JP5043832B2 - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5043832B2
JP5043832B2 JP2008513899A JP2008513899A JP5043832B2 JP 5043832 B2 JP5043832 B2 JP 5043832B2 JP 2008513899 A JP2008513899 A JP 2008513899A JP 2008513899 A JP2008513899 A JP 2008513899A JP 5043832 B2 JP5043832 B2 JP 5043832B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
recess
package structure
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008513899A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008543064A (ja
Inventor
振▲賢▼ ▲陳▼
Original Assignee
ネオバルブ テクノロジーズ，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ネオバルブ テクノロジーズ，インコーポレイテッド filed Critical ネオバルブ テクノロジーズ，インコーポレイテッド
Publication of JP2008543064A publication Critical patent/JP2008543064A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5043832B2 publication Critical patent/JP5043832B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、半導体発光装置パッケージ構造に関し、特に、半導体発光ダイのためのマルチチップモジュール・シングルパッケージ構造に関する。
長寿命および軽量で、電力消費が低く、無水銀であるという利点のために、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような半導体発光装置は理想的な光源となり、また大規模に開発されてきた。ＬＥＤは、情報、通信、コンスーマエレクトロニクス、車両、信号、広告板、照明市場を含む多くの分野に応用できる。
しかし、最新のハイパワー半導体発光装置は、一定期間継続して点灯すると過熱してしまうという問題に直面している。さらに、最新の半導体発光装置パッケージ構造は総体して、照明のパワーおよび効率に影響する過熱抵抗の問題に直面している。そのため、従来の半導体発光装置パッケージ構造は、単純にヒートシンクを提供するだけでは発光温度を低減することができない。したがって、熱消散効率が高いパッケージ構造を提供することにより、パッケージ構造の界面と熱消散モジュールの間の熱抵抗を越えてしまう問題を解決する必要がある。
したがって、本発明の範囲の意図は、従来技術に伴う問題を解決するために、半導体発光ダイのための半導体発光装置パッケージ構造を提供することである。
好ましい一実施形態では、本発明の半導体発光装置パッケージ構造は基板、平坦な副搭載部、少なくとも１つの半導体発光ダイモジュール、パッケージ材料を設けている。基板の上には頂面および底面が画定されており、頂面上に第１凹部が形成され、底面上に第２凹部が形成されている。第２凹部は第１凹部を通過し、これにつながれている。さらに、頂面上の第１凹部の縁に沿った部分に突起が形成されており、頂面上には複数の外部電極が配置されている。平坦な副搭載部は第２凹部につながれており、この上に各第１面と各第２面を画定している。平坦な副搭載部は第２凹部内に組み込まれているため、副搭載部の第１面の一部が第１凹部内で露光される。少なくとも１つの半導体発光ダイのそれぞれは、ボタン部分と内部電極を設けており、少なくとも1つの半導体発光ダイは、第１凹部内で露光した副搭載部の第1面に搭載されている。さらに、少なくとも１つの半導体発光ダイを被覆するために、突起内にパッケージ材料を充填している。
様々な図形および図面に図示された以降の好ましい実施形態の詳細な説明を読解することで、本発明の範囲が当業者に明白となることは間違いない。
本発明は、半導体発光ダイのための半導体発光装置パッケージ構造を提供するものである。以降で好ましい実施形態を開示する。
本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の平面図を示す図１を参照されたい。この実施形態では、半導体発光装置パッケージ構造１は、基板１１、副搭載部１２、少なくとも１つの半導体発光ダイ１３を設けている。この基板は頂面１１１を設け、この頂面１１１の上には複数の外部電極１７が配置されている。さらに、副搭載部１２は第１面１２１を設けており、副搭載部１２の第１面１２１には少なくとも１つの半導体発光ダイ１３が、その底面１３１の内部電極を介して搭載されている。
次に、本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の断面図を示す図２を参照されたい。半導体発光装置パッケージ構造１は基板１１、副搭載部１２、少なくとも１つの半導体発光ダイ１３、パッケージ材料１４を設けている。基板１１の頂面１１１は第１凹部１１１１を設けており、また、基板１１上に底面１１２が画定されている。さらに、底面１１２上には、第１凹部１１１１を通過し、これにつながれた第２凹部１１２１が形成されている。副搭載部１２は第２凹部１１２１内に組み込まれており、副搭載部１２上に第２面１２２が画定されており、副搭載部１２の第１面１２１が第１凹部１１１１内で露光しており、頂面１１１上の第１凹部１１１１の縁に沿った部分には突起１６が形成されている。少なくとも1つの半導体発光ダイ１３は、第１凹部１１１１内で部分的に露光している副搭載部１２の第１面１２１に組み込まれている底面１３１があり、少なくとも１つの半導体発光ダイ１３を被覆するために、突起１６内部にパッケージ材料１４が充填されている。さらに、少なくとも１つの半導体発光ダイ１３は、頂面１１１上の外部電極１７と配線を介して電気結合する内部電極を設けている。この実施形態では、少なくとも1つの半導体発光ダイ１３の内部電極は外部電極１７と直列接続している。さらに、電極の接続を並列接続にしても本発明の目的を達成できる。
副搭載部１２の第１面１２１と第１凹部１１１１の底部との間に熱伝導ペースト１５を配置して、第１基板１１と副搭載部１２を組み合わせている。
次に、本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の断面図を示す図３を参照されたい。図３に示すように、平坦副搭載部１２の第２面１２２は、基板１１底面１１２と平行している。さらに、副搭載部１２の第２面１２２と基板１１の底面１１２を１つの面に構成できるように、平坦な副搭載部１２の第２面１２２の下を熱伝導ペースト１５でコーティングしている。
次に、本発明による半導体発光装置パッケージ構造の断面図を示す図４を参照されたい。図４に示すように、平坦な副搭載部１２の第２面１２２は基板１１の底面１１２と平行している。さらに、副搭載部１２の第２面１２２と基板１１の底面１１２を1つの面に構成できるように、基板の底面１１２の下を熱伝導ペースト１５でコーティングしている。
本発明は熱消散効率性の高いパッケージ構造を提供し、このパッケージ構造は少なくとも１つの半導体発光装置をパッケージングすることが明らかである。さらに、本発明のパッケージ構造を熱伝導装置と組み合わせることで、ハイパワー半導体発光装置で生成された熱が排除され、また、パッケージ構造の界面と熱消散モジュールの間に存在する過剰な熱抵抗の問題が解決する。
上述の例および説明によって本発明の特徴および精神が記述されたことを願う。当業者は、本発明の示唆を維持できる範囲で本装置に様々な改造および変更を加えられることに容易に気付くだろう。したがって、上述の開示は、添付の請求項の境界のみによって制限されるものと解釈されるべきである。
本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の平面図である。 本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の断面図である。 本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の断面図である。 本発明の一実施形態による半導体発光装置パッケージ構造の断面図である。

Claims (9)

  1. 半導体発光装置パッケージ構造であって、
    頂面と底面を画定する基板を備え、前記頂面上には第１凹部が形成され、前記底面上には第２凹部が形成され、第２凹部が前記第１凹部を通過してこれにつながれており、突起が前記頂面上の前記第１凹部の縁に沿った部分に形成され、複数の外部電極が前記頂面上に配置されており、
    前記第２凹部につながれ、この上に第１面とこれに対応した第２面とを画定している平坦な副搭載部をさらに備え、前記平坦な副搭載部は前記第２凹部内に組み込まれているため、前記平坦な副搭載部の前記第１面の一部が前記第１凹部内で露出され、前記平坦な副搭載部の前記第１面は前記複数の外部電極と直に接触しておらず、前記平坦な副搭載部の前記第２面は前記基板の底面とほぼ同一平面内にあり、
    少なくとも４つの半導体発光ダイをさらに備え、前記半導体発光ダイのそれぞれは、底部と内部電極とを備え、前記少なくとも４つの半導体発光ダイは電気的に直列に接続されて、前記第１凹部内で部分的に露出された前記副搭載部の第１面の上に搭載されており、前記少なくとも４つの半導体発光ダイは、前記第１凹部内で露出されており、
    前記少なくとも１つの半導体発光ダイを被覆するために、前記突起部内に充填されたパッケージ材料をさらに備える、半導体発光装置パッケージ構造。
  2. 前記第１凹部の底部のサイズは、前記第２凹部の頂部のサイズよりも小さい、請求項１に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  3. 前記基板は金属材料、セラミック材料、柔軟な回路基板、硬質な回路基板で構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  4. 前記副搭載部は半導体によって構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  5. 前記平坦な副搭載部の第２面は前記基板の底面と平行する、請求項１に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  6. 前記平坦な副搭載部の第２面と底面は１つの平面に構成されている、請求項６に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  7. 前記少なくとも４つの半導体発光ダイは白色発光ダイオードである、請求項１に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  8. 前記少なくとも４つの半導体発光ダイは青色発光ダイオードである、請求項５に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
  9. 前記少なくとも４つの半導体発光ダイは少なくとも１つの赤色発光ダイオード、少なくとも１つの青色発光ダイオード、さらに少なくとも１つの緑色発光ダイオードを備えている、請求項１に記載の半導体発光装置パッケージ構造。
JP2008513899A 2005-05-31 2006-05-31 半導体発光装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP5043832B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100747311A CN100435361C (zh) 2005-05-31 2005-05-31 半导体发光元件封装结构
CN200510074731.1 2005-05-31
PCT/CN2006/001165 WO2006128375A1 (fr) 2005-05-31 2006-05-31 Structure de conditionnement d'un composant electroluminescent a semiconducteur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008543064A JP2008543064A (ja) 2008-11-27
JP5043832B2 true JP5043832B2 (ja) 2012-10-10

Family

ID=37481232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008513899A Expired - Fee Related JP5043832B2 (ja) 2005-05-31 2006-05-31 半導体発光装置およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7777237B2 (ja)
EP (1) EP1898473A4 (ja)
JP (1) JP5043832B2 (ja)
KR (1) KR20080030584A (ja)
CN (1) CN100435361C (ja)
AU (1) AU2006254610B2 (ja)
WO (1) WO2006128375A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007059657A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Jen-Shyan Chen Package structure of light-emitting diode
US20100181590A1 (en) * 2007-06-25 2010-07-22 Jen-Shyan Chen Light-emitting diode illuminating apparatus
WO2009000104A1 (fr) * 2007-06-25 2008-12-31 Jenshyan Chen Structure de boîtier de led
US20100148194A1 (en) * 2007-06-25 2010-06-17 Jen-Shyan Chen Light-emitting diode illuminating apparatus
JP5320560B2 (ja) 2008-05-20 2013-10-23 東芝ライテック株式会社 光源ユニット及び照明装置
KR101039496B1 (ko) * 2008-06-17 2011-06-08 한국광기술원 돔형 봉지층을 갖는 발광다이오드 패키지 및 그의 제조방법
KR101465161B1 (ko) * 2008-09-04 2014-11-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR101018119B1 (ko) 2008-09-04 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR101018183B1 (ko) * 2008-10-15 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 백색 ｌｅｄ 패키지
KR101038808B1 (ko) * 2008-12-11 2011-06-03 삼성엘이디 주식회사 교류구동 백색 발광장치
KR100981651B1 (ko) * 2008-12-26 2010-09-10 김민공 렌즈보호형 광소자 페키지
RU2488195C2 (ru) * 2009-03-10 2013-07-20 Непес Лед Корпорейшн Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы
KR101144146B1 (ko) * 2009-04-15 2012-05-09 (주)웨이브닉스이에스피 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
DE102009054474A1 (de) * 2009-12-10 2011-06-16 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmodul und Leuchtkette
KR101144741B1 (ko) * 2010-03-30 2012-05-24 주식회사 엠디티 발광 다이오드용 패키지
KR101147614B1 (ko) * 2010-06-16 2012-05-23 솔레즈 주식회사 발광 다이오드 칩 패키지
US20110316417A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Jen-Shyan Chen Light-emitting diode illumination platform
US8967887B2 (en) * 2011-05-20 2015-03-03 Tyco Electronics Corporation Environmentally-sealable package for optical assembly
TWI598665B (zh) * 2013-03-15 2017-09-11 隆達電子股份有限公司 發光元件、長條狀發光元件及其應用
TWI549322B (zh) * 2013-04-10 2016-09-11 映瑞光電科技（上海）有限公司 一種結合磊晶結構與封裝基板爲一體之整合式ｌｅｄ元件及其製作方法
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
JP7231809B2 (ja) * 2018-06-05 2023-03-02 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3431038B2 (ja) * 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法
JPH10144963A (ja) * 1996-11-05 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP3406270B2 (ja) * 2000-02-17 2003-05-12 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP1387412B1 (en) * 2001-04-12 2009-03-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
JP2003046135A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
CN2612075Y (zh) * 2003-02-08 2004-04-14 光鼎电子股份有限公司 Led封装结构
JP2004260048A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi マイクロタイプ発光装置
US6835960B2 (en) * 2003-03-03 2004-12-28 Opto Tech Corporation Light emitting diode package structure
JP4504662B2 (ja) * 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄランプ
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
TWM261835U (en) * 2004-07-22 2005-04-11 Everlight Electronics Co Ltd High power LED assembly structure
JP2006060070A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Kyoritsu Elex Co Ltd 発光ダイオード用パッケージ及び発光ダイオード並びに発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2006128511A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板

Also Published As

Publication number Publication date
AU2006254610B2 (en) 2011-09-08
EP1898473A4 (en) 2013-11-20
CN100435361C (zh) 2008-11-19
US20100270565A1 (en) 2010-10-28
US7985973B2 (en) 2011-07-26
KR20080030584A (ko) 2008-04-04
US7777237B2 (en) 2010-08-17
CN1874014A (zh) 2006-12-06
US20090101932A1 (en) 2009-04-23
AU2006254610A1 (en) 2006-12-07
EP1898473A1 (en) 2008-03-12
WO2006128375A1 (fr) 2006-12-07
JP2008543064A (ja) 2008-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5043832B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
US7642704B2 (en) Light-emitting diode with a base
JP4360858B2 (ja) 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
JP4241658B2 (ja) 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
JP4305896B2 (ja) 高輝度発光装置及びその製造方法
US7598533B2 (en) High heat dissipating LED having a porous material layer
JP2005064047A (ja) 発光ダイオード
US20070290328A1 (en) Light emitting diode module
US9349930B2 (en) LED module and lighting assembly
US20070290307A1 (en) Light emitting diode module
US20080266869A1 (en) LED module
US7786490B2 (en) Multi-chip module single package structure for semiconductor
JP3938100B2 (ja) Ｌｅｄランプおよびｌｅｄ照明具
KR20110099513A (ko) 조명 장치
US10680140B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
TW201407748A (zh) 發光二極體燈條
JP6210720B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
KR20050101737A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR100638881B1 (ko) 금속 기판에 ｌｅｄ 패키지를 삽입한 ｌｅｄ 어셈블리
JP3137164U (ja) 高パワー発光ダイオード
KR100866881B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20140088800A (ko) 발광 다이오드 패키지 모듈
TW201436306A (zh) 發光二極體裝置及顯示裝置及電子設備
KR20120069999A (ko) 발광다이오드 패키지
KR20120055180A (ko) Ｌｅｄ 패키지용 몰드

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110719

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111019

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111026

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111118

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120612

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees