KR20090003378A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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KR20090003378A
KR20090003378A KR1020070055200A KR20070055200A KR20090003378A KR 20090003378 A KR20090003378 A KR 20090003378A KR 1020070055200 A KR1020070055200 A KR 1020070055200A KR 20070055200 A KR20070055200 A KR 20070055200A KR 20090003378 A KR20090003378 A KR 20090003378A
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이경재
오승현
진보라
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주식회사 루멘스
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Abstract

칩으로부터 발생된 열의 전달 경로를 줄임으로서 방열 효과를 극대화시킬 수 있도록, 빛을 발산하는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 다이본딩되는 다이패드와 상기 다이패드와 이격되고 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 리드패드 및 상기 다이패드와 리드패드에서 연장되는 전극리드를 포함하는 리드프레임, 상기 리드프레임에 몰딩되어 외형을 이루고 상기 반도체 칩 주위로 형성되는 리플렉터를 포함하는 몰드, 상기 리플렉터 내에 채워지는 충진제, 상기 다이패드의 후면을 이루며 상기 몰드 외측으로 노출되는 후면방열부를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
다이패드, 리드패드, 측면방열부, 후면방열부, 노치

Description

발광 다이오드 패키지{Light Emitting Diode Package}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 배면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 정단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 정단면도이다.
도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 측단면도이다.
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 배면도이다.
도 9와 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 방열 상태를 설명하기 위한 도면들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 리드프레임 11 : 다이패드
12 : 리드패드 13 : 전극리드
14 : 와이어 15 : 반사컵
16,17 : 노치 20 : 반도체 칩
30 : 몰드 31 : 리플렉터
32 : 충진제 40 : 측면방열부
41 : 후면방열부
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것이다. 보다 상세하게 본 발명은 두께를 최소화하고 방열 효과를 개선하며, 저 비용으로 광반사 효율을 높일 수 있도록 된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용한 소자로, 전류가 가해지면 적외선 또는 다양한 색상의 빛을 발생시키는 반도체이다. 상기 발광 다이오드는 칩을 리드프레임에 실장하고 이를 원하는 형태로 몰딩하여 다양한 형태의 패키지(package)로 제조된다.
상기 발광 다이오드는 전류를 100% 빛으로 발생시키는 것은 아니기 때문에 작동시 상당한 열이 발생된다. 특히 고출력의 발광 다이오드는 대단히 많은 열이 발생되므로, 발생되는 열을 보다 신속하고 효율적으로 방열시킬 수 있어야 한다.
그런데, 종래의 발광 다이오드 패키지는 사출 성형기술 및 리드프레임 설계 기술의 기술적 제약으로 인해 충분한 방열이 이루어지지 못하는 문제점이 있다.
발광 다이오드 패키지의 칩에서 발생된 열은 칩이 부착되는 다이패드의 전극리드와 패키지 내부의 충진제 및 리플렉터를 통해 전달되는 데, 충진제 및 리플렉터를 통한 열의 방사 전달은 매질의 열전달율이 낮아 방열효과를 기대하기 힘들다. 이에 칩에서 발생된 열은 주로 전극리드를 통해 방열된다. 열은 칩이 부착되는 다이패드와 이 다이패드와 골드와이어를 통해 연결되는 전극패드, 전극패드에서 외부로 연장되는 전극리드의 경로를 따라 전달된다.
이에 종래에는 열전달 경로가 길고, 골드와이어와 같은 대단히 좁은 경로를 통해 열전달이 이루어짐으로서 방열 특성이 떨어지게 되며, 심한 경우 열의 역행이 발생되어 칩의 열화나 제품의 노화를 발생시키게 된다.
또한, 종래에도 방열 효과의 극대화를 위해 다이패드에 방열판을 별도로 구비한 구조가 개시되어 있으나, 이러한 구조 역시 고가의 고방열 금속의 사용과 복잡한 공정으로 인해 생산단가가 높아지는 단점이 있으며 이에 상용화가 어려운 실정이다.
이에 칩으로부터 발생된 열의 전달 경로를 줄임으로서 방열 효과를 극대화시킬 수 있도록 된 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
이를 위하여 본 발광 다이오드 패키지는 칩이 부착되는 다이패드의 적어도 일부분을 외부로 노출시킨 구조일 수 있다.
이에 본 발광 다이오드 패키지는 반도체 칩과, 상기 반도체 칩이 다이본딩되는 다이패드와 상기 다이패드와 이격되고 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 리드패드 및 상기 다이패드와 리드패드에서 각각 연장되는 전극리드를 포함하는 리드프레임, 상기 리드프레임에 몰딩되어 외형을 이루는 몰드를 포함하고, 상기 다이패드는 일부분이 상기 몰드 외측으로 노출되어 방열부를 이루는 구조일 수 있다.
따라서 칩으로부터 발생된 열은 다이패드를 통해 바로 패키지 외부를 지나는 열전달매체로 전달될 수 있으며, 다이패드를 통한 방열면적의 증대로 인해 방열효과를 극대화시킬 수 있게 된다.
여기서 상기 다이패드의 방열부는 전자회로기판(PCB;Print Circuit Borad)에 접지되어 방열이 이루어질 수 있다. 또한, 상기 다이패드의 방열부는 별도의 방열소자와 접지되어 방열이 이루어질 수 있다.
또한, 상기 다이패드의 방열부는 칩이 부착되는 다이패드의 전면에 대하여 반대쪽 후면일 수 있다.
또한, 상기 다이패드의 방열부는 다이패드의 측선단에서 패키지 외부로 연장될 수 있다.
또한, 상기 다이패드의 측선단에서 외부로 연장된 방열부는 상기 패키지의 측면으로 절곡되어 패키지 표면에 밀착될 수 있다.
또한, 본 발광 다이오드 패키지는 박막의 다이패드를 프레스가공으로 하향 절곡시켜 용기 형태의 반사컵을 형성하고, 상기 반사컵의 후면은 패키지 바닥으로 노출되어 방열부를 이룰 수 있다. 또한, 상기 다이패드는 하프에칭 또는 홀가공을 통해 전면에 반사컵을 형성한 구조일 수 있다.
또한, 본 발광 다이오드 패키지는 상기 전극리드에 대해 리드패드가 상기 전면쪽으로 상향 절곡될 수 있다.
이에 상기 리드패드와 상기 다이패드의 후면이 몰드 외측으로 노출됨에도 불구하고 상기 다이패드의 반사컵 외주부와 상기 리드패드의 선단이 몰드 내측에 묻히게 되어 몰드 수지와의 결합력이 증대된다. 따라서 패키지 후 발생될 수 있는 전극리드의 분리 현상을 방지할 수 있게 된다.
또한, 본 발광 다이오드 패키지는 몰드와 결합되는 다이패드 또는 리드전극 일측에 노치가 형성될 수 있다.
이에 상기 노치로 몰드 수지가 스며들어 몰딩됨으로서 몰드와 다이패드 또는 전극부와의 결합력을 높이고 외부 습기 등이 패키지 내부로 유입되는 것을 차단할 수 있게 된다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 당업자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하 설명에서는 하나의 패키지 내에 3개의 반도체칩이 실장된 형태의 발광 다이오드 패키지를 예로서 설명하도록 한다. 그러나 본 발명은 이러한 구조에 한정된 것은 아니며 반도체칩의 개수에 관계없이 모든 패키지에 적용가능하다 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
상기 패키지에서 도 1의 Z축 방향은 반도체 칩으로부터 빛이 발산되는 면으로써, 이하 설명의 편의를 위해 상기 Z축방향을 향하는 면을 전면 또는 상면으로 하고 그 반대방향을 향하는 면을 후면 또는 하면으로 정의한다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 실시예의 발광 다이오드 패키지(100)는 리드프레임(10)과, 반도체 칩(20), 몰드(30) 및 상기 리드프레임(10)에서 연장되어 몰드(30) 외측으로 노출되는 방열부를 포함한다.
상기 리드프레임(10)은 다이패드(11)와 이 다이패드(11)와 이격 배치되는 리드패드(12) 및 상기 각 패드에서 연장되는 전극리드(13)를 포함한다. 상기 반도체 칩(20)은 빛을 발산하는 소자로 상기 다이패드(11)에 다이접착제를 매개로 다이본딩(Die Bonding)되고 골드 와이어(14)를 매개로 리드패드(12)에 전기적으로 연결된다. 상기 몰드(30)는 상기 리드프레임(10)에 몰딩 결합되어 몸체를 이루며, 반도체 칩(20) 주위로는 리플렉터(31)를 형성하여 반도체 칩(20)으로부터 발산되는 빛을 반사시켜 발광효율을 극대화시키게 된다. 즉, 상기 몰드(30)는 리드프레임(10)에 수지로 형성된 사각형태의 구조물로 반도체 칩(20)이 위치하는 상면에는 중앙쪽이 홈몰되어 홈을 이루도록 리플렉터(31)가 돌출 형성된다. 그리고 상기 리플렉터(31) 내에는 충진제(32)가 채워진다.
도 1에서 상기 다이패드(11)는 전면이 함몰되어 반사컵(15)을 이루는 데 상기 반사컵(15)에 대해서는 추후 다시 설명하도록 한다.
도 2에 도시된 바와 같이 상기 리드프레임(10)은 반도체 칩(20)이 다이본딩되는 다이패드(11)와, 이 다이패드(11)와 이격되고 상기 반도체 칩(20)과 와이 어(14)로 연결되어 전기적으로 통전되는 리드패드(12), 상기 일측 다이패드(11)와 각 리드패드(12)에 각각 일체로 형성되고 몰드(30) 외측으로 연장되어 전류를 인가하기 위한 전극리드(13)를 포함한다.
한편, 상기 방열부는 상기 리드프레임(10)의 다이패드(11)에 일체로 형성되고 상기 몰드(30)의 외측으로 노출된다.
본 실시예에서 상기 방열부는 다이패드(11)의 양 측면에 일체로 형성되는 부분으로 몰드(30) 외측으로 노출되는 구조로 되어 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 방열부는 다이패드(11)의 후면에 형성될 수 있는 데, 반도체 칩(20)이 위치하는 다이패드(11) 전면의 반대쪽 후면이 몰드(30) 외측으로 노출되어 방열부를 이룬다.
즉, 본 실시예에서 상기 방열부는 몰드(30) 외측으로 노출되는 부분으로써, 이하 설명의 편의를 위해 몰드(30)의 측면으로 노출되는 방열부는 측면방열부(40)라 칭하고, 상기 몰드(30)의 후면으로 노출되는 방열부를 후면방열부(41)라 칭한다.
상기 측면방열부(40)는 다이패드(11)의 측단을 소정 길이로 연장하여 형성한다. 상기 후면방열부(41)는 다이패드(11)의 중앙부를 함몰시켜 후면이 튀어나오도록 하여 몰드(30) 외측으로 노출되도록 한다. 따라서 상기 다이패드(11)는 상면 외주부와 단차지도록 중앙부가 하향 절곡되어, 다이패드(11)의 전면은 용기형태로 들어가 반사컵(15)을 이루고 후면은 반대쪽으로 튀어나와 몰드(30) 외측으로 노출되어 후면방열부(41)를 이룬다.
이에 따라 상기 반도체 칩(20)에서 발생되는 열이 상기 각 방열부(40,41)를 통해 바로 몰드(30) 외측으로 전달되어 보다 신속한 방열이 이루어질 수 있게 된다. 또한, 다이패드(11)의 후면이 바로 방열부를 이룸으로서 방열효과를 극대화하면서도 패키지(100)의 두께를 최소화할 수 있게 된다.
여기서 상기 다이패드(11) 전면에 반사컵(15)을 형성하고 후면을 돌출시키는 구조는 특별히 한정되지 않으며, 본 실시예에서는 다이패드(11)를 다운셋 공정으로 프레스하여 달성된다.
도 4와 도 5는 상기한 구조의 리드프레임(10)에 몰드(30)가 부착형성된 패키지(100)의 정단면도 및 측단면도를 예시하고 있다.
도 4에서와 같이 상기 다이패드(11) 후면의 후면방열부(41)는 몰드(30)의 외측면과 동일 평면상에 위치하여 몰드(30) 외측으로 노출된다. 상기 다이패드(11)의 전면은 함몰되어 반사컵(15)을 이루며, 그 중앙부에 반도체 칩(20)이 부착된다. 그리고 상기 다이패드(11)의 양 측선단은 상기 방열부와 비교하여 상대적으로 위쪽으로 상향 절곡된 형태를 이룬다. 이에 따라 몰드(30) 형성을 위한 사출수지가 상기 다이패드(11)의 측선단과 후면방열부(41) 사이로 침투하여 다이패드(11)와 보다 강력하게 결합될 수 있게 된다.
도 4에서 Y축 방향을 따라 상기 다이패드(11)의 양 측선단에서 소정 거리 이격되어 리드패드(12)가 위치하며, 전극리드(13)가 상기 리드패드(12)의 선단에 일체로 형성되어 몰드(30) 외측으로 돌출된다. 상기 리드패드(12)는 전극리드(13)와 연결되는 부분이 하향 절곡된 구조로 되어 있다. 이에 상기 리드패드(12)는 다이패 드(11)쪽 선단과 전극리드(13)쪽 선단이 단차져 형성되며 몰드(30) 내측 선단은 상기 다이패드(11)의 측선단과 동일 평면상에 위치하고, 외측 선단과 이에 연결형성되는 전극리드(13)는 상기 후면방열부(41)와 동일평면상에 위치한다.
상기와 같은 리드패드(12)의 구조는 몰드(30)와의 결합력을 높이기 위한 것이다. 상기와 같이 리드패드(12)를 단차지도록 절곡형성시킴으로써 몰드(30) 형성을 위한 사출수지가 상기 리드패드(12) 밑으로 침투하여 리드패드(12)와 보다 강력하게 결합될 수 있게 된다.
또한, 상기 리드패드(12)의 선단에는 표면에 노치(notch)(16)가 형성된다. 상기 노치는 상기 리드패드(12)의 상면 또는 후면에 형성되거나 어느 한 면에만 형성될 수 있으며, 형성 개수도 한 개 또는 두 개 이상일 수 있고 특별히 한정되지 않는다.
상기 노치(16)가 리드패드(12)에 형성됨으로서 몰드(30) 형성을 위한 사출수지가 상기 노치로 스며들어 몰드(30)와 리드패드(12)가 밀착 결합될 수 있게 된다. 이에 리드패드(12)와 몰드(30)의 결합력이 높아지게 되며, 외부 습기 등이 상기 노치에 의해 차단되어 패키지(100) 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있게 된다.
그리고 도 5에 도시된 바와 같이 상기 측면방열부(40)가 다이패드(11)의 선단에 일체로 형성되어 X축 방향을 따라 연장되어 몰드(30) 외측으로 돌출된다. 상기 측면방열부(40)는 다이패드(11)의 선단과 동일한 두께로 이루어지며 다이패드(11) 상면과 동일평면상에 위치한다. 상기 측면방열부(40) 또한 리드패드(12)와 마찬가지로 표면에 노치(17)가 형성된다. 상기 노치(17)는 측면방열부(40)의 상면 또는 후면에 형성되거나 어느 한 면에만 형성될 수 있으며, 형성 개수도 한 개 또는 두 개 이상일 수 있고 특별히 한정되지 않는다.
이에 상기 노치(17)로 사출수지가 스며들어 몰드(30)와 측면방열부(40)의 결합력을 높일 수 있게 된다. 또한, 외부 습기 등이 상기 노치에 의해 차단되어 패키지(100) 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있게 된다.
한편, 도 6 내지 도 8은 본 발광 다이오드 패키지(100)의 또다른 실시예로서 리드프레임의 다이패드(11)에 에칭 또는 하프홀 가공을 통해 반사컵(15)을 형성하는 구조를 예시하고 있다. 본 실시예에서 동일한 참조 부호가 다른 실시예에서 대응하거나 유사한 특징을 나타내기 위해 사용된다.
도 6은 본 패키지(100)의 정단면도로, 본 실시예의 패키지(100)는 반도체 칩의 두께보다 두꺼운 다이패드(11)의 전면에 에칭공정을 통해 반사컵(15)이 형성되며 후면은 몰드(30) 외측면까지 돌출되어 후면방열부(41)를 이룬다. 상기 다이패드(11)의 양 측선단에서 소정 거리 이격되어 리드패드(12)가 위치하며, 전극리드(13)가 상기 리드패드(12)의 선단에 일체로 형성되어 몰드(30) 외측으로 돌출된다.
상기 리드패드(12)와 리드패드(12)에서 연장되는 전극리드(13)의 두께는 상기 리드패드(12)의 상면과 후면 사이의 두께와 대응된다. 단지 상기 리드패드(12)의 내측 선단은 후면이 소정 두께로 절곡되어 단차진 구조로 되어 있다. 이에 상기 단차진 공간으로 몰드(30) 형성을 위한 사출수지가 침투하여 리드패드(12)의 내측 선단은 몰드 내에 묻히게 된다. 따라서 상기 리드패드(12)와 몰드(30) 간의 결합력 을 높일 수 있게 된다.
또한, 상기 리드패드(12)의 상면 또는 하면에는 노치(16)가 형성된다. 상기 노치 형성 구조와 그 작용에 대해서는 이미 언급한 바와 동일하므로 이하 설명을 생략한다.
도 7은 본 패키지(100)의 측단면도로, 상기 다이패드(11)는 X축 방향으로 연장되어 몰드(30) 측면으로 노출된다. 상기 다이패드(11)의 선단은 몰드(30) 측면과 동일 평면상에 위치한다. 이에 본 실시예에서는 상기 다이패드(11)의 측선단이 몰드(30) 외측으로 노출되는 측면방열부(40)를 이룬다. 상기 다이패드(11)는 에칭공정을 통해 반사컵(15)을 형성함으로서 전면만이 함몰되고 후면은 X축 방향을 따라 평면을 이룬다. 이에 상기 측면방열부(40) 또한 다이패드(11)의 두께와 대응되어 최대의 방열면적을 확보할 수 있게 된다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기한 구조의 패키지(100)는 방열면적을 보다 더 넓힐 수 있게 된다. 즉, 패키지(100)의 후면에 형성되는 후면방열부(41)는 X축 방향으로 패키지(100) 끝까지 연장되며, 리드패드(12) 또한 최대한 몰드(30) 외측으로 노출되어 방열면을 이룸으로서 방열 효과를 더욱 극대화시킬 수 있게 된다.
이하, 발광 다이오드 패키지(100)의 제조과정을 살펴보면 다음과 같다.
다이패드(11)와 다수개의 리드패드(12)가 간격을 두고 배치된 리드프레임(10)으로 하나의 조를 구성하도록 하고, 상기 리드프레임(10)을 지지하기 위한 몰드(30)와 빛의 집적을 위한 반사구조인 리플렉터(31)를 사출 또는 트랜스퍼몰딩을 통해 형성한다.
여기서 상기 다이패드(11)의 측선단은 몰드(30) 외측으로 돌출되어 측면방열부(40)를 이루고, 다이패드(11)의 후면은 몰드(30) 외측으로 노출되어 후면방열부(41)를 이룬다.
또한, 상기 다이패드(11)는 프레스공정 또는 에칭이나 하프홀 가공을 통해 반사컵(15)이 형성된다. 상기 반사컵(15)이 형성된 다이패드(11)에 방열 접착제를 도팅(Dotting)하고 상기 방열 접착제에 발광용 반도체 칩(20)을 다이본딩 공정으로 부착하고, 골드 와이어(14)로 상기 반도체 칩(20)과 리드프레임(10)을 연결하는 과정을 거친다.
골드 와이어(14)에 의한 전극 접합과정 후에는 상기 몰드(30)를 금형에 안착시키고 상기 리플렉터(31) 사이에 충진제(32)를 채운다.
상기의 과정이 완료되면 배열되어 있는 각각의 패키지(100)를 트리밍 또는 포밍공정을 통해 개별화한다.
상기의 과정을 거침으로서 다이패드(11)의 측선단과 후면을 몰드(30) 외측으로 노출시켜 방열부를 이루는 구조의 발광 다이오드 패키지(100)를 제조할 수 있게 된다.
한편, 도 9과 도 10은 상기한 구조의 발광 다이오드 패키지(100)의 사용상태를 도시한 개략적인 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이 상기 패키지(100)는 몰드(30) 측면으로 측면방열부(40)가 노출되어 있고, 상기 측면방열부(40)에 별도의 방열소자(200)가 밀착설치된다.
이에 반도체 칩(20)에서 발생된 열은 다이패드(11) 측선단의 측면방열부(40)를 통해 바로 패키지(100) 외부로 전달되고, 상기 측면방열부(40)에 접하고 있는 방열소자(200)를 통해 신속하게 방열처리될 수 있게 된다.
또한, 도 10은 다이패드(11)의 후면방열부(41)를 통해 방열이 이루어지는 상태를 예시하고 있다.
도 10에 도시된 바와 같이 상기 패키지(100)는 전자회로기판에 전극리드(13)가 전기적으로 연결되도록 실장된다.
여기서 상기 다이패드(11)의 후면에 형성되는 후면방열부(41)는 몰드(30) 외측으로 노출된 구조로 상기 전자회로기판(300)에 직접 접하게 된다.
따라서 반도체 칩(20)에서 발생된 열은 다이패드(11)의 후면방열부(41)를 통해 바로 전자회로기판(300)으로 전달되어 보다 빠른 경로를 통해 그리고 보다 넓은 방열면을 통해 방열처리될 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예가 도시되어 설명되었지만, 다양한 변형과 다른 실시예가 본 분야의 숙련된 기술자들에 의해 행해질 수 있을 것이다. 이러한 변형과 다른 실시예들은 첨부된 청구범위에 모두 고려되고 포함되어, 본 발명의 진정한 취지 및 범위를 벗어나지 않는다 할 것이다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다이패드의 일부를 몰드 외부로 노출시키고 이 노출부위를 통해 방열이 이루어지도록 함으로서, 반도체체 칩의 열 방출 경로를 단축시키고 방출면적을 확대하여 방열 효과를 극대화할 수 있게 된다.

Claims (8)

  1. 빛을 발산하는 반도체 칩과;
    상기 반도체 칩이 다이본딩되는 다이패드와 상기 다이패드와 이격되고 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 리드패드 및 상기 다이패드와 리드패드에서 연장되는 전극리드를 포함하는 리드프레임;
    상기 리드프레임에 몰딩되어 외형을 이루고 상기 반도체 칩(20) 주위로 형성되는 리플렉터를 포함하는 몰드;
    상기 리플렉터 내에 채워지는 충진제;
    상기 다이패드의 후면을 이루며 상기 몰드 외측으로 노출되는 후면방열부
    를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이패드의 양 측선단에 형성되어 상기 몰드 외측으로 돌출되는 측면방열부를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다이패드는 프레스가공되어 전면에 용기 형태의 반사컵을 형성한 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다이패드는 전면에 에칭가공으로 용기 형태의 반사컵을 형성한 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 리드패드는 상기 다이패드쪽 선단이 다이패드의 전면쪽으로 상향 절곡된 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전극리드 또는 상기 측면방열부는 몰드와 결합되는 적어도 한쪽 면에 노치가 형성된 발광 다이오드 패키지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이패드는 후면방열부가 전자회로기판(PCB;Print Circuit Borad)에 접지되어 방열이 이루어지는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 측면방열부에 밀착 설치되는 방열소자를 포함하여 방열소자를 통해 열전달이 이루어지는 발광 다이오드 패키지.
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