JP2006093435A - Ｌｅｄ装置 - Google Patents

Ｌｅｄ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006093435A
JP2006093435A JP2004277764A JP2004277764A JP2006093435A JP 2006093435 A JP2006093435 A JP 2006093435A JP 2004277764 A JP2004277764 A JP 2004277764A JP 2004277764 A JP2004277764 A JP 2004277764A JP 2006093435 A JP2006093435 A JP 2006093435A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
led
light
led device
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004277764A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4922555B2 (ja
Inventor
Akihiko Hanya
明彦 半谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2004277764A priority Critical patent/JP4922555B2/ja
Priority to TW094132179A priority patent/TWI387122B/zh
Priority to US11/229,536 priority patent/US8614451B2/en
Priority to CNB2005101053577A priority patent/CN100570908C/zh
Publication of JP2006093435A publication Critical patent/JP2006093435A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4922555B2 publication Critical patent/JP4922555B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、小型化を確保しながら、混色性が良好で、外部（大気中）に対する光取り出し効率が高く、高光度のＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】複数の分離したリードフレーム２を高反射率を有する白色樹脂からなる反射枠１にインサート成形してＬＥＤ装置のパッケージを形成する。反射枠１には上方に向かって開いた内周面７を有するキャビティ８と、前記キャビティ８内に、分離した２つのリードフレーム２の夫々を底面とする円筒形状の外壁９を有するカップ１１を形成している。そして、各カップ１１の底面に位置するリードフレーム２上に赤色ＬＥＤチップ３と緑色ＬＥＤチップ４とを接着固定し、各ＬＥＤチップ３、４の下側電極とリードフレーム２とを１対１で電気的に導通させ、各ＬＥＤチップ３、４の夫々の上側電極をボンディングワイヤ５を介してリードフレーム２と１対１で電気的に導通させ、キャビティ８内に透光性樹脂６を充填した。
【選択図】 図２

Description

本発明はＬＥＤ装置に関するものであり、詳しくは光源色の互いに異なる２種類以上のＬＥＤチップを組み合わせて光源とし、夫々のＬＥＤチップから発せられる光を混合して所望する色調の光を得ることができるＬＥＤ装置に関する。
ＬＥＤチップの発光スペクトルは急峻な立ち上がり及び立ち下りを有しており、概略スペクトル分布のピーク発光波長に相当する色調の光源色となる。このような光学特性を有するＬＥＤ光源から光源色とは異なる色調の光を得るには、一般的には、光源色の互いに異なる２種類以上のＬＥＤチップを組み合わせて光源とし、夫々のＬＥＤチップから発せられる光を混合して所望する色調の光を得る方法が採られる。
上述のＬＥＤ装置の従来例としては、図９に示すものがある。これは砲弾型とも呼ばれるものであって、先端部に内周面を反射面とする凹形状のカップが形成された３本のリードフレーム５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂと先端部が平面の３本のリードフレーム５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂとが相互に所定の間隔を保って平行に配置されている。
３本のリードフレーム５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂの夫々のカップの底面には光源色が夫々赤色、緑色及び青色の赤色ＬＥＤチップ５３Ｒ、緑色ＬＥＤチップ５３Ｇ及び青色ＬＥＤチップ５３Ｂが搭載され、赤色ＬＥＤチップ５３Ｒの下側電極と赤色ＬＥＤチップ５３Ｒを搭載したリードフレーム５１Ｒとが電気的に導通されている。一方、赤色ＬＥＤチップ５３Ｒの上側電極は先端部が平面のリードフレーム５２Ｒの前記先端部とボンディングワイヤを介して接続され、電気的に導通されている。
また、緑色ＬＥＤチップ５３Ｇ及び青色ＬＥＤチップ５３Ｂの夫々のＬＥＤチップの上側に形成された一対の電極の一方は夫々のＬＥＤチップが搭載されたリードフレーム５１Ｇ、５１Ｂにボンディングワイヤを介して接続され、電気的に導通されている。一方、緑色ＬＥＤチップ５３Ｇ及び青色ＬＥＤチップ５３Ｂの夫々のＬＥＤチップの上側に形成された一対の電極の他方は夫々の先端部が平面のリードフレーム５２Ｇ、５２Ｂの前記先端部とボンディングワイヤを介して接続され、電気的に導通されている。
そして、全てのリードフレーム５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂ、５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂの先端部が透光性樹脂によって封止され、赤色ＬＥＤチップ５３Ｒ、緑色ＬＥＤチップ５３Ｇ及び青色ＬＥＤチップ５３Ｂ並びにボンディングワイヤが封止樹脂５４によって保護されている。このとき、封止樹脂５４の光出射面には赤色ＬＥＤチップ５３Ｒ、緑色ＬＥＤチップ５３Ｇ及び青色ＬＥＤチップ５３Ｂと実質的に光軸を一致させた３つの半橢球形状の凸レンズ５５が形成されている。
このとき、各ＬＥＤチップから発せられた赤色光、緑色光及び青色光の夫々について、一部は封止樹脂の透光性樹脂内を導光されて光出射面である半橢球形状の凸レンズに直接向かい、一部はＬＥＤチップが搭載されたリードフレームのカップの内周面で反射されて反射光が透光性樹脂内を導光されて凸レンズに向かう。これら２つの光路を辿って凸レンズに至った光は、光出射面の凸レンズで所定の指向性が得られるように配光されて外部（大気中）に出射される。
そして、各凸レンズの光出射面から出射された、光の３原色である赤色光、緑色光及び青色光は混合されて白色光を形成するものである。なお、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ及び青色ＬＥＤチップの各ＬＥＤチップから出射される光の量を選択的に制御（滅灯を含む）して混合することにより、各ＬＥＤチップの光源色及び白色光を含む実質的に全色の光を得ることができる（例えば、特許文献１参照。）。
特開平１０−１７３２４２号公報
ところで、近年の電子機器の小型・薄型化及び低価格化に伴なって、電子機器に内蔵される電子部品搭載基板に対しても同様の要件が求められるようになってきた。そのために、電子機器搭載基板に使用されるプリント基板は、配線パターンをプリント基板の一方の面にのみ形成した片面基板とされ、搭載部品を片面に集約して配置するようになっている。そして、表面実装型電子部品を片面基板の配線パターンが形成された同一の面に実装することによって、電子部品搭載基板の高さの低下及び低コスト化を実現しようとするものである。
それに対し、上述の従来のＬＥＤ装置は、片面基板上に実装された表面実装型電子部品と同一面に搭載させることはできない。そのため、従来のＬＥＤ装置と表面実装型電子部品とを混在させてプリント基板に搭載するためには、プリント基板の両面に配線パターンを形成した両面基板を使用し、両面基板の表面実装型電子部品が搭載された面とは反対の面にＬＥＤ装置を搭載しなければならない。
よって、電子部品搭載基板の高さが高くなると共に、プリント基板のコストアップによって電子部品搭載基板のコストも上昇し、上記要件に対して逆行する結果を生じるものである。
そこで、電子機器の小型・薄型化及び低価格化を実現させるために、上記従来の砲弾型ＬＥＤ装置と同様の光学作用を有する図１０及び図１１に示すような表面実装型のＬＥＤ装置が一般的に用いられている。
図１０で示す従来の表面実装型のＬＥＤ装置は、ＬＥＤチップ６１を搭載する複数の凹形状のカップ６２が形成されたリードフレーム６３が高反射率を有する白色樹脂でインサート成形されており、前記カップの上方には内周面が上方に向かって開いた凹形状のキャビティ６６が設けられた反射枠６４を有するパッケージを構成している。
そして、各カップ６２内に図示しない導電性部材を介してＬＥＤチップ６１が固定され、ＬＥＤチップ６１の下側電極とＬＥＤチップ６１を搭載したリードフレーム６３とが電気的に導通されている。また、ＬＥＤチップ６１の上側電極はカップ６２が形成されたリードフレーム６３とは分離したリードフレーム６３′とボンディングワイヤ６５を介して接続され、電気的に導通されている。
更に、キャビティ６６内及び各カップ６２とＬＥＤチップ６１との隙間に透光性樹脂６７が充填され、ＬＥＤチップ６１とボンディングワイヤ６５とが封止樹脂によって保護されている。また同時に、封止樹脂の光出射面には各ＬＥＤチップ６１と実質的に光軸を一致させた凸形状のレンズ６８が一体に形成されている。
また、図１１で示す従来の他の表面実装型のＬＥＤ装置は、上記図１０で示したＬＥＤ装置のリードフレーム６３の下方にある白色樹脂を取り除いた構成となっている。つまり、リードフレーム６３より上方は図１０に示すＬＥＤ装置と同様の構成、同様の光学作用を示すものである。
ところで、上記の表面実装型ＬＥＤ装置に使用されるリードフレームは、一般的には金属の平板をプレス金型でプレス抜きして作成されるものである。そのとき、金型の構造上、隣接するカップ間の最短の間隔はリードフレームの厚みによって決まる。よって、各カップに搭載された互いに隣接するＬＥＤチップの最短距離にはリードフレームの厚みによる限界が存在する。
従って、各カップに光源色の互いに異なる複数のＬＥＤチップを搭載して各ＬＥＤチップの夫々から発せられる光を混合する場合、ＬＥＤチップの相互の距離を十分に近づけることができないために、光の混合が不十分で混色性に劣るＬＥＤ装置となってしまう。
また、カップ間の間隔に対する一定の制約がＬＥＤ装置の小型化にも影響を与え、小型化が不十分なものとなってしまう。
また、リードフレームが金属平板のプレス抜きによって作製されるために、金属板の硬さ等の物性や厚み等の特性によってカップの内径や深さ等を含めたリードフレームの形状に制約が加えられる。そのため、ＬＥＤ装置に関する光学設計の自由度が妨げられ、光学的及び構造的に理想とする最良の製品を作り上げることができないことになる。
更に、金属平板からなる極めて幅の狭い回路パターンにカップを一体に形成することは非常に困難な作業であり、複雑なプレス金型による金型製作費の上昇及び不十分な寸法精度によって製造コストの上昇及び品質の低下を招くことになる。
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、混色性が良好で、外部（大気中）に対する光取り出し効率が良好で光度が高く、小型化が可能なＬＥＤ装置を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、
リードフレームが樹脂材料によりインサート成形された反射枠と、
前記反射枠に形成されたキャビティと、
前記キャビティ内に形成された、ＬＥＤチップを独立して包囲した複数のカップとを有し、
前記カップの外壁は前記反射枠と同一樹脂材料によって前記反射枠と一体に形成され、前記キャビティ内は透光性樹脂が充填されていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記外壁で包囲された、ＬＥＤチップが搭載される空間形状は略円柱形状であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１又は２の何れか１項において、前記樹脂材料は高反射率を有する白色樹脂であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１〜３の何れか１項において、前記ＬＥＤチップは、光源色が互いに異なる２種類以上のＬＥＤチップの組み合わせであることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項１〜４の何れか１項において、前記各ＬＥＤチップの上方には該ＬＥＤチップの光軸を実質的に一致させて凸形状のレンズが形成されていることを特徴とするものである。
本発明のＬＥＤ装置では、反射枠に形成されたキャビティの内部に反射枠を形成する樹脂と同一の樹脂で反射枠と一体に複数のカップを形成し、前記夫々のカップ内に光源色の異なるＬＥＤチップを搭載してＬＥＤチップから発せられる光を狭い空間内に閉じ込め、そしてこの光が大きく拡散する前に光出射面となる凸レンズに至るようにしている。
従って、凸レンズに至った光は狭い範囲内に存在するために比較的緩やかな集光で外部に出射される光を効率的に集めることができる。そのため、凸レンズの曲率が小さくても集光効果が十分発揮されることになり、高さの低いＬＥＤ装置を実現することができる。
また、隣接するカップ間の距離を従来よりも短くできるためにＬＥＤ装置の小型化が可能となり、ＬＥＤ装置を実装する機器の小型化に寄与するものである。
また同様に、隣接するＬＥＤチップの間隔を短くできるために、互いに異なる複数の光源色のＬＥＤチップを搭載して光源とする場合、各ＬＥＤチップから発せられる光の混合が良好に行なわれ、混色性に優れたＬＥＤ装置となるものである。
また、各ＬＥＤチップの上方に形成される凸レンズの形状を制御することにより、レンズの出射面から出射される光の集光度を自由に設定することができる。これは、ＬＥＤ装置から出射される光の配光を自由に制御することが可能であることを意味する。
更に、カップを構成する外壁は成形時に形成する。そのため、成形金型に加工を施すことによってカップの形状を制約なく自由に設定することができる。従って、カップの形状による配光設定の自由度が大きく、ＬＥＤチップから発せられて凸レンズに至る光の配光を理想的な形で実現することができる。
その結果、ＬＥＤ装置を観視する距離や方向、ＬＥＤ装置で照明する物体の形状や大きさ等、ＬＥＤ装置の使用条件、使用環境を考慮した最適の配光特性を簡単に実現することができる。などの利点を有する。
以下、この発明の好適な実施形態を図１から図８を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
図１は本発明に係わるＬＥＤ装置の実施形態を示す上面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。本実施形態は表面実装型と呼ばれるＬＥＤ装置であり、その構成は反射枠１、リードフレーム２、赤色ＬＥＤチップ３、緑色ＬＥＤチップ４、ボンディングワイヤ５、透光性樹脂６からなっている。
そしてこれら構成要素からなるＬＥＤ装置の構造は以下の通りである。複数の分離したリードフレーム２が白色で高反射率を有する白色樹脂からなる反射枠１にインサート成形されて表面実装型ＬＥＤ装置のパッケージが形成されている。このとき、反射枠１には上方に向かって開いた内周面７を有するキャビティ８と、前記キャビティ８内に、分離した２つのリードフレーム２の夫々を底面とする円筒形状の外壁９部を有するカップ１１が形成されている。
そして、各円筒形状の外壁９内の底面に位置するリードフレーム２上に赤色ＬＥＤチップ３と緑色ＬＥＤチップ４とが図示止しない導電性部材を介して接着固定され、各ＬＥＤチップ３、４の下側電極とリードフレーム２とが１対１で電気的に導通されている。
一方、赤色ＬＥＤチップ３と緑色ＬＥＤチップ４との夫々の上側電極はボンディングワイヤ５を介してリードフレーム２と１対１で電気的に導通されている。
更に、キャビティ８内に透光性樹脂６が充填され、赤色ＬＥＤチップ３及び緑色ＬＥＤチップ４並びにボンディングワイヤ５が樹脂封止によって保護されている。このとき、封止樹脂の光出射面には各ＬＥＤチップ３、４と光軸を実質的に一致させた２つの凸レンズ１０が形成されている。
このような構造のＬＥＤ装置における光学系は次のようになる。各ＬＥＤチップ３、４から発せられた緑色光及び赤色光の夫々について、一部は透光性樹脂６内を導光されて光出射面である凸レンズ１０に直接向かい、一部はキャビティ８の内周面７で反射されて反射光が透光性樹脂６内を導光されて凸レンズ１０に向かう。これら２つの光路を辿って凸レンズ１０に至った光は、光出射面の凸レンズ１０で所定の指向性が得られるように配光されて外部（大気中）に出射される。
この場合、各ＬＥＤチップ３、４から発せられた光の多くは夫々の円筒形状の外壁９で包囲された狭いカップ１１内に閉じ込められ、その狭い範囲に閉じ込められた光が大きく拡散する前に光出射面となる凸レンズ１０に達するようになっている。
その結果、各ＬＥＤチップ３、４から発せられた光のうちの多くは直接凸レンズ１０に至り、凸レンズ１０で所定の指向性が得られるように配光されて外部に出射される。従って、ＬＥＤチップから発せられた光の外部への光取り出し効率が良好で、光度の高いＬＥＤ装置が実現できる。
図３は本実施形態の製造プロセスを示した工程図である。金属の平板をプレス金型でプレス抜きしたリードフレームを準備し、（ａ）のように前記リードフレーム２を白色で高反射率を有する白色樹脂からなる反射枠１にインサート成形してＬＥＤ装置のパッケージを形成する。その時、反射枠１には上方に向かって開いた内周面７を有するキャビティ８が設けられ、前記キャビティ８内にはリードフレーム２を底面とする円筒形状の外壁９部を有するカップ１１が形成されている。
次に、（ｂ）のようにそして、各円筒形状の外壁９内の底面に位置するリードフレーム２上に赤色ＬＥＤチップ３と緑色ＬＥＤチップ４とを図示止しない導電性部材を介して接着固定し、各ＬＥＤチップ３、４の下側電極とリードフレーム２とを１対１で電気的に導通させる。
次に（ｃ）のように一方の端部を赤色ＬＥＤチップ３と緑色ＬＥＤチップ４の夫々の上側電極に接続したボンディングワイヤ５の他の端部をリードフレーム２に接続し、各ＬＥＤチップ３、４の上側電極とリードフレーム２とを１対１で電気的に導通させる。
更に、（ｄ）のように、キャビティ８内及び円筒形状の外壁９で囲まれたカップ１１内に透光性樹脂６を充填して各ＬＥＤチップ３、４及びボンディングワイヤ５を封止し、同時に封止樹脂の光出射面には各ＬＥＤチップ３、４と実質的に光軸を一致させた２つの凸レンズ１０を一体に形成する。
図４は図３（ｃ）の上面図であり、本実施形態のＬＥＤ装置の製造工程において、キャビティ内に透光性樹脂を充填する直前の状態を示すものである。赤色ＬＥＤチップ３及び緑色ＬＥＤチップ４が夫々円筒形状の外壁９で囲まれたカップ１１内部に搭載され、各ＬＥＤチップ３、４の上側電極及び下側電極と電気的に導通されたリードフレーム２が反射枠を通して外部に導出されている。
なお、成形樹脂で形成するカップの外壁の形状は種々のものが考えられるが、他の実施形態として図５に示すものがある。これは、赤色ＬＥＤチップ３及び緑色ＬＥＤチップ４を独立して包囲する外壁９を一体に形成したものであり、その他の構造については上記実施形態と同様である。但し、外壁９は本発明の実施形態の詳細を表す図６（ａ）、（ｂ）の形状に限られるものではなく、各ＬＥＤチップ３、４を独立して包囲し、且つ隣接するＬＥＤチップ３、４間を所望する距離に設定できれば、ＬＥＤ装置の小型化に支障を来さない限り形状に制限はない。
また、本実施形態では赤色ＬＥＤチップと緑色ＬＥＤチップの２つのＬＥＤチップを実装する構成について説明したが、実装するＬＥＤチップ数は２つに限られるものではなく、本実施形態の基本構造に基づいて３つ以上の、任意に選択された光源色のＬＥＤチップを実装する構成も可能である。従って、外壁によって形成されるカップも２つに限られるものではなく、３つ以上であっても問題はない。この場合、各ＬＥＤチップから出射される光の量を選択的に制御（滅灯を含む）して混合することによって、各ＬＥＤチップの光源色及び白色光を含む実質的に全色の光を得ることができる
また、リードフレームが反射枠にインサート成形されたパッケージにＬＥＤチップを搭載する表面実装型ＬＥＤ装置において、ＬＥＤチップを包囲するカップを形成するには、図７（ａ）、（ｂ）に示す従来の方法と図８（ａ）、（ｂ）に示す本発明の形成方法がある。従来の方法はリードフレームをインサート成形する前に予めリードフレームにカップを形成しておく方法であり、本発明の方法はフラットな形状のリードフレームを樹脂でインサート成形するときに同時に成形樹脂によってカップを形成するものである。
そこで、両者のカップ間の寸法を比較すると、以下のようになる。隣接するカップの内径をＡ、肉厚をＢ、カップ間の距離をＣ、カップの中心間の距離（ＬＥＤチップを実装したときのＬＥＤチップ間の距離）をＤとすると、隣接するＬＥＤチップ間の距離Ｄは、Ｄ＝Ａ＋（Ｂ×２）＋Ｃの式で表される。
このとき、寸法Ａ、Ｂ及びＣに係わる条件を挙げると、Ａ及びＢについては両者共に所望する任意の寸法で実現できる。ところが、Ｃの寸法については、従来のリードフレームにカップを形成する方法では、リードフレームの板厚×（０．８以上）となるのに対し、本発明の成形樹脂によってカップを形成する方法では、リードフレームの板厚×（０．８以上）−（Ｂ×２）となる。
そこで、この条件を満足する隣接するＬＥＤチップ間の最短距離Ｄを比較してみると、従来の方法では、Ｄ＝Ａ＋（Ｂ×２）＋リードフレームの板厚×０．８となり、本発明の方法では、Ｄ＝Ａ＋リードフレームの板厚×０．８となる。
従って、従来の方法に対して本発明の方が（Ｂ×２）だけ、つまり、隣接するＬＥＤチップの間隔をカップの肉厚の２倍の距離分近づけて搭載できるようにカップを形成することができることになる。
また、各ＬＥＤチップから発せられる光の混色性の向上のみを目的とするならば、必ずしも上記実施形態のようなレンズを形成する必要はなく、各ＬＥＤチップ間の距離を縮めることで十分な効果を得ることができる。
ここで、上記結果を踏まえて本発明のＬＥＤ装置に係わる実施形態の効果について説明する。ＬＥＤ装置の用法としては、照明用として使用される場合と、表示用として使用される場合に大別される。照明用として使用される場合に求められる要件は、明るいこと、演色性（色の忠実度）に優れていることなどが挙げられる。一方、表示用としては色調の均一性、再現性などが挙げられる。
光源色の互いに異なる複数のＬＥＤチップを光源とするＬＥＤ装置は、光源と表示素子の両方の目的に使用されるものであり、更に、比較的小型機器に使用する場合には小型化も重要な要件の一つとなるものである。
そこで、光源色の互いに異なる複数のＬＥＤチップを光源とする本実施例のＬＥＤ装置では、上方に向かって開いた内周面を有するキャビティ内に形成された２つの円筒形状の外壁で包囲したカップ内にＬＥＤチップを実装することにより、夫々のＬＥＤチップから発せられてカップ内の狭い範囲内に閉じ込められた光が周囲に大きく拡散する前に光出射面となるレンズに到達するようにしている。
従って、各ＬＥＤチップの上方に形成された凸レンズに到達した光は狭い範囲内に存在するために比較的緩やかな集光で外部に出射される光を効率的に集めることができる。その結果、凸レンズの曲率が小さくても集光効果が十分発揮されることになり、高さの低いＬＥＤ装置を実現することができる。
また、隣接するカップ間の距離を従来よりも短くできるためにＬＥＤ装置の小型化が可能となり、ＬＥＤ装置を実装する機器の小型化に寄与するものである。
また同様に、隣接するＬＥＤチップの間隔を短くできるために、互いに異なる複数の光源色のＬＥＤチップを搭載して光源とする場合、各ＬＥＤチップから発せられる光の混合が良好に行なわれ、混色性に優れたＬＥＤ装置となるものである。
また、ＬＥＤチップを実装するカップの周囲に内周面をＬＥＤチップの光軸を対してＬＥＤチップの発光方向に向かって開いた傾斜面とするキャビティを設けている。その結果、円筒形状の外壁で包囲されたＬＥＤチップから発せられた光のうち、キャビティの内周面に向かった光を反射して光出射面となるレンズ方向に向けるようにしている。これにより、ＬＥＤチップから発せられた光が効率良く外部に出射されるため、光取り出し効率の高い、明るいＬＥＤ装置を実現することができる。
また、各ＬＥＤチップの上方に形成される凸レンズの形状を制御することにより、レンズの出射面から出射される光の集光度を自由に設定することができる。これは、ＬＥＤ装置の配光を自由に制御することが可能であることを意味する。
更に、カップを構成する外壁は成形時に形成する。そのため、成形金型に加工を施すことによってカップの形状を制約なく自由に設定することができる。従って、カップの形状による配光設定の自由度が大きく、ＬＥＤチップから発せられて凸レンズに至る光の配光を理想的な形で実現することができる。
その結果、ＬＥＤ装置を観視する距離や方向、ＬＥＤ装置で照明する物体の形状や大きさ等、ＬＥＤ装置の使用条件、使用環境を考慮した最適の配光特性を簡単に実現することができる。
上述のように、光源色の互いに異なる複数のＬＥＤチップを光源とした本発明のＬＥＤ装置は、照明用及び表示用の両方の用件を満たすものであり、幅広い応用分野に適応可能なものである。
従って、本発明のＬＥＤ装置は、民生機器の分野においては、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、などの比較的小型機器に表示装置として使用される液晶パネルのバックライト光源、携帯電話等の携帯機器のストロボ光源、各種情報表示板用光源、各種インジケータ用光源として、車載用機器の分野においては、車載用機器に表示装置として使用される液晶パネルのバックライト光源、各種インジケータ用光源として
広範囲の分野に活用できる。
本発明のＬＥＤ装置に係わる実施形態を示す上面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明のＬＥＤ装置に係わる実施形態の製造工程図である。 本発明のＬＥＤ装置に係わる実施形態の製造工程途中の状態を示す上面図である。 本発明のＬＥＤ装置に係わる他の実施形態を示す上面図である。 （ａ）は本発明のＬＥＤ装置に係わる実施形態の外壁部を示す部分上面図、（ｂ）は本発明のＬＥＤ装置に係わる他の実施形態の外壁部を示す部分上面図である。 （ａ）は従来のＬＥＤ装置のリードフレームに形成されたカップ部を示す部分上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は本発明のＬＥＤ装置に係わる実施形態の外壁部を示す部分上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 従来のＬＥＤ装置を示す斜視図である。 従来の他のＬＥＤ装置を示す断面図である。 同じく、従来の他のＬＥＤ装置を示す断面図である。
符号の説明
１ 反射枠
２ リードフレーム
３ 赤色ＬＥＤチップ
４ 緑色ＬＥＤチップ
５ ボンディングワイヤ
６ 透光性樹脂
７ 内周面
８ キャビティ
９ 外壁
１０ レンズ
１１ カップ

Claims (5)

  1. リードフレームが樹脂材料によりインサート成形された反射枠と、
    前記反射枠に形成されたキャビティと、
    前記キャビティ内に形成された、ＬＥＤチップを独立して包囲した複数のカップとを有し、
    前記カップの外壁は前記反射枠と同一樹脂材料によって前記反射枠と一体に形成され、前記キャビティ内は透光性樹脂が充填されていることを特徴とするＬＥＤ装置。
  2. 前記外壁で包囲された、ＬＥＤチップが搭載される空間形状は略円柱形状であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置。
  3. 前記樹脂材料は高反射率を有する白色樹脂であることを特徴とする請求項１又は２の何れか１項に記載のＬＥＤ装置。
  4. 前記ＬＥＤチップは、光源色が互いに異なる２種類以上のＬＥＤチップの組み合わせであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＬＥＤ装置。
  5. 前記各ＬＥＤチップの上方には該ＬＥＤチップの光軸を実質的に一致させて凸形状のレンズが形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＬＥＤ装置。
JP2004277764A 2004-09-24 2004-09-24 Ｌｅｄ装置 Expired - Lifetime JP4922555B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004277764A JP4922555B2 (ja) 2004-09-24 2004-09-24 Ｌｅｄ装置
TW094132179A TWI387122B (zh) 2004-09-24 2005-09-16 發光二極體裝置
US11/229,536 US8614451B2 (en) 2004-09-24 2005-09-20 Light emitting diode device
CNB2005101053577A CN100570908C (zh) 2004-09-24 2005-09-23 Led器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004277764A JP4922555B2 (ja) 2004-09-24 2004-09-24 Ｌｅｄ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006093435A true JP2006093435A (ja) 2006-04-06
JP4922555B2 JP4922555B2 (ja) 2012-04-25

Family

ID=36098064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004277764A Expired - Lifetime JP4922555B2 (ja) 2004-09-24 2004-09-24 Ｌｅｄ装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8614451B2 (ja)
JP (1) JP4922555B2 (ja)
CN (1) CN100570908C (ja)
TW (1) TWI387122B (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2009540618A (ja) * 2006-06-12 2009-11-19 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 再発光半導体構造体及び集束性光学素子を有するｌｅｄデバイス
KR101025961B1 (ko) 2008-11-05 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 모듈
KR101028242B1 (ko) * 2010-03-30 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛
JP2011254080A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
WO2012023246A1 (ja) * 2010-08-20 2012-02-23 シャープ株式会社 発光ダイオードパッケージ
KR101134409B1 (ko) * 2010-03-29 2012-04-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20130066439A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101297403B1 (ko) * 2011-12-22 2013-08-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
WO2013148826A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (smd) light emitter components and methods
JP2013239708A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置
KR101334317B1 (ko) * 2007-03-20 2013-11-28 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
WO2013183950A1 (ko) * 2012-06-08 2013-12-12 엘지이노텍주식회사 발광 소자 패키지
JP2014042011A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
JP2015079835A (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 大日本印刷株式会社 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
JP2015122541A (ja) * 2011-05-27 2015-07-02 シャープ株式会社 発光装置、および照明装置
USD738832S1 (en) 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9223076B2 (en) 2011-04-14 2015-12-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device package
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
KR101788723B1 (ko) * 2011-04-28 2017-10-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101860899B1 (ko) * 2017-05-24 2018-05-25 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101902399B1 (ko) * 2016-12-23 2018-10-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101936228B1 (ko) * 2011-12-22 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
JP2022037897A (ja) * 2020-08-25 2022-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2022037898A (ja) * 2020-08-25 2022-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
KR100663906B1 (ko) * 2005-03-14 2007-01-02 서울반도체 주식회사 발광 장치
DE102006032416A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP2007136720A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Fuji Xerox Co Ltd Ｌｅｄアレイヘッド及び画像記録装置
KR100665365B1 (ko) * 2006-01-05 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 제조 방법
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
CN101443925B (zh) * 2006-04-04 2012-02-22 富士施乐株式会社 带有微透镜的发光元件阵列以及光写入头
KR20090031370A (ko) 2006-05-23 2009-03-25 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
TW200836368A (en) * 2007-02-16 2008-09-01 Yu-Nung Shen Packaging body for light source
TW200837974A (en) * 2007-03-01 2008-09-16 Touch Micro System Tech Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
KR100891810B1 (ko) * 2007-11-06 2009-04-07 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
CN101603636B (zh) 2008-06-10 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 光源装置
US8136960B2 (en) * 2008-11-12 2012-03-20 American Opto Plus Led Corporation Light emitting diode display
TWI527260B (zh) * 2008-11-19 2016-03-21 廣鎵光電股份有限公司 發光元件結構及其半導體晶圓結構
TWI462350B (zh) * 2008-12-24 2014-11-21 Ind Tech Res Inst 多晶發光二極體
JPWO2011037185A1 (ja) * 2009-09-24 2013-02-21 京セラ株式会社 実装用基板、発光体、および実装用基板の製造方法
CN101922624A (zh) * 2010-04-09 2010-12-22 嘉兴嘉尼光电科技有限公司 一种大功率led面光源
CN102235643A (zh) * 2010-04-22 2011-11-09 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 背光模组
CN101887939A (zh) * 2010-05-24 2010-11-17 晶科电子（广州）有限公司 一种提高led外量子效率的封装结构及其封装方法
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5940775B2 (ja) * 2010-08-27 2016-06-29 ローム株式会社 液晶表示装置バックライト用ｌｅｄ光源装置および液晶表示装置
JP5767062B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
CN102468398B (zh) * 2010-11-09 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101830717B1 (ko) * 2011-06-30 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN102779793A (zh) * 2012-07-17 2012-11-14 明基电通有限公司 电子元件封装结构、电子装置及其制造方法
CN202691930U (zh) * 2012-07-24 2013-01-23 宁波宇峰电热器有限公司 一种固定led灯的安装座
CN102881685B (zh) * 2012-09-29 2015-05-06 四川新力光源股份有限公司 Led cob封装光源
US10125971B2 (en) * 2013-02-19 2018-11-13 Michael Graziano LED lamp integrated to electric fan
CN103557459B (zh) * 2013-11-06 2016-03-02 郑州中原显示技术有限公司 发光面不相同的三基色led灯
US20160079217A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and lead frame
EP3598510B1 (en) * 2018-07-18 2022-02-23 Lumileds LLC Light emitting diode device and producing methods thereof
US12002909B2 (en) 2020-08-25 2024-06-04 Nichia Corporation Surface-mounted multi-colored light emitting device
US11955466B2 (en) 2020-08-25 2024-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
WO2024197600A1 (en) * 2023-03-28 2024-10-03 Creeled , Inc. Structures for light-emitting diode packages multiple light-emitting diode chips

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10173242A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Toyoda Gosei Co Ltd 全色発光型発光ダイオードランプ
JP2001111119A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2003152225A (ja) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004095576A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Toshiba Corp 光半導体装置及び光半導体モジュール及び光半導体装置の製造方法
JP2004517465A (ja) * 2000-08-24 2004-06-10 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光ダイオードチップを含むオプトエレクトロニクス部品

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660461A (en) * 1994-12-08 1997-08-26 Quantum Devices, Inc. Arrays of optoelectronic devices and method of making same
CN1534803B (zh) 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JPH10242411A (ja) * 1996-10-18 1998-09-11 Sony Corp 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
EP1116418B2 (de) 1999-07-23 2011-07-06 OSRAM Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
JP2001127346A (ja) 1999-10-22 2001-05-11 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2001196639A (ja) 2000-01-12 2001-07-19 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光素子及びその製造方法
JP2001210872A (ja) 2000-01-26 2001-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2001345483A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード
TW513820B (en) * 2001-12-26 2002-12-11 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and its manufacturing method
TW558844B (en) * 2002-05-15 2003-10-21 Opto Tech Corp Light emitting diode capable of increasing light emitting brightness
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
TW544953B (en) * 2002-06-03 2003-08-01 Opto Tech Corp Light emitting diode capable of increasing the light emitting efficiency
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2004207369A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型白色ｌｅｄ
US7281818B2 (en) * 2003-12-11 2007-10-16 Dialight Corporation Light reflector device for light emitting diode (LED) array
US7230280B2 (en) * 2004-05-27 2007-06-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Collimating light from an LED device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10173242A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Toyoda Gosei Co Ltd 全色発光型発光ダイオードランプ
JP2001111119A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2004517465A (ja) * 2000-08-24 2004-06-10 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光ダイオードチップを含むオプトエレクトロニクス部品
JP2003152225A (ja) * 2001-08-28 2003-05-23 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004095576A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Toshiba Corp 光半導体装置及び光半導体モジュール及び光半導体装置の製造方法

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD738832S1 (en) 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
JP2009540618A (ja) * 2006-06-12 2009-11-19 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 再発光半導体構造体及び集束性光学素子を有するｌｅｄデバイス
US7598528B2 (en) 2006-07-10 2009-10-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High power light emitting diode package and method of producing the same
US7846754B2 (en) 2006-07-10 2010-12-07 Samsung Led Co., Ltd. High power light emitting diode package and method of producing the same
KR100809210B1 (ko) 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101334317B1 (ko) * 2007-03-20 2013-11-28 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
KR101025961B1 (ko) 2008-11-05 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 모듈
KR101134409B1 (ko) * 2010-03-29 2012-04-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101028242B1 (ko) * 2010-03-30 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛
US9659916B2 (en) 2010-06-01 2017-05-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2017022420A (ja) * 2010-06-01 2017-01-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2011254080A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
US10541235B2 (en) 2010-06-01 2020-01-21 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2019106551A (ja) * 2010-06-01 2019-06-27 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
US10283491B2 (en) 2010-06-01 2019-05-07 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device package
US9418973B2 (en) 2010-06-01 2016-08-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US9991241B2 (en) 2010-06-01 2018-06-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US9165912B2 (en) 2010-06-01 2015-10-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
WO2012023246A1 (ja) * 2010-08-20 2012-02-23 シャープ株式会社 発光ダイオードパッケージ
US9223076B2 (en) 2011-04-14 2015-12-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR101859149B1 (ko) * 2011-04-14 2018-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101788723B1 (ko) * 2011-04-28 2017-10-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2015122541A (ja) * 2011-05-27 2015-07-02 シャープ株式会社 発光装置、および照明装置
US10088123B2 (en) 2011-05-27 2018-10-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, LED light bulb, spot lighting device, lighting device, and lighting equipment
US9611985B2 (en) 2011-05-27 2017-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, lighting device
KR101896677B1 (ko) * 2011-12-12 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20130066439A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101936228B1 (ko) * 2011-12-22 2019-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101297403B1 (ko) * 2011-12-22 2013-08-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
WO2013148826A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (smd) light emitter components and methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US11004890B2 (en) 2012-03-30 2021-05-11 Creeled, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
CN104247056A (zh) * 2012-03-30 2014-12-24 克利公司 基于子贴装件的表面贴装器件(smd)发光组件及方法
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US9306139B2 (en) 2012-05-14 2016-04-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system
JP2013239708A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Lg Innotek Co Ltd 発光素子、発光素子製造方法、及び照明装置
US9391117B2 (en) 2012-06-08 2016-07-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package
WO2013183950A1 (ko) * 2012-06-08 2013-12-12 엘지이노텍주식회사 발광 소자 패키지
US9362461B2 (en) 2012-08-23 2016-06-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
JP2014042011A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
JP2015079835A (ja) * 2013-10-16 2015-04-23 大日本印刷株式会社 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
KR101902399B1 (ko) * 2016-12-23 2018-10-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101860899B1 (ko) * 2017-05-24 2018-05-25 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
JP2022037897A (ja) * 2020-08-25 2022-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2022037898A (ja) * 2020-08-25 2022-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7256418B2 (ja) 2020-08-25 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7256417B2 (ja) 2020-08-25 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8614451B2 (en) 2013-12-24
CN100570908C (zh) 2009-12-16
TW200618354A (en) 2006-06-01
CN1753200A (zh) 2006-03-29
TWI387122B (zh) 2013-02-21
US20060065957A1 (en) 2006-03-30
JP4922555B2 (ja) 2012-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4922555B2 (ja) Ｌｅｄ装置
US7345318B2 (en) Light-emitting diode
TWI387124B (zh) 發光裝置
JP4504662B2 (ja) Ｌｅｄランプ
US8704263B2 (en) Light emitting apparatus with an opening part, manufacturing method thereof, and light unit
KR100580753B1 (ko) 발광소자 패키지
JP4615981B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
US7205719B2 (en) Light source with LED and optical protrusions
JP2001250986A (ja) ドットマトリクス表示装置
KR20120118686A (ko) 발광소자 모듈
JP2019523964A (ja) フラッシュモジュール及びこれを含む端末機
JP2012009793A (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2004342781A (ja) 発光装置およびディスプレイ装置
JP2006086408A (ja) Ｌｅｄ装置
JP2007080862A (ja) 発光装置
KR20120056543A (ko) 발광소자 패키지
KR20080029351A (ko) 엘이디 백라이트 장치 및 그 제조방법
CN110265387B (zh) 一种led封装结构、背光模组及显示设备
KR20130032095A (ko) 발광소자 패키지
KR101141470B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101104023B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR200433111Y1 (ko) 엘이디 백라이트 장치
KR101904263B1 (ko) 발광소자 패키지
JPH1022528A (ja) Ｌｅｄバックライト
KR101883344B1 (ko) 발광소자 어레이

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070911

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100406

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100917

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110128

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110207

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20110304

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120206

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4922555

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250