JP2012069589A

JP2012069589A - 発光装置

Info

Publication number: JP2012069589A
Application number: JP2010211166A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Kawamoto; 聡河本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2010-09-21
Filing date: 2010-09-21
Publication date: 2012-04-05
Also published as: US20120068212A1

Abstract

【課題】発光素子の上面からの直接放出光と、発光素子の側面光の反射光と、を含み、光強度分布を均一にすることが容易な発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる発光装置は、発光素子と、光反射体と、封止樹脂層と、を有する。前記発光素子は、第１の主面および側面を有し、前記第１の主面に対して垂直方向に直接放出光の光軸を有する。前記光反射体は、前記発光素子の前記側面からの放出光を反射可能な光反射面を有する。前記封止樹脂層は、前記発光素子および前記光反射面を覆う。また、前記封止樹脂層は、前記光軸上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第１の曲面と、前記光反射面を通り前記光軸に平行な直線上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第２の曲面前記直線が前記光出射面を通るように移動させて生成された包絡面と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。

リードの先端部に設けられた凹部の底面に発光素子を設け、発光素子から上方へ向かって放出される光と、発光素子から側方へ向かって放出され凹部の傾斜側面で反射される光と、をレンズで集光し高出力を得ることができる。

この場合、レンズは、例えば透明樹脂からなるものとし、その先端部を楕円体状に成型すると集光が容易となる。

もし、楕円体の先端部が放出光の光軸上にあるとすると、凹部の傾斜側面で上方に向けて反射された光は、楕円体の曲面により屈折して出射する。このため、光軸近傍の直接放出光の集光方向と、反射光の集光方向と、は、異なり、集光効果が不十分となる。

特開平１１−４６０１３号公報

発光素子の第１の主面からの直接放出光と、発光素子の側面光の反射光と、を含み、光強度分布を均一にすることが容易な発光装置を提供する。

実施形態にかかる発光装置は、発光素子と、光反射体と、封止樹脂層と、を有する。前記発光素子は、第１の主面および側面を有し、前記第１の主面に対して垂直方向に直接放出光の光軸を有する。前記光反射体は、前記発光素子の前記側面からの放出光を反射可能な光反射面を有する。前記封止樹脂層は、前記発光素子および前記光反射面を覆う。また、前記封止樹脂層は、前記光軸上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第１の曲面と、前記光反射面を通り前記光軸に平行な直線上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第２の曲線を前記直線が前記光反射面を通るように移動させて生成された包絡面と、を含む。

図１（ａ）は第１の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図１（ｃ）は光強度分布のグラフ図、である。図２（ａ）比較例にかかる発光装置の模式断面図、図２（ｂ）はその光強度分布のグラフ図、である。図３（ａ）は第１の実施形態の変形例にかかる発光装置の模式平面図、図３（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。図４（ａ）は第２の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図４（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。図５（ａ）は第３の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図５（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。図６（ａ）は第３の実施形態の変形例にかかる発光装置の模式平面図、図６（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。図７（ａ）は第４の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図７（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った模式断面図、である。図８は、第５の実施形態にかかる発光装置の模式斜視図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図１（ｃ）はその光強度分布のグラフ図、である。
発光装置は、半導体積層体を含む発光素子１０と、光反射体と、封止樹脂層２０と、を有する。発光素子１０は、第１の主面１０ａおよび側面１０ｂを有し、第１の主面１０ａに対して垂直方向に直接放出光Ｇｃの光軸１１を有する。光反射体の光反射面１２ｂは、発光素子１０の側面１０ｂからの放出光を反射し、反射光Ｇｒａを上方に放出する。

封止樹脂層２０は、発光素子１０および光反射面１２ｂを覆う。また、封止樹脂層２０は、光軸１１上に頂点Ｐを有し光出射側に向かって凸となる第１の曲面２２と、光反射面１２ｂを通り光軸１１に平行な直線上に頂点Ｑを有し光出射側に向かって凸となる第２の曲面２４を頂点Ｑを通る直線が光反射面１２ｂを通るように移動して生成される包絡面２４ａと、を含む。

光反射体は、金属からなるリードフレームに設けられた凹部１２ａの側壁を含む。また、その光反射面１２ｂは、発光素子１０の側面１０ｂを取り囲む凹部１２ａの側壁の表面とする。この場合、側壁の表面に、放出光の波長範囲において反射率が高い銀のような金属を設けると光取り出し効率を高めることができる。

また、発光装置は、第１のリード１２、第２のリード１４、ボンディングワイヤ１６、をさらに有している。第１のリード１２の先端部には凹部１２ａが設けられている。凹部１２ａは、底面１２ｃ及び光反射面１２ｂを有する。底面１２ｃには、発光素子１０の第２の面１０ｃが、金属半田や接着剤などにより接着されている。また、発光素子１０の第１の主面１０ａに設けられた一方の電極と、第２のリード１４と、は、ボンディングワイヤ１６で接続されている。凹部１２ａの上端は、図１（ｂ）のように、上方からみて円形とすることができる。なお、上端の形状は、円形に限定されることはなく、矩形、多角形、楕円、などでもよい。

発光層を含む半導体積層体は、Ｉｎ_ｘ（Ｇａ_ｙＡｌ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるＩｎＧａＡｌＰ系材料、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦０）で表されるＡｌＧａＡｓ系材料、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表されるＩｎＧａＡｌＮ系材料などとすることができる。これらの材料を用いることにより、紫外光〜赤外光波長範囲の放出光を得ることができる。もし、半導体積層体が透光性基板の上に設けられると、放出光は透光性基板の側面から出射可能となり、側面からの放出光を増大することができる。なお、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体積層体が導電性ＧａＮ基板の上に設けられる場合、発光素子１０の第２の面１０ｃの側を電極とすることができる。また、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体積層体がサファイヤ基板の上に設けられる場合、発光素子の２つの電極は第１の面１０ａの側に設けられ、かつ放出光は発光素子１０の側面１０ｂから出射可能である。

発光素子が、透光性を有するＧａＰ基板と、その上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系積層体と、を有するものとすると、側面発光成分を多く含む。ＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる発光層からの放出光は、上方へ向かう光Ｇｃと、側方に向かい凹部１２ａの光反射面１２ｂで反射され上方へ向かう光Ｇｒａと、を含む。また、発光素子が、サファイヤ、ＧａＮ、及びＳｉＣからなる透光性基板と、その上に設けられたＩｎＧａＡｌＮ系積層体と、有するものとしても、側面発光成分を多く含む。

透明樹脂からなる封止樹脂層２０は、発光素子１０および光反射面１２ｂを覆う。透明樹脂は、シリコーン、エポキシなどとすることができる。シリコーンを用いると、発光波長が青色光以下の範囲であっても、樹脂の変色を抑制できる。

なお、本明細書において「透明樹脂」とは、発光素子からの放出光に対して透光性を有する樹脂を意味する。この場合、透過率が必ずしも１００％である必要はなく、透過率がゼロでない樹脂は、「透明樹脂」に含まれるものとする。

また、第１の曲面２２は、例えば光軸１１と一致する中心軸２６ａ上に頂点Ｐを有する第１の楕円体面の一部とすることができる。なお、第１の曲面２２は、回転楕円体面であってもよい。

さらに、第２の曲面２４は、例えば光軸１１と平行かつ光反射面１２ｂを通る直線上に頂点Ｑを有する第２の楕円体面の一部とすることができる。第２の曲面２４を、光軸１１を中心とした半径Ｒの円周上を回転させると外接包絡面２４ａが生成される。封止樹脂層２０の光出射面２０ａは、楕円体面２２と、外接包絡面２４ａと、を含む。図１（ａ）のように、第２の曲面２４の頂点Ｑの軌跡は円とされ、楕円体面２２の頂点Ｐと、頂点Ｑの軌跡と、の間は谷状の凹みＶとなっている。なお、凹みＶの傾きは連続的であってもよい。例えば、頂点Ｑを頂点Ｐよりも低くし、第１の曲面２２から第２の曲面２４になめらかに変化するようにすると、平面視において曲線Ｖが現れない。
なお、頂点Ｑの軌跡は、楕円でもよい。

楕円体面２２は、発光層から上方ヘ向かって広がる直接放出光Ｇｃを集光することができる。他方、光反射面１２ｂで反射され上方へ向かう反射光Ｇｒａは、外接包絡面２４ａにより集光され、発散が抑制される。このようにすると、直接放出光Ｇｃ、および反射光Ｇｒａの集光方向を互いに平行にすることができる。

図１（ｃ）は、光強度分布のグラフ図である。
縦軸は相対光強度、横軸は光軸１１からの径方向位置Ｘを表す。直接放出光Ｇｃは中心軸２６ａ、反射光Ｇｒａは中心軸２６ｂ、に沿ってそれぞれ進む。このため、径方向位置Ｘに対して、光強度分布を均一にできる。さらに、楕円体面２２により直接放出光Ｇｃを互いに平行となるようにし、外接包絡面２４ａにより反射光Ｇｒａを互いに平行になるようにすると、光強度分布をさらに均一にできる。このような楕円体面２２、外接包絡面２４ａの形状は、光線追跡法や実験などにより決定できる。

なお、第１の曲面２２及び外接包絡面２４ａは、レンズ作用を有する凸部を含んでいればよく、その断面形状は楕円に限定されない。なお、図１では、光反射面１２ｂは、１つの面としているが、複数の光反射面を設け、これらに対応する複数の包絡面としてもよい。例えば、リードに２段の高さを有する２つの光反射面を設けても良い。

このような第１の曲面２２及び外接包絡面２４ａは、透明樹脂を金型に流し込み、加熱や紫外線照射などにより硬化したのち、離型するキャスティング法やトランスファーモールド法などを用いれば容易に形成可能である。

図２（ａ）は比較例にかかる発光装置の模式断面図、図２（ｂ）はその光強度分布のグラフ図、である。
発光装置は、半導体積層体を含む発光素子１１０、第１のリード１１２、第２のリード１１４、ボンディングワイヤ１１６、及び封止樹脂層１２０、を有している。

第１のリード１１２の先端部には凹部１１２ａが設けられている。凹部１１２ａは、底面１１２ｃ及び光反射面１１２ｂを有する。底面１１２ｃには、発光素子１１０の第２の面１１０ｃが、金属半田や接着剤などにより接着されている。また、発光素子１１０の一方の電極と、第２のリード１１４と、は、ボンディングワイヤ１１６で接続されている。

封止樹脂層１２０の光出射面は、放出光の光軸１１１と一致する中心軸１２６を有する楕円体面とされ、レンズ効果を有している。発光素子１１０の上面１１０ａからの直接放出光Ｇｃｃは、レンズにより、発散が抑制される。他方、発光素子１１０を取り囲むリード１１２の光反射面１１２ｂからの反射光Ｇｒｒは、光反射面１１２ｂの上方において、同じ楕円体面により屈折するので、直接放出光Ｇｃｃの進行方向と異なる方向へ進む。

図２（ｂ）は、比較例における光強度分布のグラフ図である。
縦軸は相対光強度、横軸は径方向位置ＸＸ、である。楕円体面で屈折した反射光Ｇｒｒは、径方向位置ＸＸの特定位置に集中して光強度のサブピークを形成する場合がある。また、屈折された反射光Ｇｒｒが、光軸１１１から離れ過ぎると集光困難となり、光取り出し効率が低下する。

これに対して、第１の実施形態では、直接放出光Ｇｃと、反射光Ｇｒａと、の集光方向を互いに平行にし、光取り出し効率を高めかつ光強度分布を均一とすることが容易となる。

図３（ａ）は第１の実施形態の変形例にかかる発光装置の模式平面図、図３（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
本変形例においては、第２の曲面２４の頂点Ｑの軌跡は、図３（ａ）のように、矩形の４つの辺となる。矩形を正方形とするとき、頂点Ｑと光軸１１との距離を、例えばＳとする。光出射面２０ａは、発光素子１０からの直接放出光Ｇｃの光軸１１と一致する中心軸２６ａを有する楕円体面２２、および外接包絡面２４ａを含み、集光レンズとして作用する。

楕円体面２２の頂点である頂点Ｐと、外接包絡面２４ａの頂点でもある矩形状の頂点Ｑの軌跡と、の間は谷状の凹みＶとなっている。

楕円体面２２は、発光層から上方ヘ向かって広がる直接放出光Ｇｃを集光することができる。凹部１２ａの光反射面１２ｂで反射され上方へ向かう反射光Ｇｒａは、外接包絡面２４ａにより集光され、発散が抑制される。このため、直接放出光Ｇｃと、反射光Ｇｒａと、の集光方向を互いに平行にし、光取り出し効率を高めかつ光強度分布を均一とすることが容易となる。

図４は、第２の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図４（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。
図４において、光出射面２０ａは、発光素子１０からの直接放出光Ｇｃの光軸１１と一致する中心軸２６ａを有する楕円体面２２、および光軸１１に平行かつ光反射面１２ｂを通る直線である中心軸２６ｂ上に頂点Ｑを有する第２の曲面２５を中心軸２６ｂが光反射面１２ｂを通るように移動して生成された内接包絡面２５ａを含む。

図４（ａ）のように、頂点Ｐを有する楕円である第１の曲面２２の中心軸２６ａは、光軸１１と一致する。また、楕円体面２２と、内接包絡面２５ａ、２５ｂと、は、境界線を表す円Ｍにおいてその曲率が変化する。

楕円体面２２は、発光層から上方ヘ向かって広がる直接放出光Ｇｃを集光し、直接放出光Ｇｃの発散が抑制される。また、凹部１２ａの光反射面１２ｂで反射され斜め上方へ向かう反射光Ｇｒａ（鎖線）は、内接包絡面２５ａにより屈折され、集光される。また、凹部１２ａの光反射面１２ｂで反射され斜め上方へ向かう反射光Ｇｒｂ（ドット線）は、内接包絡面２５ｂにより屈折され、集光される。このようにすると、直接放出光Ｇｃ，反射光Ｇｒａ、Ｇｒｂの集光方向を平行に近づけることができる。

さらに、楕円体面２２により直接放出光Ｇｃを互いに平行となるようにし、内接包絡面２５ａ、２５ｂにより反射光Ｇｒａを互いに平行とすると、光強度分布をさらに均一にできる。このため、光取り出し効率を高め、光強度分布を均一とすることが容易となる。

第２の実施形態では、図１に示す第１の実施形態よりも反射光Ｇｒａが下方に向かう成分を多く含んでいる。このような場合、反射光Ｇｒａを光軸１１と交差する方向に反射し、包絡面２５ａにより屈折させると、集光方向を直接放出光Ｇｃの集光方向に近づけることがより容易となる。要求される指向特性（光の広がり、局所的なピークの抑制など）に応じて、外接包絡面および内接包絡面のいずれかを選択することもできる。

図５（ａ）は第３の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図５（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。
発光装置は、半導体積層体を含む発光素子１０、第１のリード５２、第２のリード５４、ボンディングワイヤ５６、熱可塑性樹脂などからなる成型体７０、及び封止樹脂層６０、を有している。

第１のリード５２の先端部には凹部５２ａが設けられている。凹部５２ａは、底面及び傾斜した光反射面５２ｂを有する。底面には、発光素子１０が、金属半田や接着剤などにより接着されている。また、発光素子１０の第１の主面に設けられた一方の電極と、第２のリード５４と、は、ボンディングワイヤ５６で接続されている。

第１のリード５２と、第２のリード５４と、は成型体７０から互いに反対方向に突出し、さらに折り曲げられており、回路基板への実装が容易である。このような構造を、表面実装（ＳＭＤ：Surface Mounted Device)型とよぶことができる。

成型体７０は、第１のリード５２に設けられた光反射面５２ｂと、略同じ傾斜を有する光反射面７０ｂを有するものとする。光反射体は、成型体７０に設けられた凹部７０ａの側壁とする。また、光反射面７０ｂは、発光素子１０の側面を取り囲む側壁の表面とする。この場合、光反射面７０ｂは、例えば反射性フィラーを含む樹脂を用い射出成型法などにより設けられた側壁の表面とすることができる。なお、第１のリード５２には光反射面を設けなくともよい。

楕円体面の一部とされる第１の曲面２２は、発光素子１０からの放出光の光軸１１と一致する中心軸２６ａ上に頂点Ｐを有する。また、光軸１１と平行であり光反射面１２ｂ、７０ｂを通る直線である中心軸２６ｂ上に頂点Ｑを有し楕円体面とされる第２の曲面２４を、光軸１１を中心とする円周上を中心軸２６ｂが光反射面１２ｂ、７０ｂを通るように移動すると外接包絡面２４ａが生成される。この結果、封止樹脂層６０の光出射面は、楕円体面２２と、外接包絡面２４ａと、を含む。図５（ａ）のように、楕円体面２２の頂点Ｐと、外接包絡面２４ａの円状の頂点Ｑの軌跡と、の間は谷状の凹みＶとなっている。

楕円体面２２は、発光層から上方ヘ向かって広がる放出光Ｇｃを集光することができる。他方、光反射面１２ｂで反射され上方へ向かう反射光Ｇｒａは、外接包絡面２４ａにより集光され、発散が抑制される。このようにすると、直接放出光Ｇｃ、および反射光Ｇｒａの集光方向を互いに平行に近づけることができる。すなわち、光取り出し効率を高め、光強度分布を均一にすることが容易となる。

図６（ａ）は第３の実施形態の変形例にかかる発光装置の模式平面図、図６（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。
封止樹脂層６０は、成型体７０の凹部７０ａよりも大きく、成型体７０の上面の一部を覆うように設けることができる。このように、レンズのサイズを大きくすると、光取り出し効率を高め、光強度分布を均一にすることが、さらに容易となる。

図７（ａ）は第４の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図７（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った模式断面図、である。
ＳＭＤ型である発光装置は、半導体積層体を含む発光素子１０、第１のリード１２、第２のリード１４、ボンディングワイヤ１６、及び封止樹脂層２０、を有している。

第１のリード１２の先端部には凹部１２ａが設けられている。凹部１２ａは、底面１２ｂ、光反射面１２ｃ、および屈曲部１２ｄ、を有する。底面１２ｂには、発光素子１０が、金属半田や接着剤などにより接着されている。また、発光素子１０の第１の主面に設けられた一方の電極と、第２のリード１４と、は、ボンディングワイヤ１６で接続されている。また、上方に向かって折り曲げられた屈曲部１２ｄのあとは、切り欠き部１２ｅとなる。屈曲部１２ｄは、発光素子１０から放出される側面光を上方に向けて反射すると共に、封止樹脂層２０と第１のリード１２との密着性を高める。

封止樹脂層２０の上面には、第１の曲面２２、第２の曲面２４の外接包絡面２４ａが設けられ、直接放出光および反射光の集光方向を互いに平行に近づけることができる。すなわち、光取り出し効率を高め、光強度分布を均一にすることが容易となる。

図８は、第５の実施形態にかかる発光装置の模式斜視図である。
第１のリード１２の主面１２ｇには、下方に凹部１２ａが設けられている。また、主面１２ｇの上方には、上方に向かって折り曲げられた屈曲部１２ｆが設けられ、放出光を反射し、光取り出し効率を高めることができる。

楕円体面とされる第１の曲面は、発光素子１０からの放出光の光軸上に頂点Ｐを有する。また、光軸と平行であり、凹部１２ａの側面である光反射面１２ｃと、屈曲部１２ｆと、を通る直線上に頂点Ｑを有する第２の曲面を移動すると、第２の曲面の包絡面が生成される。第１の曲面と、包絡面と、が封止樹脂層２０の出射面２０ａとなる。なお、第１の曲面と、包絡面と、の間は、谷状の凹みＶとなる。このようにすると、直接放出光と、反射光と、の集光方向を平行に近づけることができる。すなわち、光取り出し効率を高め、光強度分布を均一にすることが容易となる。

なお、楕円体の方程式は、次式であり、楕円体面は、二次曲面である。

ｘ^２／ａ^２＋ｙ^２／ｂ^２＋ｚ^２／ｃ^２＝１

但し、ａ、ｂ、ｃは、それぞれｘ、ｙ、ｚ軸方向の径の半分の長さを表す。

第１〜第５の実施形態およびこれらに付随した変形例において、封止樹脂層に蛍光体粒子を分散配置してもよい。例えば、発光素子１０からの放出光の波長を青色光範囲とし、黄色蛍光体粒子を分散配置すると、混合色として白色光を得ることができる。

第１〜第５の実施形態およびこれらに付随する変形例によれば、発光素子の上面からの直接放出光と、発光素子の側面から放出されリードによる反射光と、の集光方向を互いに平行に近づけることが容易な発光装置が提供される。このような発光装置は、光取り出し効率を高め、光強度分布を均一とすることができ、照明装置、信号機、などの要求に応じた光学特性を容易に得ることができる。すなわち、発光装置の設計自由度を高めることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０発光素子、１１光軸、１２、５２第１のリード、１２ａ、５２ａ凹部、１２ｂ、５２ｂ、７０ｂ光反射面、１２ｃ底面、２０、６０封止樹脂層、２２第１の曲面、２４、２５第２の曲面、２４ａ外接包絡面、２５ａ、２５ｂ内接包絡面、２６中心軸、Ｇｃ直接放出光、Ｇｒａ、Ｇｒｂ反射光、Ｐ、Ｑ頂点

Claims

第１の主面および側面を有し、前記第１の主面に対して垂直方向に直接放出光の光軸を有する発光素子と、
前記発光素子の前記側面からの放出光を反射可能な光反射面を有する光反射体と、
前記発光素子および前記光反射面を覆う封止樹脂層であって、前記光軸上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第１の曲面と、前記光反射面を通り前記光軸に平行な直線の上に頂点を有し光出射側に向かって凸となる第２の曲面を前記直線が前記光反射面を通るように移動させて生成された包絡面と、を含む封止樹脂層と、
を備えたことを特徴とする発光装置。
前記第１の曲面は、第１の楕円体面の一部であり、
前記第２の曲面は、第２の楕円体面の一部とされてなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
前記包絡面は、前記第２の曲面の外接包絡面を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
前記包絡面は、前記第２の曲面の内接包絡面を含むことを特徴とする請求項1または２に記載の発光装置。
前記第２の曲面の前記頂点の軌跡は、前記光軸を中心とした円、楕円、矩形、多角形のいずれかとされることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。