CN102185089B - 发光装置及照明系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光装置及照明系统。发光装置中的发光器件封装包括:封装体,具有腔;第一框架和第二框架,穿通所述封装体并被暴露于所述腔中;第三框架,被设置在所述腔的底面上并与所述第一框架和第二框架电绝缘;发光器件,位于所述第三框架上;以及布线,将所述第一框架和第二框架与所述发光器件电连接。所述第三框架的顶面包括:第一平面,具有第一高度;第二平面,具有高度低于所述第一高度的第二高度;以及斜面,连接所述第一平面与第二平面。所述斜面被暴露于所述腔中。本发明具有良好的光学性能和散热性能。

Description

发光装置及照明系统
技术领域
本申请涉及一种发光器件封装、发光装置以及照明(lighting)系统。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。
LED发出的光的波长可因为制造所述LED所用的半导体材料的不同而不同。这是因为所发出的光的波长依赖于半导体材料的带隙,即价带(valence band)电子和导带(conduction band)电子之间的能量差,而变化。
近来,LED能够产生具有高亮度的光,因此,LED被高价地用于显示器件、车辆或照明器件的光源。另外,通过采用荧光材料或组合具有各种颜色的LED,LED能够呈现具有良好发光效率的白光。
发明内容
本发明的实施例提供一种具有新颖结构的发光器件封装以及具有该发光器件封装的发光装置。
本发明的实施例提供一种能够有效散热的发光器件封装以及具有该发光器件封装的发光装置。
根据实施例,一种发光器件封装包括:封装体,具有腔;第一框架和第二框架,穿通所述封装体并被暴露在所述腔内;第三框架,被设置在所述腔的底面上并与所述第一框架和第二框架电性绝缘;发光器件,被设置在所述第三框架上;以及布线,将所述第一框架和第二框架与所述发光器件电连接。所述第三框架的顶面包括具有第一高度的第一平面、具有低于所述第一高度的第二高度的第二平面、以及连接所述第一平面和第二平面的斜面。所述斜面被暴露于所述腔中。
根据实施例,一种发光装置包括多个发光器件封装,所述发光器件封装包括:本体;第一电极和第二电极,被设置在所述本体中;发光器件,被置于所述第一电极上并与所述第一电极和第二电极电连接;模铸部件,用于密封所述发光器件;以及散热焊盘,被设置在所述本体的底面上和所述第一电极的底面上;板,具有多个开口,所述发光器件封装被插入所述多个开口中;以及第一电路图案和第二电路图案,被设置在所述板的开口附近并分别与所述第一电极和第二电极电连接。
根据实施例,一种发光装置包括多个发光器件封装,所述发光器件封装包括:本体;第一电极、第二电极和导热部件,被设置在所述本体中;发光器件,被形成在所述导热部件上并与所述第一电极和第二电极电连接;模铸部件,用于密封所述发光器件;以及散热焊盘,被设置在所述本体的底面上和所述第一电极底面上;板,具有多个开口,所述发光器件封装被插入所述多个开口中;以及第一电路图案和第二电路图案,被设置在所述板的开口附近并分别与所述第一电极和第二电极电连接。
本发明的实施例能够提供一种具有新颖结构的发光器件封装以及具有该发光器件封装的发光装置。
本发明的实施例能够提供一种发光器件封装,其能够将发光器件发出的热量有效散发掉,并能够提供一种具有该发光器件封装的发光装置。
根据实施例,一种发光装置包括:支撑部件;印刷电路板,位于所述支撑部件上且具有开口;发光器件封装,与所述印刷电路板电连接并通过所述开口与所述支撑部件接触。
根据实施例,一种照明系统包括上述发光装置。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件封装的透视图;
图2是示出根据实施例的发光器件封装的剖视图;
图3和图4是示出根据实施例的发光装置的图;
图5是示出框架体的图,该框架体被用于制造根据实施例的发光器件封装的框架;
图6是示出根据另一实施例的发光模块以及使用该发光模块的照明单元(light unit)的侧剖视图;
图7是示出图6中的照明单元的拆分透视图;
图8是示出图6中的照明单元的透视图;
图9是示出侧光式(edge-type)照明单元的透视图;
图10是示出直光式(direct-type)照明单元的透视图;
图11是示出根据另一实施例的发光模块以及使用该发光模块的照明单元的图;
图12是示出根据另一实施例的发光模块以及使用该发光模块的照明单元的图;
图13是示出根据实施例的显示装置的图;
图14是示出根据实施例的显示装置的另一个例子;以及
图15是示出根据另一实施例的照明单元的图。
具体实施方式
在实施例的描述中,应当理解,当提到层(或膜)、区域、图案或结构位于另一个板、另一层(或膜)、另一区域、另一个焊盘或另一个图案“之上”或“之下”时,该层(或膜)、区域、图案或结构可以“直接”或“间接”地位于其他板、层(或膜)、区域、焊盘或图案上,或者也可以有一层或多层中间层。层的这类位置已经参照附图加以描述。
为了便利或清楚的目的,附图中示出的各层的厚度和尺寸可被放大、省略或示意性的描绘。另外,部件的尺寸没有如实反映实际尺寸。
接下来,将结合附图描述实施例。
图1是示出根据实施例的发光器件封装100的透视图,图2是示出根据实施例的发光器件封装100的剖视图。图3和图4是示出根据实施例的发光装置的图,图5是示出框架体的图,所述框架体用于制造根据实施例的发光器件封装100的框架。
参见图1和图2,根据实施例的发光器件封装100包括:封装体10;第一框架至第三框架21至23,形成在封装体10中;第一发光器件31和第二发光器件32,设置在第三框架23上;以及密封层(encapsulant layer)60,填充在形成于封装体10中的腔70中。
封装体10支撑第一框架至第三框架21至23,提供设置发光器件31和32的空间,并提供内部填充密封层60的腔70。封装体10可以包括树脂材料,可以与第一框架至第三框架21至23一并注射成型。
第一框架21和第二框架22用作引线框,以给第一发光器件31和第二发光器件32供电。第三框架23用作热沉(heat sink),将发光器件31和32发出的热量有效散发,同时还用作反射层,以有效反射发光器件31和32发出的光。第一框架至第三框架21至23可以包括金属材料。
第一框架21和第二框架22从封装体10的两侧穿通封装体10。换句话说,第一框架21和第二框架22的一部分暴露于封装体10的腔70内,且第一框架21和第二框架22的一部分暴露于封装体10之外。
第三框架23被插入第一框架21和第二框架22之间,并被设置成低于第一框架21和第二框架22。第三框架23与第一框架21和第二框架22电性绝缘。
第三框架23的顶面形成腔70的底面,第三框架23的底面与封装体10的底面齐平。
第三框架23的顶面包括具有第一高度的第一平面、具有小于第一高度的第二高度的第二平面,以及连接第一平面和第二平面的斜面。第二平面上设置有发光器件31和32。根据该实施例,尽管是将两个发光器件31和32设置在第二平面上,但是在第二平面上也可只设置一个发光器件或者设置至少三个发光器件。作为一个例子,第一发光器件31和第二发光器件32可包括发光二极管LED。
另外,在第三框架23的第二平面上可以设置齐纳二极管40。齐纳二极管40可以防止第一发光器件31和第二发光器件32发生静电放电(ElectroStatic Discharge,ESD)。
第一发光器件31、第二发光器件32以及齐纳二极管40可以通过布线与第一框架21和第二框架22电连接。
第一布线51可以将第一框架21与第一发光器件31的第一电极层电连接。第二布线52可以将第一发光器件31的第二电极层与第二发光器件32的第一电极层电连接。第三布线53可以将第二发光器件32的第二电极层与第二框架22电连接。
另外,第四布线54将第一框架21与齐纳二极管40的第一电极层电连接,第五布线55将齐纳二极管40的第二电极层与第二框架22电连接。
包括透明树脂部件(例如硅树脂或环氧树脂)的密封层60被填充在封装体10的腔70中,并且可以包含荧光材料。可以将荧光材料均匀分布在密封层60中,或者可以将其设置在邻近发光器件31和32的区域。密封层60可以包括具有各种结构或各种形状的层的透明树脂部件和荧光层。
第三框架连接部23a和23b被暴露于封装体10的侧面。当封装体10被注射成型时,第三框架连接部23a和23b支撑第三框架23。相应地,在已经完成注射成型后,第三框架连接部23a和23b与封装体10分离。
如图5所示,通过在第一框架至第三框架21至23由框架体25支撑的状态下的注射成型工艺,第一框架至第三框架21至23与封装体10耦合。另外,第一切割部至第三切割部25a至25c被切割,这样,第一框架至第三框架21至23与框架体25分离。换句话说,第一框架至第三框架21至23包括相同的金属。
由于第三框架23与第一框架21和第二框架22电隔离且物理隔离,通过第三框架连接部23a和23b,第三框架23由框架体25支撑。另外,第三切割部25c被切割,这样第三框架连接部23a和23b被暴露于封装体10的侧面。根据该实施例,尽管设置有两个第三框架连接部23a和23b,但是也可以使用比两个第三框架连接部23a和23b更多的第三框架连接部。另外,也可以使用一个第三框架连接部。
参见图2到图4,将发光器件封装100插入形成于印刷电路板300中的开口310,且该发光器件封装100由下盖(lower cover)200支撑。下盖200可以包括具有良好的导热性的金属材料。
印刷电路板300被设置在下盖200上,印刷电路板300中设置有开口310,从而暴露出下盖200的一部分。
发光器件封装100通过开口310与下盖200接触。换句话说,封装体10和第三框架23与下盖200接触。
另外,第一框架21和第二框架22与形成在印刷电路板300顶面的电路图案电连接。封装体10的底面与第一框架21和第二框架22之间的厚度大致上与印刷电路板300的厚度相同。因此,第一框架21和第二框架22可以与印刷电路板300的顶面接触,第三框架23可以与下盖200接触。
发光装置以如下方式装配:具有开口310的印刷电路板300被形成在下盖200上,发光器件封装100通过开口310与下盖200接触。由于发光器件封装100发出的热量被直接传导到下盖200,发光器件封装100的散热效率得以改善。
特别地,由于从第一发光器件31和第二发光器件32散发出的热量被直接传导到第三框架23,且传导到第三框架23的热量被直接传导到下盖200,因此能够减少热阻(thermal resistance),从而使得散热效率得以改善。
图6是示出根据另一实施例的发光模块和使用该发光模块的照明单元的剖视图,图7是示出图6中的照明单元的透视图,图8是示出图6中的照明单元的透视图。
参见图6和图8,根据该实施例的发光模块可以包括:多个发光器件封装1;板160,包括多个开口155,多个发光器件封装1被插入所述多个开口155中;以及第一电路图案161和第二电路图案162,被形成在板160的开口155周围并被电连接至发光器件封装1。
根据该实施例的照明单元包括发光模块和用于容纳该发光模块的支撑部件180。
根据该实施例的发光模块具有这样的结构:其中发光器件封装1被插入开口155中,使得发光器件封装1可以与支撑部件180接触。因此,由于发光器件封装1产生的热量能够被直接散发到支撑部件180,根据该实施例的发光模块的散热效率得以改善。
这种散热效率的改善能够减少发光器件封装1的损坏及变色(discoloration),从而使得根据该实施例的发光模块的可靠性得以改善。
接下来,将详细介绍根据该实施例的发光模块以及使用该发光模块的照明单元,同时将焦点集中在发光模块和照明单元的组件上。
发光器件封装1包括:本体110;第一电极131、第二电极132和导热部件135,设置在本体110中;发光器件120,设置在导热部件135上并与第一电极131和第二电极132电连接;模铸部件140,用于密封发光器件120;以及散热焊盘150,设置在本体110和导热部件135下方。
本体110可包括从由如下材料组成的组中选出的至少之一:诸如聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide,PPA)等树脂材料、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、AlOx、光敏玻璃(Photo Sensitive Glass,PSG)、聚酰胺9T(polyamide 9T,PA9T)、间规聚苯乙烯(Syndiotactic Polystyrene,SPS)、金属材料、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(Beryllium Oxide,BeO)以及印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)。本体110可以通过注射成型工艺和蚀刻工艺形成,但是本实施例不限于此。
如果本体110包括具有导电性的材料,在本体110的表面上可以额外形成绝缘层,这样,能够防止本体110与第一电极131和第二电极132电性短路。
本体110的顶面可以具有各种形状,例如,根据发光器件封装1的用途和设计,本体110的顶面可以是矩形、多边形以及圆形。
在本体110的上部设置有呈杯形或凹容器形的腔115。腔115可以有与本体110的底面正交的内侧面或相对于本体110倾斜的侧面。当观看平面图时,腔115可以是圆形、矩形、多边形或者椭圆形。
在本体110中,第一电极131和第二电极132可以以第一电极131和第二电极132彼此电性绝缘的方式彼此间隔开。第一电极131和第二电极132被电连接至发光器件120,从而给发光器件120供电。
第一电极131和第二电极132可以包括具有导电性的材料。例如,第一电极131和第二电极132可以包括从由如下的材料组成的组中选出的至少之一:钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(A1)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)、以及铁(Fe)、或它们的合金。另外,第一电极131和第二电极132可以是单层结构或多层结构,但本实施例不限于此。
第一电极131和第二电极132可以从本体110向外突出,以使其被电连接至板160的第一电路图案161和第二电路图案162,从而能够供电给发光器件120。
为了将第一电极131和第二电极132固定到第一电路图案161和第二电路图案162,对第一电极131和第二电极132执行焊接工艺,这样,发光器件封装1能够被设置在板160上。
导热部件135可以被设置在本体110中,且该导热部件135可以形成发光器件封装1的底面的一部分。
导热部件135可以包括具有高导热性的材料。例如,导热部件135可以包括金属材料、含碳材料或者各种树脂材料,但是本实施例不限于此。
如图6所示,在导热部件135中可以设置有第二腔117。换句话说,第二腔可以从第一腔115的底面成腔,这样第一腔115和第二腔117可以形成台阶结构。
台阶结构提供良好的气密性,从而防止水汽或所含物(containment)渗透到发光器件封装1中。由于此台阶结构,导热部件135被暴露于发光器件封装1的底面,这样发光器件封装1的散热效率得以改善。
发光器件120可以被设置在导热部件135上。例如,发光器件120可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括从由如下器件组成的组中选出的至少之一:发射红光、绿光或蓝光的彩色LED、发射白光的白光LED以及发射紫外线的紫外线(UV)LED,但本实施例不限于此。
如图所示,尽管发光器件120通过布线接合机制而被电连接至第一电极131和第二电极132,但是发光器件120也可以通过倒装芯片(flipchip)接合机制和裸片接合(die bonding)机制与第一电极131和第二电极132电连接,但本实施例不限于此。
模铸部件140可以被形成在本体110内,以密封发光器件120。换句话说,模铸部件140可以被填充于第一腔115和第二腔117中。
模铸部件140可以包括透射式硅材料或透射式树脂材料。模铸部件140可以包括荧光材料。荧光材料可以被第一种光泵浦,以生成从发光器件120发出的第二种光。例如,如果发光器件120是蓝光LED,且使用黄色荧光材料,则所述黄色荧光材料被蓝光泵浦而发出黄光。当蓝光和黄光彼此混合时,发光器件封装1可以提供白光,但本实施例不限于此。
同时,在模铸部件140上可以额外形成透镜,以调整发光器件封装1发出的光的分布。另外,在发光器件封装1的本体110中还可以设置齐纳二极管,以提高耐受电压(withstanding voltage)。
在本体110和导热部件135下方可以设置散热焊盘150。由于散热焊盘150与支撑部件180接触,因此散热焊盘150能够有效地将发光器件封装1产生的热量传导到支撑部件180。
例如,散热焊盘150包括诸如导热带或紫外线带(当辐射紫外线时贴附的UV带)等热沉带(heat sink tape),散热焊盘150可以仅被贴附至本体110和导热部件135。
另外,散热焊盘150可以通过沉积、电镀或涂覆具有高导热性的材料(例如金属材料、含碳材料或各种树脂材料)的喷涂机制而形成。
散热焊盘150可以具有各种厚度。优选地,散热焊盘150的厚度范围可以是大约0.01mm到大约1mm。由于散热焊盘150的厚度适宜,从散热焊盘150到支撑部件180的热量就能快速释放。
另外,优选地,散热焊盘150的底面与板160的底面齐平,或者散热焊盘150的底面从板160的底面向外突出。因此,散热焊盘150能够很容易地将发光器件封装1接合至支撑部件180。
板160可以包括:绝缘层165;第一电路图案161和第二电路图案162,位于绝缘层165上;以及多个开口155,被形成在绝缘层165中并用于容纳发光器件封装1。
另外,尽管没有示出,但是在板160上可以额外设置有用于接收外部电源的供电的连接件。
板160可以包括从由如下器件组成的组中选出的至少之一:印刷电路板(PCB)、金属芯PCB以及柔性PCB(flexible PCB),但是本实施例不限于此。
开口155可以被形成为穿通板160的顶面和底面,所述开口155的宽度可以与多个发光器件封装1的宽度相对应。
第一电路图案161和第二电路图案162可以在绝缘层165上环绕开口155而形成。
第一电路图案161和第二电路图案162与连接件电连接,以向发光器件封装1供电。在这种情况下,第一电路图案161和第二电路图案162通过焊接机制与第一电极131和第二电极132接合,这样,第一电路图案161和第二电路图案162可以与发光器件封装1的第一电极131和第二电极132电连接。
当发光器件封装1被插入开口155时,发光器件封装1的上部(该上部是相对暴露于发光器件封装1外部的第一电极131和第二电极132而言的)从板160向上突出,而发光器件封装1相对第一电极131和第二电极132而言的的下部被插入开口155。发光器件封装1的本体110的至少一部分可被插入开口155中。这种结构可以基于根据实施例的发光模块的设计被修改,但本实施例不限于此。
优选地,支撑部件180可以包括具有高导热性的材料,并且可以容纳发光模块。
可以根据照明单元的用途改变支撑部件180的类型。例如,如果照明单元包括用作显示装置的光源的背光单元(Backlight Unit,BLU),则支撑部件180可以包括底盖(cover bottom)以容纳发光模块。由于底盖的形状可以是上部开口的盒状,因此该底盖能够容纳发光模块。
图9是示出侧光式照明单元的透视图,图10是示出直光式(Direct-type)照明单元的透视图。
参见图9和图10,BLU(背光单元)包括用于将光散射从而使光变成面光(surface light)的导光部件。具体而言,图9的侧光式照明单元朝向导光部件的侧面发射光,而图10的直光式照明单元则在导光部件下方向上发射光。
在图9的侧光式照明单元的情况下,发光模块可以被设置在支撑部件180的至少一个内侧面上。在图10的直光式照明单元的情况下,发光模块可以被设置在支撑部件180的底面上。
图11是示出根据另一实施例的发光模块以及使用该发光模块的照明单元的图。
参见图11,除了发光器件封装1A的结构之外,发光模块具有与图6的发光模块相同的结构。
发光器件封装1A包括:本体110;第一电极131a和第二电极132,被设置在本体110中;发光器件120,被设置在第一电极131a上并与第一电极131a和第二电极132电连接;模铸部件140,用于密封发光器件120;以及散热焊盘150,被形成在本体110和第一电极131a的底面上。
在第一电极131a中可以设置有第二腔117,且发光器件120可以被设置在腔117中。
由于第一电极131a具有第二腔117,第一腔115和第二腔117可以具有台阶结构。因此,发光器件封装1A的气密性能够得以改善。
另外,由于第一电极131a包括第二腔117,因此设置在第一电极131a下方的散热部135a被弯曲,使得散热部135a能够与散热焊盘150接触。换句话说,第一电极131a的散热部135a能够与散热焊盘150接触,从而执行散热功能。
图12是示出根据又一实施例的发光模块以及使用该发光模块的照明单元的图。
参见图12,除了发光器件封装1B的结构之外,发光模块具有与图11的发光模块相同的结构。
发光器件封装1B包括:本体110;第一电极131b和第二电极132,被设置在本体110中;发光器件120,被设置在第一电极131b上并与第一电极131b和第二电极132电连接;模铸部件140,用于密封发光器件120;以及散热焊盘150,被形成在本体110和第一电极131b的底面上。
尽管在发光器件封装1B的第一电极131b中没有形成腔,但是第一电极131b的底面向下突出,使得第一电极131b可被暴露于本体110的底面。在这种情况下,第一电极131b可以包括不同厚度的区域,使得第一电极131b的底面突出。换句话说,第一电极131b的具有突出底面的区域比第一电极131b的另外的区域要厚。因此,这种结构能够增加散热区域。
另外,第一电极131b的底面可以与散热焊盘150接触。
因此,发光器件120产生的热量能够很容易地沿着第一电极131b和散热焊盘150被传导到支撑部件180。
可以在根据实施例的发光器件封装上设置透镜,所述透镜可以包括凹透镜、凸透镜、菲涅耳(fresnel)透镜或者凸透镜和凹透镜的选择性组合。发光器件封装可以与透镜集成在一起,或者与透镜分离,但本实施例不限于此。
可以提供多个根据实施例(多个实施例)的发光器件封装,并且这些发光器件封装可以作为如下器件的光源:指示器件(交通灯)、照明器件(车辆的头灯、荧光灯或者街灯)或显示装置(电子标志板或者LCD面板)。另外,每个实施例都能够用于另外一个实施例。
根据实施例的发光器件封装能够用于照明单元。该照明单元包括多个发光器件封装构成的阵列结构。
图13是示出根据实施例的显示装置1000的拆分透视图。
参见图13,显示装置1000包括:导光板1041;发光模块1031,用于向导光板1041提供光;反射部件1022,被设置在导光板1041之下;光学片1051,被设置在导光板1041上方;显示面板1061,被设置在光学片1051上方;以及底盖(bottom cover)1011,用于容纳导光板1041、发光模块1031和反射部件1022。但本实施例不限于此。
底盖1011、反射部件1022、导光板1041和光学片1051可以组成照明单元1050。
导光板1041对光进行散射,从而提供面光。导光板1041可以包括透明材料。例如,导光板1041可以包括下列之一:丙烯酸基树脂(acryl-based resin)例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、环烯烃共聚物(cyclic olefin copolymer,COC)和聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)树脂。
发光模块1031把光提供给导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示装置1000的光源。
至少一个发光模块1031被设置为直接或间接地从导光板1041的一侧提供光。发光模块1031可以包括板1033和根据实施例的发光器件封装100。发光器件或发光器件封装100被排列在板1033上,同时彼此之间以预定的间隔隔开。换句话说,呈芯片或封装形式的发光器件可以在板1033上形成阵列。
板1033可以包括具有电路图案的印刷电路板(PCB)。另外,板1033还可以包括金属芯印刷电路板(Metal core PCB,MCPCB)或柔性印刷电路板(FPCB),且还可以包括典型的PCB,但本实施例不限于此。如果发光器件封装100被安装在底盖1011的一侧或者被安装在散热板上,则板1033可以省略。散热板与底盖1011的顶面进行部分接触。
另外,发光器件封装100被排列于板1033上,使得发光器件封装100的用于输出光的出光面与导光板1041之间隔开预定距离,但本实施例不限于此。发光器件封装100可以直接或间接地向光入射部提供光,光入射部是导光板的一侧,但本实施例不限于此。
反射部件1022被置于导光板1041下方。反射部件1022将通过导光板1041的底面入射的光向上反射,从而改善照明单元1050的亮度。例如,反射部件1022可以包括PET、PC或PVC树脂,但本实施例不限于此。反射部件1022可以用作底盖1011的顶面,但本实施例不限于此。
底盖1011可以将导光板1041、发光模块1031以及反射部件1022容纳进来。为此,底盖1011就具有顶面开口的盒状容纳部1012,但本实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖耦合,但是本实施例不限于此。
底盖1011可以包括金属材料或树脂材料。底盖1011可以通过压制(press)工艺或挤压(extrusion)工艺制成。另外,底盖1011可以包括具有良好导热性的金属或非金属材料,但本实施例不限于此。
例如,显示面板1061是包括第一透明板和第二透明板的LCD面板,第一透明板和第二透明板彼此相对,液晶层被插入第一透明板和第二透明板之间。偏振片可以被贴附于显示面板1061的至少一个表面,但本实施例不限于此。显示面板1061通过利用穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000可用于各种便携式终端、监视器或掌上电脑、以及电视。
光学片1051被置于显示面板1061与导光板1041之间,该光学片1051包括至少一个透射片(transmittive sheet)。例如,光学片1051包括从由如下器件组成的组中选出的至少之一:散射片、水平和垂直棱镜片以及增亮片。散射片将入射光散射,水平和垂直棱镜片将入射光集中到显示区域上,而增亮片通过对损失的光的再利用来增强亮度。另外,在显示面板1061上可以设置保护片,但本实施例不限于此。
导光板1041和光学片1051能够作为光学部件而被设置在发光模块1031的光路中,但本实施例不限于此。
图14是示出根据实施例的显示装置的剖视图。图14的封装包括发光器件以芯片或封装形式形成阵列的结构。
参见图14,显示器件1100包括:底盖1152;板1120,在其上发光器件封装100以阵列方式排列阵列;光学部件1154;以及显示面板1155。
板1120和发光器件封装100可以组成发光模块1160。另外,底盖1152、至少一个发光模块1160以及光学部件1154可以组成照明单元。呈芯片或封装形式的发光器件可以在板1120上形成阵列。
在底盖1152中可以设置有容纳部1153,但本实施例不限于此。
光学部件1154可以包括从由如下器件组成的组中选出的至少之一:透镜、导光板、散射片、水平和垂直棱镜片以及增亮片。导光板可以包括PC或PMMA(poly methyl methacrylate)。导光板可以省略。散射片将入射光散射,水平和垂直棱镜片将入射光集中到显示区域上,增亮片通过对损失的光的再利用来增强亮度。
图15是示出根据实施例的照明系统的透视图。
参见图15,发光器件1500包括:外罩1510;发光模块1530,被安装在外罩1510中;以及连接端1520,被安装在外罩1510中并用于从外部电源接收电。
优选地,外罩1510包括具有良好散热特性的材料。例如,外罩1510包括金属材料或树脂材料。
发光模块1530可以包括板1532和安装在板1532上的发光器件或发光器件封装100。发光器件封装100彼此之间隔开,或以矩阵形式形成阵列。呈芯片或封装形式的发光器件可以在板1532上形成阵列。
板1532包括印刷有电路图案的绝缘部件。例如,板1532包括PCB、MCPCB、FPCB、陶瓷PCB和FR-4板。
另外,板1532可以包括有效反射光的材料。在板1532的表面可以形成涂层。此时,所述涂层具有有效反射光的白色或银色。
在板1532上安装有至少一个发光器件封装100。每个发光器件封装100可以包括至少一个LED(发光二极管)芯片。LED芯片可以包括发射具有红光、绿光、蓝光或白光的可见光段的LED和发射紫外线光的UV(紫外线)LED。
可以对发光模块1530的发光器件封装30进行不同的组合,从而提供各种颜色和亮度。例如,可以组合白光LED、红光LED和绿光LED,以获得高显色指数(Color Rendering Index,CRI)。
连接端1520被电连接至发光模块1530,从而向发光模块1530供电。连接端1520的形状可以是与外部电源进行螺纹螺口耦合的形状,但本实施例不限于此。例如,连接端1520也可以被制备成插入外部电源的插头形式,或者通过布线与外部电源连接。
说明书中任何涉及到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等,其含义均是结合实施例描述的特定特征、结构、或特性均被包括在本发明的至少一个实施例中。说明书中出现于各处的这些短语并不一定都涉及同一个实施例。此外,当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时,都认为其落在本领域技术人员结合其它实施例就可以实现的这些特征、结构或特性的范围内。
尽管对实施例的描述中结合了其多个示例性实施例,但可以理解的是,在本公开内容的原理的精神和范围之内,本领域技术人员完全可以设计出许多其它变化和实施例。尤其是,可以在该公开、附图和所附权利要求的范围内对组件和/或附件组合设置中的排列进行多种变化和改进。除组件和/或排列的变化和改进之外,其他可选择的应用对于本领域技术人员而言也是显而易见的。

Claims (8)

1.一种发光装置,包括:
支撑部件;
印刷电路板,位于所述支撑部件上且具有开口;
发光器件封装,与所述印刷电路板电连接并通过所述开口与所述支撑部件接触;
封装体,具有腔;
第一框架和第二框架,穿通所述封装体并被暴露于所述腔内;
第三框架,形成在所述腔的底面上并与所述第一框架和第二框架电性绝缘,并且兼作热沉和反射层;
发光器件,设置在所述第三框架上;以及
布线,将所述第一框架和第二框架与所述发光器件电连接;
其中,所述第一框架、所述第二框架和所述第三框架是通过成型工艺一起形成的;
其中,所述第三框架的顶面形成所述腔体的底面;以及
其中,所述第三框架的顶面包括:
第一平面,具有第一高度;
第二平面,具有低于第一高度的第二高度;以及
斜面,将所述第一平面与所述第二平面连接,
其中,所述支撑部件与所述第三框架的底面、封装体的底面以及印刷电路板的底面接触。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,从所述封装体的底面到所述第一框架和第二框架的高度与所述印刷电路板的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第一框架和第二框架与所述印刷电路板上的电路图案电连接。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第三框架与所述支撑部件接触。
5.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:密封层,环绕所述发光器件并被填充在所述腔中。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述第三框架被形成在所述第一框架和第二框架之间,并且低于所述第一框架和第二框架。
7.根据权利要求1所述的发光装置,还包括位于所述第三框架上的齐纳二极管;
其中所述齐纳二极管被布置在所述第三框架的所述第二平面上。
8.一种照明系统,包括如权利要求1到7中任一权利要求所述的发光装置。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8293548B2 (en) * 2009-03-04 2012-10-23 Unilumin Group Co., Ltd. LED light module for street lamp and method of manufacturing same
KR101114719B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
JP5937315B2 (ja) * 2011-08-11 2016-06-22 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US8851736B2 (en) * 2011-08-30 2014-10-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module with heatsink plate having coupling protrusions
KR20130045687A (ko) * 2011-10-26 2013-05-06 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 조명 장치
JP6209811B2 (ja) * 2011-11-29 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置、照明器具
JP5721668B2 (ja) * 2012-06-29 2015-05-20 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
CN104379987B (zh) * 2012-08-02 2017-07-28 日亚化学工业株式会社 波长转换装置
KR101886157B1 (ko) * 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
DE102012221230A1 (de) * 2012-11-20 2014-05-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Lichterzeugungseinheit und Elektronikplatine auf Träger
DE102013203759A1 (de) * 2013-03-05 2014-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und elektronisches Gerät mit optoelektronischem Bauelement
KR102080709B1 (ko) * 2013-06-14 2020-02-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR102080692B1 (ko) * 2013-06-14 2020-02-24 엘지이노텍 주식회사 조명장치
CN104377290B (zh) * 2013-08-16 2017-03-22 一诠精密电子工业(中国)有限公司 发光二极体及发光二极体的导线架
CN103672502B (zh) * 2013-10-28 2015-07-08 深圳市健炜创光电科技有限公司 Led道路交通标线灯
KR102020760B1 (ko) 2014-01-29 2019-09-11 루미리즈 홀딩 비.브이. 캡슐화제로 채워지는 형광체-변환형 led 용의 얕은 반사기 컵
WO2015152568A1 (ko) * 2014-04-04 2015-10-08 송창환 연성 led 광원 패널 및 이를 이용한 영상 촬영용 연성 led 조명 장치
JP6553901B2 (ja) 2015-03-11 2019-07-31 株式会社小糸製作所 光源モジュール
TWI555395B (zh) 2015-04-10 2016-10-21 晶睿通訊股份有限公司 影像監控裝置
CN111987212A (zh) * 2017-06-27 2020-11-24 亿光电子工业股份有限公司 一种封装支架结构及包含该封装支架机构的发光装置
CN110447110B (zh) 2017-08-25 2022-12-23 惠州科锐半导体照明有限公司 集成封装中的多个led光源透镜设计
KR102426118B1 (ko) * 2017-10-13 2022-07-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
CN108720799B (zh) * 2018-06-27 2020-10-02 芜湖薰衣草知识产权运营有限公司 一种医疗用的喉咙照明装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1518135A (zh) * 2003-01-06 2004-08-04 ������������ʽ���� 半导体发光器件及其制造方法
CN1713406A (zh) * 2004-06-21 2005-12-28 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
CN1960016A (zh) * 2005-11-02 2007-05-09 西铁城电子股份有限公司 发光二极管单元

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
US6428189B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
JP4269709B2 (ja) * 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4305896B2 (ja) * 2002-11-15 2009-07-29 シチズン電子株式会社 高輝度発光装置及びその製造方法
TW594950B (en) * 2003-03-18 2004-06-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
JP3938100B2 (ja) * 2003-05-15 2007-06-27 邦裕 服部 Ledランプおよびled照明具
US6999318B2 (en) * 2003-07-28 2006-02-14 Honeywell International Inc. Heatsinking electronic devices
US20050116235A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
JP4471683B2 (ja) * 2004-03-04 2010-06-02 大同信号株式会社 Led信号電球および色灯信号機
US7205718B2 (en) * 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
KR100641889B1 (ko) * 2005-04-01 2006-11-06 박병재 발광다이오드 구조체
TWI274430B (en) * 2005-09-28 2007-02-21 Ind Tech Res Inst Light emitting device
KR101144489B1 (ko) * 2005-12-23 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
KR100782798B1 (ko) * 2006-02-22 2007-12-05 삼성전기주식회사 기판 패키지 및 그 제조 방법
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
SG185848A1 (en) * 2006-05-31 2012-12-28 Denki Kagaku Kogyo Kk Led light source unit
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
KR20080007961A (ko) * 2006-07-19 2008-01-23 알티전자 주식회사 엘이디 모듈의 냉각 장치 및 그 제조 방법
CN101304059B (zh) * 2007-05-09 2010-09-08 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 发光二极管组件及发光二极管显示装置
JP2008282932A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Omron Corp 発光素子及びその製造方法
KR101014063B1 (ko) * 2009-08-26 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 라이트 유닛

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1518135A (zh) * 2003-01-06 2004-08-04 ������������ʽ���� 半导体发光器件及其制造方法
CN1713406A (zh) * 2004-06-21 2005-12-28 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
CN1960016A (zh) * 2005-11-02 2007-05-09 西铁城电子股份有限公司 发光二极管单元

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