JP2009517853A - 半導体向けマルチチップモジュール単一パッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
本発明は半導体発光デバイスパッケージ構造を提供する。該半導体発光デバイスパッケージ構造は基板、Nを2以上の正の整数とするN個のサブマウントおよびN個の半導体発光ダイモジュールを含む。各サブマウントは基板上に埋め込まれると同時に部分的に露出される。各半導体発光ダイモジュールはサブマウントの1つの露出面にマウントされる。
【選択図】図1B
【選択図】図1B
Description
本発明は半導体発光デバイスパッケージ構造、なかでも特に、半導体発光ダイ向けマルチチップモジュール単一パッケージ構造に関する。
長寿命、軽量、低電力消費、ならびに水銀不在といったメリットのために、発光ダイオード(LED)のような半導体発光デバイスは理想的な光源となってきており、大きく発展してきた。LEDは情報、通信、家電製品、車両、交通照明、広告看板、および照明のマーケットを含めた多くの分野に適用可能である。
しかしながら、現在の高出力半導体発光デバイスは継続照明の一定期間後の過熱の問題に直面している。それだけでなく、現在の半導体発光デバイスパッケージ構造は全般的に熱抵抗を越えるという問題に直面していて、この問題が照明の出力と効率に影響を与えている。従って、従来の半導体発光デバイスパッケージ構造は、単純なヒートシンクの設置では発光デバイスの温度を低下させることができない。つまり、パッケージ構造と熱消散モジュールの境界間の熱抵抗を越えるという問題を解決した高熱消散効率のパッケージ構造の提供が必要である。
また、従来の半導体発光デバイス用のパッケージ構造は単一半導体発光デバイス向けに利用されている。しかしながら、新型の照明製品の開発に対処するには、半導体発光ダイ用のマルチチップモジュール単一パッケージ構造の開発の必要がある。
従って、本発明の狙いは半導体発光ダイ用マルチチップモジュール単一パッケージ構造の提供にある。
ある好ましい実施例では、本発明のマルチチップモジュール単一パッケージ構造は基板、N個のサブマウント、およびN個の発光ダイモジュールが含まれる。基板はその上に上面と底面が定められるともに、N個の第1窪みがその上面に形成されると同時に、N個の第2窪みがその底面に形成される。各第2窪みは第1窪みの1つを貫通すると同時にこれと一体に連結される。複数の外側電極が上面に配置される。また、Nは2以上の正の整数である。また、特に、基板は注入成型では成型されない。
また、N個の各サブマウントは第2窪みの1つに対応するとともにその上に各第1面および各第2面が定められる。各サブマウントは前記サブマウントの1つが当該第1窪み内部に部分的に露出するよう第1面は当該第2窪みに埋め込まれる。
また、各N個の半導体発光ダイスモジュールはサブマウントの1つに対応すると同時に、当該第1窪み内部に露出して対応するサブマウントの第1面にマウントされる。各半導体発光ダイモジュールはその内側電極を通じて外側電極に電気接続される。
本発明の範囲は様々な図や図面で例示される好ましい実施例に関する以下の詳細説明を読めば通常の専門技術者には疑いなく明らかとなろう。
本発明は半導体発光ダイ用マルチチップモジュール単一パッケージ構造の提供にある。好ましい実施例は下記のように開示される。
図1Aおよび図1Bを参照されたい。図1Aは本発明の好ましい実施例の半導体発光デバイスパッケージ構造1の上面図を示す。図1Bは図1Aの半導体発光デバイスパッケージ構造のラインK−Kに沿った断面図を示す。図1Aに示されるごとく、半導体発光デバイスパッケージ構造1は基板12、N個のサブマウント14とN個の半導体発光ダイモジュール16を含み、Nは2以上の正の整数である。特に、図1Aと図1Bの半導体発光デバイスパッケージ構造1は本発明の例として3個の半導体発光ダイモジュールを有する。
また、図1Bに示されるごとく、基板12はその上に上面122と底面124を定める。また、N個の第1窪み126は上面122に形成され、N個の第2窪み128は底面124に形成される。特に、各第2窪み128は第1窪み126の1つを貫通するとともにこれと一体に連結される。また、複数の外側電極(図示されず)が上面122に配置される。
また、N個のサブマウント14のそれぞれは第2窪み128の1つに対応すると同時に、その上にそれぞれの第1面142とそれぞれの第2面144を定める。また、各サブマウント14は当該第2窪み128に埋め込まれ、前記サブマウント14の1つの第1面142は当該第1窪み126内部に部分的に露出する。実際には、各N個のサブマウント14は半導体材料から構成可能である。
また、N個の半導体発光ダイモジュール16のそれぞれはサブマウント14の1つに対応すると同時に、当該第1窪み126内部に露出する平たい当該サブマウント14の第1面142にマウントされる。さらに、各半導体発光ダイモジュール16はその内側電極(図示されず)を有し、これが外側電極に電気的に接続される。実際には、基板の形状は限定されず、例えば、図1Aの基板12は長方形である。しかしながら、例えば、図2に示される基板12は円である。また、図2では、図1Aと同一符号を有するユニットが図1Aの各ユニットと同じ機能を果たすが、無用な詳細の検討は省略される。
ある実施例では、本発明の半導体発光デバイスパッケージ構造1はさらにN個の突出部分(図示されず)とパッケージ材料(図示されず)を含む。N個の各突出部分が上面122の各第1窪み126の縁周辺に形成される。パッケージ材料は各半導体発光ダイモジュール16を覆う各突出部分にそれぞれ埋め込まれる。
別の実施例では、本発明の半導体発光デバイスパッケージ構造1はさらに突出部分(図示されず)とパッケージ材料(図示されず)を含む。突出部分はすべての第1窪み126を囲むように上面122に形成される。パッケージ材料は半導体発光ダイモジュール16のすべてを覆うように突出部分に一体に埋め込まれる。
別の実施例では、本発明の半導体発光デバイスパッケージ構造1はさらに透明カバー(図示されず)を含み、これは第1窪み126のすべてを一体に覆うために上面122に配置される。
図3Aと図3Bを参照すると、図3Aはさらに別の本発明の好ましい実施例の半導体発光デバイスパッケージ構造を例示すると同時に、図3Bは図3Aの半導体発光デバイスパッケージ構造3のラインO−Oに沿った断面図を示す。同様にして、半導体発光デバイスパッケージ構造3はまた基板32、Nを2以上の正の整数とするN個のサブマウント(図示されず)とN個の半導体発光ダイモジュール34も含む。また、図3Aは3個の半導体発光ダイモジュール34を示す。
また、半導体発光デバイスパッケージ構造3はさらにキャリア36とほぼ柱状のN個の熱伝導デバイス38も含む。N個の各熱伝導デバイス38はそれぞれ平坦部分を有する。また、基板32はその底面がキャリア36上にマウントされる。キャリア36はそれぞれがサブマウントの1つに対応するN個の貫通形成穴を有し、その各穴は1つの熱伝導デバイス38の挿入を受け入れるように合わされて、前記1つの熱伝導デバイス38の平坦部分が対応するサブマウントに密着する。
ある実施例では、各熱伝導デバイス38は熱パイプあるいは熱コラムである。
ある実施例では、各熱伝導デバイス38は銅、アルミニウム、または高熱伝導率の材料である。
図3Aと図3Bに示されるように、半導体発光デバイスパッケージ構造3はさらに少なくとも熱消散フィン40を含む。熱消散フィン40は熱伝導デバイス38の周囲にマウントされる。
図3Aと図3Bに示されるように、半導体発光デバイスパッケージ構造3はさらに固定デバイス42を含むと同時に、熱伝導デバイス38の尾端が固定デバイス42に固定される。
図3Cを参照されたい。図3は図3Aの半導体発光デバイスパッケージ構造3のラインP−Pに沿った部分断面図であり、半導体発光デバイスパッケージ構造3を明示している。また、図3Cでは、ユニットは図3B中におけるものと同じラベル符号を有すると同時に、これらは図3Bの各ユニットと同じ機能を果たすので、余計な細かい吟味は省略される。しかしながら、図3Bの半導体発光デバイスパッケージ構造3とは違って、図3Cの半導体発光デバイスパッケージ構造3の各熱伝導デバイス38の前面端部は湾曲されると同時に、各熱伝導デバイス38の平坦部分がその前面端部周囲に形成される。
図4を参照されたい。図4は図3Aの半導体発光デバイスパッケージ構造3の別の実施例を示す。また、図4では、図3Aまたは図3Bと同じラベル符号を有するユニットは図3A又は図3Bの各ユニットと同じ機能を果たすので、余計な細かい吟味は省略される。図4と図3A/3Bの半導体発光デバイスパッケージ構造間の差は図4の半導体発光デバイスパッケージ構造3の固定デバイス42が丸い形状をしているという点にある。
図4と図3A/3B間の半導体発光デバイスパッケージ構造のもう1つの差は図4の半導体発光デバイスパッケージ構造3がさらにN組の熱消散フィン40を含む点である。また、熱伝導フィン40の各組は熱伝導デバイス38の1つの周辺にマウントされる。
ある実施例では、上述の半導体発光デバイスパッケージ構造はさらに基板に合わせられた孔付きのシェードを含む。また、基板が孔に挿入されて半導体発光ダイスモジュールは該シェード内に配置される。
ある実施例では、上述の半導体発光デバイスパッケージ構造はさらに光学モジュールを含む。光学モジュールは上面にマウンドされ、半導体発光ダイモジュールを覆って半導体発光ダイモジュールによる発光光を収束させる。
ある実施例では、上述の半導体発光デバイスパッケージ構造はさらにN個の光学モジュールを含む。N個の各光学モジュールは上面にマウントされ、半導体発光ダイモジュールの1つを覆って1つの前記半導体発光ダイモジュールによる発光光を収束させる。
ある実施例では、上述の半導体発光デバイスパッケージ構造はさらに外側電極にそれぞれ電気的に接続されると同時に熱伝導デバイスの尾端まで延ばされる複数のワイヤーを含む。
ある実施例では、上述の半導体発光デバイスパッケージ構造の各半導体発光ダイモジュールは少なくとも1つの白色光ダイオードを含む。別の実施例では、半導体発光ダイモジュールの1つは少なくとも青色光ダイオード、緑色光ダイオード、又は赤色光ダイオードを含むことができる。もう1つの実施例では、半導体発光ダイモジュールの1つは少なくとも1つの青色光ダイオード、少なくとも1つの緑色光ダイオードおよび少なくとも1つの赤色光ダイオードを含む。
本発明は高熱消散効率のパッケージ構造を提供すると同時に、該パッケージ構造は少なくとも半導体発光デバイスをパッケージ化するために利用されることが明らかとなった。また、発明のパッケージ構造はさらに熱伝導デバイスと調整するように利用されて高出力半導体発光デバイスによる発生熱をさらに除去して、パッケージ構造の境界と熱消散モジュール間の熱抵抗を越えるという問題の解決が可能である。
上述の例と説明について、本発明の特徴と精神は望まれる通り十分に説明された。専門技術者はデバイスに関する多くの修正と変更が本発明に関する教唆を保持しながら行われうるということを容易に見て取ろう。従って、上述の開示は付録の請求項の範囲と限界によってのみ限定されるものと解釈されなくてはならない。
Claims (21)
- 上面および底面を定め、Nを2以上の正の整数とするN個の第1窪みが前記上面に形成され、N個の第2窪みが前記底面に形成される、各第2窪みが前記第1窪みの1つを貫通すると同時にこれと一体に連結され、複数の外側電極が前記上面に配置される基板、
それぞれが前記第2窪みの1つに対応すると同時にそれぞれの第1面とそれぞれの第2面とをその上に定めるN個のサブマウントであって、それぞれの前記サブマウントが対応する前記第2窪みに埋め込まれ、該1つのサブマウントの前記第1面が対応する前記第1窪み内部に部分的に露出するN個のサブマウント、ならびに
それぞれが前記サブマウントの1つに対応すると同時に、対応する前記第1窪み内部に露出して対応する前記サブマウントの前記第1面上にマウントされると同時に内側電極を経由して外側電極に電気接続されるN個の半導体発光ダイモジュール、
が含まれる半導体発光デバイスパッケージ構造。 - さらにそれぞれ各第1窪みを埋めて各半導体発光ダイモジュールを覆うパッケージ材料が含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに、すべての前記第1窪みを一体的に埋めて前期N個の半導体発光ダイモジュールのすべてを一体的に覆うパッケージ材料が含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに前記半導体発光ダイモジュールのすべてを一体的に覆うため前記上面に配置される透明カバーが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに前記上面に配置されるN枚の透明カバーが含まれ、各カバーによって各半導体発光ダイモジュールが覆われる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらにそれぞれが平坦部分を有するN個の熱伝導デバイス、ならびにキャリアが含まれ、該ギャリアは前記基板がその底面の上にマウントされそれぞれが1つの前記サブマウントに対応するN個の貫通形成穴を有し、各穴が1つの前記熱伝導デバイスの挿入物を受け入れるよう適合されて前記1つの熱伝導デバイスの平坦部分が対応する前記サブマウントと密着状態となる、請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに前記熱伝導デバイスの周囲上にマウントにされる少なくとも1個の熱消散フィンが含まれる請求項6の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらにN個の集合の熱消散フィンが含まれ、前記熱消散フィンの各集合が各前記熱伝導デバイスの周囲上にマウントされる請求項6の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 前記熱伝導デバイスがヒートパイプあるいはヒートコラムである請求項6の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 前記熱伝導デバイスが銅、アルミニウム、あるいは高熱伝導性材料から形成される請求項6の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに、前記上面にマウントされると同時に前記半導体発光ダイモジュールを覆う光学モジュールが含まれ、前記半導体発光ダイモジュールによる発光光を集束させる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらにそれぞれが前記上面にマウントされると同時に各前記半導体発光ダイモジュールを覆うN個の光学モジュールが含まれ、前記半導体発光ダイモジュールによる発光光を集束させる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 各サブマウントが半導体、セラミック、あるいはメタルから形成される請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに固定デバイスが含まれ前記熱伝導デバイスの尾端が該固定デバイスの上に固定される請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらにそれぞれ外側電極に電気接続すると同時に前記熱伝導デバイスの尾端まで延びる複数のワイヤーが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- さらに前記基板に適合される孔を有するシェードが含まれ、該基板が該孔に挿入されて、前記半導体発光ダイモジュールが該シェード中に配置される請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 各半導体発光ダイモジュールに少なくとも1個の白色光ダイオードが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 前記半導体発光ダイモジュールの1つに青色光ダイオードが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 前記半導体発光ダイモジュールの1つに緑色光ダイオードが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 前記半導体発光ダイモジュールの1つに赤色光ダイオードが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
- 前記半導体発光ダイモジュールの1つに少なくとも1個の青色光ダイオード、少なくとも1個の緑色光ダイオードおよび少なくとも1個の赤色光ダイオードが含まれる請求項1の半導体発光デバイスパッケージ構造。
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