JP2017022420A - 発光素子パッケージ - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 6
- -1 for example Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Abstract
【解決手段】発光素子パッケージは、樹脂体と、それと接する第1〜第3金属体と、第1、第2金属体にそれぞれ配置される第1、第2発光素子とを含む。樹脂体は、第1方向に延設される第1、第2長側壁と、第1方向と直交する第2方向に延設される第1、第2短側壁と、底部とを有する。第1、第2金属体の一部はそれぞれ第1、第2短側壁を貫通する。第1金属体は、第1発光素子が配置される表面を含む第1部分と、第2長側壁と第3金属体との間に配置される表面を含む第2部分とを有する。第2金属体は、第2発光素子が配置される表面を含む第3部分と、第2長側壁と第3金属体との間に配置される表面を含む第4部分とを有する。第1部分の幅及び第3部分の幅のそれぞれは、第2部分の幅及び第4部分の幅よりも広い。
【選択図】図1
Description
、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種であって、既存の蛍光灯、白熱灯に代
わる次世代光源として注目を集めている。
を生成する白熱灯や、または高圧放電を通じて生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光
を生成する蛍光灯に比べて非常に低い電力のみを消耗する。
の光源に比べて寿命が長くかつ応答特性が速く、環境にやさしい特徴を有する。
いて、発光ダイオードは、室内外で使われる各種のランプ、液晶表示装置、電光掲示板、
街灯などの照明装置の光源として使用が増加している。
子パッケージを提供する。
ーと、前記ボディーのキャビティの底部に互いに離隔して配置される第1反射カップと第
2反射カップと、前記第1反射カップの内部に配置される第1発光素子と、前記第2反射
カップの内部に配置される第2発光素子と、を含む。
陥没した構造を有することができる。
料からなることができる。
子から発生する熱が前記ボディーに発散されることを遮断することができる。
ディーを貫通して露出されることができる。前記第1反射カップ及び前記第2反射カップ
は形状及び大きさにおいて対称をなすことができる。前記第1反射カップ及び前記第2反
射カップのそれぞれの、側面と底部とがなす角度は、90°〜160°とすることができ
る。
ボディーの上部面と水平である枠部を有することができる。前記第1反射カップの上部面
は前記第1発光素子の上部面と水平であり、前記第2反射カップの上部面は前記第2発光
素子の上部面と水平とすることができる。
ディーと、前記ボディーのキャビティの底部に互いに離隔して形成される第1反射カップ
と第2反射カップと、前記第1反射カップの内部に配置される第1発光素子と、前記第2
反射カップの内部に配置される第2発光素子と、及び前記ボディーのキャビティの底部に
前記第1反射カップ及び前記第2反射カップと離隔して形成される連結部と、を含み、前
記第1発光素子と前記第2発光素子は前記連結部によって電気的に連結されることができ
る。
前記第1反射カップ及び前記第2反射カップは、前記ボディーのキャビティの底部から
陥没した構造を有することができる。
前記第1反射カップ、前記第2反射カップ、及び前記連結部のそれぞれの、少なくとも
一部分は前記ボディーを貫通して露出されることができる。
ディーと、前記ボディーのキャビティの底部に互いに離隔して配置され、前記ボディーと
異なる材質である第1反射カップ及び第2反射カップと、前記第1反射カップの内部に配
置される第1発光素子、及び前記第2反射カップの内部に配置される第2発光素子と、を
含み、前記第1反射カップと前記第2反射カップとの間には、前記ボディーキャビティの
底部の一部分が位置する。
前記ボディーのキャビティの底部に前記第1反射カップ及び前記第2反射カップと離隔
して配置され、前記ボディーと異なる材質である連結部を含むことができる。
前記第1発光素子と前記第2発光素子は、前記連結部によって電気的に連結されること
ができる。
)、シリコン(Si)、PSG(photo sensitive glass)、及び
サファイア(Al2O3)のうちいずれか一つであり、前記第1反射カップ及び前記第2
反射カップの材質は金属とすることができる。前記ボディーのキャビティの側面は、8個
の面からなり、前記各8個の面のうち各第1面の面積は各第2面の面積よりも小さく、前
記各第1面は前記ボディーの各角部分と対向する面であり、前記各第2面は前記各第1面
の間にある面とすることができる。
ディーと、前記ボディーのキャビティの底部に互いに離隔して形成される第1反射カップ
と第2反射カップと、前記第1反射カップの内部に配置され、第1電極及び第2電極を含
む第1発光素子、及び前記第2反射カップの内部に配置され、第3電極及び第4電極を含
む第2発光素子と、を含み、前記第1電極及び前記第2電極のうちいずれか一方は前記第
1反射カップと電気的に連結され、前記第3電極及び前記第4電極のうちいずれか一方は
前記第2反射カップと電気的に連結される。
、前記第3電極及び前記第4電極のうち他方は、前記第1反射カップと電気的に連結され
ることができる。
方に電気的に連結されることができる。
して配置される連結部を含み、前記連結部は、前記第1電極及び前記第2電極のうち他方
と、前記第3電極及び前記第4電極のうち他方とを電気的に連結することができる。前記
第1電極及び前記第3電極はn型電極であり、前記第2電極及び前記第4電極はp型電極
とすることができる。
。
ある。図面において、大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略され
たり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に
反映するものではない。また、同一の符号は図面の説明を通じて同一の構成要素を示す。
発光素子パッケージ100は、ボディー110、第1反射カップ122、第2反射カップ
124、連結部126、発光素子132、134、ツェナーダイオード150(Zeno
r diode)、及びワイヤ151〜159を含む。
SG、サファイア(Al2O3)、印刷回路基板(PCB)のうち少なくとも一つで形成
されることができる。ボディー110は、ポリフタルアミドのような樹脂材質からなるこ
とが好ましい。
性を有する材質である場合、ボディー110の表面には絶縁膜(図示せず)が形成されて
、ボディー110が第1反射カップ122、第2反射カップ124、連結部126と電気
的にショート(short:短絡)することを防止するように構成され得る。
及び設計に応じて三角形、四角形、多角形及び円形などの多様な形状を有することができ
る。
バックライトユニット(BLU:Backlight Unit)に使用可能であり、携
帯用懐中電灯や家庭用照明に適用される場合、ボディー110は、携帯用懐中電灯や家庭
用照明に容易に内蔵できる大きさと形態に変更可能である。
るキャビティ105(cavity)(以下、“ボディーキャビティ”という)を有する
。
ることができ、ボディーキャビティ105の側面102は底部103に対して垂直または
傾斜することができる。
形)とすることができる。ボディーキャビティ105の角は曲線とすることができる。図
1に示すボディーキャビティ105を上から見た形状は、全体的に八角形の形状であり、
ボディーキャビティ105の側面102は8個の各面で区分されることができ、好ましく
は、各第1面の面積は各第2面の面積よりも小さい。ここで、各第1面はボディー110
の各角部分と対向するボディーキャビティ105の側面であり、第2面は各第1面の間に
ある面とすることができる。
103の下のボディー110の内部に互いに離隔して配置されることができる。第1反射
カップ122は、ボディーキャビティ105の底部から陥没し、上部が開放された構造と
することができる。
なる第1キャビティ162を有することができ、第1反射カップ122は第1キャビティ
162内に配置されることができる。
の底部から陥没し、上部が開放された構造とすることができる。例えば、ボディーキャビ
ティ105の底部103は、上部が開放され、側面と底部からなる第2キャビティ164
を有することができ、第2反射カップ124は第2キャビティ164内に配置されること
ができる。このとき、第2キャビティ164は第1キャビティ162と離隔することがで
きる。
底部103の一部分が位置し、底部103の一部分によって第1反射カップ122と第2
反射カップ124とは隔離されることができる。
状の容器形状などで形成されることができ、各々の側面は各々の底部に対して垂直とする
か、または傾斜させることができる。
ディー110を貫通してボディー110の外部に露出されることができる。第1反射カッ
プ122及び第2反射カップ124の少なくとも一部がボディー110の外部に露出され
るので、第1発光素子132及び第2発光素子134から発生する熱をボディー110の
外部に放出させる効率を向上させることができる。
露出されることができる。また、第2反射カップ124の一端144は、ボディー110
の第2側面を貫通して露出されることができる。ここで、第2側面は第1側面と対向する
側面とすることができる。
銅などの材質とすることができ、これらをめっきした金属材質であっても良い。第1反射
カップ122と第2反射カップ124は、ボディー110と同じ材質で、ボディー110
と一体型であっても良く、または、ボディー110と異なる材質で、ボディー110と一
体型ではなくても良い。第1反射カップ122及び第2反射カップ124は、連結部12
6を基準にして形状及び大きさにおいて対称をなすことができる。連結部126は、ボデ
ィーキャビティ105の底面の下のボディー110内部に、第1反射カップ122及び第
2反射カップ124とそれぞれ離隔して形成される。連結部126は、電気を通すことが
できる伝導性物質からなることができる。
間に配置されることができる。例えば、連結部126は、第1反射カップ122と第2反
射カップ124との間のボディーキャビティ105の第3側面に隣接するボディーキャビ
ティ105の底部の内部に配置されることができる。
。例えば、連結部126の一端はボディーキャビティ105の第3側面を貫通して露出さ
れることができる。ここで、ボディー110の第3側面は、ボディー110の第1側面及
び第2側面と垂直なある一側面である。
第1反射カップ122及び第2反射カップ124のうちいずれか一つの上に配置される。
図1に示すように、第2反射カップ124の上部面124−1上にツェナーダイオード1
50がマウント(mount)されることができる。
素子パッケージの第1側面図で、図4は、図1に示された発光素子パッケージの第2側面
図で、図5は、図1に示された発光素子パッケージの第3側面図で、図6は、図1に示さ
れた発光素子パッケージの第4側面図である。
v
図2乃至図6を参照すると、第1反射カップ122の下部面202はボディー110の
下部面107から露出され、第1反射カップ122の一端142は第1側面210から突
出されてボディー110の外部に露出されることができる。
第2反射カップ124の一端144はボディー110の第2側面220から突出されて露
出されることができる。連結部126の一端146はボディー110の下部面107の一
部をなし、ボディー110の第3側面230から突出されてボディー110の外部に露出
されることができる。
部面202,204が、ボディー110の外部に露出されるので、第1発光素子132及
び第2発光素子134から発生する熱をボディー110の外部に放出させる効率を向上さ
せることができる。
及び連結部126の一端146の形状は、長方形、正方形またはU字形状などのように多
様に形成されることができる。
m〜300μmとすることができる。また、ボディー110の外部に露出される第1反射
カップ122の一端142、第2反射カップ124の一端144、及び連結部126の一
端146の厚さは、0.2mm〜0.3mmとすることができる。
第2発光素子134は、第2反射カップ124の第2キャビティ164内に配置される。
すなわち、第1発光素子132は、第1反射カップ122の第1キャビティ162の底部
の上に配置され、第2発光素子134は、第2反射カップ124の第2キャビティ164
の底部の上に配置されることができる。
第2発光素子134は、第2キャビティ164の側面から離隔されるように配置されるこ
とができる。
は、横×縦が800μm×400μmであり、厚さは100μm〜150μmである。
34を互いに連結する。第1ワイヤ152は、第1発光素子132と第1反射カップ12
2を連結し、第2ワイヤ154は、第1発光素子132と連結部126を連結し、第3ワ
イヤ156は、連結部126と第2発光素子134を連結し、第4ワイヤ158は、第2
発光素子134と第2反射カップ124を連結することができる。
ding)し、連結部126と第2発光素子134との間に第3ワイヤ156をボンディ
ングすることによって、第1発光素子132と第2発光素子134は互いに電気的に連結
されることができる。
ーダイオード150は、第5ワイヤ159によって第1反射カップ122と電気的に連結
されることができる。例えば、第5ワイヤ159の一端はツェナーダイオード150にボ
ンディングされ、第5ワイヤ159の他端は第1反射カップ122の上部面122−1と
ボンディングされることができる。
面122−1にマウントされた場合には、第5ワイヤ159の一端はツェナーダイオード
150にボンディングされ、他端は第2反射カップ124の上部面124−1とボンディ
ングされることができる。
第1発光素子132及び第2発光素子134とは独立的に形成されている。そのため、連
結部126は、第1発光素子132と第2発光素子134とを電気的に安定に直列連結で
きて電気的信頼性を向上させることができる。
熱を放出する熱源である。第1反射カップ122は、熱源である第1発光素子132から
発生する熱がボディー110に放射されることを遮断し、第2反射カップ124は第2発
光素子134から発生する熱がボディー110に放射されることを遮断する。すなわち、
第1反射カップ122及び第2反射カップ124は、熱源である第1発光素子132と第
2発光素子134を熱的に分離させる。また、第1反射カップ122及び第2反射カップ
124は、第1発光素子132が照射した光と、第2発光素子134が照射した光とが、
互いに干渉しないように遮断する役割を果たす。また、第1反射カップ122と第2反射
カップ124とが、ボディー110の底部の内部に形成されるので、第1反射カップ12
2と第2反射カップ124の熱的分離がさらに向上され、第1発光素子132と第2発光
素子134間の光の干渉を遮断するのを向上させることができる。
内部に配置し、第2発光素子134を第2反射カップ124内部の第2キャビティ164
内部に配置させることによって、第1発光素子132と第2発光素子134をそれぞれ、
熱的及び光学的に互いに分離させることができる。
入ホール240を有する。樹脂注入ホール240は、第1反射カップ122と第2反射カ
ップ124との間のボディー110に位置することができる。
に図1に示されたワイヤ151〜159は省略する。図7を参照すると、第1反射カップ
122と第2反射カップ124は、互いに一定距離D1だけ離隔し、その間には、ポリフ
タルアミドからなるボディー110の底部が介在される。
射カップ122と第2反射カップ124との離隔距離D1は、少なくとも100μm以上
の間隔を有するようにする。
、第1発光素子132は、第1反射カップ122の側面から一定距離だけ離隔して第1反
射カップ122の底部に配置され、第2発光素子134は、第2反射カップ124の側面
から一定距離だけ離隔して第2反射カップ124の底部に配置される。第1反射カップ1
22の対向する側面のそれぞれから第1発光素子132までの距離は、互いに同じであっ
てもよく、異ならせてもよい。また、第2反射カップ124の対向する側面のそれぞれか
ら第2発光素子134までの距離は、互いに同じであってもよく、異ならせてもよい。
24に配置される第2発光素子134との間のピッチ(pitch)は、2mm〜3mm
とすることができる。
れることができ、第2発光素子134は第2反射カップ124の底部の中央にマウントさ
れることができる。
は200μmであり、第1反射カップ122の長側面から第1発光素子132までの離隔
距離D3は500μmであると良い。
離D4だけ離隔し、その間には、ポリフタルアミドからなるボディー110の底部が介在
される。
プ122と第2反射カップ124との間の離隔距離D1と同じであっても良い。
ヤ152乃至159の図示を省略する。
105の側面の傾斜角と、異ならせても良い。例えば、第1反射カップ122の側面と底
部とがなす角度θ1は、90°〜160°とすることができる。
170°とすることができる。ボディーキャビティ105の側面上端は折れ曲がった枠を
有する。ボディーキャビティ105の上部側面は折れ曲がるように形成されることができ
る。すなわち、ボディーキャビティ105は、ボディー110の上部面802と底部10
3との間に位置し、ボディー110の上部面802と段差を有し、ボディー110の上部
面802と水平な枠部804を有することができる。
上部面802と段差を有し、上部面802と水平な枠部804を有することができる。
0μmであり、枠部804の長さK2は、50〜130μmとすることができる。ボディ
ーキャビティ105の側面102の上端は、上述したような段差が、少なくても一つ以上
形成されることができる。
に有するようにするのは、浸透経路を長くするためであって、これにより、ガス(gas
)が外部から発光素子パッケージ内部に浸透することを防止することができ、発光素子パ
ッケージ100の気密性を向上させることができる。
カップ122と第2反射カップ124の深さHは、発光素子132、134の高さを考慮
して決定されることができる。
1反射カップ122の底部122−2にマウントされた第1発光素子132の上部面と水
平である。好ましくは、第1反射カップ122の深さH1は、第1発光素子132の高さ
a1と同一である(H1=a1)。ここで、深さH1は、第1反射カップ122の上部面
122−1と底部122−2との間の距離である。図13aに示された第1反射カップ1
22に対する説明は、第2反射カップ124の場合にも同様に適用可能である。
1反射カップ122の底部122−2にマウントされた第1発光素子132の上部面より
も高い。すなわち、好ましくは、第1反射カップ122の深さH2は、第1発光素子13
2の高さa1よりも大きい(H2>a1)。例えば、第1反射カップ122の深さH2は
、第1発光素子132の高さa1よりも大きく、第1発光素子132の高さの2倍より小
さくすることができる。(a1<H2<2a1)。図13bに示された第1反射カップ1
22に対する説明は、第2反射カップ124の場合にも同一に適用可能である。
1反射カップ122にマウントされた第1発光素子132の上部面よりも低い。第1反射
カップ122の深さH3は、第1発光素子132の高さa1よりも小さくすることができ
る(H3<a1)。
さく、第1発光素子132の高さa1の1/2倍より大きくすることができる(a1/2
<H3<a1)。図13cに示された第1反射カップ122に対する説明は、第2反射カ
ップ124の場合にも同様に適用可能である。
イヤ152乃至159の図示を省略する。図9を参照すると、連結部126の上部面は第
1反射カップ122及び第2反射カップ124の上部面と平行であり、連結部126の一
端146はボディー110の底部の一部をなし、ボディー110の第3側面230を貫通
してボディー110の外部に突出されて露出されることができる。
には第1発光素子132及び第2発光素子134を密封して保護するように封止材820
(encapsulation material)が充填されることができる。
、ボディーキャビティ105はもちろん、第1発光素子132がマウントされた第1反射
カップ122の内部及び第2発光素子134がマウントされた第2反射カップ124の内
部にも充填されることができる。
、ボディーキャビティ105内にシリコンまたは樹脂材質を充填した後、これを硬化する
方式で形成されることができるが、これに限定されるものではない。
を変化させるための蛍光体を含むことができ、蛍光体により発光素子132、134から
放出される光が励起されて他の色相を具現することができる。
ある場合、黄色蛍光体は青色光により励起されて白色の光を生成できる。発光素子132
、134が紫外線(UV)を放出する場合には、R、G、Bの三色の蛍光体が封止材82
0に添加されて白色光を具現することもできる。一方、封止材820上には、レンズ(図
示せず)がさらに形成されて、発光素子パッケージ100が放出する光の配光(ligh
t distribution)を調節できる。
を参照すると、第1ワイヤ1052の一端は第1反射カップ122の上部面122−1に
ボンディングされ、第1ワイヤ1052の他端は第1発光素子132にボンディングされ
ることができる。また、第2ワイヤ1054の一端は第1発光素子132にボンディング
され、第2ワイヤ1054の他端は連結部126にボンディングされることができる。
56の他端は第2発光素子134にボンディングされることができる。また、第4ワイヤ
1058の一端は第2発光素子134にボンディングされ、第4ワイヤ1058の他端は
第2反射カップ124の上部面124−1にボンディングされることができる。
8のボンディングによって電気的に直列連結されることができる。図10に示された発光
素子132、134間の直列連結は、発光素子132、134と独立的な連結部126を
媒介にするので、第1発光素子132と第2発光素子134を電気的に安定に直列連結す
ることができて、発光素子パッケージの電気的信頼性を向上させることができる。
を参照すると、第1ワイヤ1152の一端は第1反射カップ122の上部面122−1に
ボンディングされ、第1ワイヤ1152の他端は第1発光素子132にボンディングされ
ることができる。
54の他端は第2反射カップ124の上部面124-1とボンディングされることができ
る。第3ワイヤ1156の一端は第1反射カップ122の上部面122−1とボンディン
グされ、第3ワイヤ1156の他端は第2発光素子134にボンディングされることがで
きる。最後に、第4ワイヤ1158の一端は第2発光素子134にボンディングされ、第
4ワイヤ1158の他端は第2反射カップ124の上部面124−1にボンディングされ
ることができる。したがって、図11に示された発光素子132、134は、第1〜第4
ワイヤ1152〜1158のボンディングによって電気的に並列連結されることができる
。
12を参照すると、第1ワイヤ1252の一端は第1反射カップ122の上部面122−
1にボンディングされ、第1ワイヤ1252の他端は第1発光素子132にボンディング
されることができる。また、第2ワイヤ1254の一端は第1発光素子132にボンディ
ングされ、第2ワイヤ1254の他端は第2発光素子134に直接にボンディングされる
ことができる。第3ワイヤ1256の一端は第2発光素子134に連結され、第3ワイヤ
1256の他端は第2反射カップ124の上部面124−1にボンディングされることが
できる。
6のボンディングによって電気的に直列連結されることができる。図10とは異なり、第
2ワイヤ1254によって第1発光素子132と第2発光素子134が連結部126を媒
介にせず、互いに直接連結されることができる。
光素子134、及びツェナーダイオード150にボンディングされた各ワイヤの高さは、
ボディーキャビティ105の上部面106の高さより低くすることができる。
110内に分離された2個の反射カップ122,124のそれぞれの内部に発光素子13
2、134がマウントされた構造である。これによって、熱源である発光素子132、1
34を互いに分離させ、発光素子132、134から発散される熱を反射カップ122,
124によって遮断して熱による発光素子パッケージ100のボディー110の変色を防
止して、発光素子パッケージ100の寿命を延長させることができる。また、互いに分離
された2個の反射カップ122,124によって各発光素子132、134から照射され
る光が互いに干渉することを防止することができる。
す断面図である。図14を参照すると、第1発光素子132は、基板20、発光構造物3
0、伝導層40、第1電極12及び第2電極14を含む。第2発光素子134は、基板2
0、発光構造物30、伝導層40、第3電極16及び第4電極18を含む。図1に示され
た第2発光素子134は第1発光素子132と同一の構成を有することができる。
、シリコン(Si)基板、酸化亜鉛(ZnO)基板、及び窒化物半導体基板のうちいずれ
か一つ、または、GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、SiC、GaP、
InP、Ga203、そしてGaAsのうち少なくとも一つが積層された基板とすること
ができる。
4とを含む。
、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式
を有する半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、In
AlGaN、AlInNなどから選択されることができ、Si、Ge、Sn、Se、Te
などのn型ドーパントがドーピングされることができる。
xAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有す
る半導体材料を含んで形成することができ、量子細線(Quantum wire)構造
、量子ドット(Quantum dot)構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸
構造(MQW:Multi Quantum Well)のうち少なくとも一つを含むこ
とができる。
子及び正孔の再結合(recombination)過程で発生されるエネルギーにより
光を生成することができる。活性層33は、様々な波長を有する光の生成が可能な層であ
って、その生成する光の波長範囲については限定しない。
例えば、p型半導体層として具現されることができ、p型半導体層は、InxAlyGa
1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料
、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlI
nNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパン
トがドーピングされることができる。
2の一部分がメサエッチング(mesa etching)されて、第1導電型半導体層
32の一部領域が露出されることができる。
せるだけでなく、透光性がよいので活性層33から第2導電型半導体層34に放出される
光の抽出効率を増加させることができる。伝導層40は、発光波長に対して透過率が高い
透明な酸化物系物質からなることができる。例えば、透明な酸化物系物質には,ITO(
Indium Tin Oxide)、TO(Tin Oxide)、IZO(Indi
um Zinc Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxid
e)及びZnO(Zinc Oxide)などがある。他の実施例において伝導層40は
省略されても良い。
置され、第2電極14または第4電極18は、第2導電型半導体層34または伝導層40
上に配置されることができる。好ましくは、第1電極12及び第3電極16はn型電極で
あり、第2電極14及び第4電極18はp型電極である。第1乃至第4電極12,14,
16,18は金属物質、例えば、Ti、Al、Al alloy、In、Ta、Pd、C
o、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au,Hf、Pt、Ru及びAuなど
のうち、一つ以上の物質または合金を含む物質であっても良く、その形態は、単層または
多層とすることができる。
連結を示す。
ップ122と電気的に連結され、第3電極16及び第4電極18のうちいずれか一方は第
2反射カップ124と電気的に連結される。そして、連結部126は、第1電極12及び
第2電極14のうち他方と、第3電極16及び第4電極18のうち他方とを電気的に連結
する。
ップ122に電気的に連結され、第4ワイヤ1058によって第2発光素子134の第4
電極18は第2反射カップ124に電気的に連結されることができる。
32の第2電極14と第2発光素子134の第3電極16とを電気的に連結することがで
きる。
的に連結され、第3ワイヤ1056によって第2発光素子134の第3電極16は連結部
126と電気的に連結されることができる。
結を示す。
ップ122と電気的に連結され、第3電極16及び第4電極18のうちいずれか一方は第
2反射カップ124と電気的に連結される。
、第3電極16及び第4電極18のうち他方は第1反射カップ122と電気的に連結され
ることができる。
ップ122に電気的に連結され、第4ワイヤ1158によって第2発光素子134の第4
電極18は第2反射カップ124に電気的に連結されることができる。
、第3ワイヤ1156によって第3電極16は第1反射カップ122と電気的に連結され
ることができる。
結を示す。
ップ122と電気的に連結され、第3電極16及び第4電極18のうちいずれか一方は第
2反射カップ124と電気的に連結される。第1電極12及び第2電極14のうち他方は
、第3電極16及び第4電極18のうち他方に電気的に連結される。
ップ122に電気的に連結され、第3ワイヤ1256によって第2発光素子134の第4
電極18は第2反射カップ124に電気的に連結されることができる。第2ワイヤ125
4によって第2電極14は第3電極16と電気的に連結されることができる。
ある。図18を参照すると、実施例による照明装置は、光を投射する光源750と、前記
光源750が内蔵されるハウジング700と、前記光源750の熱を放出する放熱部74
0、及び前記光源750と放熱部740とを前記ハウジング700に結合するホルダー7
60と、を含んでなる。
0と、前記ソケット結合部710と連結されて光源750が内蔵されるボディー部730
とを含む。ボディー部730には、一つの空気流動口720が貫通して形成されることが
できる。
おり、前記空気流動口720は、一つの空気流動口からなることもでき、複数個の流動口
を、図示のような放射状の配置以外に多様に配置することもできる。
される。ここで、前記基板754は、前記ハウジング700の開口部に挿入可能な形状と
することができ、後述のように、放熱部740に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質
からなることができる。
フレームと、また他の空気流動口とを含むことができる。また、図示されていないが、前
記光源750の下部には光学部材が具備されて、前記光源750の発光素子パッケージ7
52から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。実施例による照明装
置は、上述した実施例による発光素子パッケージを使用して、照明装置に装着される発光
素子パッケージの寿命を延長させ、光干渉現象を防止することができる。
5と、ボトムカバー810上の反射板820と、反射板820の前方に配置され、前記光
源モジュール830,835から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板840
と、導光板840の前方に配置されるプリズムシート850,860を含む光学シートと
、プリズムシート850,860の前方に配置されるパネル870と、パネル870の前
方に配置されるカラーフィルタ880と、を含むことができる。ここで、バックライトユ
ニットは、ボトムカバー810、反射板820、光源モジュール830,835、導光板
840及び光学シートからなることができる。
基板830は、PCBなどが使用されることができ、発光素子パッケージ835は、図1
に示された実施例であっても良い。
、反射板820は、本図面のように、別途の構成要素として設けられることもでき、導光
板840の後面や前記ボトムカバー810の前面に反射度の高い物質でコーティングされ
る形態で設けられることもできる。
き、ポリエチレンテレフタルレート(PolyEthylene Terephtala
te;PET)を使用することができる。
晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布されるようにする。したがって、導光板
840は、屈折率と透過率の良い材料からなり、ポリメチルメタクリレート(PolyM
ethylMethAcrylate;PMMA)、ポリカーボネート(PolyCar
bonate;PC)又はポリエチレン(PolyEthylene;PE)などで形成
されることができる。
る重合体材料で形成されることができ、重合体は、複数個の立体構造が反復的に形成され
たプリズム層を有することができる。ここで、複数個のパターンは、図示のように山と谷
が反復的にストライプタイプで具備されることができる。
好ましくは、第1プリズムシート850内の支持フィルムの一面の山と谷の方向と垂直と
する。これは光源モジュールと反射シートから伝達された光をパネル870の前面に均一
に分散させるためである。
れ、支持フィルムの両面に光拡散性粒子とバインダーを含む保護層が具備されることがで
きる。また、プリズム層は、ポリウレタン、スチレンブタジエン共重合体、ポリアクリレ
ート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートエ
ラストマー、ポリイソプレン、ポリシリコンで構成される群から選ばれる重合体材料から
なることができる。
シートが配置されることができる。拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系の
材料からなることができ、バックライトユニットから入射された光を、屈折と散乱を通じ
て光投射角を最大に広げることができる。そして、拡散シートは、光拡散剤を含む支持層
と、光射出面(第1プリズムシート方向)と光入射面(反射シート方向)に形成され、光
拡散剤を含まない第1レイヤーと第2レイヤーと、を含むことができる。
ムシート860とからなる。また、光学シートは他の組合せ、例えば、マイクロレンズア
レイで構成されたり、または、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組合せ、または、
一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイの組合せなど、で構成されることができる
。
が配置されることができ、液晶表示パネル870の他に、光源を必要とする他の種類のデ
ィスプレイ装置が具備されることができる。パネル870は、ガラスボディーの間に液晶
が位置し、光の偏光性を用いるために偏光板を両ガラスボディーに載せた状態となってい
る。ここで、液晶は、液体と固体の中間的な特性を持ち、液体のように流動性を有する有
機分子である液晶が結晶のように規則的に配列された状態を有するものであって、前記分
子配列が外部電界により変化される性質を利用して画像を表示する。
atrix)方式であって、各画素に供給される電圧を調節するスィッチとしてトランジ
スタを使用する。そして、パネル870の前面にはカラーフィルタ880が具備されて、
前記パネル870から投射された光を、各画素ごとに赤色、緑色及び青色の光のみを透過
するので、画像を表現することができる。
を使用することによって、各発光素子132、134から照射される光が互いに干渉され
ることを防止することができる。
的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるということが、本
発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとっては明らかである。したがっ
て、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されず、特許請求
の範囲により定められるべきである。
110 ボディー
122 第1反射カップ
124 第2反射カップ
126 連結部
132 第1発光素子
134 第2発光素子
150 ツェナーダイオード
151〜159 ワイヤ
Claims (12)
- 樹脂体と、
前記樹脂体と接する第1金属体、第2金属体、及び第3金属体と、
前記第1金属体に配置される第1発光素子と、
前記第2金属体に配置される第2発光素子とを含み、
前記樹脂体は、
第1方向に延設される第1長側壁及び第2長側壁と、前記第1方向と直交する第2方向に延設される第1短側壁及び第2短側壁と、底部とを有し、
前記第1金属体の一部は前記第1短側壁を貫通し、
前記第2金属体の一部は前記第2短側壁を貫通し、
前記第1金属体は、
前記第1発光素子が配置される表面を含む第1部分と、前記第2長側壁と前記第3金属体との間に配置される表面を含む第2部分とを有し、
前記第2金属体は、
前記第2発光素子が配置される表面を含む第3部分と、前記第2長側壁と前記第3金属体との間に配置される表面を含む第4部分とを有し、
前記第2方向への前記第1部分の幅及び前記第2方向への前記第3部分の幅のそれぞれは、前記第2方向への前記第2部分の幅及び前記第2方向への前記第4部分の幅よりも広い、発光素子パッケージ。 - 前記第3金属体の一部は前記第1長側壁を貫通する、請求項1に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第2金属体に配置されるツェナーダイオードをさらに含む、請求項1又は2に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1金属体の第1部分と第2部分は、厚さが同じ部分を有する、請求項1乃至3のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1長側壁の内側面、前記第2長側壁の内側面、前記第1短側壁の内側面、前記第2短側壁の内側面、前記底部の上面、前記第1金属体の上面、前記第2金属体の上面、及び前記第3金属体の上面はキャビティを構成する、請求項1乃至4のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1発光素子と前記第2短側壁との間隔及び前記第2発光素子と前記第1短側壁との間隔のそれぞれは、前記第1発光素子と前記第1短側壁との間隔及び前記第2発光素子と前記第2短側壁との間隔よりも長い、請求項1乃至5のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記第2方向への前記第1部分の幅と前記第2方向への前記第3部分の幅は同一であり、
前記第2方向への前記第2部分の幅と前記第2方向への前記第4部分の幅は同一である、請求項1乃至6のいずれかに記載の発光素子パッケージ。 - 前記第1発光素子と前記第2短側壁との間隔及び前記第2発光素子と前記第1短側壁との間隔は同一であり、
前記第1発光素子と前記第1短側壁との間隔及び前記第2発光素子と前記第2短側壁との間隔は同一であり、
前記第1発光素子と前記第1長側壁との間隔、前記第1発光素子と前記第2長側壁との間隔、前記第2発光素子と前記第1長側壁との間隔、及び前記第2発光素子と第2長側壁との間隔は同一である、請求項1乃至7のいずれかに記載の発光素子パッケージ。 - 前記第1金属体は、第1底と、前記第1底よりも前記第1短側壁に近接する第2底とを有し、
前記第2金属体は、第3底と、及び前記第3底よりも前記第2短側壁に近接する第4底とを有し、
前記第3金属体は第5底を有し、
前記第1底乃至前記第5底は、互いに離隔し、前記樹脂体の底面と同一平面上に配置される、請求項1乃至8のいずれかに記載の発光素子パッケージ。 - 前記第2方向への前記第2底の幅及び前記第2方向への前記第4底の幅のそれぞれは、前記第2方向への前記第1底の幅及び前記第2方向への前記第3底の幅よりも広い、請求項9に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1長側壁の外側面、前記第2長側壁の外側面、前記第1短側壁の外側面、及び前記第2短側壁の外側面のそれぞれが前記樹脂体の底面となす角は鋭角であり、且つ互いに同一である、請求項1乃至10のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1発光素子は、第1ワイヤを介して前記第1金属体に連結され、且つ第2ワイヤを介して前記第3金属体に連結され、
前記第2発光素子は、第3ワイヤを介して前記第2金属体に連結され、且つ第4ワイヤを介して前記第3金属体に連結され、
前記ツェナーダイオードは、第5ワイヤを介して前記第1金属体に連結される、請求項3に記載の発光素子パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100051840A KR101103674B1 (ko) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 발광 소자 |
KR10-2010-0051840 | 2010-06-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016172760A Division JP6033982B1 (ja) | 2010-06-01 | 2016-09-05 | 発光素子パッケージ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018076303A Division JP6505286B2 (ja) | 2010-06-01 | 2018-04-11 | 発光素子パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017022420A true JP2017022420A (ja) | 2017-01-26 |
JP6325051B2 JP6325051B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=44487094
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011123165A Active JP6242035B2 (ja) | 2010-06-01 | 2011-06-01 | 発光素子パッケージ |
JP2016172760A Active JP6033982B1 (ja) | 2010-06-01 | 2016-09-05 | 発光素子パッケージ |
JP2016209128A Active JP6325051B2 (ja) | 2010-06-01 | 2016-10-26 | 発光素子パッケージ |
JP2018076303A Active JP6505286B2 (ja) | 2010-06-01 | 2018-04-11 | 発光素子パッケージ |
JP2019058675A Pending JP2019106551A (ja) | 2010-06-01 | 2019-03-26 | 発光素子パッケージ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011123165A Active JP6242035B2 (ja) | 2010-06-01 | 2011-06-01 | 発光素子パッケージ |
JP2016172760A Active JP6033982B1 (ja) | 2010-06-01 | 2016-09-05 | 発光素子パッケージ |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018076303A Active JP6505286B2 (ja) | 2010-06-01 | 2018-04-11 | 発光素子パッケージ |
JP2019058675A Pending JP2019106551A (ja) | 2010-06-01 | 2019-03-26 | 発光素子パッケージ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US8269246B2 (ja) |
EP (2) | EP3043394B1 (ja) |
JP (5) | JP6242035B2 (ja) |
KR (1) | KR101103674B1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101103674B1 (ko) | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101859149B1 (ko) | 2011-04-14 | 2018-05-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR101871501B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템 |
KR102010099B1 (ko) * | 2011-09-16 | 2019-10-21 | 에어 모션 시스템즈, 인크. | 고출력 led 소자용 어셈블리 및 상호 연결 방법 |
KR101905535B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치 |
US8803185B2 (en) * | 2012-02-21 | 2014-08-12 | Peiching Ling | Light emitting diode package and method of fabricating the same |
KR101957884B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
JP5721668B2 (ja) | 2012-06-29 | 2015-05-20 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト |
KR101886157B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2018-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명시스템 |
JP6019977B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-11-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR101966110B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2019-08-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 시스템 |
JP6102187B2 (ja) | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
KR101997249B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2019-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
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US9029880B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-05-12 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix display panel with ground tie lines |
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JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
DE102013202904A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
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JP6610703B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2019-11-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
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KR101778848B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2017-09-14 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 패키지 어셈블리 및 이의 제조 방법 |
KR102537440B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
EP3223322B1 (en) * | 2016-03-25 | 2019-05-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
JP6936254B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2021-09-15 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 照明アセンブリ及び照明アセンブリの製造方法 |
US20170345983A1 (en) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same |
JP6712532B2 (ja) | 2016-10-31 | 2020-06-24 | 株式会社東海理化電機製作所 | 方向指示機構 |
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JP2008172152A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Showa Denko Kk | 発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードパッケージ用のリード群構造 |
JP2008251604A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2009068007A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2009081195A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光モジュール |
JP2009130359A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110132045A (ko) | 2011-12-07 |
US9418973B2 (en) | 2016-08-16 |
US10283491B2 (en) | 2019-05-07 |
JP2016213503A (ja) | 2016-12-15 |
US9165912B2 (en) | 2015-10-20 |
JP2018137471A (ja) | 2018-08-30 |
US20180286842A1 (en) | 2018-10-04 |
US20170221870A1 (en) | 2017-08-03 |
EP2393114A2 (en) | 2011-12-07 |
US20160013171A1 (en) | 2016-01-14 |
EP2393114A3 (en) | 2015-02-18 |
JP2019106551A (ja) | 2019-06-27 |
US20190221555A1 (en) | 2019-07-18 |
KR101103674B1 (ko) | 2012-01-11 |
US8791486B2 (en) | 2014-07-29 |
US9991241B2 (en) | 2018-06-05 |
US10541235B2 (en) | 2020-01-21 |
JP6242035B2 (ja) | 2017-12-06 |
EP3043394A1 (en) | 2016-07-13 |
US20140225134A1 (en) | 2014-08-14 |
EP3043394B1 (en) | 2019-10-02 |
US8269246B2 (en) | 2012-09-18 |
JP6505286B2 (ja) | 2019-04-24 |
US20120326183A1 (en) | 2012-12-27 |
US20110220927A1 (en) | 2011-09-15 |
EP2393114B1 (en) | 2018-09-12 |
JP6033982B1 (ja) | 2016-11-30 |
JP6325051B2 (ja) | 2018-05-16 |
JP2011254080A (ja) | 2011-12-15 |
US20160329311A1 (en) | 2016-11-10 |
US9659916B2 (en) | 2017-05-23 |
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A977 | Report on retrieval |
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