JP2008072092A - 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光デバイス用のモジュールパッケージは、上面を有し、中心領域を含むリードフレームを含み、中心領域は、下面と、リードフレームの上面と中心領域の下面との間の第1の厚さとを有する。リードフレームはさらに、中心領域から遠ざかるように延びる電気リードを含むことができる。電気リードは、下面と、リードフレームの上面から、電気リードの下面までの第2の厚さとを有する。第2の厚さは第1の厚さよりも薄くすることができる。このパッケージはさらに、中心領域を取り囲み、中心領域の下面を露出させたパッケージ本体をリードフレーム上に含む。パッケージ本体は、少なくとも部分的に、リードの下面の下に、中心領域の下面に隣接して提供することができる。モジュールパッケージおよびリードフレームを形成する方法も開示される。
【選択図】図3B
Description
上式において、kは熱伝導率、Lは、熱が放散される材料の長さであり、Aは、熱が放散される面積を表す。したがって、中心領域102の下面102bなどの大きな表面を通して熱を放散させると、パッケージの熱抵抗を低下させることができる。さらに、式(1)によれば、より厚い中心領域102は、パッケージの熱抵抗をいくぶんか増大させるが、熱がパッケージから抽出される前に、熱をより拡散させることができる。LEDパッケージ内の熱は、比較的小さな領域(すなわち、発光デバイス114の領域)で生じるので、中心領域102の表面積が相対的に大きい利点をより活用するために、中心領域102の厚さを増大させたほうが望ましい場合がある。
Claims (44)
- 発光デバイス用のモジュールパッケージであって、
上面を有し、中心領域を含むリードフレームであって、前記中心領域が、下面と、前記リードフレームの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さとを有し、前記リードフレームがさらに、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含み、前記電気リードが、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域に隣接した前記電気リードの前記下面までの第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄い前記リードフレームと、
前記中心領域を取り囲み、前記中心領域の前記下面を露出させた前記リードフレーム上のパッケージ本体とを含み、
前記パッケージ本体は、少なくとも部分的に、前記電気リードの前記下面の下に、前記中心領域の前記下面に隣接して提供されることを特徴とするモジュールパッケージ。 - 前記中心領域は、ダイ取付け領域を含み、前記電気リードは、前記ダイ取付け領域から分離されており、前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域の上方に光学キャビティを画定する上部側壁を含むことを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
- 前記上部側壁は、前記ダイ取付け領域を取り囲む反射カップを画定する斜めの内側表面を含むことを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
- 前記反射カップの上方にカプセル封入材をさらに含み、前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを画定することを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
- 前記ダイ取付け領域を取り囲む円周リムと、前記円周リム上のレンズとをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
- 前記円周リムを取り囲む円周モートをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のモジュールパッケージ。
- 前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域の上面の上方に光学キャビティを画定し、前記パッケージ本体の少なくとも一部分は、前記リードフレームを貫いて延びることを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
- 前記中心領域は、その中に反射カップを含み、前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは前記第2の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
- 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記底の幅よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
- 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記上隅での前記反射カップの幅以上であることを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
- 前記反射カップの前記底の上のサブマウントと、前記サブマウント上の固体発光デバイスと、前記固体発光デバイスから前記電気リードへのワイヤボンド接続とをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
- 前記パッケージ本体は、前記反射カップの上方に光学キャビティを画定する上部側壁を含むことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
- 前記反射カップは、第1の反射カップを含み、前記上部側壁は、前記第1の反射カップを取り囲む第2の反射カップを画定する斜めの内側表面を含むことを特徴とする請求項12に記載のモジュールパッケージ。
- 前記反射カップの上方にカプセル封入材をさらに含み、前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを形成することを特徴とする請求項12に記載のモジュールパッケージ。
- 前記反射カップを取り囲む円周リムと、前記円周リム上のレンズとをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
- 前記円周リムを取り囲む円周モートをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のモジュールパッケージ。
- 前記パッケージ本体は、前記リードフレームの前記中心領域の前記下面と実質的に同一平面上にある下面を有することを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
- 複数の電気リードをさらに含み、前記中心領域は、それぞれが前記複数の電気リードの1つに電気的に接続され、発光デバイスを受けとめるように構成された複数のダイ取付け領域を含むことを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
- 前記リードフレームは、30ミル(0.762mm)未満の厚さを有することを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
- 前記リードフレームは、約15ミル(0.381mm)の厚さを有することを特徴とする請求項19に記載のモジュールパッケージ。
- 発光デバイス用のパッケージ向けのリードフレームであって、
上面と、
下面を有する中心領域であって、前記リードフレームの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さを有する前記中心領域と、
前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードであって、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域に隣接した前記電気リードの前記下面までの第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄い前記電気リードと
を含むことを特徴とするリードフレーム。 - 前記中心領域は、その中に反射カップを含み、前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、
前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは、前記第2の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項21に記載のリードフレーム。 - 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記底の幅よりも大きいことを特徴とする請求項22に記載のリードフレーム。
- 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記上隅での前記反射カップの幅以上であることを特徴とする請求項22に記載のリードフレーム。
- 固体発光デバイス用のパッケージを形成する方法であって、
上面を有し、中心領域を含むリードフレームを提供するステップであって、前記中心領域が、下面と、前記リードフレームの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さとを有し、前記リードフレームが、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含み、前記電気リードが、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域に隣接した前記電気リードの前記下面までの第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが、前記第1の厚さよりも薄いステップと、
前記中心領域を取り囲み、前記中心領域の前記下面を露出させたパッケージ本体を、前記リードフレーム上に形成するステップとを含み、
前記パッケージ本体は、少なくとも部分的に、前記電気リードの前記下面の下に、前記中心領域の前記下面に隣接して形成されることを特徴とする方法。 - 前記中心領域は、ダイ取付け領域を含み、前記パッケージ本体は、上部側壁を含み、前記上部側壁は、前記ダイ取付け領域の上方に光学キャビティを画定し、前記ダイ取付け領域を取り囲む反射カップを画定する斜めの内側表面を含み、前記方法は、前記反射カップの中にカプセル封入材を注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを形成することを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記反射カップの上方にレンズを配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域を取り囲む円周リムをさらに含み、前記反射カップの上方に前記レンズを配置する前記ステップは、前記レンズを前記円周リムと接触させるステップを含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記中心領域は、その中に反射カップを含み、前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは前記第2の厚さよりも厚く、前記方法は、前記反射カップの前記底の上にサブマウントを配置するステップと、前記サブマウント上に固体発光デバイスを配置するステップと、前記固体発光デバイスから前記電気リードへのワイヤボンド接続を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記パッケージ本体を形成する前記ステップは、前記リードフレームの前記中心領域の下面を露出させるように前記パッケージ本体を形成するステップを含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
- 前記反射カップの中にカプセル封入材を注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
- 前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを形成することを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域を取り囲む円周リムをさらに含み、前記方法は、レンズを前記円周リムと接触させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
- 固体発光パッケージ用のリードフレームを形成する方法であって、
リードフレームブランクを提供するステップであって、前記リードフレームブランクが、上面と、中心領域と、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる部分とを有し、前記中心領域は、下面と、前記リードフレームブランクの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さとを有し、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる前記部分は、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる前記部分の前記下面までの、前記中心領域に隣接した第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄いステップと、
前記中心領域に反射カップを型押しするステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記中心領域に前記反射カップを型押しする前記ステップは、
前記反射カップの所望の形状を画定する形状を有する突出部を含むスタンプを、前記中心領域の上で、前記リードフレームブランクの前記上面と接触させるステップと、
前記リードフレームブランクの前記中心領域に前記突出部の像を打刻するのに十分なエネルギーを前記スタンプに加えるステップと
を含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。 - 前記反射カップを型押ししている間に押し出された過剰な材料を、前記リードフレームブランクから切り取るステップをさらに含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。
- 前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは、前記第2の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項37に記載の方法。
- 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記底の幅よりも大きいことを特徴とする請求項38に記載の方法。
- 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記上隅での前記反射カップの幅以上であることを特徴とする請求項38に記載のリードフレーム。
- 固体発光パッケージ用のリードフレームを形成する方法であって、
上面と下面とを有するリードフレームブランクを提供するステップと、
下面を有する第1の領域であって、前記リードフレームブランクの前記上面と前記第1の領域の前記下面との間の第1の厚さを有する前記第1の領域と、下面を有する第2の領域であって、前記リードフレームブランクの前記上面から前記第2の領域の前記下面までの第2の厚さを有する前記第2の領域とを提供するために、前記リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップであって、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄いステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第1の厚さは、30ミル(0.762mm)未満であることを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 前記第1の厚さは、約15ミル(0.381mm)であることを特徴とする請求項42に記載の方法。
- 前記リードフレームブランクを選択的にエッチングする前記ステップは、前記リードフレームに深さ約10ミル(0.254mm)の凹みを形成するために、前記リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100982989B1 (ko) | 2008-05-19 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JP2011146709A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置、照明システム |
JP2011151239A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Toppan Printing Co Ltd | Led用リードフレーム及びledモジュールの製造方法 |
CN101783380B (zh) * | 2009-01-15 | 2011-11-23 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 制造发光二极管封装的方法以及其封装结构 |
JP2012502453A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 |
JP2013102175A (ja) * | 2012-12-25 | 2013-05-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置 |
US8592855B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-11-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US9640743B2 (en) | 2014-09-29 | 2017-05-02 | Nichia Corporation | Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device |
JP2017107989A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
JP2017107965A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
US9859471B2 (en) | 2011-01-31 | 2018-01-02 | Cree, Inc. | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
JP2018029183A (ja) * | 2013-04-17 | 2018-02-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 |
US9954151B2 (en) | 2015-11-30 | 2018-04-24 | Nichia Corporation | Package, package intermediate body, light emitting device, method for manufacturing same |
US10032972B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-07-24 | Nichia Corporation | Lead frame, package, light emitting device, and method for producing the same |
KR20180105012A (ko) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 현대자동차주식회사 | 자동차 외장용 발광다이오드 패키지 |
KR20180111200A (ko) * | 2017-03-31 | 2018-10-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 광 어셈블리 |
US10367127B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-07-30 | Nichia Corporation | Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device |
US11101408B2 (en) | 2011-02-07 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Components and methods for light emitting diode (LED) lighting |
Families Citing this family (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
US7365371B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-29 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants |
US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
US7675145B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
KR100947454B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2010-03-11 | 서울반도체 주식회사 | 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지 |
TWM318792U (en) * | 2007-01-23 | 2007-09-11 | Lighthouse Technology Co Ltd | Package structure |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8604506B2 (en) * | 2007-02-22 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same |
JP5122172B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-01-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR100801621B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-02-11 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
US7843060B2 (en) * | 2007-06-11 | 2010-11-30 | Cree, Inc. | Droop-free high output light emitting devices and methods of fabricating and operating same |
KR100880638B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR100877877B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2009-01-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US7524087B1 (en) * | 2007-11-16 | 2009-04-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optical device |
KR100998233B1 (ko) | 2007-12-03 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 슬림형 led 패키지 |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
WO2009082177A2 (en) * | 2007-12-24 | 2009-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
US8049230B2 (en) * | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
JP2009302339A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
US9022632B2 (en) * | 2008-07-03 | 2015-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED package and a backlight unit unit comprising said LED package |
US8258526B2 (en) * | 2008-07-03 | 2012-09-04 | Samsung Led Co., Ltd. | Light emitting diode package including a lead frame with a cavity |
JP5464825B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2014-04-09 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
TWI376043B (en) * | 2009-01-23 | 2012-11-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting device package structure and manufacturing method thereof |
DE102009012517A1 (de) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102009015963A1 (de) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
TWM374650U (en) * | 2009-04-20 | 2010-02-21 | Hsin I Technology Co Ltd | LED packaging structure |
US8957435B2 (en) * | 2009-04-28 | 2015-02-17 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
RU2573640C2 (ru) * | 2009-09-17 | 2016-01-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Модуль источника света и светоизлучающее устройство |
TW201115795A (en) * | 2009-10-20 | 2011-05-01 | Forward Electronics Co Ltd | LED package structure and its manufacturing process |
US7893445B2 (en) * | 2009-11-09 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Solid state emitter package including red and blue emitters |
CN102117876B (zh) * | 2009-12-30 | 2013-02-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体封装结构 |
JP4764519B1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-07 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
US7888852B1 (en) * | 2010-02-22 | 2011-02-15 | Wen-Kung Sung | LED heat dissipation structure |
US8508127B2 (en) * | 2010-03-09 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | High CRI lighting device with added long-wavelength blue color |
US8901583B2 (en) * | 2010-04-12 | 2014-12-02 | Cree Huizhou Opto Limited | Surface mount device thin package |
US9240526B2 (en) * | 2010-04-23 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material |
CN102237471B (zh) * | 2010-04-29 | 2014-08-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
US8198109B2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-06-12 | Quarkstar Llc | Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination |
CN102412359B (zh) * | 2010-09-21 | 2018-12-07 | 亿光电子(中国)有限公司 | 用于一微型投影系统的发光二极管装置 |
JP2012069589A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 発光装置 |
MY170920A (en) | 2010-11-02 | 2019-09-17 | Carsem M Sdn Bhd | Leadframe package with recessed cavity for led |
TW201220555A (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light emitting diode lead frame |
KR101626412B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2016-06-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
CN102610602A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 四川柏狮光电技术有限公司 | 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺 |
WO2012108356A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
US10098197B2 (en) | 2011-06-03 | 2018-10-09 | Cree, Inc. | Lighting devices with individually compensating multi-color clusters |
KR20120105146A (ko) * | 2011-03-15 | 2012-09-25 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조장치 및 이를 이용한 발광소자 패키지의 제조방법 |
KR20120119395A (ko) * | 2011-04-21 | 2012-10-31 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8921875B2 (en) | 2011-05-10 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods |
US8906263B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-12-09 | Cree, Inc. | Red nitride phosphors |
US8814621B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-08-26 | Cree, Inc. | Methods of determining and making red nitride compositions |
US8729790B2 (en) | 2011-06-03 | 2014-05-20 | Cree, Inc. | Coated phosphors and light emitting devices including the same |
US8747697B2 (en) | 2011-06-07 | 2014-06-10 | Cree, Inc. | Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same |
US8684569B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Lens and trim attachment structure for solid state downlights |
WO2013013154A2 (en) | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
MY156107A (en) | 2011-11-01 | 2016-01-15 | Carsem M Sdn Bhd | Large panel leadframe |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
TW201330332A (zh) * | 2012-01-02 | 2013-07-16 | Lextar Electronics Corp | 固態發光元件及其固態發光封裝體 |
US9318669B2 (en) | 2012-01-30 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Methods of determining and making red nitride compositions |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9653656B2 (en) | 2012-03-16 | 2017-05-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | LED packages and related methods |
US9735198B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
US8637887B2 (en) | 2012-05-08 | 2014-01-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Thermally enhanced semiconductor packages and related methods |
DE102012110261A1 (de) * | 2012-10-26 | 2014-04-30 | Osram Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses |
US9059379B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-06-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light-emitting semiconductor packages and related methods |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
TWM462450U (zh) * | 2013-01-24 | 2013-09-21 | Lumenmax Optoelectronics Co Ltd | 發光二極體支架結構 |
US9316382B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules |
US9030103B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio |
US9039746B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects |
US9565782B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-02-07 | Ecosense Lighting Inc. | Field replaceable power supply cartridge |
US9618191B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-04-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light emitting package and LED bulb |
DE102013212393A1 (de) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
US10038122B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-07-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
CN105340090B (zh) * | 2013-06-28 | 2018-11-09 | 亮锐控股有限公司 | 发光二极管器件 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
US9240528B2 (en) | 2013-10-03 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio |
DE102013222703A1 (de) | 2013-11-08 | 2015-05-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP6225812B2 (ja) * | 2014-04-18 | 2017-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102282827B1 (ko) * | 2014-07-23 | 2021-07-28 | 에이엠에스 센서스 싱가포르 피티이. 리미티드. | 수직 정렬 피처들을 포함하는 광 방출기 및 광 검출기 모듈들 |
US10477636B1 (en) | 2014-10-28 | 2019-11-12 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting systems having multiple light sources |
USD761216S1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-07-12 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED leadframe |
US10431568B2 (en) | 2014-12-18 | 2019-10-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US11306897B2 (en) | 2015-02-09 | 2022-04-19 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting systems generating partially-collimated light emissions |
US9869450B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-01-16 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector |
US9651227B2 (en) | 2015-03-03 | 2017-05-16 | Ecosense Lighting Inc. | Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure |
US9651216B2 (en) | 2015-03-03 | 2017-05-16 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution |
US9746159B1 (en) | 2015-03-03 | 2017-08-29 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting system having a sealing system |
US9568665B2 (en) | 2015-03-03 | 2017-02-14 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting systems including lens modules for selectable light distribution |
CN113130725A (zh) | 2015-03-31 | 2021-07-16 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
EP3289281A1 (en) | 2015-04-30 | 2018-03-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting components |
USD785218S1 (en) | 2015-07-06 | 2017-04-25 | Ecosense Lighting Inc. | LED luminaire having a mounting system |
US10074635B2 (en) | 2015-07-17 | 2018-09-11 | Cree, Inc. | Solid state light emitter devices and methods |
USD782094S1 (en) | 2015-07-20 | 2017-03-21 | Ecosense Lighting Inc. | LED luminaire having a mounting system |
USD782093S1 (en) | 2015-07-20 | 2017-03-21 | Ecosense Lighting Inc. | LED luminaire having a mounting system |
DE102015112042B4 (de) * | 2015-07-23 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
US9651232B1 (en) | 2015-08-03 | 2017-05-16 | Ecosense Lighting Inc. | Lighting system having a mounting device |
CN106571383B (zh) | 2015-10-08 | 2020-04-28 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
KR102516693B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-03-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | Led 패키지 모듈 및 이를 갖는 디스플레이 장치 |
WO2018022456A1 (en) | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
WO2018052902A1 (en) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US10804251B2 (en) | 2016-11-22 | 2020-10-13 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, components and methods |
US10439114B2 (en) | 2017-03-08 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Substrates for light emitting diodes and related methods |
CN110574245A (zh) | 2017-05-01 | 2019-12-13 | 松下知识产权经营株式会社 | 氮化物系发光装置 |
US10410997B2 (en) | 2017-05-11 | 2019-09-10 | Cree, Inc. | Tunable integrated optics LED components and methods |
US10672957B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-06-02 | Cree, Inc. | LED apparatuses and methods for high lumen output density |
US11101248B2 (en) | 2017-08-18 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US11107857B2 (en) | 2017-08-18 | 2021-08-31 | Creeled, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US10361349B2 (en) | 2017-09-01 | 2019-07-23 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
US10541353B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-01-21 | Cree, Inc. | Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications |
US10734560B2 (en) | 2017-11-29 | 2020-08-04 | Cree, Inc. | Configurable circuit layout for LEDs |
US10573543B2 (en) | 2018-04-30 | 2020-02-25 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for mass transfer of electronic die |
US11121298B2 (en) | 2018-05-25 | 2021-09-14 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips |
US11101410B2 (en) | 2018-05-30 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | LED systems, apparatuses, and methods |
US10453827B1 (en) | 2018-05-30 | 2019-10-22 | Cree, Inc. | LED apparatuses and methods |
CN112236875A (zh) | 2018-06-04 | 2021-01-15 | 科锐公司 | Led设备以及方法 |
US10964866B2 (en) | 2018-08-21 | 2021-03-30 | Cree, Inc. | LED device, system, and method with adaptive patterns |
US11233183B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
US11335833B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-05-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
US11029475B2 (en) * | 2019-04-08 | 2021-06-08 | Cisco Technology, Inc. | Frame lid for in-package optics |
US11101411B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures |
CN111162070A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-15 | 宁波升谱光电股份有限公司 | 一种深紫外led器件及其制备方法 |
CN111244249A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-06-05 | 宁波升谱光电股份有限公司 | 一种发光组件的密封器件及其制作方法、发光组件 |
JP7460898B2 (ja) * | 2020-04-24 | 2024-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2005197329A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
JP2006179541A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Enomoto Co Ltd | パワーled用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2007073575A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007214247A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとその製造方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63200551A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドフレ−ム |
EP0646971B1 (de) * | 1993-09-30 | 1997-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
JPH0927579A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Apic Yamada Kk | リードフレーム製造装置 |
KR0165413B1 (ko) * | 1995-07-18 | 1999-02-01 | 이대원 | 패턴 에칭 방법 |
JP3571450B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2004-09-29 | ローム株式会社 | リードフレームの製法および発光素子の製法 |
KR20050053798A (ko) * | 1996-06-26 | 2005-06-08 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
JP2001518692A (ja) * | 1997-07-29 | 2001-10-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト | 光電素子 |
JP3618534B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2005-02-09 | 同和鉱業株式会社 | 光通信用ランプ装置とその製造方法 |
US6335548B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
US6281568B1 (en) * | 1998-10-21 | 2001-08-28 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad |
JP2000252323A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001148514A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明光源 |
JP4944301B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2012-05-30 | パナソニック株式会社 | 光電子装置およびその製造方法 |
JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US7034382B2 (en) * | 2001-04-16 | 2006-04-25 | M/A-Com, Inc. | Leadframe-based chip scale package |
US20020163001A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-07 | Shaddock David Mulford | Surface mount light emitting device package and fabrication method |
JP4269709B2 (ja) * | 2002-02-19 | 2009-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN1663044A (zh) * | 2002-06-14 | 2005-08-31 | 莱尼股份有限公司 | 灯和制灯方法 |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7042071B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same |
US7692206B2 (en) * | 2002-12-06 | 2010-04-06 | Cree, Inc. | Composite leadframe LED package and method of making the same |
JP3910171B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
JP3989869B2 (ja) * | 2003-04-14 | 2007-10-10 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4599857B2 (ja) | 2003-04-24 | 2010-12-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4645071B2 (ja) | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
JP3802519B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2006-07-26 | 日電精密工業株式会社 | リードフレームの製造方法及び製造装置 |
JP4526257B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-08-18 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2005197369A (ja) | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
US20050189626A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-09-01 | Tan Xiaochun | Semiconductor device support structures |
US7053469B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-05-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Leadless semiconductor package and manufacturing method thereof |
JP4489485B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US7456499B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
JP4359195B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
CN2755786Y (zh) * | 2004-10-14 | 2006-02-01 | 金利精密工业股份有限公司 | 发光二极体的散热支架结构 |
US20060124953A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Negley Gerald H | Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same |
CN100373608C (zh) | 2005-01-20 | 2008-03-05 | 矽品精密工业股份有限公司 | 导线架式半导体封装件及其导线架 |
KR100593945B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-07-13 US US11/486,244 patent/US7960819B2/en active Active
-
2007
- 2007-07-12 CN CN2007101421652A patent/CN101110462B/zh active Active
- 2007-07-13 JP JP2007184533A patent/JP5154155B2/ja active Active
- 2007-07-13 DE DE102007033057A patent/DE102007033057A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-06-06 US US13/153,930 patent/US8193547B2/en active Active
- 2011-08-04 JP JP2011170704A patent/JP2011233928A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2005197329A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
JP2006179541A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Enomoto Co Ltd | パワーled用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2007073575A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007214247A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとその製造方法 |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100982989B1 (ko) | 2008-05-19 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US8592855B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-11-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US8878229B2 (en) | 2008-05-23 | 2014-11-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US9190450B2 (en) | 2008-05-23 | 2015-11-17 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
US9455375B2 (en) | 2008-05-23 | 2016-09-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package including a substrate having at least two recessed surfaces |
JP2012502453A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法 |
CN101783380B (zh) * | 2009-01-15 | 2011-11-23 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 制造发光二极管封装的方法以及其封装结构 |
JP2011146709A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置、照明システム |
JP2011151239A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Toppan Printing Co Ltd | Led用リードフレーム及びledモジュールの製造方法 |
US9859471B2 (en) | 2011-01-31 | 2018-01-02 | Cree, Inc. | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
US11101408B2 (en) | 2011-02-07 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Components and methods for light emitting diode (LED) lighting |
JP2013102175A (ja) * | 2012-12-25 | 2013-05-23 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置 |
JP2018029183A (ja) * | 2013-04-17 | 2018-02-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 |
US10505090B2 (en) | 2014-09-29 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Package including lead component having recess |
US9640743B2 (en) | 2014-09-29 | 2017-05-02 | Nichia Corporation | Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device |
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US10032972B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-07-24 | Nichia Corporation | Lead frame, package, light emitting device, and method for producing the same |
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US10580947B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-03-03 | Nichia Corporation | Package and package intermediate body |
US10079332B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-09-18 | Nichia Corporation | Package manufacturing method, light emitting device manufacturing method, package, and light emitting device |
US10490705B2 (en) | 2015-12-09 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Package and light emitting device |
JP2017107965A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
JP2017107989A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
US10367127B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-07-30 | Nichia Corporation | Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device |
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