠部材の内周面に前記枠部材よりも反射率の高
い金属材料からなる反射膜が形成されているので、前記
発光ダイオードチップから出射された光の外部への取り
出し効率を向上させることができるという効果がある。
【００８３】請求項８の発明は、請求項３の発明におい
て、前記枠部材とともに前記絶縁基材の前面側に重ねた
形で接合され且つ前面側に配線部が設けられた回路部品
実装基材を備え、回路部品実装基材の厚みは、前記枠部
材が回路部品実装基材よりも前方へ突出しない厚さであ
るので、リフロー工程により表面実装型の回路部品を回
路部品実装基材の前面側へ容易に実装することができ
る。
【００８４】請求項９の発明は、請求項３の発明におい
て、前記枠部材の内側において前記絶縁基材の前面側に
前記絶縁基材よりも反射率の高い反射部材を設けてある
ので、前記発光ダイオードチップから出射された光の外
部への取り出し効率をさらに向上させることができると
いう効果がある。
【００８５】請求項１０の発明は、請求項１の発明にお
いて、前記収納凹所の内周面が回転放物面の一部からな
るので、発光ダイオードチップの側面側や後面側へ出射
された光を前面側へ効率良く反射させることができ、発
光ダイオードチップから出射された光の外部への取り出
し効率をさらに向上させることができるという効果があ
る。
【００８６】請求項１１の発明は、請求項１の発明にお
いて、前記絶縁基材は、前記金属板と重ならない領域が
設けられ、当該領域の後面側に回路部品が実装されてい
るので、回路部品がリード実装型の回路部品であっても
前記金属板を介して短絡する危険を冒すことなく実装す
ることができ、また、発光ダイオードチップから出射し
た光が回路部品によって吸収されたり反射されたりする
ことがなく、発光ダイオードチップから出射された光の
外部への取り出し効率をさらに向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１を示す概略断面図である。
【図２】実施形態２を示す概略断面図である。
【図３】同上における参考例を示す概略断面図である。
【図４】実施形態３を示す概略断面図である。
【図５】同上における他の構成例を示す概略断面図であ
る。
【図６】実施形態４を示す概略断面図である。
【図７】実施形態５を示す概略断面図である。
【図８】実施形態６を示す概略断面図である。
【図９】実施形態７を示す概略断面図である。
【図１０】実施形態８を示す概略断面図である。
【図１１】同上の他の構成例を示す概略断面図である。
【図１２】同上の別の構成例を示す概略断面図である。
【図１３】実施形態９を示し、（ａ）は概略断面図、
（ｂ）は樹脂封止する前の概略平面図である。
【図１４】実施形態１０を示す概略断面図である。
【図１５】同上の他の構成例を示す概略断面図である。
【図１６】実施形態１１を示す概略断面図である。
【図１７】同上における参考例を示す概略断面図であ
る。
【図１８】従来例を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）
は（ａ）の要部Ａの拡大図である。
【符号の説明】
１ 発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ） １１ 金属板 １１ａ 突出部 １１ｂ 収納凹所 １２ プリント回路基板 １２ａ 配線部 １３ 挿入孔 ５０ 樹脂封止部 Ｗ ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 秀吉 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 塩濱 英二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA04 AA33 CA37 CA40 DA33 DA36 DA55 DA82 DA92 DC26

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 前方に突出した突出部が設けられ且つ突
    出部の前面に収納凹所が形成された金属板と、収納凹所
    の底部に配置されて金属板に熱的に結合した発光ダイオ
    ードチップと、突出部が挿入される挿入孔が形成され金
    属板に重ねた形で金属板に接合された絶縁基材と、透光
    性を有し発光ダイオードチップを封止した封止樹脂とを
    備えてなることを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項２】 前記絶縁基材は、前記封止樹脂の少なく
    とも一部が充填される樹脂充填部が設けられてなること
    を特徴とする請求項１記載の発光装置。
  3. 【請求項３】 前記絶縁基材の前面側に重ねた形で接合
    され前記挿入孔の周部を全周にわたって囲む枠状の枠部
    材を備え、前記封止樹脂が前記樹脂充填部および枠部材
    の内側に充填されてなることを特徴とする請求項２記載
    の発光装置。
  4. 【請求項４】 前記絶縁基材は、前記発光ダイオードチ
    ップに電気的に接続される配線部が前記樹脂充填部の内
    周面へ延長された立体回路成形品からなることを特徴と
    する請求項２記載の発光装置。
  5. 【請求項５】 前記金属板が前記発光ダイオードチップ
    に電気的に接続される配線部の一部を兼ねてなることを
    特徴とする請求項１記載の発光装置。
  6. 【請求項６】 前記収納凹所の内面に前記金属板よりも
    反射率の高い金属材料からなる反射膜が形成されてなる
    ことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  7. 【請求項７】 前記枠部材の内周面に前記枠部材よりも
    反射率の高い金属材料からなる反射膜が形成されてなる
    ことを特徴とする請求項３記載の発光装置。
  8. 【請求項８】 前記枠部材とともに前記絶縁基材の前面
    側に重ねた形で接合され且つ前面側に配線部が設けられ
    た回路部品実装基材を備え、回路部品実装基材の厚み
    は、前記枠部材が回路部品実装基材よりも前方へ突出し
    ない厚さであることを特徴とする請求項３記載の発光装
    置。
  9. 【請求項９】 前記枠部材の内側において前記絶縁基材
    の前面側に前記絶縁基材よりも反射率の高い反射部材を
    設けてなることを特徴とする請求項３記載の発光装置。
  10. 【請求項１０】 前記収納凹所の内周面が回転放物面の
    一部からなることを特徴とする請求項１記載の発光装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記絶縁基材は、前記金属板と重なら
    ない領域が設けられ、当該領域の後面側に回路部品が実
    装されてなることを特徴とする請求項１記載の発光装
    置。
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