JP2011146709A - 発光装置、照明システム - Google Patents

発光装置、照明システム Download PDF

Info

Publication number
JP2011146709A
JP2011146709A JP2011004106A JP2011004106A JP2011146709A JP 2011146709 A JP2011146709 A JP 2011146709A JP 2011004106 A JP2011004106 A JP 2011004106A JP 2011004106 A JP2011004106 A JP 2011004106A JP 2011146709 A JP2011146709 A JP 2011146709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
frame
light
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011004106A
Other languages
English (en)
Inventor
Bong Kul Min
ミン,ボンクル
Deung Kwan Kim
キム,トゥンクワン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020100004107A external-priority patent/KR101055074B1/ko
Priority claimed from KR1020100030016A external-priority patent/KR101028243B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2011146709A publication Critical patent/JP2011146709A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • H05K1/021Components thermally connected to metal substrates or heat-sinks by insert mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]

Abstract

【課題】本発明は、新たな構造を有し、発光素子で発生した熱を効果的に放熱できる発光素子パッケージ及び発光装置を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子パッケージは、キャビティが形成されたパッケージ胴体と、上記パッケージ胴体を貫通して上記キャビティの内で露出される第1フレーム及び第2フレームと、上記キャビティの底面を形成し、上記第1フレーム及び第2フレームと電気的に分離される第3フレームと、上記第3フレームの上に配置された発光素子と、上記発光素子と上記第1フレーム及び第2フレームを電気的に連結するワイヤと、を含み、上記第3フレームの上面は第1高さを有する第1平面と、上記第1高さより低い第2高さを有する第2平面と、上記第1平面と第2平面とを連結する傾斜面を含み、上記傾斜面は上記キャビティの内で露出される。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光素子パッケージ及び発光装置に関するものである。
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)は電流を光に変換させる半導体発光素子である。
このような発光ダイオードから放出される光の波長は、発光ダイオードの製造に使われる半導体材料に従う。これは、放出された光の波長が価電子帯(valence band)電子と伝導帯(conduction band)電子との間のエネルギー差を表す半導体材料のバンドギャップ(band-gap)に従うためである。
最近、発光ダイオードは輝度が徐々に増加するようになって、ディスプレイ用光源、自動車用光源、及び照明用光源に使われており、蛍光物質を利用するか、多様な色の発光ダイオードを組合せることによって、効率に優れる白色光を発光する発光ダイオードも具現が可能である。
本発明の目的は、新たな構造を有する発光素子パッケージ及び発光装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、発光素子で発生した熱を効果的に放熱できる発光素子パッケージ及び発光装置を提供することにある。
本発明に従う発光素子パッケージは、キャビティが形成されたパッケージ胴体と、上記パッケージ胴体を貫通して上記キャビティの内で露出される第1フレーム及び第2フレームと、上記キャビティの底面を形成し、上記第1フレーム及び第2フレームと電気的に分離される第3フレームと、上記第3フレームの上に配置された発光素子と、上記発光素子と上記第1フレーム及び第2フレームを電気的に連結するワイヤと、を含み、上記第3フレームの上面は第1高さを有する第1平面と、上記第1高さより低い第2高さを有する第2平面と、上記第1平面と第2平面とを連結する傾斜面とを含み、上記傾斜面は上記キャビティの内で露出される。
本発明に従う発光装置は、胴体と、上記胴体に配置された第1電極及び第2電極と、上記第1電極の上に形成され、上記第1電極及び第2電極と電気的に連結された発光素子と、上記発光素子を封入するモールディング部材と、上記胴体及び上記第1電極の下面に配置された放熱パッドを各々含む複数の発光素子パッケージと、上記複数の発光素子パッケージが挿入された複数の溝を含む基板と、上記基板の溝の周囲に形成され、上記第1電極及び第2電極と各々電気的に連結される第1回路パターン及び第2回路パターンと、を含む。
本発明に従う発光装置は、胴体と、上記胴体に配置された第1電極、第2電極、及び熱伝導性部材と、上記熱伝導性部材の上に形成され、上記第1電極及び第2電極と電気的に連結された発光素子と、上記発光素子を封入するモールディング部材と、上記胴体及び上記第1電極の下面に配置された放熱パッドを各々含む複数の発光素子パッケージと、上記複数の発光素子パッケージが挿入された複数の溝を含む基板と、上記基板の溝の周囲に形成され、上記第1電極及び第2電極と各々電気的に連結される第1回路パターン及び第2回路パターンと、を含む。
本発明によれば、新たな構造を有する発光素子パッケージ及び発光装置を提供することができる。
本発明によれば、発光素子で発生した熱を効果的に放熱できる発光素子パッケージ及び発光装置を提供することができる。
本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの斜視図である。 本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの断面図である。 本発明の実施形態に従う発光装置を説明する図である。 本発明の実施形態に従う発光装置を説明する図である。 本発明の実施形態に従う発光素子パッケージにおけるフレームを製作するためのフレーム胴体を説明する図である。 本発明の他の実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットの側断面図である。 図6のライトユニットの分解斜視図である。 図6のライトユニットの斜視図である。 エッジ(Edge)型ライトユニットの斜視図である。 直下(Direct)型ライトユニットの斜視図である。 本発明の他の実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットを説明する図である。 本発明の更に他の実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットを説明する図である。 本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。 本発明の実施形態に従う表示装置の他の例を示す図である。 本発明の他の実施形態に従うライトユニットを示す図である。
本発明を説明するに当たって、各層(膜)、領域、パターン、または構造物が、基板、各層(膜)、領域、パッド、またはパターンの“上(on)”に、または“下(under)”に形成されることと記載される場合において、“上(on)”と“下(under)”は、“直接(directly)”または“他の層を介して(indirectly)”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
図1は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの斜視図であり、図2は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージの断面図である。図3及び図4は本発明の実施形態に従う発光装置を説明する図であり、図5は本発明の実施形態に従う発光素子パッケージにおけるフレームを製作するためのフレーム胴体を説明する図である。
図1及び図2を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージ100は、パッケージ胴体10と、上記パッケージ胴体10に形成された第1フレーム21、第2フレーム22、及び第3フレーム23と、上記第3フレーム23の上に配置された第1発光素子31及び第2発光素子32と、上記パッケージ胴体10に形成されたキャビティ(cavity)70の内に詰められた封止層60と、を含む。
上記パッケージ胴体10は、上記フレーム21、22、23を支持し、上記発光素子31、32が配置できる空間を提供し、上記封止層60が詰められるキャビティ70を提供する。上記パッケージ胴体10は樹脂材質で形成できる。上記フレーム21、22、23と一緒に射出されて形成できる。
上記第1フレーム21及び第2フレーム22は、上記第1発光素子31及び第2発光素子32に電源を提供するためのリードフレームの役割をする。上記第3フレーム23は、上記発光素子31、32で発生した熱を効果的に放出するためのヒートシンクの役割と上記発光素子31、32で発生した光を効果的に反射させるための反射層の役割をする。上記第1乃至第3フレーム21、22、23は金属材質で形成できる。
上記第1フレーム21及び第2フレーム22は、上記パッケージ胴体10の両側で上記パッケージ胴体10を貫通して配置される。即ち、上記第1フレーム21及び第2フレーム22の一部分は上記パッケージ胴体10のキャビティ70の内に露出され、一部分は上記パッケージ胴体10の外側に露出される。
上記第3フレーム23は、上記第1フレーム21と第2フレーム22との間に配置され、上記第1フレーム21及び第2フレーム22より低い高さに配置される。上記第3フレーム23は、上記第1フレーム21及び第2フレーム22と電気的に分離される。
上記第3フレーム23の上面は上記キャビティ70の底面をなして、上記第3フレーム23の下面は上記パッケージ胴体10の底面と同一水平面上に配置される。
上記第3フレーム23の上面は第1高さを有する第1平面と、上記第1高さより低い第2高さを有する第2平面と、上記第1平面と第2平面とを連結する傾斜面で形成され、上記第2平面に上記発光素子31、32が配置される。実施形態では、2つの発光素子31、32が上記第2平面の上に配置されたものが例示されているが、1つの発光素子のみ配置されるか、3個以上の発光素子が配置されることも可能である。上記第1発光素子31及び第2発光素子32は1つの例として発光ダイオード(LED)で形成できる。
また、ツエナーダイオード40が上記第3フレーム23の第2平面の上に配置されることもできる。上記ツエナーダイオード40は、ESD(Electro Static Discharge)に対し、上記第1発光素子31及び第2発光素子32を保護する役割をする。
上記第1発光素子31、第2発光素子32、及びツエナーダイオード40は、ワイヤを介して上記第1フレーム21及び第2フレーム22と電気的に連結できる。
第1ワイヤ51は、上記第1フレーム21と上記第1発光素子31の第1電極層とを電気的に連結できる。第2ワイヤ52は、上記第1発光素子31の第2電極層と上記第2発光素子32の第1電極層とを電気的に連結できる。第3ワイヤ53は、上記第2発光素子32の第2電極層と上記第2フレーム22とを電気的に連結できる。
そして、第4ワイヤ54は上記第1フレーム21と上記ツエナーダイオード40の第1電極層とを電気的に連結し、第5ワイヤ55は上記ツエナーダイオード40の第2電極層と上記第2フレーム22とを電気的に連結できる。
上記パッケージ胴体10のキャビティ70の内にはシリコン樹脂またはエポキシ樹脂のような透明樹脂材で形成された封止層60が詰められ、上記封止層60には蛍光体が含まれることができる。上記蛍光体は上記封止層60の内に均一に分散されるか、上記発光素子31、32に隣接した部分のみに形成できる。上記封止層60で透明樹脂材と蛍光体層は多様な構造または多様な形態の層で形成できる。
上記パッケージ胴体10の側面には第3フレーム連結部23a、23bが露出される。上記第3フレーム連結部23a、23bは、上記パッケージ胴体10を射出する時、上記第3フレーム23を支持する部分であって、射出が完了した後、分離された部分である。
図5に示すように、上記第1フレーム21、第2フレーム22、及び第3フレーム23は、フレーム胴体25に支持された状態で射出工程を通じて上記パッケージ胴体10と結合される。そして、第1切断部25a、第2切断部25b、及び第3切断部25cが切断されながら上記第1フレーム21、第2フレーム22、及び第3フレーム23が上記フレーム胴体25から分離される。即ち、上記第1フレーム21、第2フレーム22、及び第3フレーム23は同一材質の金属で形成される。
上記第3フレーム23は、上記第1フレーム21及び第2フレーム22と電気的、物理的に分離されるため、上記第3フレーム連結部23a、23bにより上記フレーム胴体25に支持される。そして、上記第3切断部25cが切断されながら上記第3フレーム連結部23a、23bが上記パッケージ胴体10の側面に露出される。実施形態では、2つの第3フレーム連結部23a、23bが例示されているが、2つより多い数の第3フレーム連結部が使われることもできる。また、1つの第3フレーム連結部が使われることもできる。
図2、図3、及び図4を参照すると、上記発光素子パッケージ100は、印刷回路基板300に形成された開口310に挿入されて下部カバー200に支持される。上記下部カバー200は熱伝導性に優れる金属材質で形成できる。
上記印刷回路基板300は、上記下部カバー200の上に配置され、上記下部カバー200が一部分露出されるように上記開口310が形成される。
上記発光素子パッケージ100は、上記開口310を通じて上記下部カバー200と接触する。即ち、上記パッケージ胴体10及び上記第3フレーム23は、上記下部カバー200と接触する。
そして、上記第1フレーム21及び第2フレーム22は、上記印刷回路基板300の上面に形成された回路パターンと電気的に連結される。上記パッケージ胴体10の下面から上記第1フレーム21及び第2フレーム22までの厚さは上記印刷回路基板300の厚さと実質的に同一に形成できる。したがって、上記第1フレーム21及び第2フレーム22が上記印刷回路基板300の上面に接触され、上記第3フレーム23が上記下部カバー200に接触できる。
上記のような発光装置は、下部カバー200の上に開口310が形成された印刷回路基板300を配置し、上記開口310を通じて上記発光素子パッケージ100が上記下部カバー200に接触するように配置する。上記発光素子パッケージ100で発生する熱は上記下部カバー200に直接伝えられるため、上記発光素子パッケージ100の放熱効率が良くなる。
特に、上記第1発光素子31及び第2発光素子32で発生した熱は上記第3フレーム23に直接伝えられ、上記第3フレーム23に伝えられた熱は上記下部カバー200に直接伝えられるので、熱抵抗が小さくて熱放出効率が向上できる。
図6は本発明の他の実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットの側断面図であり、図7は図6のライトユニットの分解斜視図であり、図8は図6のライトユニットの斜視図である。
図6乃至図8を参照すると、実施形態に従う発光モジュールは、複数の発光素子パッケージ1と、上記複数の発光素子パッケージ1が挿入される複数の溝155を含む基板160と、上記基板160の上記複数の溝155の周囲に形成され、上記発光素子パッケージ1と電気的に連結される第1回路パターン161及び第2回路パターン162を含むことができる。
また、実施形態に従うライトユニットは、上記発光モジュールと、上記発光モジュールを収容する支持部材180を含むことができる。
実施形態に従う発光モジュールは、上記複数の発光素子パッケージ1が上記複数の溝155に挿入される構造を有し、これによって上記複数の発光素子パッケージ1が上記支持部材180に接触できる。したがって、上記複数の発光素子パッケージ1で生成された熱は上記支持部材180に直接放出できるようになって、実施形態に従う発光モジュールの放熱効率が向上できる。
このような放熱効率の向上は、上記複数の発光素子パッケージ1の損傷、変色などを最小化して、結果的に実施形態に従う発光モジュールの信頼性を向上させるようになる。
以下、実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットに対して各構成要素を中心として詳細に説明する。
上記発光素子パッケージ1は、胴体110と、上記胴体110に配置された第1電極131、第2電極132、及び熱伝導性部材135と、上記熱伝導性部材135の上に配置されて上記第1電極131及び上記第2電極132と電気的に連結された発光素子120と、上記発光素子120を封入するモールディング部材140と、上記胴体110及び上記熱伝導性部材135の下面に形成された放熱パッド150を含むことができる。
上記胴体110は、ポリフタルアミド(PPA:Polyphthalamide)のような樹脂材質、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、アルミニウムナイトライド(AlN)、AlOx、液晶ポリマー(PSG:photo sensitive glass)、ポリアミド9T(PA9T)、シンジオタクチックポリスチレン(SPS)、金属材質、サファイア(Al)、ベリリウムオキサイド(BeO)、印刷回路基板(PCB:Printed Circuit Board)のうち、少なくとも1つで形成できる。上記胴体110は、射出成形、エッチング工程などにより形成できるが、これに対して限定するのではない。
上記胴体110が電気伝導性を有する材質で形成された場合、上記胴体110の表面には絶縁膜がさらに形成されて、上記胴体110が上記第1及び第2電極131、132と電気的にショート(short)することを防止することができる。
上記胴体110の上面の形状は、上記発光素子パッケージ1の用途及び設計によって、四角形、多角形、円形など、多様な形状を有することができる。
上記胴体110には上部が開放されるように第1キャビティ(cavity)115が形成できる。上記第1キャビティ115は、カップ形状、凹な容器形状などで形成されることができ、上記第1キャビティ115の内側面は底に対して垂直な側面または傾斜した側面になることができる。また、上記第1キャビティ115を上から見た形状は、円形、四角形、多角形、楕円形などの形状でありうる。
上記第1電極131及び第2電極132は、互いに電気的に分離されるように離隔して上記胴体110に配置できる。上記第1電極131及び上記第2電極132は、上記発光素子120に電気的に連結されて、上記発光素子120に電源を供給することができる。
上記第1及び第2電極131、132は、電気伝導性を有する金属材質、例えば、チタニウム(Ti)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、クロム(Cr)、タンタリウム(Ta)、白金(Pt)、スズ(Sn)、銀(Ag)、燐(P)、アルミニウム(Al)、インジウム(In)、パラジウム(Pd)、コバルト(Co)、珪素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ハフニウム(Hf)、ルテニウム(Ru)、鉄(Fe)のうちの1つ以上の物質または合金を含むことができる。また、上記第1及び第2電極131、132は、単層または多層構造を有するように形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
上記第1及び第2電極131、132は、上記胴体110の外側面に突出するように形成できる。そして、突出した上記第1及び第2電極131、132は、各々上記基板160の上記第1及び第2回路パターン161、162に電気的に連結されて上記発光素子120に電源を提供することができる。
上記第1及び第2電極131、132を上記第1及び第2回路パターン161、162に固定させるために、上記第1及び第2電極131、132にソルダリング(Soldering)などを実施することによって、上記発光素子パッケージ1を上記基板160に配置することができる。
上記熱伝導性部材135は上記胴体110に配置されることができ、上記発光素子パッケージ1の底面の一部をなすことができる。
上記熱伝導性部材135は高い熱伝導性を有する材質、例えば金属材質、炭素含有材質、各種樹脂材質などで形成できるが、これに対して限定するのではない。
上記熱伝導性部材135は、図6に示すように、第2キャビティ117を有するように形成できる。即ち、上記第2キャビティ117は、上記第1キャビティ115の底面に対して凹んでいる形状であることがあり、これによって上記第1キャビティ115及び上記第2キャビティ117は段差構造をなすことができる。
このような段差構造は上記発光素子パッケージ1の内に湿気や汚物などが侵入しないようにする気密性に優れる。また、このような段差構造により上記熱伝導性部材135が上記発光素子パッケージ1の下面に露出されるようになって、上記発光素子パッケージ1の放熱効率も向上できる。
上記熱伝導性部材135の上には上記発光素子120が配置できる。上記発光素子120は、例えば、少なくとも1つの発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)を含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色などの光を放出する有色発光ダイオード、白色光を放出する白色発光ダイオード、または紫外線を放出するUV(Ultra Violet)発光ダイオードのうちの少なくとも1つを含むことができるが、これに対して限定するのではない。
図示によると、上記発光素子120はワイヤボンディング方式により上記第1及び第2電極131、132に電気的に連結されたが、上記発光素子120はフリップチップ方式、ダイボンディング方式などによっても上記第1及び第2電極131、132に電気的に連結されることができ、これに対して限定するのではない。
上記胴体110には上記発光素子120を封入するように上記モールディング部材140が形成できる。即ち、上記第1及び第2キャビティ115、117には上記モールディング部材140が充填できる。
上記モールディング部材140は透光性を有するシリコンまたは樹脂材質で形成できる。また、上記モールディング部材140は蛍光体を含むことができるが、上記蛍光体は上記発光素子120から放出される第1光により励起されて第2光を生成することができる。例えば、上記発光素子120が青色発光ダイオードであり、上記蛍光体が黄色蛍光体である場合、上記黄色蛍光体は青色光により励起されて黄色光を放出することができ、上記青色光及び黄色光が混色されることによって上記発光素子パッケージ1は白色光を提供することができる。但し、これに対して限定するのではない。
一方、上記モールディング部材140の上にはレンズがさらに形成されて、上記発光素子パッケージ1が放出する光の配光を調節することができる。また、上記発光素子パッケージ1の上記胴体110には耐電圧向上のためにツエナーダイオード(zener diode)などがさらに配置されることもできる。
上記胴体110及び上記熱伝導性部材135の下面には上記放熱パッド150が形成できる。上記放熱パッド150は、上記支持部材180と接触されるので上記発光素子パッケージ1で生成された熱を上記支持部材180に効果的に伝達できる。
例えば、上記放熱パッド150は、熱伝導性テープ、UVテープ(紫外線が照射される場合に接着されるテープ)のような放熱テープで上記胴体110及び上記熱伝導性部材135の下面に簡単に付着されることによって形成できる。
または、上記放熱パッド150は、金属材質、炭素含有材質、各種樹脂材質などのように、熱伝導性の高い物質をスプレー(spray)により噴霧塗装するか、蒸着またはメッキすることによって形成できる。
上記放熱パッド150の厚さに対して限定するのではないが、好ましくは、0.01mm乃至1mmの厚さを有することができる。上記放熱パッド150の厚さが厚すぎない適切な水準を維持することによって、上記放熱パッド150から上記支持部材180に伝えられる熱が速く排出できる。
また、上記放熱パッド150の下面及び上記基板160の下面は同一平面の上に配置されるか、上記放熱パッド150の下面が上記基板160の下面より突出することが好ましい。これによって、上記放熱パッド150は上記発光素子パッケージ1を上記支持部材180に容易に接合させることができる。
上記基板160は、絶縁層165と、上記絶縁層165に形成された上記第1回路パターン161及び第2回路パターン162と、上記絶縁層165に形成され、上記発光素子パッケージ1が挿入される溝155と、を含むことができる。
また、図示してはいないが、上記基板160には外部電源から電源の供給を受けるためのコネクタがさらに形成されることもできる。
上記基板160は、一般印刷回路基板(PCB:Printed Circuit Board)、メタルコアPCB(Metal Core PCB)、軟性PCB(Flexible PCB)のうち、少なくとも1つでありえるが、これに対して限定するのではない。
上記溝155は、上記基板160の上面と下面を貫通するように形成され、上記複数の発光素子パッケージ1に対応する幅を有することができる。
上記第1回路パターン161及び第2回路パターン162は、上記絶縁層165に上記複数の溝155の周囲に形成できる。
上記第1回路パターン161及び第2回路パターン162は、上記コネクタと電気的に連結されて上記発光素子パッケージ1に電源を提供することができる。この際、上記第1回路パターン161及び第2回路パターン162は、上記発光素子1の第1及び第2電極131、132にソルダリング(半田付け)により接合されて電気的に連結できる。
上記発光素子パッケージ1が上記溝155に挿入される場合、上記発光素子パッケージ1の外側面に露出された上記第1及び第2電極131、132を基準に、上部領域は上記基板160の上に突出され、下部領域は上記溝155に挿入されるようになる。即ち、上記発光素子パッケージ1の胴体110は、上記溝155に少なくとも一部が挿入されることができる。但し、これは実施形態に従う発光モジュールの設計に従って変形されることができ、これに対して限定するのではない。
上記支持部材180は高い熱伝導性を有する材質で形成されることが好ましく、上記発光モジュールを収容することができる。
一方、上記ライトユニットの用途に従って上記支持部材180の種類は多様に選択できる。例えば、上記ライトユニットがディスプレイ装置の光源の役割をするバックライトユニット(BLU:Backlight Unit)の場合、上記支持部材180は上記発光モジュールを収容するカバーボトム(cover bottom)でありうる。上記カバーボトムは、上部が開放されたボックス(box)形状を有することができるので、上記発光モジュールを収容することができる。
図9はエッジ(Edge)型ライトユニットの斜視図であり、図10は直下(Direct)型ライトユニットの斜視図である。
図9及び図10を参照すると、上記バックライトユニットは光を拡散させて面光源化する光ガイド部材を含むが、上記光ガイド部材に光を側面方向に入射するものが図9のエッジ(Edge)型ライトユニットであり、上記光ガイド部材の下で光を入射するものが図10の直下(Direct)型ライトユニットである。
図9のエッジ(Edge)型ライトユニットの場合、上記発光モジュールは上記支持部材180の少なくとも一内側面に配置できる。また、図10の直下(Direct)型ライトユニットの場合、上記発光モジュールは上記支持部材180の底面に配置できる。
図11は、本発明の他の実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットを説明する図である。
図11を参照すると、上記発光モジュールは図6の発光モジュールと発光素子パッケージ1Aの構造を除いては同一である。
上記発光素子パッケージ1Aは、胴体110と、上記胴体110に配置された第1電極131a及び第2電極132と、上記第1電極131aの上に配置され、上記第1電極131a及び上記第2電極132と電気的に連結された発光素子120と、上記発光素子120を封入するモールディング部材140と、上記胴体110及び上記第1電極131aの下面に形成された放熱パッド150と、を含むことができる。
上記第1電極131aには第2キャビティ117が形成され、上記第2キャビティ117に上記発光素子120が配置できる。
上記第1電極131aが上記第2キャビティ117を有するので、上記第1及び第2キャビティ115、117は段差構造をなすことができるので、上記発光素子パッケージ1Aの気密性が向上できる。
また、上記第1電極131aは上記第2キャビティ117を含むので、上記第1電極131aの下側である放熱部135aは屈曲するようになって上記放熱パッド150に接触できる。即ち、上記第1電極131aの放熱部135aは放熱パッド150と接触されて放熱機能を遂行することができる。
図12は、本発明の更に他の実施形態に従う発光モジュール及びこれを用いたライトユニットを説明する図である。
図12を参照すると、上記発光モジュールは、図11の発光モジュールと発光素子パッケージ1Bの構造を除いては同一である。
上記発光素子パッケージ1Bは、胴体110と、上記胴体110に配置された第1電極131b及び第2電極132と、上記第1電極131bの上に配置され、上記第1電極131b及び上記第2電極132と電気的に連結された発光素子120と、上記発光素子120を封入するモールディング部材140と、上記胴体110及び上記第1電極131bの下面に形成された放熱パッド150と、を含むことができる。
上記発光素子パッケージ1Bの第1電極131bにはキャビティが形成されないが、上記第1電極131bの下面は下方に突出されて上記胴体110の下面に露出できる。この際、上記第1電極131bは下面が突出できるように相異する厚さを有する領域を含むことができる。即ち、上記第1電極131bのうち、下面が突出する領域は他の領域に比べて厚さが厚いことがあり、このような領域は放熱面積を増加させることができる。
また、露出された上記第1電極131bの下面は上記放熱パッド150に接触できる。
これによって、上記発光素子120で生成された熱は上記第1電極131b及び上記放熱パッド150に沿って上記支持部材180に容易に伝達できる。
実施形態に従う発光素子パッケージの上にはレンズが配置されることができ、上記レンズは、凹レンズ、凸レンズ、フレネルレンズ、または凹と凸の選択的な組合せを有するレンズを選択的に具備することができる。上記発光素子パッケージと上記レンズとの間は一体で接触されるか、離隔されることができ、これに対して限定するのではない。
上記実施形態に従う発光素子パッケージを複数個配置して、指示装置(信号灯等)、照明装置(前照灯、蛍光灯、街灯等)、表示装置(電光板、LCDパネル等)などの光源に使用できる。また、上記各実施形態は各実施形態に限定されず、上記に開示された他の実施形態に選択的に適用されることができ、各実施形態に限定するのではない。
実施形態に従う発光素子パッケージはライトユニットに適用できる。上記ライトユニットは複数の発光素子パッケージがアレイされた構造を含むことができる。
図13は、本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
図13を参照すると、実施形態に従う表示装置1000は、導光板1041と、上記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、上記導光板1041の下に反射部材1022と、上記導光板1041の上に光学シート1051と、上記光学シート1051の上に表示パネル1061と、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されるのではない。
上記ボトムカバー1011、反射部材1022、発光モジュール1031、導光板1041、及び光学シート1051は、ライトユニット1050と定義できる。
上記導光板1041は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。上記導光板1041は透明な材質からなり、例えば、PMMA(polymethyl metaacrylate)のようなアクリル樹脂系列、PET(polyethylene terephthlate)、PC(poly carbonate)、COC(cycloolefin copolymer)、及びPEN(polyethylene naphthalate)樹脂のうちの1つを含むことができる。
上記発光モジュール1031は上記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。
上記発光モジュール1031は少なくとも1つが含まれ、上記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は、基板1033と上記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ200を含み、上記発光素子または発光素子パッケージ200は上記基板1033の上に所定の間隔でアレイできる。即ち、上記基板1033の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態でアレイ(配列)できる。
上記基板1033は、回路パターンを含む印刷回路基板(PCB:Printed Circuit Board)でありうる。但し、上記基板1033は一般PCBだけでなく、メタルコアPCB(MCPCB:Metal Core PCB)、軟性PCB(FPCB:Flexible PCB)などを含むこともでき、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ200は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、上記基板1033は除去できる。ここで、上記放熱プレートの一部は、上記ボトムカバー1011の上面に接触できる。
そして、上記多数の発光素子パッケージ200は、上記基板1033の上に光が放出される出射面が上記導光板1041と所定距離離隔されるように搭載されることができ、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ200は、上記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができるが、これに対して限定するのではない。
上記導光板1041の下には上記反射部材1022が配置できる。上記反射部材1022は上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上に向けるようにすることによって、上記ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。上記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。上記反射部材1022は上記ボトムカバー1011の上面でありうるが、これに対して限定するのではない。
上記ボトムカバー1011は、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は、上面が開口されたボックス(box)形状を有する収納部1012が備えられることができ、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011はトップカバーと結合されることができるが、これに対して限定するのではない。
上記ボトムカバー1011は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、上記ボトムカバー1011は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができるが、これに対して限定するのではない。
上記表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着されることができるが、このような偏光板の付着構造に限定するのではない。上記表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用できる。
上記光学シート1051は上記表示パネル1061と上記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含むことができる。上記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうちの少なくとも1つを含むことができる。上記拡散シートは、入射される光を拡散させ、上記水平または/及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上には保護シートが配置されることができるが、これに対して限定するのではない。
ここで、上記発光モジュール1031の光経路の上には、光学部材として、上記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができるが、これに対して限定するのではない。
図14は、本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。図14の説明に開示されたパッケージは、発光素子がチップまたはパッケージ形態でアレイされた構造を含む。
図14を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、上記に開示された発光素子パッケージ200がアレイ(配列)された基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。
上記基板1120及び上記発光素子パッケージ200は、発光モジュール1060と定義できる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光学部材1154は、ライトユニットと定義できる。上記基板1120の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態でアレイ(配列)できる。
上記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができ、これに対して限定するのではない。
ここで、上記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどで少なくとも1つを含むことができる。上記導光板は、PC材質またはPMMA(Polymethyl methacrylate)材質からなることができ、このような導光板は除去できる。上記拡散シートは、入射される光を拡散させ、上記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
図15は、本発明の実施形態に従う照明システムの斜視図である。
図15を参照すると、照明システム1500は、ケース1510と、上記ケース1510に配置された発光モジュール1530と、上記ケース1510に配置され、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520と、を含むことができる。
上記ケース1510は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。
上記発光モジュール1530は、基板1532、及び上記基板1532に搭載される実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージ200を含むことができる。上記発光素子パッケージ200は、複数個がマトリックス形態または所定の間隔で離隔されてアレイできる。上記基板1532の上には発光素子がチップまたはパッケージ形態でアレイできる。
上記基板1532は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板(PCB:Printed Circuit Board)、メタルコア(Metal Core)PCB、軟性(Flexible)PCB、セラミックPCBなどを含むことができる。
また、上記基板1532は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層になることができる。
上記基板1532の上には少なくとも1つの発光素子パッケージ200が搭載できる。上記発光素子パッケージ200の各々は少なくとも1つのLED(Light Emitting Diode)チップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード及び紫外線(UV:Ultra Violet)を発光するUV発光ダイオードを含むことができる。
上記発光モジュール1530は色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ200の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性(CRI)を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。
上記連結端子1520は、上記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1520はピン(pin)形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (15)

  1. 支持部材と、
    前記支持部材の上に配置され、開口が形成された印刷回路基板と、
    前記印刷回路基板と電気的に連結され、前記開口を通じて前記支持部材と接触する発光素子パッケージと、
    を含むことを特徴とする、発光装置。
  2. 前記発光素子パッケージは、
    キャビティが形成されたパッケージ胴体と、
    前記パッケージ胴体を貫通して前記キャビティの内で露出される第1フレーム及び第2フレームと、
    前記キャビティの底面を形成し、前記第1フレーム及び第2フレームと電気的に分離される第3フレームと、
    前記第3フレームの上に配置された発光素子と、
    前記発光素子と前記第1フレーム及び第2フレームを電気的に連結するワイヤと、
    を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記パッケージ胴体の下面から前記第1フレーム及び第2フレームまでの高さは前記印刷回路基板の厚さと同一であることを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記第1フレーム及び第2フレームは、前記印刷回路基板の上の回路パターンと電気的に連結されることを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  5. 前記第3フレームは、前記支持部材と接触することを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  6. 前記第3フレーム、パッケージ胴体、及び印刷回路基板の下面は、前記支持部材と接触することを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  7. 前記発光素子を囲んで前記キャビティの内に詰められる封止層をさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  8. 前記第3フレームは、前記第1フレームと第2フレームとの間に前記第1フレーム及び第2フレームより低い高さに配置されることを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  9. 前記第3フレームの上面は第1高さを有する第1平面と、前記第1高さより低い第2高さを有する第2平面と、前記第1平面と第2平面とを連結する傾斜面を含むことを特徴とする、請求項2に記載の発光装置。
  10. 前記発光素子パッケージは、
    胴体と、
    前記胴体に配置された第1電極及び第2電極と、
    前記第1電極の上に配置され、前記第1電極及び前記第2電極と電気的に連結された発光素子と、
    前記発光素子を封入するモールディング部材と、
    前記胴体及び前記第1電極の下面に配置された放熱パッドと、
    を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。
  11. 前記発光素子パッケージは、
    胴体と、
    前記胴体に配置された第1電極、第2電極、及び熱伝導性部材と、
    前記熱伝導性部材の上に配置され、前記第1電極及び前記第2電極と電気的に連結された発光素子と、
    前記発光素子を封入するモールディング部材と、
    前記胴体及び前記熱伝導性部材の下面に配置された放熱パッドと、
    を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。
  12. 前記放熱パッドは、熱伝導性テープまたはUVテープで形成されたことを特徴とする、請求項10または請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記放熱パッドは、金属材質、炭素繊維材質、または樹脂材質のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項10または請求項11に記載の発光装置。
  14. 前記第1電極及び前記第2電極は、前記胴体の外側面に露出されたことを特徴とする、請求項11乃至請求項13のうちのいずれか1つに記載の発光装置。
  15. 請求項1乃至請求項14のうち、いずれか1項による発光装置を含む照明システム。
JP2011004106A 2010-01-15 2011-01-12 発光装置、照明システム Pending JP2011146709A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0004107 2010-01-15
KR1020100004107A KR101055074B1 (ko) 2010-01-15 2010-01-15 발광 장치
KR1020100030016A KR101028243B1 (ko) 2010-04-01 2010-04-01 발광 모듈
KR10-2010-0030016 2010-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011146709A true JP2011146709A (ja) 2011-07-28

Family

ID=43629251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011004106A Pending JP2011146709A (ja) 2010-01-15 2011-01-12 発光装置、照明システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110175119A1 (ja)
EP (1) EP2346100B1 (ja)
JP (1) JP2011146709A (ja)
CN (1) CN102185089B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013137986A (ja) * 2011-11-29 2013-07-11 Nichia Corp 発光装置、照明器具
WO2014002628A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
JP2014042011A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
KR20140145703A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR20140145702A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8293548B2 (en) * 2009-03-04 2012-10-23 Unilumin Group Co., Ltd. LED light module for street lamp and method of manufacturing same
KR101114719B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US8901578B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
JP5937315B2 (ja) * 2011-08-11 2016-06-22 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US8851736B2 (en) * 2011-08-30 2014-10-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module with heatsink plate having coupling protrusions
KR20130045687A (ko) * 2011-10-26 2013-05-06 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 조명 장치
EP2881648B1 (en) * 2012-08-02 2018-01-03 Nichia Corporation Wavelength conversion device
DE102012221230A1 (de) * 2012-11-20 2014-05-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Lichterzeugungseinheit und Elektronikplatine auf Träger
DE102013203759A1 (de) * 2013-03-05 2014-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und elektronisches Gerät mit optoelektronischem Bauelement
CN104377290B (zh) * 2013-08-16 2017-03-22 一诠精密电子工业(中国)有限公司 发光二极体及发光二极体的导线架
CN103672502B (zh) * 2013-10-28 2015-07-08 深圳市健炜创光电科技有限公司 Led道路交通标线灯
WO2015152568A1 (ko) * 2014-04-04 2015-10-08 송창환 연성 led 광원 패널 및 이를 이용한 영상 촬영용 연성 led 조명 장치
JP6553901B2 (ja) 2015-03-11 2019-07-31 株式会社小糸製作所 光源モジュール
TWI555395B (zh) * 2015-04-10 2016-10-21 晶睿通訊股份有限公司 影像監控裝置
CN111987212A (zh) * 2017-06-27 2020-11-24 亿光电子工业股份有限公司 一种封装支架结构及包含该封装支架机构的发光装置
ES2931474T3 (es) * 2017-08-25 2022-12-29 Cree Huizhou Solid State Lighting Co Ltd Paquete integrado de fuentes de luz LED múltiples
KR102426118B1 (ko) * 2017-10-13 2022-07-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
CN108720799B (zh) * 2018-06-27 2020-10-02 芜湖薰衣草知识产权运营有限公司 一种医疗用的喉咙照明装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6428189B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
JP2003318448A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
JP2004342791A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Kunihiro Hattori Ledランプおよびled照明具
JP2005247160A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Daido Signal Co Ltd Led信号電球および色灯信号機
WO2006104325A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Sailux, Inc. Light emitting diode structure
JP2007500448A (ja) * 2003-07-28 2007-01-11 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 吸熱電子デバイス
WO2007139195A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Led光源ユニット
JP2008072092A (ja) * 2006-07-13 2008-03-27 Cree Inc 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
EP2290717A2 (en) * 2009-08-26 2011-03-02 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and light unit

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
JP4305896B2 (ja) * 2002-11-15 2009-07-29 シチズン電子株式会社 高輝度発光装置及びその製造方法
JP3910144B2 (ja) * 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
JP2006005290A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7205718B2 (en) * 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
TWI274430B (en) * 2005-09-28 2007-02-21 Ind Tech Res Inst Light emitting device
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Led発光装置。
KR101144489B1 (ko) * 2005-12-23 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
KR100782798B1 (ko) * 2006-02-22 2007-12-05 삼성전기주식회사 기판 패키지 및 그 제조 방법
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR20080007961A (ko) * 2006-07-19 2008-01-23 알티전자 주식회사 엘이디 모듈의 냉각 장치 및 그 제조 방법
CN101304059B (zh) * 2007-05-09 2010-09-08 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 发光二极管组件及发光二极管显示装置
JP2008282932A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Omron Corp 発光素子及びその製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6428189B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
JP2003318448A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
JP2004342791A (ja) * 2003-05-15 2004-12-02 Kunihiro Hattori Ledランプおよびled照明具
JP2007500448A (ja) * 2003-07-28 2007-01-11 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 吸熱電子デバイス
JP2005247160A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Daido Signal Co Ltd Led信号電球および色灯信号機
WO2006104325A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Sailux, Inc. Light emitting diode structure
WO2007139195A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Led光源ユニット
JP2008072092A (ja) * 2006-07-13 2008-03-27 Cree Inc 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
US20080121921A1 (en) * 2006-07-13 2008-05-29 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices
EP2290717A2 (en) * 2009-08-26 2011-03-02 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and light unit

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013137986A (ja) * 2011-11-29 2013-07-11 Nichia Corp 発光装置、照明器具
WO2014002628A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
JP2014011359A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Sharp Corp 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
US9680076B2 (en) 2012-06-29 2017-06-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, illumination device and backlight for display device
JP2014042011A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
US9362461B2 (en) 2012-08-23 2016-06-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
KR20140145703A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR20140145702A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR102080692B1 (ko) * 2013-06-14 2020-02-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR102080709B1 (ko) * 2013-06-14 2020-02-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
JP2017510061A (ja) * 2014-01-29 2017-04-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ
JP2019004162A (ja) * 2014-01-29 2019-01-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 封止材で充填した蛍光体変換ledのための浅底反射器カップ

Also Published As

Publication number Publication date
EP2346100B1 (en) 2019-05-22
CN102185089B (zh) 2015-09-09
EP2346100A2 (en) 2011-07-20
EP2346100A3 (en) 2015-04-01
US20110175119A1 (en) 2011-07-21
CN102185089A (zh) 2011-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2346100B1 (en) Light emitting apparatus and lighting system
US8598616B2 (en) Light emitting device and light unit using the same
JP6166546B2 (ja) 発光素子、発光素子製造方法、及びこれを備えた照明システム
KR20130098048A (ko) 발광소자 패키지
KR101655463B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP2011187963A (ja) 発光素子パッケージ、これを含む表示装置及び照明システム
KR101734539B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 라이트 유닛 및 조명 장치
KR101766720B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101944794B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20110128693A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20120014420A (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 몸체의 제조 방법
KR101028243B1 (ko) 발광 모듈
KR101880058B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR102075522B1 (ko) 발광소자패키지
US9076942B2 (en) Lighting device and lighting system having the same
KR101924014B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101134695B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101905573B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20130061588A (ko) 발광소자 패키지
KR101807097B1 (ko) 발광소자 모듈
KR102042256B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101878863B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR101722627B1 (ko) 발광소자 모듈
KR20120071151A (ko) 발광소자 패키지
KR20130009039A (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20130730

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150203

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150707

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150714

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20150807