JP2011233928A - 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 - Google Patents

固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011233928A
JP2011233928A JP2011170704A JP2011170704A JP2011233928A JP 2011233928 A JP2011233928 A JP 2011233928A JP 2011170704 A JP2011170704 A JP 2011170704A JP 2011170704 A JP2011170704 A JP 2011170704A JP 2011233928 A JP2011233928 A JP 2011233928A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
central region
lead frame
reflective cup
thickness
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011170704A
Other languages
English (en)
Inventor
Ban P Loh
ピー.ロー バン
Bernd Keller
ケラー ベルント
W Medendorp Nicholas Jr
ダブリュ.メーデンドープ ジュニア ニコラス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2011233928A publication Critical patent/JP2011233928A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】熱放散特性を向上させた発光デバイス用パッケージを提供する。
【解決手段】発光デバイス用のモジュールパッケージは、上面を有し、中心領域を含むリードフレームを含み、中心領域は、下面と、リードフレームの上面と中心領域の下面との間の第1の厚さとを有する。リードフレームはさらに、中心領域から遠ざかるように延びる電気リードを含むことができる。電気リードは、下面と、リードフレームの上面から、電気リードの下面までの第2の厚さとを有する。第2の厚さは第1の厚さよりも薄くすることができる。このパッケージはさらに、中心領域を取り囲み、中心領域の下面を露出させたパッケージ本体をリードフレーム上に含む。パッケージ本体は、少なくとも部分的に、リードの下面の下に、中心領域の下面に隣接して提供することができる。モジュールパッケージおよびリードフレームを形成する方法も開示される。
【選択図】図3B

Description

本発明は一般に、固体発光デバイス(solid state light emitting device)に関し、より詳細には、固体発光デバイス用のパッケージ(package)、および固体発光デバイス用のパッケージを形成する方法に関する。
半導体発光デバイスなどの固体光源を、それによって放射された光の保護、色選択、集束(focusing)などを提供することができるパッケージの中に取り付けることが知られている。固体発光デバイスは、例えば、有機または無機発光ダイオード(LED)でありうる。発光ダイオード用のいくつかのパッケージが、本発明の譲受人に譲渡され、その全体が本明細書中に参照により組み込まれる特許文献1、2、および3に記載されている。
上記特許文献に記載されたパッケージは、ハイパワー(high power)固体照明応用向けに適したものとすることができる。しかし、これらの文献に記載された進歩にもかかわらず、複数のLEDをその中に取り付けることができる改良されたパッケージが、依然として求められている。具体的には、一部の一般的な照明応用(lighting applications)では、1つのLEDパッケージが、異なる可視スペクトル領域で発光する複数のLEDを含むことが望ましいことがある。これらのLEDによって放射された光を組み合わせて、白色光または他の所望の色など、所望の強度および/または色の光を生み出すことができる。その場合、そのパッケージ内のLEDは、互いに比較的近くに取り付けられていることが望ましいことがある。
リードフレーム(leadframe)ベースの典型的なLEDパッケージは、LEDパッケージを外部回路に電気的に接続するための、電気リード(lead)、コンタクト(contact)またはトレース(trace)を含む。図1Aに示された典型的なLEDパッケージ10では、はんだボンドまたは導電性エポキシによって、反射カップ(cup)13上にLEDチップ12が取り付けられている。1つまたは複数のワイヤボンド11が、反射カップ13に取り付けられ、または反射カップ13と一体とすることができるリード15Aおよび/または15Bに、LEDチップ12のオーミックコンタクト(ohmic contact)を接続する。反射カップ13には、蛍光体(phosphor)などの波長変換材料を含むカプセル封入材16を充填することができる。この蛍光体によって、LEDによって放射された第1の波長の光を吸収することができ、蛍光体は、それに反応して、第2の波長の光を放射することができる。次いで、このアセンブリは、その全体が、透明な保護樹脂14の中にカプセル封入され、樹脂14は、LEDチップ12から放射された光を平行にするために、レンズの形状に成形することができる。しかし、リード15A、15Bを通して熱を抽出することは困難であることがあるため、図1Aに示されたパッケージ10などのパッケージでは、熱の保持(heat retention)が問題となることがある。
表面実装が可能なリードフレームベースの従来のパッケージ20が、図1Bに示されている。パッケージ20は、反射カップ23上に取り付けられたLEDチップ22を含む。1つまたは複数のワイヤボンド21が、反射カップ23に取り付けられ、または反射カップ23と一体とすることができるリード25Aおよび/または25Bに、LEDチップ22のオーミックコンタクトを接続する。このアセンブリの周囲に透明な保護樹脂24が注型される。反射カップ23は、リードフレームを形成するときに薄い金属シートに型押しすることによって形成することができる。反射カップ23を型押しした結果、カップ23の底および/または側壁が薄くなる可能性がある。しかし、リード25A、25Bを通して熱を抽出することができるので、カップ23の厚さは、パッケージ20の熱性能を限定しない可能性がある。パッケージ23は、図1Aのパッケージ10に比べて、より多くの、および/またはより大きなリード25A、25Bを有することができる。しかし、熱はリード25A、25Bを通してパッケージから抽出されるため、このパッケージは依然として、デバイスの性能を限定する熱抵抗を有する可能性がある。
米国特許出願公開第2004/0079957号明細書 米国特許出願公開第2004/0126913号明細書 米国特許出願公開第2005/0269587号明細書 米国特許出願公開第2005/0218421号明細書 米国特許出願第11/197096号明細書
上述したように、従来の発光デバイス用パッケージには、その熱放散特性に問題があった。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、熱放散特性を向上させた発光デバイス用パッケージを提供することにある。
本発明のいくつかの実施形態による発光デバイス用のモジュールパッケージは、上面を有し、中心領域を含むリードフレームを含み、中心領域は、下面と、リードフレームの上面と中心領域の下面との間の第1の厚さとを有する。リードフレームはさらに、中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含むことができる。電気リードは、下面と、リードフレームの上面から、中心領域に隣接した電気リードの下面までの第2の厚さとを有する。第2の厚さは第1の厚さよりも薄くすることができる。このパッケージはさらに、中心領域を取り囲み、中心領域の下面を露出させるパッケージ本体をリードフレーム上に含む。パッケージ本体は、少なくとも部分的に、リードの下面の下に、中心領域の下面に隣接して提供することができる。
中心領域はダイ取付け領域を含むことができ、電気リードは、ダイ取付け領域から分離することができる。パッケージ本体は、ダイ取付け領域の上方に光学キャビティを画定する上部側壁を含むことができる。
上部側壁は、ダイ取付け領域を取り囲む反射カップを画定する斜めの内側表面を含むことができる。
このモジュールパッケージはさらに、反射カップの上方にカプセル封入材を含むことができ、カプセル封入材は、反射カップの上方にレンズを画定することができる。
いくつかの実施形態では、このモジュールパッケージがさらに、ダイ取付け領域を取り囲む円周リム(circumferential rim)と、円周リム上のレンズとを含む。このモジュールパッケージはさらに、円周リムを取り囲む円周モート(circumferential moat)を含むことができる。
パッケージ本体は、ダイ取付け領域の上面の上方に光学キャビティを画定することができ、パッケージ本体の少なくとも一部分は、リードフレームを貫いて延びることができる。
中心領域はその中に反射カップを含むことができ、反射カップは、反射カップの上隅から反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含む。反射カップの底と中心領域の下面との間の第3の厚さは、第2の厚さよりも厚くすることができる。中心領域の幅は、反射カップの底の幅よりも大きくすることができる。さらに、中心領域の幅は、反射カップの上隅での反射カップの幅以上とすることができる。
このモジュールパッケージはさらに、反射カップの底のサブマウントと、サブマウント上の固体発光デバイスと、固体発光デバイスから電気リードへのワイヤボンド接続とを含むことができる。
パッケージ本体は、反射カップの上方に光学キャビティを画定する上部側壁を含むことができる。反射カップは第1の反射カップを含むことができ、上部側壁は、第1の反射カップを取り囲む第2の反射カップを画定する斜めの内側表面を含む。このモジュールパッケージはさらに、反射カップの上方にカプセル封入材を含むことができ、カプセル封入材は、反射カップの上方にレンズを形成する。このモジュールパッケージはさらに、反射カップを取り囲む円周リムと、円周リム上のレンズとを含むことができる。このモジュールパッケージはさらに、円周リムを取り囲む円周モートを含むことができる。
パッケージ本体は、リードフレームの中心領域の下面と実質的に同一平面上に置くことができる下面を有する。
このモジュールパッケージはさらに、複数の電気リードを含むことができ、中心領域は、それぞれが複数の電気リードの1つに電気的に接続され、発光デバイスを受けとめるように構成された複数のダイ取付け領域を含むことができる。
リードフレームは30ミル(0.762mm)未満の厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、リードフレームが約15ミル(0.381mm)の厚さを有することができる。
本発明のいくつかの実施形態による発光デバイス用のパッケージ向けのリードフレームは、上面と中心領域とを含み、該中心領域は、下面と、リードフレームの上面と中心領域の下面との間の第1の厚さとを有する。このリードフレームはさらに、中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含む。電気リードは、下面と、リードフレームの上面から、中心領域に隣接した電気リードの下面までの第2の厚さとを有する。第2の厚さは、第1の厚さよりも薄くすることができる。
中心領域は、その中に反射カップを含むことができ、反射カップは、反射カップの上隅から反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含む。反射カップの底と中心領域の下面との間の第3の厚さは、第2の厚さよりも厚くすることができる。中心領域の幅は、反射カップの底の幅よりも大きくすることができる。中心領域の幅は、反射カップの上隅での反射カップの幅以上とすることができる。
本発明のいくつかの実施形態は、固体発光デバイス用のパッケージを形成する方法を提供する。これらの方法は、上面を有し、中心領域を含むリードフレームを提供するステップであって、中心領域が、下面と、リードフレームの上面と中心領域の下面との間の第1の厚さとを有し、リードフレームが、中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含み、電気リードが、下面と、リードフレームの上面から、中心領域に隣接した電気リードの下面までの第2の厚さとを有するステップを含む。第2の厚さは第1の厚さよりも薄くすることができる。これらの方法はさらに、中心領域を取り囲み、中心領域の下面を露出させるパッケージ本体をリードフレーム上に形成するステップを含む。パッケージ本体は、少なくとも部分的に、リードの下面の下に、中心領域の下面に隣接して形成することができる。
中心領域は、ダイ取付け領域を含むことができ、パッケージ本体は、上部側壁を含むことができ、上部側壁は、ダイ取付け領域の上方に光学キャビティを画定し、ダイ取付け領域を取り囲む反射カップを画定する斜めの内側表面を含む。これらの方法はさらに、反射カップの中にカプセル封入材を注入するステップを含む。カプセル封入材は、反射カップの上方にレンズを形成することができる。これらの方法はさらに、反射カップの上方にレンズを配置するステップを含むことができる。
パッケージ本体はさらに、ダイ取付け領域を取り囲む円周リムを含むことができ、反射カップの上方にレンズを配置するステップは、レンズを円周リムと接触させるステップを含むことができる。
中心領域は、その中に反射カップを含むことができ、反射カップは、反射カップの上隅から反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含む。反射カップの底と中心領域の下面との間の第3の厚さは、第2の厚さよりも厚くすることができる。これらの方法はさらに、反射カップの底にサブマウントを配置するステップと、サブマウント上に固体発光デバイスを配置するステップと、固体発光デバイスから電気リードへのワイヤボンド接続を形成するステップとを含むことができる。
パッケージ本体を形成するステップは、リードフレームの中心領域の下面を露出させるようにパッケージ本体を形成するステップを含むことができる。
これらの方法はさらに、反射カップの中にカプセル封入材を注入するステップを含むことができる。カプセル封入材は、反射カップの上方にレンズを形成することができる。
パッケージ本体はさらに、ダイ取付け領域を取り囲む円周リムを含むことができ、これらの方法はさらに、レンズを円周リムと接触させるステップを含むことができる。
本発明のいくつかの実施形態による固体発光パッケージ用のリードフレームを形成する方法は、リードフレームブランク(leadframe blank)を提供するステップであって、該リードフレームブランクが、上面と、中心領域と、中心領域から横方向に遠ざかるように延びる部分とを有し、中心領域は、下面と、該リードフレームブランクの上面と中心領域の下面との間の第1の厚さとを有し、中心領域から遠ざかるように延びる部分は、下面と、リードフレームの上面から、中心領域から横方向に遠ざかるように延びる部分の下面までの中心領域に隣接した第2の厚さとを有するステップと、中心領域に反射カップを型押しする(stamping)ステップとを含む。第2の厚さは、第1の厚さよりも薄くすることができる。
中心領域に反射カップを型押しするステップは、反射カップの所望の形状を画定する形状を有する突出部(protrusion)を含むスタンプを、中心領域の上で、リードフレームブランクの上面と接触させるステップと、リードフレームブランクの中心領域に突出部の像を打刻するのに十分なエネルギーをスタンプに加えるステップとを含むことができる。
これらの方法はさらに、反射カップを型押ししている間に押し出された過剰な材料を、リードフレームブランクから切り取るステップを含むことができる。
反射カップは、反射カップの上隅から反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含むことができ、反射カップの底と中心領域の下面との間の第3の厚さは、第2の厚さよりも厚くすることができる。中心領域の幅は、反射カップの底の幅よりも大きくすることができる。中心領域の幅は、反射カップの上隅での反射カップの幅以上とすることができる。
本発明の他の実施形態による固体発光パッケージ用のリードフレームを形成する方法は、上面と下面とを有するリードフレームブランクを提供するステップと、下面を有する第1の領域であって、リードフレームブランクの上面とこの第1の領域の下面との間の第1の厚さを有する第1の領域と、下面を有する第2の領域であって、リードフレームブランクの上面からこの第2の領域の下面までの第2の厚さを有する第2の領域とを提供するために、リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップとを含む。第2の厚さは、第1の厚さよりも薄くすることができる。第1の厚さは30ミル(0.762mm)未満とすることができる。第1の厚さは約15ミル(0.381mm)とすることができる。リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップは、リードフレームに深さ約10ミル(0.254mm)の凹みを形成するために、リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップを含むことができる。
本発明のさらなる理解を提供するために添付され、本出願の一部を構成する添付図面は、本発明のある種の実施形態(1つまたは複数)を例示する。
発光デバイス用の従来のパッケージを示す側断面図である。 発光デバイス用の従来のパッケージを示す側断面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のリードフレームを示す上面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のリードフレームを示す側断面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のリードフレームを示す側断面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のパッケージの側面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のパッケージの側断面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、リードフレームの形成を示す概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、リードフレームの形成を示す概略図である。 本発明の他の実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のパッケージの側断面図である。 本発明の実施形態による、パッケージの中で使用されるように構成されたリードフレームの上面図である。 本発明の実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のパッケージの破断図である。 本発明の他の実施形態による、1つまたは複数の発光デバイス用のパッケージの側断面図である。
次に、本発明の実施形態が示された添付図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。しかし、本発明は、多くの異なる形態で具体化することができ、本発明を、本明細書に記載された実施形態に限定されるものと解釈してはならない。むしろ、これらの実施形態は、この開示が網羅的かつ完全なものとなるように提供され、これらの実施形態は、本発明の範囲を当業者に十分に伝達する。分かりやすくするため、添付図面中では、層および領域のサイズおよび相対サイズが誇張されていることがある。全体を通じて同様の符号は、同様の要素を指す。
層、領域、基板などの要素が、別の要素「上に」位置し、または他の要素「上に」延びていると記載されるとき、その要素は、その別の要素上に直接に位置し、またはその別の要素上に直接に延びているか、あるいは、介在要素が存在する可能性があることを理解されたい。対照的に、ある要素が、別の要素「上に直接に」位置し、または他の要素「上に直接に」延びていると記載されるときは、介在要素は存在しない。また、ある要素が、別の要素に「接続」または「結合」されていると記載されるとき、その要素は、その別の要素に直接に接続または結合されているか、あるいは、介在要素が存在する可能性があることを理解されたい。対照的に、ある要素が、別の要素に「直接に接続」または「直接に結合」されていると記載されるときは、介在要素は存在しない。
本明細書では、「下方」、「上方」、「上部」、「下部」、「水平」、「横」、「垂直」などの相対的な用語が、添付図面に示されているある要素、層または領域と、他の要素、層または領域との関係を記述するために使用されることがある。これらの用語は、図に示された方向の他に、デバイスのさまざまな方向を包含するように意図されていることを理解されたい。
本明細書では、第1、第2などの用語が、さまざまな要素、構成要素、領域、層および/または部分を記述するために使用されることがあるが、これらの要素、構成要素、領域、層および/または部分は、これらの用語によって限定されないことを理解されたい。これらの用語は、ある要素、構成要素、領域、層または部分を、他の領域、層または部分から区別するためだけに使用される。したがって、以下で論じられる第1の要素、構成要素、領域、層または部分は、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、構成要素、領域、層または部分と称することができる。
特に定義されない限り、本明細書で使用される全ての用語(技術および科学用語を含む)は、本発明が属する技術分野の技術者によって共通に理解される意味と同じ意味を有する。また、本明細書で使用される用語は、本明細書および関連技術の文脈におけるそれらの用語の意味と矛盾しない意味を有するものと解釈すべきであり、本明細書において特に定義されない限り、理想化された意味またはあまりに形式的な意味に解釈すべきでないことを理解されたい。
本明細書では、本発明の理想化された実施形態(および中間構造物)の概略図である断面図を参照して、本発明の実施形態を説明する。分かりやすくするため、図面中の層および領域の厚さが誇張されていることがある。さらに、例えば製造技法および/または許容差の結果として、図の形状からの変異も予想される。したがって、本発明の実施形態を、本明細書に示された領域の特定の形状に限定されると解釈してはならず、本発明の実施形態は、例えば製造に起因する形状の変化を包含する。
本明細書で使用されるとき、半導体発光デバイスという用語は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび/または他の半導体デバイスを含むことができ、この他の半導体デバイスは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウムおよび/または他の半導体材料を含むことができる1つまたは複数の半導体層と、サファイア、シリコン、炭化ケイ素および/または他のマイクロエレクトロニクス基板を含むことができる基板と、金属および/または他の導電層を含むことができる1つまたは複数のコンタクト層とを含む。いくつかの実施形態では、紫外、青色および/または緑色発光ダイオード(LED)が提供される。赤色および/または琥珀色LEDを提供することもできる。半導体発光デバイスの設計および製造は、当業者にはよく知られており、本明細書においてそれらを詳細に説明する必要はない。
例えば、本発明の実施形態に従ってパッケージ化される半導体発光デバイスは、本件特許出願人によって製造、販売されているものなどの、炭化ケイ素基板上に製造された窒化ガリウムベースのLEDまたはレーザとすることができる。これらのLEDおよび/またはレーザは、発光が、いわゆる「フリップチップ(flip chip)」実装された基板を介して起こるように動作するよう構成することができる。
次に、図2A〜2Cを参照すると、本発明のいくつかの実施形態によるリードフレーム100が示されている。図2Aは、リードフレーム100の上面図、図2Bおよび2Cは、図2Aの線A−Aに沿って切られた断面図である。リードフレーム100は、中心領域102と、中心領域102から遠ざかるように延びる複数のリード104、106とを含む。電気リード104、106は、互いに電気的に分離されていてもよく、かつ/またはリードフレーム100の中心領域102から電気的に分離されていてもよい。これらのリードは、リードフレーム100の反対側に、極性が反対のリード(例えば、アノードまたはカソード)が提供されるように配置することができ、これによって、リードフレーム100を使用してパッケージを直列に接続することを容易にすることができる。
図2Bに示されているように、リードフレーム100はさらに上面100aを有する。リードフレーム100の中心領域102は、リード104、106の下面104b、106bから側壁102cによって離隔された、実質的に平らな下面102bを有する。中心領域102は、第1の厚さ(すなわち、リードフレーム100の上面100aと中心領域102の下面102bとの間の距離)を有し、電気リード104、106は、第1の厚さよりも薄い第2の厚さ(すなわち、リードフレーム100の上面100aとそれぞれリード104、106の下面104b、106bとの間の距離)を有する。
中心領域102には、反射カップ124が形成されている。反射カップ124は、リードフレーム100の上面100aから中心領域102内に位置する底124bまで延びる斜めの側壁を含む。反射カップ124は、任意の周囲形状を有することができる。しかし、図2A〜2Cに示された実施形態では、反射カップ124は、全体に円形の周囲形状を有する。したがって、反射カップ124の斜めの側壁は、反射カップ124がリードフレーム100の上面100aと交わる全体に、円形の上部リップ(upper lip)124aを形成することができる。図2A〜Cに示された反射カップ124の側壁は、錐体切断体(例えば、錐台)の形状を有する。しかし、反射カップ124の側壁は、他の形状、例えば立体放物体切断体の形状をなすことができる。
反射カップ124の底124bは、中心領域102の幅(すなわち、中心領域102の側壁102c間の距離)よりも小さい直径を有する。さらに、反射カップ124の上部リップ124aは、中心領域102の幅以下とすることができる直径を有する。さらに、反射カップ124の底124bと中心領域102の下面102bとの間の中心領域102の厚さは、電気リード104、106よりも厚くすることができる。後により詳細に説明されるように、固体発光デバイス用のパッケージは、リード104、106を通してではなく、リードフレーム100の中心領域102を通して熱を放散させることができる。したがって、中心領域102の相対的な物理寸法(physical dimension)は、パッケージの熱抵抗を低減させることにより、パッケージの熱放散特性を向上させることができる。
熱抵抗は、熱が伝導される表面積に反比例する。すなわち、熱抵抗は下式によって定義される。
TH=L/kA (1)
上式において、kは熱伝導率、Lは、熱が放散される材料の長さであり、Aは、熱が放散される面積を表す。したがって、中心領域102の下面102bなどの大きな表面を通して熱を放散させると、パッケージの熱抵抗を低下させることができる。さらに、式(1)によれば、より厚い中心領域102は、パッケージの熱抵抗をいくぶんか増大させるが、熱がパッケージから抽出される前に、熱をより拡散させることができる。LEDパッケージ内の熱は、比較的小さな領域(すなわち、発光デバイス114の領域)で生じるので、中心領域102の表面積が相対的に大きい利点をより活用するために、中心領域102の厚さを増大させたほうが望ましい場合がある。
図2Cを参照すると、反射カップ124の中、反射カップ124の底124b上に、複数の固体発光デバイス114を含むサブマウント(submount)116が取り付けられている。サブマウント116は、その上に複数の電気トレース(図示せず)を形成することができる、窒化アルミニウム、炭化ケイ素および/または化学蒸着(CVD)ダイヤモンドなどの非導電材料を含むことができる。窒化アルミニウムおよび炭化ケイ素の熱伝導率は約400W/MKであり、CVDダイヤモンドの熱伝導率は約800W/MKである。サブマウント116の厚さは約300から約600μmとすることができるが、他の厚さを使用してもよい。一方でサブマウント116とデバイス114の間に、他方でサブマウント116とそれぞれの電気リード104、106との間に、複数のワイヤボンド接続112が形成されている。
リードフレーム100を含むパッケージ160が、図3Aおよび3Bに示されている。図3Aおよび3Bはそれぞれ、1つまたは複数の発光デバイス用のパッケージ160の側面図および側断面図である。図3Aおよび3Bを参照すると、パッケージ160は、リードフレーム100を取り囲む成形されたパッケージ本体130と、リードフレーム100の中心領域102の上に取り付けられたレンズ140とを含む。パッケージ本体130の側面からは電気リード104、106が延びている。レンズ140の代わりに、またはレンズ140に加えて、反射器、拡散器などの他の光学的な機能を提供することができる。
パッケージ本体130は、リードフレーム100の周囲に、トランスファ成形または射出成形によって、例えば熱可塑性樹脂で形成することができる。熱可塑性樹脂は、Ticona Engineering Polymers社から入手可能なVectra(登録商標)シリーズのポリマーA130および/またはS135などの液晶ポリマーを含むことができる。他の適当な液晶ポリマーは、Solvay Advanced Polymers社から入手可能である。GE Polymers社のポリカーボネートLexan(登録商標)および/またはポリフタルアミドを、パッケージ本体130の熱可塑性樹脂として使用してもよい。パッケージ本体130は、リードフレーム100の中心領域102の下面102bを露出させることができる。パッケージ本体130は、リード104、106の下面104b、106bとリードフレーム100の中心領域102の下面102bとの間に少なくとも部分的に延び、中心領域102の下面102bの少なくとも一部分を露出させてもよい。さらに、パッケージ本体130は、リードフレーム100の中心領域102の下面102bと同一平面にある下面130bを有することができる。しかし、いくつかの実施形態では、リードフレーム100の中心領域102の下面102bとパッケージ本体130の下面130bとが同一平面にない。例えば、パッケージ本体130の下面130bが、リードフレーム100の中心領域102の下面102bから遠ざかるように延びる。他の実施形態では、中心領域102が、パッケージ本体130から遠ざかるように延びる。パッケージ160を取り付けるときに、リードフレーム100の露出した表面102bを、例えば外部ヒートシンク(図示せず)と熱接触させて配置することができる。
図3Bに示されているように、パッケージ本体130は、反射カップ124を含むリードフレーム100の中心領域102の上面が露出するように形成することができる。パッケージ本体130は、反射カップ124およびサブマウント116の上に光学キャビティ(cavity)150を画定する対向した上部側壁134を含むことができる。上部側壁134は、第1の反射カップ124の上方に、第1の反射カップ124を取り囲む第2の反射カップ138を画定する、斜めの内側表面を含むことができる。レンズ140は、少なくとも部分的に、反射カップ124の上方の光学キャビティ150内に配置することができる。反射カップ124、およびパッケージ本体130によって画定された光学キャビティ150に、例えば、液体シリコーンおよび/またはエポキシなどの液体カプセル封入材を充填することができ、その液体カプセル封入材は、その中に蛍光体などの波長変換材料を含むことができる。
レンズ140は、円周リム(rim)136と接触させて配置することができる。円周リム136は、図3Bに示されているように側壁134の内側に画定することができ、かつ/または本体130の別個のフィーチャ(feature)とすることができる。円周リム136は、反射カップ124の中の固体発光デバイス114に対するレンズ140の垂直位置を決定することができる。側壁134はさらに、円周リム136の外側に円周モート(moat)132を含むことができる。後に説明されるように、円周モート132は、シリコーンなどの液体カプセル封入材がパッケージ160のカプセル封入材として使用されるときに特に有用である。
本発明のいくつかの実施形態によるパッケージを組み立てるプロセスでは、パッケージ本体130によって画定されたキャビティ150の中に、液体カプセル封入材が注入される。次いで、キャビティ150の中にレンズ140が下ろされ、そこで、レンズ140は液体カプセル封入材と接触することができる。液体カプセル封入材は、硬化すると、パッケージ160内の所定の位置にレンズ140を保持する接着剤の働きをすることができる。液体カプセル封入材と接触してレンズ140が配置されたときに、カプセル封入材の一部が、レンズ140の周囲に押し出されることがあり、このことは、パッケージ160の光学/機械特性を潜在的に害する。円周リム136を取り囲む円周モート132を含む本発明の実施形態では、円周リム136と接触するまで、レンズ140がキャビティ150の中に挿入される。したがって、円周リム136の高さは、レンズ140と固体発光デバイス114の間の間隔を正確に決定することができ、これによって、パッケージ間の光学的均一性を向上させることができる。過剰な液体カプセル封入材は、レンズ140の上および周囲に流れる代わりに、円周モート132の中へ優先的に流入することができる。カプセル封入材およびレンズ配置を制御する円周エッジ(edge)およびモートの使用は、その開示が参照により本明細書に組み込まれ、本発明の譲受人に譲渡された特許文献4に詳細に記載されている。
本発明の実施形態によるリードフレーム100の形成(formation)が、図4Aおよび4Bに示されている。これらの図に示されているように、リードフレームブランク100’は、中心領域102’と、中心領域102’から遠ざかるように延びるリード104、106とを含む。このリードフレームブランクは、例えば銅、アルミニウムまたは高い熱伝導率を有する他の金属から形成することができる。中心領域102’の厚さは約550μmとすることができ、リード104、106の厚さは約250μmとすることができる。中心領域102’の厚さはリード104、106の厚さよりも大きい。リードフレームブランク100’を、リードフレームブランク100’を受けとめるように成形された支持部材320の中に配置する。突出部315を含むスタンプ(stamp)310をブランク100’と接触させ、突出部315の像(image)を中心領域102’に打刻するのに十分なエネルギー(例えば、力および/または熱)を加える。突出部315は斜めの側壁を有することができ、突出部315が中心領域102’の範囲内に反射カップ124を形成するように、突出部315は中心領域102’の幅よりも小さい幅を有することができる。反射カップ124が形成されるときに押し出された過剰な材料(図示せず)は、完成したリードフレーム100から切り取ることができる。
本発明の他の実施形態による固体照明パッケージ260が、図5に示されている。パッケージ260は、リードフレーム200の中心領域に位置する複数のダイ取付け領域202と、ダイ取付け領域から遠ざかるように延びる複数の電気リード204、206とを含むリードフレーム200を含む。ダイ取付け領域202の上面と下面の両方が露出している。図5に示された実施形態では、第1の電気リード206がそれぞれ、対応する1つのダイ取付け領域202と一体に形成されており、第2の電気リード204は、ダイ取付け領域202から電気的に分離されている。
リードフレームブランク200’の上面図が、図6に示されている。リードフレームブランク200’は、対応する4つのリード206a〜dと一体に形成された4つのダイ取付け領域202a〜dを含む。リードフレームブランク200’はさらに、ダイ取付け領域202a〜dから分離された4つの電気リード204a〜dを含む。ダイ取付け領域202a〜dおよびリード204a〜d、206a〜dは、外フレーム201によって所定の位置に保持されており、外フレーム201は、リードフレームブランク200’の上にパッケージ本体が成形された後、切り取ることができる。リードフレームブランク200’は、熱抵抗の小さい銅などの金属から形成することができ、約30ミル(0.762mm)未満の厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、リードフレームの厚さが約15ミル(0.381mm)未満である。後に説明されるように、リードフレーム200は、外部ヒートシンク上に直接に取り付けることができ、そのため、リードフレーム200のダイ取付け領域202a〜dの、その上に発光デバイス214が取り付けられた表面とは反対側の大きな表面積を通してリードフレームから熱が抽出されるため、リードフレーム200は、一般的なリードフレームよりも大幅に薄くすることができる。
図5に戻ると、リードフレーム200はさらに、リードフレーム200の凹み226を画定する厚さの小さい領域224を含む。厚さの小さい領域224、226は例えば、リードフレーム200の部分を選択的にエッチングすることによって形成することができる。リードフレームの表面/周囲に、例えばトランスファ成形または射出成形によって、パッケージ本体230が形成される。
パッケージ本体230は、リードフレーム200のダイ取付け領域202の下面202bおよびリードフレーム200の他の部分の下面を露出させることができる。さらに、パッケージ本体230は、リードフレーム200の下面200bと同一平面上にある下面230bを有することができる。しかし、いくつかの実施形態では、リードフレーム200のダイ取付け領域202の下面202bとパッケージ本体230の下面230bとが同一平面にない。例えば、パッケージ本体230の下面230bが、リードフレーム200のダイ取付け領域202の下面202bよりも延出する。他の実施形態では、ダイ取付け領域202が、パッケージ本体230よりも延出する。パッケージ260が取り付けられるときに、リードフレーム200の露出した表面200bを、例えば外部ヒートシンク(図示せず)と熱接触させて配置することができる。
パッケージ本体230はさらに、リードフレーム200の厚さの小さい領域224によって画定された凹み226を埋めるように形成することができる。したがって、パッケージ本体230は、少なくとも部分的に、厚さの小さい領域224の下面からリードフレーム200の下面200bまで延びることができる。パッケージ本体230で凹み226を埋めることによって、パッケージ本体230は、接着剤を必要とすることなく、リードフレーム200と強い機械的接続を形成することができる。しかし、パッケージ本体のプラスチック材料とリードフレーム200の間の継目または空間を通して光学キャビティ250から液体カプセル封入材が流出することを防ぎ、またはこれを低減させるために、パッケージ本体230を形成するために使用されるプラスチックに接着剤を添加してもよい。
パッケージ本体230は、リードフレーム200のダイ取付け領域202の上面が露出するように形成することができる。パッケージ本体230は、ダイ取付け領域202の上方に光学キャビティ250を画定する対向した上部側壁234を含むことができる。上部側壁234は、ダイ取付け領域202の上方に、ダイ取付け領域202を取り囲む反射カップを画定する、斜めの内側表面238を含むことができる。ダイ取付け領域202の上方の光学キャビティ250の中に、少なくとも部分的に、レンズ240を配置することができる。パッケージ本体230によって画定された光学キャビティ250に、例えば、液体シリコーンおよび/またはエポキシなどの液体カプセル封入材を充填することができ、その液体カプセル封入材は、その中に蛍光体などの波長変換材料を含むことができる。
レンズ240は、円周リム236と接触させて配置することができる。円周リム236は、図5に示されているように側壁234の内側に画定することができ、かつ/または本体230の別個のフィーチャとすることができる。側壁234はさらに、円周リム236の外側に円周モート232を含むことができる。後に説明されるように、円周モート232は、シリコーンなどの液体カプセル封入材がパッケージ260のカプセル封入材として使用されるときに、パッケージの組立て中または組立て後に、カプセル封入材が押し出されることを防ぎ、またはそれを低減させるのに特に有用である。
第1の電気リード206に電気的に接続されたダイ取付け領域202のそれぞれに、複数の固体発光デバイス214が取り付けられている。発光デバイス214と、それぞれの第2の電気リード204との間にワイヤボンド接続216が形成されている。
図7は、リードフレーム200上に成形されたパッケージ本体230を示す、本発明の実施形態によるパッケージ260の透視破断図である。パッケージ本体230の側壁234によって画定された光学キャビティ250内のリードフレーム200上に、4つの固体発光デバイス214が取り付けられている。これらの固体発光デバイスはそれぞれ、このパッケージの第1の電気リード206とは反対の側から延びる第2の電気リード204の1つに、ワイヤボンド216によって接続されている。光学キャビティ250の上方にレンズ240が配置されている。
図8は、本発明の他の実施形態による固体発光デバイス用のパッケージ360の断面図である。図5に示されたフィーチャと同じ参照符号を有するパッケージ360のフィーチャは、図5に示されたパッケージ260の対応するフィーチャと同様のフィーチャである。パッケージ360では、パッケージに別個のレンズ部品を挿入する代わりに、側壁230によって形成されたキャビティに液体カプセル封入材を注入し、液体カプセル封入材を硬化させることによって、レンズ340が形成される。注入レンズは、その開示が参照により本明細書に組み込まれる、本発明の譲受人に譲渡された2005年8月4日出願の特許文献5で論じられている。
具体的には、ダイ取付け領域202上に発光デバイス214が取り付けた後、カプセル封入材330の第1の注入を実行して、デバイス214を覆うことができる。第1の注入の材料は、蛍光体などの波長変換材料を含むことができる。第1のカプセル封入材330は、側壁部分234の円周リム236によって画定された、凸形の、平らなまたは凹形のメニスカス(meniscus)を形成することができ、円周リム236は、メニスカスの形成を容易にするために鋭いエッジを備えることができる。カプセル封入材330が少なくとも部分的に硬化した後、カプセル封入材335の第2の注入を実行することができる。第2のカプセル封入材335は、注入される材料の量に応じて、側壁部分234の上縁344によって画定された、凹形の、平らなまたは凸形のメニスカスを有するように形成することができる。次いで、第2のカプセル封入材335を硬化させて、光学キャビティ250の上方にレンズ340を形成することができる。
本発明の実施形態は、複数のハイパワーデバイスがごく近接して配置され、それによってより高い光学品質の発光を与え、より良好な色混合を有する固体発光デバイス用のパッケージの形成を可能にすることができる。さらに、パッケージ本体を射出成形技法によって形成することができるため、本発明の実施形態によるパッケージの組立てを単純化することができる。
本発明のいくつかの実施形態によれば、リードフレームの片面に発光デバイスが取り付けられ、リードフレームの反対面が、外部ヒートシンクと接触するために使用されるため、1つまたは複数の固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージは、固体発光デバイスと外部ヒートシンクとの間の短い熱経路を提供することができる。さらに、熱が抽出されるリードフレームの表面積をダイ取付け領域よりも大きくすることができるため、熱抽出を向上させることができる。
以上の説明は本発明を例示したものであり、本発明を限定するものと解釈してはならない。本発明の例示的ないくつかの実施形態を説明したが、本発明の新規の教示および利点から大幅に逸脱することなくこれらの例示的な実施形態に多くの変更を加えることができることを当業者は容易に理解しよう。したがって、そのような変更は全て、特許請求の範囲に定義された本発明の範囲に含まれることが意図されている。したがって、以上の説明は本発明を例示するものであって、本発明が開示された特定の実施形態に限定されると解釈すべきでないこと、ならびに、開示の実施形態および他の実施形態に対する変更は、添付の特許請求の範囲に含まれることが意図されていることが理解される。本発明は、特許請求の範囲によって定義され、特許請求の範囲の等価物はその中に含まれる。

Claims (44)

  1. 発光デバイス用のモジュールパッケージであって、
    上面を有し、中心領域を含むリードフレームであって、前記中心領域が、下面と、前記リードフレームの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さとを有し、前記リードフレームがさらに、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含み、前記電気リードが、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域に隣接した前記電気リードの前記下面までの第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄い前記リードフレームと、
    前記中心領域を取り囲み、前記中心領域の前記下面を露出させた前記リードフレーム上のパッケージ本体とを含み、
    前記パッケージ本体は、少なくとも部分的に、前記電気リードの前記下面の下に、前記中心領域の前記下面に隣接して提供されることを特徴とするモジュールパッケージ。
  2. 前記中心領域は、ダイ取付け領域を含み、前記電気リードは、前記ダイ取付け領域から分離されており、前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域の上方に光学キャビティを画定する上部側壁を含むことを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
  3. 前記上部側壁は、前記ダイ取付け領域を取り囲む反射カップを画定する斜めの内側表面を含むことを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
  4. 前記反射カップの上方にカプセル封入材をさらに含み、前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを画定することを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
  5. 前記ダイ取付け領域を取り囲む円周リムと、前記円周リム上のレンズとをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
  6. 前記円周リムを取り囲む円周モートをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のモジュールパッケージ。
  7. 前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域の上面の上方に光学キャビティを画定し、前記パッケージ本体の少なくとも一部分は、前記リードフレームを貫いて延びることを特徴とする請求項2に記載のモジュールパッケージ。
  8. 前記中心領域は、その中に反射カップを含み、前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは前記第2の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
  9. 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記底の幅よりも大きいことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
  10. 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記上隅での前記反射カップの幅以上であることを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
  11. 前記反射カップの前記底の上のサブマウントと、前記サブマウント上の固体発光デバイスと、前記固体発光デバイスから前記電気リードへのワイヤボンド接続とをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
  12. 前記パッケージ本体は、前記反射カップの上方に光学キャビティを画定する上部側壁を含むことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
  13. 前記反射カップは、第1の反射カップを含み、前記上部側壁は、前記第1の反射カップを取り囲む第2の反射カップを画定する斜めの内側表面を含むことを特徴とする請求項12に記載のモジュールパッケージ。
  14. 前記反射カップの上方にカプセル封入材をさらに含み、前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを形成することを特徴とする請求項12に記載のモジュールパッケージ。
  15. 前記反射カップを取り囲む円周リムと、前記円周リム上のレンズとをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のモジュールパッケージ。
  16. 前記円周リムを取り囲む円周モートをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のモジュールパッケージ。
  17. 前記パッケージ本体は、前記リードフレームの前記中心領域の前記下面と実質的に同一平面上にある下面を有することを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
  18. 複数の電気リードをさらに含み、前記中心領域は、それぞれが前記複数の電気リードの1つに電気的に接続され、発光デバイスを受けとめるように構成された複数のダイ取付け領域を含むことを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
  19. 前記リードフレームは、30ミル(0.762mm)未満の厚さを有することを特徴とする請求項1に記載のモジュールパッケージ。
  20. 前記リードフレームは、約15ミル(0.381mm)の厚さを有することを特徴とする請求項19に記載のモジュールパッケージ。
  21. 発光デバイス用のパッケージ向けのリードフレームであって、
    上面と、
    下面を有する中心領域であって、前記リードフレームの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さを有する前記中心領域と、
    前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードであって、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域に隣接した前記電気リードの前記下面までの第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄い前記電気リードと
    を含むことを特徴とするリードフレーム。
  22. 前記中心領域は、その中に反射カップを含み、前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、
    前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは、前記第2の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項21に記載のリードフレーム。
  23. 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記底の幅よりも大きいことを特徴とする請求項22に記載のリードフレーム。
  24. 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記上隅での前記反射カップの幅以上であることを特徴とする請求項22に記載のリードフレーム。
  25. 固体発光デバイス用のパッケージを形成する方法であって、
    上面を有し、中心領域を含むリードフレームを提供するステップであって、前記中心領域が、下面と、前記リードフレームの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さとを有し、前記リードフレームが、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる電気リードを含み、前記電気リードが、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域に隣接した前記電気リードの前記下面までの第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが、前記第1の厚さよりも薄いステップと、
    前記中心領域を取り囲み、前記中心領域の前記下面を露出させたパッケージ本体を、前記リードフレーム上に形成するステップとを含み、
    前記パッケージ本体は、少なくとも部分的に、前記電気リードの前記下面の下に、前記中心領域の前記下面に隣接して形成されることを特徴とする方法。
  26. 前記中心領域は、ダイ取付け領域を含み、前記パッケージ本体は、上部側壁を含み、前記上部側壁は、前記ダイ取付け領域の上方に光学キャビティを画定し、前記ダイ取付け領域を取り囲む反射カップを画定する斜めの内側表面を含み、前記方法は、前記反射カップの中にカプセル封入材を注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
  27. 前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを形成することを特徴とする請求項26に記載の方法。
  28. 前記反射カップの上方にレンズを配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
  29. 前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域を取り囲む円周リムをさらに含み、前記反射カップの上方に前記レンズを配置する前記ステップは、前記レンズを前記円周リムと接触させるステップを含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
  30. 前記中心領域は、その中に反射カップを含み、前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは前記第2の厚さよりも厚く、前記方法は、前記反射カップの前記底の上にサブマウントを配置するステップと、前記サブマウント上に固体発光デバイスを配置するステップと、前記固体発光デバイスから前記電気リードへのワイヤボンド接続を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。
  31. 前記パッケージ本体を形成する前記ステップは、前記リードフレームの前記中心領域の下面を露出させるように前記パッケージ本体を形成するステップを含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
  32. 前記反射カップの中にカプセル封入材を注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。
  33. 前記カプセル封入材は、前記反射カップの上方にレンズを形成することを特徴とする請求項32に記載の方法。
  34. 前記パッケージ本体は、前記ダイ取付け領域を取り囲む円周リムをさらに含み、前記方法は、レンズを前記円周リムと接触させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の方法。
  35. 固体発光パッケージ用のリードフレームを形成する方法であって、
    リードフレームブランクを提供するステップであって、前記リードフレームブランクが、上面と、中心領域と、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる部分とを有し、前記中心領域は、下面と、前記リードフレームブランクの前記上面と前記中心領域の前記下面との間の第1の厚さとを有し、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる前記部分は、下面と、前記リードフレームの前記上面から、前記中心領域から横方向に遠ざかるように延びる前記部分の前記下面までの、前記中心領域に隣接した第2の厚さとを有し、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄いステップと、
    前記中心領域に反射カップを型押しするステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  36. 前記中心領域に前記反射カップを型押しする前記ステップは、
    前記反射カップの所望の形状を画定する形状を有する突出部を含むスタンプを、前記中心領域の上で、前記リードフレームブランクの前記上面と接触させるステップと、
    前記リードフレームブランクの前記中心領域に前記突出部の像を打刻するのに十分なエネルギーを前記スタンプに加えるステップと
    を含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。
  37. 前記反射カップを型押ししている間に押し出された過剰な材料を、前記リードフレームブランクから切り取るステップをさらに含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。
  38. 前記反射カップは、前記反射カップの上隅から前記反射カップの底まで延びる斜めの側壁を含み、前記反射カップの前記底と前記中心領域の前記下面との間の第3の厚さは、前記第2の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項37に記載の方法。
  39. 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記底の幅よりも大きいことを特徴とする請求項38に記載の方法。
  40. 前記中心領域の幅は、前記反射カップの前記上隅での前記反射カップの幅以上であることを特徴とする請求項38に記載のリードフレーム。
  41. 固体発光パッケージ用のリードフレームを形成する方法であって、
    上面と下面とを有するリードフレームブランクを提供するステップと、
    下面を有する第1の領域であって、前記リードフレームブランクの前記上面と前記第1の領域の前記下面との間の第1の厚さを有する前記第1の領域と、下面を有する第2の領域であって、前記リードフレームブランクの前記上面から前記第2の領域の前記下面までの第2の厚さを有する前記第2の領域とを提供するために、前記リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップであって、前記第2の厚さが前記第1の厚さよりも薄いステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  42. 前記第1の厚さは、30ミル(0.762mm)未満であることを特徴とする請求項41に記載の方法。
  43. 前記第1の厚さは、約15ミル(0.381mm)であることを特徴とする請求項42に記載の方法。
  44. 前記リードフレームブランクを選択的にエッチングする前記ステップは、前記リードフレームに深さ約10ミル(0.254mm)の凹みを形成するために、前記リードフレームブランクを選択的にエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
JP2011170704A 2006-07-13 2011-08-04 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 Pending JP2011233928A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/486,244 2006-07-13
US11/486,244 US7960819B2 (en) 2006-07-13 2006-07-13 Leadframe-based packages for solid state emitting devices

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007184533A Division JP5154155B2 (ja) 2006-07-13 2007-07-13 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011233928A true JP2011233928A (ja) 2011-11-17

Family

ID=38825497

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007184533A Active JP5154155B2 (ja) 2006-07-13 2007-07-13 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
JP2011170704A Pending JP2011233928A (ja) 2006-07-13 2011-08-04 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007184533A Active JP5154155B2 (ja) 2006-07-13 2007-07-13 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7960819B2 (ja)
JP (2) JP5154155B2 (ja)
CN (1) CN101110462B (ja)
DE (1) DE102007033057A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
JP2017523467A (ja) * 2014-07-23 2017-08-17 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. 縦方向アライメント機構を含む発光体および光検出モジュール
US9954151B2 (en) 2015-11-30 2018-04-24 Nichia Corporation Package, package intermediate body, light emitting device, method for manufacturing same
US10032972B2 (en) 2015-08-07 2018-07-24 Nichia Corporation Lead frame, package, light emitting device, and method for producing the same
US10079332B2 (en) 2015-12-09 2018-09-18 Nichia Corporation Package manufacturing method, light emitting device manufacturing method, package, and light emitting device
US10367127B2 (en) 2016-03-31 2019-07-30 Nichia Corporation Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device
JP7478205B2 (ja) 2017-05-01 2024-05-02 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物系発光装置

Families Citing this family (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100947454B1 (ko) * 2006-12-19 2010-03-11 서울반도체 주식회사 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지
TWM318792U (en) * 2007-01-23 2007-09-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8604506B2 (en) * 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
JP5122172B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Led 패키지
US7843060B2 (en) * 2007-06-11 2010-11-30 Cree, Inc. Droop-free high output light emitting devices and methods of fabricating and operating same
KR100880638B1 (ko) 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR100877877B1 (ko) * 2007-08-28 2009-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 led 패키지
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US20110049552A1 (en) * 2007-12-24 2011-03-03 In Joon Pyeon Light emitting diode package
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
KR100982989B1 (ko) 2008-05-19 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100992778B1 (ko) 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2009302339A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
US8258526B2 (en) * 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
CN102144307B (zh) 2008-07-03 2013-05-22 三星电子株式会社 发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ledモジュール
DE102008045925A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8044420B2 (en) * 2009-01-15 2011-10-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting diode package structure
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
DE102009012517A1 (de) * 2009-03-10 2010-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102009015963A1 (de) * 2009-04-02 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
WO2011033433A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-source module and light-emitting device
TW201115795A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Forward Electronics Co Ltd LED package structure and its manufacturing process
US7893445B2 (en) * 2009-11-09 2011-02-22 Cree, Inc. Solid state emitter package including red and blue emitters
CN102117876B (zh) * 2009-12-30 2013-02-27 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装结构
EP2346100B1 (en) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and lighting system
JP2011151239A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Toppan Printing Co Ltd Led用リードフレーム及びledモジュールの製造方法
JP4764519B1 (ja) * 2010-01-29 2011-09-07 株式会社東芝 Ledパッケージ
US7888852B1 (en) * 2010-02-22 2011-02-15 Wen-Kung Sung LED heat dissipation structure
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
US8901583B2 (en) * 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US9240526B2 (en) 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
CN102237471B (zh) * 2010-04-29 2014-08-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
CN102412359B (zh) * 2010-09-21 2018-12-07 亿光电子(中国)有限公司 用于一微型投影系统的发光二极管装置
JP2012069589A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toshiba Corp 発光装置
MY170920A (en) 2010-11-02 2019-09-17 Carsem M Sdn Bhd Leadframe package with recessed cavity for led
TW201220555A (en) * 2010-11-02 2012-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode lead frame
KR101626412B1 (ko) 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102610602A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 四川柏狮光电技术有限公司 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
CN103348496A (zh) 2011-02-07 2013-10-09 克利公司 用于发光二极管(led)发光的部件和方法
JP5867417B2 (ja) * 2011-02-10 2016-02-24 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ
US10098197B2 (en) 2011-06-03 2018-10-09 Cree, Inc. Lighting devices with individually compensating multi-color clusters
KR20120105146A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조장치 및 이를 이용한 발광소자 패키지의 제조방법
KR20120119395A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
US8684569B2 (en) 2011-07-06 2014-04-01 Cree, Inc. Lens and trim attachment structure for solid state downlights
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
MY156107A (en) 2011-11-01 2016-01-15 Carsem M Sdn Bhd Large panel leadframe
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9653656B2 (en) 2012-03-16 2017-05-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. LED packages and related methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US8637887B2 (en) 2012-05-08 2014-01-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermally enhanced semiconductor packages and related methods
DE102012110261A1 (de) * 2012-10-26 2014-04-30 Osram Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
US9059379B2 (en) 2012-10-29 2015-06-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light-emitting semiconductor packages and related methods
JP5626328B2 (ja) * 2012-12-25 2014-11-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
TWM462450U (zh) * 2013-01-24 2013-09-21 Lumenmax Optoelectronics Co Ltd 發光二極體支架結構
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9618191B2 (en) 2013-03-07 2017-04-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting package and LED bulb
DE102013206963A1 (de) * 2013-04-17 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013212393A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP6454698B2 (ja) 2013-06-28 2019-01-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 発光ダイオードデバイス
CN105340090B (zh) * 2013-06-28 2018-11-09 亮锐控股有限公司 发光二极管器件
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
DE102013222703A1 (de) * 2013-11-08 2015-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP6225812B2 (ja) * 2014-04-18 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
USD761216S1 (en) * 2014-12-12 2016-07-12 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED leadframe
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
CN113130725A (zh) 2015-03-31 2021-07-16 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
US10683971B2 (en) 2015-04-30 2020-06-16 Cree, Inc. Solid state lighting components
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
JP6332251B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
KR102516693B1 (ko) * 2016-04-29 2023-03-31 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지 모듈 및 이를 갖는 디스플레이 장치
US10290777B2 (en) 2016-07-26 2019-05-14 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
WO2018052902A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
KR102261288B1 (ko) * 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 자동차 외장용 발광다이오드 패키지
KR102385937B1 (ko) * 2017-03-31 2022-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 광 어셈블리
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10734560B2 (en) 2017-11-29 2020-08-04 Cree, Inc. Configurable circuit layout for LEDs
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
EP3776674A1 (en) 2018-06-04 2021-02-17 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
US10964866B2 (en) 2018-08-21 2021-03-30 Cree, Inc. LED device, system, and method with adaptive patterns
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11029475B2 (en) * 2019-04-08 2021-06-08 Cisco Technology, Inc. Frame lid for in-package optics
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
JP7460898B2 (ja) * 2020-04-24 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63200551A (ja) * 1987-02-17 1988-08-18 Matsushita Electronics Corp リ−ドフレ−ム
JPH0927579A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Apic Yamada Kk リードフレーム製造装置
JPH09232637A (ja) * 1996-02-27 1997-09-05 Rohm Co Ltd リードフレームおよび発光素子の製法
JPH11163411A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Dowa Mining Co Ltd 光通信用ランプ装置とその製造方法
JP2001148514A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP2003318448A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
WO2003107423A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-24 Lednium Pty. Ltd. A lamp and method of producing a lamp
JP2004274027A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2005057162A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Nichiden Seimitsu Kogyo Kk リードフレームの製造方法及び製造装置
JP2005136101A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
WO2005098977A2 (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Cree, Inc. Reflector packages and methods for packaging of a semiconductor light emitting device
JP2005353914A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100593945B1 (ko) * 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP2006179541A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Enomoto Co Ltd パワーled用リードフレーム及びその製造方法
JP2008098218A (ja) * 2006-05-10 2008-04-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0646971B1 (de) * 1993-09-30 1997-03-12 Siemens Aktiengesellschaft Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
KR0165413B1 (ko) 1995-07-18 1999-02-01 이대원 패턴 에칭 방법
KR100629544B1 (ko) * 1996-06-26 2006-09-27 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
EP1004145B1 (de) * 1997-07-29 2005-06-01 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauelement
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6281568B1 (en) * 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
JP2000252323A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Nec Kansai Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4944301B2 (ja) * 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 光電子装置およびその製造方法
JP3736366B2 (ja) * 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US7034382B2 (en) * 2001-04-16 2006-04-25 M/A-Com, Inc. Leadframe-based chip scale package
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7042071B2 (en) * 2002-10-24 2006-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP3989869B2 (ja) * 2003-04-14 2007-10-10 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4599857B2 (ja) 2003-04-24 2010-12-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
US20050189626A1 (en) * 2004-01-29 2005-09-01 Tan Xiaochun Semiconductor device support structures
US7053469B2 (en) * 2004-03-30 2006-05-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Leadless semiconductor package and manufacturing method thereof
JP4489485B2 (ja) * 2004-03-31 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
CN2755786Y (zh) * 2004-10-14 2006-02-01 金利精密工业股份有限公司 发光二极体的散热支架结构
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
CN100373608C (zh) 2005-01-20 2008-03-05 矽品精密工业股份有限公司 导线架式半导体封装件及其导线架
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2007214247A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63200551A (ja) * 1987-02-17 1988-08-18 Matsushita Electronics Corp リ−ドフレ−ム
JPH0927579A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Apic Yamada Kk リードフレーム製造装置
JPH09232637A (ja) * 1996-02-27 1997-09-05 Rohm Co Ltd リードフレームおよび発光素子の製法
JPH11163411A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Dowa Mining Co Ltd 光通信用ランプ装置とその製造方法
JP2001148514A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP2003318448A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
WO2003107423A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-24 Lednium Pty. Ltd. A lamp and method of producing a lamp
JP2004274027A (ja) * 2003-02-18 2004-09-30 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2005057162A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Nichiden Seimitsu Kogyo Kk リードフレームの製造方法及び製造装置
JP2005136101A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
WO2005098977A2 (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Cree, Inc. Reflector packages and methods for packaging of a semiconductor light emitting device
JP2005353914A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006179541A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Enomoto Co Ltd パワーled用リードフレーム及びその製造方法
KR100593945B1 (ko) * 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP2008098218A (ja) * 2006-05-10 2008-04-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017523467A (ja) * 2014-07-23 2017-08-17 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. 縦方向アライメント機構を含む発光体および光検出モジュール
KR20170116223A (ko) * 2014-07-23 2017-10-18 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 수직 정렬 피처들을 포함하는 광 방출기 및 광 검출기 모듈들
KR102282827B1 (ko) * 2014-07-23 2021-07-28 에이엠에스 센서스 싱가포르 피티이. 리미티드. 수직 정렬 피처들을 포함하는 광 방출기 및 광 검출기 모듈들
US10566363B2 (en) 2014-07-23 2020-02-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Light emitter and light detector modules including vertical alignment features
US10505090B2 (en) 2014-09-29 2019-12-10 Nichia Corporation Package including lead component having recess
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
US11043623B2 (en) 2014-09-29 2021-06-22 Nichia Corporation Package including lead component having recess
US10032972B2 (en) 2015-08-07 2018-07-24 Nichia Corporation Lead frame, package, light emitting device, and method for producing the same
US10600944B2 (en) 2015-08-07 2020-03-24 Nichia Corporation Lead frame, package and light emitting device
US10886448B2 (en) 2015-08-07 2021-01-05 Nichia Corporation Method for producing lead frame, method for producing package and method for producing light emitting device
US10580947B2 (en) 2015-11-30 2020-03-03 Nichia Corporation Package and package intermediate body
US9954151B2 (en) 2015-11-30 2018-04-24 Nichia Corporation Package, package intermediate body, light emitting device, method for manufacturing same
US10490705B2 (en) 2015-12-09 2019-11-26 Nichia Corporation Package and light emitting device
US10079332B2 (en) 2015-12-09 2018-09-18 Nichia Corporation Package manufacturing method, light emitting device manufacturing method, package, and light emitting device
US10367127B2 (en) 2016-03-31 2019-07-30 Nichia Corporation Lead frame including hanger lead, package, and light-emitting device
US10937666B2 (en) 2016-03-31 2021-03-02 Nichia Corporation Method for manufacturing lead frame including electrode and hanger lead, method for manufacturing package having lead frame, and method for manufacturing light-emitting device having package
JP7478205B2 (ja) 2017-05-01 2024-05-02 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物系発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008072092A (ja) 2008-03-27
US7960819B2 (en) 2011-06-14
JP5154155B2 (ja) 2013-02-27
DE102007033057A1 (de) 2008-01-17
US20110233579A1 (en) 2011-09-29
CN101110462B (zh) 2013-02-13
US20080121921A1 (en) 2008-05-29
CN101110462A (zh) 2008-01-23
US8193547B2 (en) 2012-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5154155B2 (ja) 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法
TWI481070B (zh) 薄型發光二極體封裝
US9159884B2 (en) Light emitting device having cavity side surfaces with recesses
TWI476962B (zh) 發光裝置
US7626250B2 (en) High power LED package and fabrication method thereof
US8669572B2 (en) Power lamp package
JP5555684B2 (ja) 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法
US20090166664A1 (en) High power light emitting diode package and manufacturing method thereof
JP2011507228A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
JP2009117536A (ja) 樹脂封止発光体及びその製造方法
JP6206442B2 (ja) パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置
EP3018720B1 (en) Light emitting device package
KR100999746B1 (ko) 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
US9312460B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and package array
JP5180694B2 (ja) Ledチップ実装用基板の製造方法、ledチップ実装用基板のモールド金型、ledチップ実装用基板、及び、led
JP2007005722A (ja) 光半導体素子用外囲器およびそれを用いた光半導体装置
TWI580081B (zh) 光電半導體元件及其製造方法
US20140353701A1 (en) Light source package and method of manufacturing the same
JP2018195622A (ja) 発光装置と発光装置の製造方法
KR100621743B1 (ko) 방열 본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지
KR100878398B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR101863549B1 (ko) 반도체 발광소자
KR100974338B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
TW201427110A (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法及發光二極體封裝結構
KR101049480B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110823

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121102

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130204

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130207

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130304

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130307

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130402

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130405

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130424

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130906

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131202

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131205

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140106

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140109

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140206

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140305

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140328

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150924

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151023