JP2008544577A - 一体ヒートシンクを有する上面実装電力発光体 - Google Patents

一体ヒートシンクを有する上面実装電力発光体 Download PDF

Info

Publication number
JP2008544577A
JP2008544577A JP2008519523A JP2008519523A JP2008544577A JP 2008544577 A JP2008544577 A JP 2008544577A JP 2008519523 A JP2008519523 A JP 2008519523A JP 2008519523 A JP2008519523 A JP 2008519523A JP 2008544577 A JP2008544577 A JP 2008544577A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
conductive
mounting pad
reflector
conductive wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008519523A
Other languages
English (en)
Inventor
ピー ロー バン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2008544577A publication Critical patent/JP2008544577A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

発光装置が開示される。発光装置は基材、ヒートシンク、誘電体層、導電配線、反射体、及び少なくとも1つの光素子を有する。基材は上面及び底面とを有し、上面の一部が実装パッドを規定する。ヒートシンクは基材を冷却する冷却フィンを備える。導電配線は基材の上面にあって、実装パッドから基材の側端へ延びる。反射体は基材の上面に取付けられる。反射体は実装パッドを囲み、基材の上面の一部を覆う。光素子は実装パッドで基材に取付けられ、少なくとも1つの導電配線に接続される。発光装置は接続配線を備えた回路基板に実装されることができる。回路基板の接続配線は発光装置の導電配線と並び、電気的接続を生じる。

Description

この発明は、発光装置パッケージの分野に関し、特にヒートシンクを有する上面実装発光パッケージに関する。
発光ダイオード(LED)パッケージのような発光装置は、幅広い用途でますます一般的な部品となっている。例えば、LEDパッケージは、コンピュータ及び情報ディスプレイシステム、並びに自動車照明用途のような多数の製品に使用されている。
これらの用途において、しばしばLEDパッケージはプリント回路基板(PCBs)又は他の基板又は下地材料の上面にハンダ付けされている。その後、前記LEDパッケージを含む前記上面は光学又は電気パネルで被覆される。このような設計は、前記PCBの前記上面から前記光学又は電気パネルへ向かって、前記LEDパッケージから光を放出するのを可能とする。
前記PCBの前記上面に前記LEDパッケージを取り付けることは、多くの欠点をもたらす。例えば、前記LEDパッケージは、前記PCBと前記光学又は電気パネルとの距離を増大させる。さらに、前記LEDパッケージによって生じた熱は、前記PCBと前記光学又は電気パネルとの間に閉じ込められる。又、LEDパッケージを交換するために、前記PCBと前記光学又は電気パネルとが分離される必要がある。
その結果として、従来技術の装置の欠点を克服し又は軽減する改善されたLEDパッケージ、及び光学又は電気パネルへの光の供給用に改善された設計が必要である。
前記必要性は本発明によって満たされる。本発明の第1の実施形態において、装置は、基材と、前記基材の上の複数の導電配線と、前記基材に取り付けられた反射体と、前記基材の上の少なくとも1つの光素子と、前記基材に取り付けられたヒートシンクとを含む。前記基材は上面、及び底面とを有し、前記上面の一部が実装パッドを規定する。前記導電配線は前記基材の前記上面に位置し、前記導電配線は前記実装パッドから前記基材の側端へ延び、かつ前記導電配線は導電性材料を含む。前記反射体は前記基材の前記上面に取り付けられ、前記反射体は、前記実装パッドを囲む一方で前記基材の前記上面の他の部分と前記導電配線の一部とを露出させ、前記反射体は部分的に光キャビティを規定する。前記光素子は、前記実装パッドで少なくとも1つの導電配線に取り付けられる。前記ヒートシンクは、前記基材の底部に取り付けられ、又は前記基材の一体部分である。
前記光素子は発光ダイオード(LED)又はレーザであってよい。さらに、前記光素子は、少なくとも1つの導電配線にワイヤーボンディングされていてもよい。前記基材は、例えば金属アルミニウム(Al)、銅(Cu)である熱伝導性材料から形成され;この場合、電気配線の蒸着の前に、その表面に誘電体層が被覆される。その代わり、前記基材は、セラミック若しくはグラファイトのような熱効率のよい(thermal efficient)材料、又は二酸化チタンのような光学反射材料、又はそれらのあらゆる組合せで充填された(fill)、例えばポリフタルアミド、ポリイミド、又は液晶ポリマー(LCP)のような高温プラスチックから製造されてもよい。
前記光キャビティは、カプセル材料で充填されることができる。レンズが前記カプセル材料に接触して配置され、それによって前記光素子に光結合される。前記カプセル材料は、拡散物質、蛍光物質、又は両方を含んでよい。例えば、前記カプセル材料は、二酸化チタン、又は硫酸バリウムを含むことができる。前記蛍光物質は、第1の波長を有する光を吸収し、第2の波長を有する光を放射する。吸収による光損失を最小限に抑えるため、前記上面は光学的に反射する。前記反射体は、前記光キャビティを囲む光学的反射面を有する。前記光学的反射面は、拡散格子を有してよい。前記導電配線は、例えば銀のようなあらゆる導電性金属であることができる。
本発明の第2の実施形態において、装置の製造方法が開示される。最初に基材が準備され、前記基材は上面及び底面を有し、前記上面の一部が実装パッドを規定し、前記基材は前記上面に導電配線を有する。それから、少なくとも1つの光素子が前記実装パッドに取り付けられ、前記光素子は少なくとも1つの導電配線に接触する。次に、前記基材の前記上面に反射体が取り付けられ、前記反射体は前記実装パッドを囲み部分的に光キャビティを規定する。
前記基材と一体部分としてヒートシンクが形成され、又はヒートシンクは前記基材の前記底面に取付けられる要素である。前記光キャビティはカプセル材料で充填されてもよい。レンズが、前記反射体、前記カプセル材料、又は両方に取り付けられてもよい。
基材(アルミニウム又は銅)を製造するステップは、例えば衝撃押し出し及び鋳造技術を含む。いくつかの実施形態において、前記ヒートシンクは、前記基材と一体の部分であってもよい。その上に導電性配線を形成可能な酸化アルミニウム誘電体層表面を形成するため、前記アルミニウム基材は陽極酸化されることができる。銅基材の場合、導電性配線が印刷される前に、その表面にポリイミドのようなポリマー又はガラス誘電体層が最初に被覆されてもよい。その代わり、前記基材は、熱伝導性プラスチックと共にインサート成型されたリードフレームであってもよい。最後に、プラスチック反射体の場合は熱ステーキングによって、又は金属反射体の場合は成形(forming)によって、反射体が前記基材に取り付けられてもよい。
本発明の第3の実施形態において、装置は、回路基板と、前記回路基板の上又は内部に取り付けられる発光装置とを含む。前記回路基板は前面と背面とを有し、前記回路基板は開口を規定する。さらに、前記回路基板はその背面に導電性接続配線を備えている。前記発光装置は、前記回路基板の前記開口内に取り付けられる。前記発光装置は、基材と、複数の導電配線と、反射体と、少なくとも1つの光素子とを有する。前記基材は上面、及び底面とを有し、上面の一部が実装パッドを規定する。前記導電配線は前記基材の前記上面の位置し、前記導電配線は前記実装パッドから前記基材の側端へ延び、かつ前記導電配線は導電性材料を含む。前記反射体は、前記基材の前記上面に取り付けられ、前記反射体は前記実装パッドを囲む一方で前記基材の前記上面の他の部分と前記導電配線の一部とを露出させ、前記反射体は光キャビティを規定する。前記光素子は、前記実装パッドで前記基材に取り付けられ、前記光素子は少なくとも1つの導電配線に接続される。少なくとも1つの発光装置の少なくとも1つの導電配線が前記回路基板の少なくとも1つの接続配線と並んでいる。
前記発光装置は、表面実装技術を用いて前記回路基板に取り付けられている。前記発光装置は、例えば、はんだ、エポキシ樹脂、及びコネクタのような取付け媒体で前記回路基板に取り付けられている。
本発明の他の特徴及び優位性は、本発明の本質の一例として示される添付の図面とともに以下の詳細な説明によって明らかになるであろう。
導入
本発明は、本発明の種々の実施形態を示す図1から図5Bを参照して記述される。図に示されるように、いくつかの構造又は部分の大きさは、説明のために他の構造又は部分に比べて誇張され、さらに本発明の一般構造を示すために提供される。さらに、本発明の種々の態様は、他の構造、部分、又はその双方に形成される構造又は部分に関して記述される。当業者に理解されるように、他の構造又は部分"に"又は"上に"形成される構造への言及は、付加的な構造、部分、又はその双方が介在することを意図する。介在構造又は部分を有さずに他の構造又は部分"に"形成される構造又は部分への言及は、前記構造又は部分"に直接"形成されるとして本書に記述される。
さらに、"に"又は"上に"のような相対語は、図に示すように一の構造又は部分の他の構造又は部分との関係を説明するため本書で使用される。"に"又は"上に"のような相対語は、図に表現される方向に加え、前記装置の異なる方向を含むことを意図することは理解されるであろう。例えば、図の装置が引っくり返ると、他の構造又は部分"の上に"として記述された構造又は部分は、前記他の構造又は部分の"下に"位置するであろう。同様に、図の装置が軸に沿って回転すると、他の構造又は部分"の上に"として記述された構造又は部分は、前記他の構造又は部分の"隣に"又は"左に" 位置するであろう。同様な数字は、同様な要素に終始言及する。
本発明は、本発明の種々の実施形態を示す図1Aから図5Bを参照して記述される。本発明の一の実施形態において、発光装置は、基材と、前記基材の上の複数の導電配線と、前記基材に取り付けられた反射体と、前記基材の上の少なくとも1つの光素子と、前記基材に取り付けられたヒートシンクとを含む。前記基材は上面、及び底面とを有し、前記上面の一部が実装パッドを規定する。前記導電配線は前記基材の前記上面に位置し、前記導電配線は前記実装パッドから前記基材の側端へ延び、かつ前記導電配線は導電性材料を含む。前記反射体は前記基材の前記上面に取り付けられ、前記反射体は、前記実装パッドを囲む一方で前記基材の前記上面の他の部分と前記導電配線の一部とを露出させ、前記反射体は部分的に光キャビティを規定する。前記光素子は、前記実装パッドで少なくとも1つの導電配線に取り付けられる。前記ヒートシンクは、前記基材の底面に取り付けられ、又は前記基材の一体部分である。
前記発光装置は、例えば開口を有しその(PCBの)底部側に接続配線を備えたプリント回路基板(PCB)である回路基板に取り付けられることができる。前記発光装置は、前記PCBの底部を上にして(つまり、レンズ面が前記PCBの上側に面して)取付けられることができる。さらに前記PCBの底部側の接続配線は、電気的接続を提供するため前記発光装置の上面の導電配線に並ぶことができる。前記接続は、SMT(表面実装技術)のはんだリフローにより実現されてもよい。
この設計により、前記発光装置によって生じた熱エネルギーは、前記PCBと前記光学又は電気パネルとの間に閉じ込められることがない。その代わり、前記基材に取付けられ又は前記基材の一体部分である前記ヒートシンクの熱冷却フィンによって、熱エネルギーが放散される。図に示すように、例えば表面実装技術方式により、前記基材が前記PCBに上面実装される。さらに、そのヒートシンク部分は前記回路基板の表面から自由空間へ盛り上がり、対流又は強制対流による有効で効率的な空冷が実現されることができる。
発光装置
図1は、本発明の一の実施形態に従う装置100の斜視図である。図2は、図1の装置100の分解斜視図である。図3A,3B及び3Dは、図1及び図2の装置100の上面図、側面図、及び底面図を示す。図3Dは、図3Aの線3D−3Dに沿って切られた、そのレンズがない図1及び図2の装置100の断面側面図である。
基材
図1から図3Dを参照し、発光装置100は、上面111及び底面113を有する基材110を含む。前記基材110の上面111の一部は、実装パッド115を規定する。基材110は、例えばアルミニウム(Al)又は銅(Cu)である熱伝導性材料から製造される。アルミニウムが用いられる場合、基材110は酸化アルミニウムの誘電体表面被覆を形成するため陽極酸化される。基材110の陽極酸化は、基材110表面に約0.001〜0.002インチ厚の酸化アルミニウム層を生成する。
他の実施形態において、基材110は、例えばグラファイトのような熱伝導性材料、又は二酸化チタンのような光学材料、又はそれらのあらゆる組合せで充填された(fill)ポリフタルアミド、ポリイミド、及び液晶ポリマー(LCP)のような高温プラスチックから製造される。
図解される実施形態において、光素子130から生じるあらゆる光が上面111から遠くへ反射されるよう、上面111は光学的に反射する。基材110の物理的寸法は、装置100の必要とする特性に大きく依存して変化し、ミリメートル、センチメートル,又はさらに大きい程度の範囲とすることができる。図解される実施形態において、基材110は、約9ミリメートルの長さ161と、約7ミリメートルの幅163と、約0.5ミリメートルから1ミリメートルの高さ165とを有する。
配線
複数の導電配線112が基材110の上面111に存在する。図示したように、導電配線112は実装パッド115から基材110の側端117に延びる。導電配線112は、例えば銀(Ag)インクのような導電性材料から製造される。混乱を避けるため、図に示されるすべての配線が参照番号112で指定されているわけではない。前記銀インクは、例えばAg-取込み(load)ポリマ−インクであるポリマーインク、又は例えば摂氏500度で発火するデュポンのAgインクNo7713である厚膜インクとすることができる。基材110の上面111の導電配線112は、前記インクがペースト形態である場合はスクリーン印刷若しくはパッド印刷を用い、又は前記インクが液体形態である場合はジェット印刷を用い、製造されることができる。その後、例えば表面実装リフロー技術と同様にして、温度を上昇してインクが前記表面に接着される。
反射体
反射体120が基材110の上面111に取り付けられる。反射体120は、基材110の上面111の一部(導電配線112の一部を含む)を覆い、一方で他の部分は露出させる。反射体120は一般に実装パッド115を囲む。反射体120は一般に円筒形を有し、装置100の他の部分と結合して図示するような光キャビティ122を規定する開口を規定する。つまり、反射体120は、それが囲む光キャビティ122を部分的に規定する。図3Dにより明確に示されるように、反射体120は、光キャビティ122を囲む傾斜表面126を有する。光素子130からの光を所望の方向に反射するよう、傾斜表面126は鏡面仕上げ又は研磨されている。他の実施形態において、光素子130からの光を拡散するため、傾斜表面126は拡散格子を有してもよい。
反射体120の物理的寸法は、装置100の所望の特性に大きく依存して変化し、1ミリメートルの何分の1(fractions of)程度か、又はさらに大きい程度の範囲とすることができる。図解される実施形態において、反射体120は、約2ミリメートルから4ミリメートルの高さ123と、約7ミリメートルの外径125とを有する。
LEDチップ
少なくとも1つの光素子130は、実装パッド115で少なくとも1つの導電配線112に取り付けられる。光素子130は例えば、発光ダイオード(LED)チップ又はレーザであることができる。光素子130は又、ボンドワイヤ132を用いて他の配線に取り付けられることができる。LEDは、電流で励起されたときに典型的に発光する半導体ダイオードである。前記LEDに用いられる材料に基づき、種々の色が生成されることができる。単に例として、LEDに一般に用いられる材料は、
アルミニウムインジウムガリウムリン (AlInGaP);
インジウムガリウム窒素 (InGaN);
アルミニウムガリウム砒素 (AlGaAs);
ガリウムリン (GaP);
インジウムガリウム窒素 (InGaN);
インジウムガリウムアルミニウムリン;
炭化ケイ素(SiC);
である。
カプセル材料(Encapsulant)
光キャビティ122は、図2に参照数字124で示されるカプセル材料で充填されることができる。前記カプセル材料は、光キャビティ122内に注入されて光素子130を包み、光キャビティ122を充填して凝固させる。前記カプセル材料の凝固した形態は、参照数字124で図2に示される。カプセル材料124は光学的に透明なシリコーンエポキシであることができる。しかし、いくつかの用途において、カプセル材料124は、光強度、演色(color rendering)、又は両方の所望の均一性を得るため、拡散物質(diffusant)、蛍光物質、又は両方を含んでもよい。例えば、光素子130から光を拡散させるため、カプセル材料124は二酸化チタン、硫酸バリウムの粒子を含んでもよい。前記蛍光物質は、第1の波長を有する光を吸収し、第2の波長を有する光を放射する材料を含む。例えば、黄リンは青色光を吸収し、黄色光を再放射(re-emit)する。
レンズ
レンズ150は、反射体120、カプセル材料124、又はその両方の上に配置されることができる。レンズはカプセル材料124に接触し、次にカプセル材料124は光素子130に接触する。従って、レンズ150は光素子130に光結合される。例えば、所望の放射パターンを得るための光の屈折のように、レンズ150は、光素子130からの光の画像操作を行うよう構成される。
レンズ150は、ガラス又は透明プラスチックのような光学的に透明な材料であることができる。しかし、いくつかの用途において、レンズ150は、所望の均一な光強度、演色、又は両方を得るため、拡散物質(diffusant)、蛍光物質、又は両方を含んでもよい。例えば、光素子130から光を拡散させるため、レンズ150は二酸化チタン、硫酸バリウムの粒子を含んでもよい。前記蛍光物質は、第1の波長を有する光を吸収し、第2の波長を有する光を放射する材料を含む。
ヒートシンク
ヒートシンク140は基材110の底面113に取り付けられ、又は基材110の一体部分である。図示された実施形態において、ヒートシンク140は4つの熱放散フィン140を有する。他の実施形態において、ヒートシンク140は、種々の形状及びサイズに実行する(implement)ことができる。例えば、ヒートシンク140は、表面積を増大させて熱放散を高めるため、あらゆる形状のフィン、スロット(slot)、又はその両方を含むことができる。ヒートシンク140は、例えば金属又は熱伝導性プラスチックのような熱伝導性材料から製造される。
方法
図4は、例えば図1の発光装置100のような装置の製造方法を示すフローチャート170である。図2及び図4を参照すると、まず、上面111及び底面113を有する基材110が提供される。上面111の部分115は実装パッド115を規定する。基材110は、その上面111に導電配線112を有する。ステップ172。その後、少なくとも1つの光素子130が実装パッド115に取り付けられ、前記光素子が少なくとも1つの導電配線112に接触する。ステップ174。その後、反射体120が基材110上面111に取り付けられる。反射体120は実装パッド115を囲み、部分的に光キャビティ122(図3Dに示される)を規定する。ステップ176。さらに、カプセル材料124がキャビティ122内に分注される。ステップ177。最後に、及び任意に、レンズ150が取り付けられる。ステップ178。
基材110は、単に例として、衝撃押し出し、鋳造(coining)、又は成型(molding)技術を含む種々の公知の技術を用いて製造されることができる。衝撃押し出し技術として、通常は(アルミニウムのような)固体材料の小ショット(shot)がダイに配置され、ラムによって衝撃を加えられ、材料内の塑性流動 (cold flow)を生じる。さらに、基材110は、酸化アルミニウムの誘電体表面被覆を形成するため陽極酸化されることができる。代わりに、基材110は、熱伝導性プラスチックと金属リードフレームのインサート成型で製造される。
ヒートシンク140は、例えば衝撃押し出しプロセス間のような基材110の製造プロセスの間、基材110と一体の部品とし形成されることができる。代わりに、ヒートシンク140が別の部品として形成され、基材110に取り付けられることができる。
反射体120は、多数の技術、例えば熱ステーキング(heat- staking)技術を用いて基材110に取り付けられることができる。熱ステーキング技術において、反射体120から突出するスタッド(stud)128が基材110の切欠118に嵌合される。その後、基材110に反射体120を杭で固定し(stake)、スエージ加工し(swage)、又は密閉するため、圧力及び熱が用いられ、これらの部品の確実な固定が達成される。これは、異なる材料の効率的で確実な機械的結合を可能とする汎用的技術である。光素子130は、直接接続により、ボンドワイヤ132によって、又はその両方で、少なくとも1つの導電配線112に電気的に接続される。ボンドワイヤ132は光素子130及び導電配線112に結合される。光キャビティ122はカプセル材料124で充填されることができる。その後、レンズ150は、反射体120、カプセル材料124、又はその両方に取り付けられることができる。
LEDモジュールと回路基板(board)
図5Aは、本発明の他の実施形態に従う装置190の斜視図である。図5Bは、図5Aに示す装置190の底面図である。図5A及び図5Bを参照すると、発光装置100(図1から図3Dの発光装置100と同一の構造を有する)は、例えばプリント回路基板(PCB)192のようなPCB192(プリント回路基板)の開口内に実装される。回路基板(board)192は前面191と背面193とを有し、背面193に接続配線194を備えている。発光装置100が前記開口内に実装されると、少なくとも1つの導電配線112(図1,2及び3Aに示される)が回路基板192の少なくとも1つの接続配線194と一列に並び、電気的接続が行われる。さらに、例えば表面実装リフロー技術を用い、基材110の上面111の導電配線112が、回路基板192の配線194に半田付けされることができる。さらに、例えば、はんだ、エポキシ樹脂、又はコネクタのような取付け媒体(mounting medium)により、発光装置100が回路基板192に固定されてもよい。組立て品において、いかなる電気回路も含まず、本発明によってのみ達成される特徴である鏡を形成する光学的反射材料で被覆される上面192から離れた方向に光が放出される。
結論
上記の内容から、本発明は新規で、従来の技術に対する優位性を提供することが明らかである。本発明の特定の実施形態が上記に記述され説明されるが、本発明はそのように記述され説明された特定の形態又は配置の部品に限定されない。例えば、本発明を実行するため、異なる構造、大きさ、又は材料が使用されてもよい。本発明は以下の特許請求の範囲によって限定される。
本発明の一の実施形態に従う装置の斜視図である。 図1の装置の分解斜視図である。 図1の装置の上面図である。 図1の装置の側面図である。 図1の装置の底面図である。 図3Aの線3D−3Dに沿って切られた、そのレンズがない図1の装置の断面図である。 本発明の他の実施形態を示すフローチャートである。 本発明の他の実施形態に従う装置の斜視図である。 図5Aに示す装置の底面図である。

Claims (31)

  1. その一部が実装パッドを規定する上面、及び底面とを有する基材と;
    前記実装パッドから前記基材の側端へ延びかつ導電性材料を含む、前記基材の前記上面の複数の導電配線と;
    前記基材の前記上面に取り付けられ、前記実装パッドを囲む一方で前記基材の前記上面の他の部分と前記導電配線の一部とを露出させ、部分的に光キャビティを規定する反射体と;
    前記実装パッドで少なくとも1つの導電配線に取り付けられた少なくとも1つの光素子と;
    前記基材の前記底面に取り付けられたヒートシンクとを含む装置。
  2. 前記光素子は発光ダイオード(LED)及びレーザの少なくとも1つである請求項1記載の装置。
  3. 前記基材は熱伝導性材料を含む請求項1記載の装置。
  4. 前記基材は、アルミニウム(Al)及び銅(Cu)から成る群から選ばれる材料を含み、さらに前記基材と前記導電配線の間に誘電体層を含む請求項1記載の装置。
  5. 前記誘電体層は、ガラス被覆、ポリマー、及び陽極酸化基材物質から成る群から選ばれる材料を含む請求項4記載の装置。
  6. 前記光素子は、少なくとも1つの導電配線にワイヤーボンディングされている請求項1記載の装置。
  7. 前記光キャビティを充填するカプセル材料をさらに含む請求項1記載の装置。
  8. 前記カプセル材料に接触して前記光素子に光結合されるレンズをさらに含む請求項7記載の装置。
  9. 前記カプセル材料は、拡散物質及び蛍光物質の少なくとも1つをさらに含む請求項7記載の装置。
  10. 前記カプセル材料は、二酸化チタン、硫酸バリウムから成る群から選ばれる材料をさらに含む請求項7記載の装置。
  11. 前記カプセル材料は、第1の波長を有する光を吸収し、第2の波長を有する光を放射する蛍光物質をさらに含む請求項7記載の装置。
  12. 前記前記上面は光学的に反射する請求項1記載の装置。
  13. 前記反射体は、前記光キャビティを囲む光学的反射面を有する請求項1記載の装置。
  14. 前記光学的反射面は、拡散格子を有する請求項13記載の装置。
  15. 前記上面は酸化アルミニウムを含む請求項1記載の装置。
  16. 前記導電配線は銀を含む請求項1記載の装置。
  17. 前記基材はプラスチックを含む請求項1記載の装置。
  18. 前記基材は、グラファイト若しくはセラミックスのような熱伝導性材料、又は二酸化チタンのような光学反射物質で充填された、ポリフタルアミド、ポリイミド、及び液晶ポリマーから成る群から選ばれる材料を含む請求項17記載の装置。
  19. その一部が実装パッドを規定する上面、及び底面を有し、前記上面に導電配線を有する基材を準備するステップと;
    少なくとも1つの導電配線に接触する少なくとも1つの光素子を前記実装パッドに取り付けるステップと;
    前記実装パッドを囲み部分的に光キャビティを規定する反射体を、前記基材の前記上面に取り付けるステップとを有する装置の製造方法。
  20. 前記基材の前記底面にヒートシンクを形成するステップと;前記光キャビティをカプセル材料で充填するステップとをさらに有する請求項19記載の方法。
  21. 前記反射体にレンズを取り付けるステップをさらに有する請求項20記載の方法。
  22. 前記基材を準備するステップは、鋳造又は衝撃押し出し技術を用いる前記基材の製造を含む請求項19記載の方法。
  23. 前記ヒートシンクは、前記鋳造又は衝撃押し出しプロセスの間、前記基材の一部として一体に製造される請求項19記載の方法。
  24. 前記ヒートシンクは冷却フィンを有する請求項23記載の方法。
  25. 前記反射体を取り付けるステップは、前記基材に前記反射体を熱ステーキングすることを含む請求項19記載の方法。
  26. 前記基材は陽極酸化されて酸化アルミニウム層表面を形成する請求項19記載の方法。
  27. 前記基材は、熱伝導性プラスチックと共にインサート成型されたリードフレームである請求項19記載の方法。
  28. 開口を規定し、前面と背面とを有してその背面に導電性接続配線を備えた回路基板と;
    前記回路基板の前記開口内に取り付けられた発光装置とを含む装置であって、
    前記発光装置は、その一部が実装パッドを規定する上面、及び底面とを有する基材と;
    前記実装パッドから前記基材の側端へ延びかつ導電性材料を含む、前記基材の前記上面の複数の導電配線と;
    前記基材の前記上面に取り付けられ、前記実装パッドを囲む一方で前記基材の前記上面の他の部分と前記導電配線の一部とを露出させ、光キャビティを規定する反射体と;
    前記実装パッドで前記基材に取り付けられ、少なくとも1つの導電配線に接続される少なくとも1つの光素子と;を有し、
    少なくとも1つの発光装置の少なくとも1つの導電配線が前記回路基板の少なくとも1つの接続配線と並んでいる装置。
  29. 前記発光装置は、表面実装技術を用いて前記回路基板に取り付けられている請求項28記載の装置。
  30. 前記発光装置は、取付け媒体で前記回路基板に取り付けられている請求項28記載の装置。
  31. 前記取付け媒体は、はんだ、エポキシ樹脂及びコネクタから成る群から選ばれる請求項30記載の装置。
JP2008519523A 2005-06-27 2006-06-27 一体ヒートシンクを有する上面実装電力発光体 Pending JP2008544577A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/168,018 US20060292747A1 (en) 2005-06-27 2005-06-27 Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
PCT/US2006/025193 WO2007002760A2 (en) 2005-06-27 2006-06-27 Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008544577A true JP2008544577A (ja) 2008-12-04

Family

ID=37568030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008519523A Pending JP2008544577A (ja) 2005-06-27 2006-06-27 一体ヒートシンクを有する上面実装電力発光体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060292747A1 (ja)
JP (1) JP2008544577A (ja)
DE (1) DE112006001634B4 (ja)
WO (1) WO2007002760A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013079157A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Nippon Tungsten Co Ltd 膜状の無機材料

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
KR100593935B1 (ko) * 2005-03-24 2006-06-30 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US8786165B2 (en) * 2005-09-16 2014-07-22 Tsmc Solid State Lighting Ltd. QFN/SON compatible package with SMT land pads
US7718991B2 (en) * 2006-05-23 2010-05-18 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
US7964888B2 (en) * 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
JP2009010081A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Mac Eight Co Ltd 発光ダイオード用ソケット
TWI353096B (en) * 2007-08-20 2011-11-21 Young Optics Inc Optoelectronic semiconductor package and method fo
GB2458972B (en) * 2008-08-05 2010-09-01 Photonstar Led Ltd Thermally optimised led chip-on-board module
US9449939B2 (en) * 2009-09-17 2016-09-20 Koninklijke Philips N.V. Geometry of contact sites at brittle inorganic layers in electronic devices
US8602593B2 (en) * 2009-10-15 2013-12-10 Cree, Inc. Lamp assemblies and methods of making the same
US8337214B2 (en) * 2009-11-13 2012-12-25 Cree, Inc. Electrical connectors and light emitting device package and methods of assembling the same
KR20130029051A (ko) 2010-02-17 2013-03-21 넥스트 라이팅 코퍼레이션 발광 소자 및 원격 발광 재료를 갖는 조명 스트립을 포함하는 조명 유닛
CN101958393A (zh) * 2010-08-06 2011-01-26 敬俊 一种发光半导体模块结构及其制作方法
KR20130101511A (ko) 2010-08-18 2013-09-13 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 발광 다이오드 조립체 및 열 제어 블랭킷 및 이에 관련된 방법
US9862808B2 (en) 2011-08-19 2018-01-09 Solvay Specialty Polymers Usa, Llc Polyamide compositions for LED applications
US8939611B2 (en) * 2011-11-10 2015-01-27 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Lighting apparatus having improved light output uniformity and thermal dissipation
US8617927B1 (en) 2011-11-29 2013-12-31 Hrl Laboratories, Llc Method of mounting electronic chips
US9496197B1 (en) 2012-04-20 2016-11-15 Hrl Laboratories, Llc Near junction cooling for GaN devices
DE102013203664A1 (de) * 2013-03-04 2014-09-04 Osram Gmbh Substrat für Leuchtvorrichtung mit Keramikbereich
US10079160B1 (en) 2013-06-21 2018-09-18 Hrl Laboratories, Llc Surface mount package for semiconductor devices with embedded heat spreaders
US20150138752A1 (en) 2013-10-28 2015-05-21 Next Lighting Corp. Linear lamp replacement
US9920893B2 (en) 2014-06-18 2018-03-20 General Led Opco, Llc Busline LED module
DE102014213406A1 (de) 2014-07-10 2016-01-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserbauteil und Kamera
US9337124B1 (en) 2014-11-04 2016-05-10 Hrl Laboratories, Llc Method of integration of wafer level heat spreaders and backside interconnects on microelectronics wafers
US9385083B1 (en) 2015-05-22 2016-07-05 Hrl Laboratories, Llc Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks
US10026672B1 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Hrl Laboratories, Llc Recursive metal embedded chip assembly
US9508652B1 (en) 2015-11-24 2016-11-29 Hrl Laboratories, Llc Direct IC-to-package wafer level packaging with integrated thermal heat spreaders
US10950562B1 (en) 2018-11-30 2021-03-16 Hrl Laboratories, Llc Impedance-matched through-wafer transition using integrated heat-spreader technology
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163409A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Matsushita Electron Corp 発光装置
JP2001326390A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
JP2002270903A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子
JP2002368278A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
WO2005043627A1 (en) * 2003-10-22 2005-05-12 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
US5119174A (en) * 1990-10-26 1992-06-02 Chen Der Jong Light emitting diode display with PCB base
KR940019586A (ko) * 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
US5849396A (en) * 1995-09-13 1998-12-15 Hughes Electronics Corporation Multilayer electronic structure and its preparation
JP3393247B2 (ja) * 1995-09-29 2003-04-07 ソニー株式会社 光学装置およびその製造方法
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
US5982090A (en) * 1997-07-11 1999-11-09 Kaiser Aerospace And Electronics Coporation Integrated dual mode flat backlight
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US5903052A (en) * 1998-05-12 1999-05-11 Industrial Technology Research Institute Structure for semiconductor package for improving the efficiency of spreading heat
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
US6489637B1 (en) * 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6602153B2 (en) * 1999-09-16 2003-08-05 Callaway Golf Company Aerodynamic pattern for a two-piece golf ball
US6490104B1 (en) * 2000-09-15 2002-12-03 Three-Five Systems, Inc. Illumination system for a micro display
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
TW567619B (en) * 2001-08-09 2003-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd LED lighting apparatus and card-type LED light source
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US20030058650A1 (en) * 2001-09-25 2003-03-27 Kelvin Shih Light emitting diode with integrated heat dissipater
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7122884B2 (en) * 2002-04-16 2006-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation Robust leaded molded packages and methods for forming the same
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US7002727B2 (en) * 2003-03-31 2006-02-21 Reflectivity, Inc. Optical materials in packaging micromirror devices
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7164197B2 (en) * 2003-06-19 2007-01-16 3M Innovative Properties Company Dielectric composite material
US7102177B2 (en) * 2003-08-26 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting diode incorporating gradient index element
FR2859202B1 (fr) * 2003-08-29 2005-10-14 Commissariat Energie Atomique Compose piegeur de l'hydrogene, procede de fabrication et utilisations
US20080231170A1 (en) * 2004-01-26 2008-09-25 Fukudome Masato Wavelength Converter, Light-Emitting Device, Method of Producing Wavelength Converter and Method of Producing Light-Emitting Device
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Led及びその製造方法
US7204631B2 (en) * 2004-06-30 2007-04-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a plurality of light guides and an interference reflector
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
KR101115800B1 (ko) * 2004-12-27 2012-03-08 엘지디스플레이 주식회사 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛
WO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
US7980743B2 (en) * 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
US20070054149A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Chi-Ming Cheng Substrate assembly of a display device and method of manufacturing the same
US7735543B2 (en) * 2006-07-25 2010-06-15 Metal Casting Technology, Inc. Method of compacting support particulates

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11163409A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Matsushita Electron Corp 発光装置
JP2001326390A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
JP2002270903A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子
JP2002368278A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
WO2005043627A1 (en) * 2003-10-22 2005-05-12 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013079157A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Nippon Tungsten Co Ltd 膜状の無機材料

Also Published As

Publication number Publication date
DE112006001634B4 (de) 2013-07-11
WO2007002760A2 (en) 2007-01-04
WO2007002760A3 (en) 2007-12-21
DE112006001634T5 (de) 2008-04-30
US20060292747A1 (en) 2006-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008544577A (ja) 一体ヒートシンクを有する上面実装電力発光体
JP5520243B2 (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
JP5596901B2 (ja) 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法
US7531848B2 (en) Light emission diode and method of fabricating thereof
EP1756880B1 (en) Composite optical lens with an integrated reflector
TWI495143B (zh) 功率式表面安裝之發光晶粒封裝
JP2011146709A (ja) 発光装置、照明システム
JP2004207367A (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
JP2018181783A (ja) 車両用灯具
JP3938100B2 (ja) Ledランプおよびled照明具
CN209524440U (zh) 车辆用照明装置及车辆用灯具
KR20060009976A (ko) 히트 씽크 일체형 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20101020

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110920

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110928

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111020

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120619

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120810

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120910

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120919

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120926

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121019

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121119

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130819

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131001

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20131220