JPH09232637A - リードフレームおよび発光素子の製法 - Google Patents
リードフレームおよび発光素子の製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤの側面からの光を集光するパラボラを
形成してもその周囲が変形せず、ワイヤのタッチが生ぜ
ず、しかもリードフレームの裏面は平らで各素子共用の
ボンディング用機台により簡単にボンディングをするこ
とができるリードフレームの製法およびそれを用いた発
光素子を提供する。 【解決手段】 半導体チップ（ＬＥＤチップ３）をボン
ディングするダイパッド１と、該ダイパッドにボンディ
ングされる半導体チップとワイヤ５により電気的に接続
されるリード４とを有するリードフレームの製法であっ
て、板状体で、前記ダイパッドが形成され半導体チップ
がボンディングされる部分にエッチングにより貫通しな
いエッチング穴２ａを形成し、ついで金型により前記エ
ッチング穴を整形することにより凹部２を形成する。
形成してもその周囲が変形せず、ワイヤのタッチが生ぜ
ず、しかもリードフレームの裏面は平らで各素子共用の
ボンディング用機台により簡単にボンディングをするこ
とができるリードフレームの製法およびそれを用いた発
光素子を提供する。 【解決手段】 半導体チップ（ＬＥＤチップ３）をボン
ディングするダイパッド１と、該ダイパッドにボンディ
ングされる半導体チップとワイヤ５により電気的に接続
されるリード４とを有するリードフレームの製法であっ
て、板状体で、前記ダイパッドが形成され半導体チップ
がボンディングされる部分にエッチングにより貫通しな
いエッチング穴２ａを形成し、ついで金型により前記エ
ッチング穴を整形することにより凹部２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光素子チップなど
の半導体チップがボンディングされ、発光素子や半導体
装置を組み立てる際に用いられるリードフレームの製法
に関する。さらに詳しくは、半導体チップをボンディン
グするダイパッドに凹部を形成する場合に、リードフレ
ームの他の部分を変形させないリードフレームおよび発
光素子の製法ならびにそのリードフレームを用いた発光
素子および半導体装置に関する。
の半導体チップがボンディングされ、発光素子や半導体
装置を組み立てる際に用いられるリードフレームの製法
に関する。さらに詳しくは、半導体チップをボンディン
グするダイパッドに凹部を形成する場合に、リードフレ
ームの他の部分を変形させないリードフレームおよび発
光素子の製法ならびにそのリードフレームを用いた発光
素子および半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば発光ダイオード（以下、ＬＥＤ
という）のチップはそのｐｎ接合部で発光し、表面だけ
ではなく、裏面や側面からも光が放射される。この側面
から放射される光も有効に利用するため、ＬＥＤチップ
は通常凹面形状にされたパラボラ内にボンディングされ
る。これらの発光素子は最近では組立工程の容易さおよ
びコストダウンの点から薄い板状体から形成されたリー
ドフレームを用いて製造される。リードフレームは通常
０.２〜０.４ｍｍ程度の薄い板材からなっており、図４
に斜視図およびそのＢ4 −Ｂ4 線断面図が示されるよう
に、薄い板材が打ち抜かれてダイパッド１やリード４が
形成される際に、同時にダイパッド１の中心部を板材ご
と下側に押し下げる成形により凹部（パラボラ）２０が
形成されている。そしてその凹部２０にＬＥＤチップ３
がダイボンディングされ、リード４の端部とワイヤ５に
より電気的に接続されている。その後図示しない透明樹
脂などにより被覆されて発光素子が形成される。
という）のチップはそのｐｎ接合部で発光し、表面だけ
ではなく、裏面や側面からも光が放射される。この側面
から放射される光も有効に利用するため、ＬＥＤチップ
は通常凹面形状にされたパラボラ内にボンディングされ
る。これらの発光素子は最近では組立工程の容易さおよ
びコストダウンの点から薄い板状体から形成されたリー
ドフレームを用いて製造される。リードフレームは通常
０.２〜０.４ｍｍ程度の薄い板材からなっており、図４
に斜視図およびそのＢ4 −Ｂ4 線断面図が示されるよう
に、薄い板材が打ち抜かれてダイパッド１やリード４が
形成される際に、同時にダイパッド１の中心部を板材ご
と下側に押し下げる成形により凹部（パラボラ）２０が
形成されている。そしてその凹部２０にＬＥＤチップ３
がダイボンディングされ、リード４の端部とワイヤ５に
より電気的に接続されている。その後図示しない透明樹
脂などにより被覆されて発光素子が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイパッド１に
凹部２０を形成する場合、前述のように、板材ごと押し
下げる成形がなされている。そのため、板材が薄いとい
えども板材にストレスがかかり、凹部２０の周囲やその
近傍に変形が生じやすい。その結果、ＬＥＤチップ３の
電極端子とリード４とを電気的に接続するワイヤ５がダ
イパッド１の端部と接触しやすい（図４（ｂ）のＡ参
照）という問題がある。
凹部２０を形成する場合、前述のように、板材ごと押し
下げる成形がなされている。そのため、板材が薄いとい
えども板材にストレスがかかり、凹部２０の周囲やその
近傍に変形が生じやすい。その結果、ＬＥＤチップ３の
電極端子とリード４とを電気的に接続するワイヤ５がダ
イパッド１の端部と接触しやすい（図４（ｂ）のＡ参
照）という問題がある。
【０００４】さらに、ダイパッド１の下面がリードフレ
ームの面より下側に突出するため、従来のダイボンディ
ングやワイヤボンディングの共通の機台ではボンディン
グをすることができず、その素子専用の機台で行わなけ
ればならないという問題がある。
ームの面より下側に突出するため、従来のダイボンディ
ングやワイヤボンディングの共通の機台ではボンディン
グをすることができず、その素子専用の機台で行わなけ
ればならないという問題がある。
【０００５】本発明はこのような問題を解決し、ＬＥＤ
の側面からの光を集光するパラボラを形成してもその周
囲が変形せず、ワイヤのタッチ不良のおそれがなく、し
かもリードフレームの裏面は平らで各素子共用の機台に
より簡単にボンディングをすることができるリードフレ
ームおよび発光素子の製法ならびにそれを用いた発光素
子および半導体装置を提供することを目的とする。
の側面からの光を集光するパラボラを形成してもその周
囲が変形せず、ワイヤのタッチ不良のおそれがなく、し
かもリードフレームの裏面は平らで各素子共用の機台に
より簡単にボンディングをすることができるリードフレ
ームおよび発光素子の製法ならびにそれを用いた発光素
子および半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるリードフレ
ームの製法は、半導体チップをボンディングするダイパ
ッドと、該ダイパッドにボンディングされる半導体チッ
プとワイヤにより電気的に接続されるリードとを有する
リードフレームの製法であって、板状体で、前記ダイパ
ッドが形成され半導体チップがボンディングされる部分
にエッチングにより貫通しないエッチング穴を形成し、
ついで金型により前記エッチング穴を整形することによ
り凹部を形成するものである。
ームの製法は、半導体チップをボンディングするダイパ
ッドと、該ダイパッドにボンディングされる半導体チッ
プとワイヤにより電気的に接続されるリードとを有する
リードフレームの製法であって、板状体で、前記ダイパ
ッドが形成され半導体チップがボンディングされる部分
にエッチングにより貫通しないエッチング穴を形成し、
ついで金型により前記エッチング穴を整形することによ
り凹部を形成するものである。
【０００７】前記エッチング穴の整形を、前記ダイパッ
ドおよびリードを形成するために前記板状体を打ち抜く
際に同時に行うことが特別の工程を必要とせず、きれい
な形状のパラボラを形成することができるため好まし
い。
ドおよびリードを形成するために前記板状体を打ち抜く
際に同時に行うことが特別の工程を必要とせず、きれい
な形状のパラボラを形成することができるため好まし
い。
【０００８】前記板状体のダイパッドが形成される部分
に前記エッチング穴を形成するためのエッチングをする
際に、形成されるダイパッドの端部となる部分で前記リ
ードと隣接する側の部分を同時にエッチングすることに
よりダイパッドの端部に切欠部を形成することが、凹部
の形成によりＬＥＤチップなどの半導体チップの表面と
リードの端部の表面とが同程度の高さになっても両者を
接続するワイヤがダイパッドの端部と接触するおそれが
なくて好ましい。
に前記エッチング穴を形成するためのエッチングをする
際に、形成されるダイパッドの端部となる部分で前記リ
ードと隣接する側の部分を同時にエッチングすることに
よりダイパッドの端部に切欠部を形成することが、凹部
の形成によりＬＥＤチップなどの半導体チップの表面と
リードの端部の表面とが同程度の高さになっても両者を
接続するワイヤがダイパッドの端部と接触するおそれが
なくて好ましい。
【０００９】本発明の発光素子の製法は、請求項１記載
のリードフレームの該ダイパッドに発光素子チップをボ
ンディングし、該発光素子チップと前記リードをワイヤ
で電気的に接続し、前記発光素子チップおよび前記リー
ドの端部の部分を透明樹脂で被覆した後、リードフレー
ムから切断分離するものである。
のリードフレームの該ダイパッドに発光素子チップをボ
ンディングし、該発光素子チップと前記リードをワイヤ
で電気的に接続し、前記発光素子チップおよび前記リー
ドの端部の部分を透明樹脂で被覆した後、リードフレー
ムから切断分離するものである。
【００１０】本発明の発光素子は、板状体の裏面が平ら
で表面側に凹部が形成されたダイパッドと、該ダイパッ
ドの凹部にボンディングされた発光素子チップと、前記
ダイパッドと隣接して設けられたリードと、前記発光素
子チップの電極端子と前記リードとを電気的に接続する
ワイヤとからなり、前記ダイパッドの前記リード側の端
部に切欠部が形成されている。
で表面側に凹部が形成されたダイパッドと、該ダイパッ
ドの凹部にボンディングされた発光素子チップと、前記
ダイパッドと隣接して設けられたリードと、前記発光素
子チップの電極端子と前記リードとを電気的に接続する
ワイヤとからなり、前記ダイパッドの前記リード側の端
部に切欠部が形成されている。
【００１１】本発明の半導体装置は、高さの異なる半導
体チップがそれぞれダイパッドにボンディングされ、１
つのパッケージに包含される半導体装置であって、前記
半導体チップのうちの背の高いチップがボンディングさ
れるダイパッドに予め凹部が形成され、各半導体チップ
の表面の高さが実質的に同じ高さに形成されている。
体チップがそれぞれダイパッドにボンディングされ、１
つのパッケージに包含される半導体装置であって、前記
半導体チップのうちの背の高いチップがボンディングさ
れるダイパッドに予め凹部が形成され、各半導体チップ
の表面の高さが実質的に同じ高さに形成されている。
【００１２】ここで、実質的に同じ高さとは、ワイヤボ
ンディングをする場合の画像認識のときに、焦点のずれ
によりボンディング位置がずれるなどの不都合が生じな
い程度の高さにそろっていることを意味する。
ンディングをする場合の画像認識のときに、焦点のずれ
によりボンディング位置がずれるなどの不都合が生じな
い程度の高さにそろっていることを意味する。
【００１３】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明のリードフレームおよび発光素子の製法ならびに発光
素子および半導体装置について説明をする。
明のリードフレームおよび発光素子の製法ならびに発光
素子および半導体装置について説明をする。
【００１４】図１の（ａ）は本発明の発光素子の製法で
チップのボンディングを終わった状態の斜視説明図、
（ｂ）はそのＢ1 −Ｂ1 線断面説明図、（ｃ）はそのリ
ードフレームの製造工程の要部の断面説明図である。
チップのボンディングを終わった状態の斜視説明図、
（ｂ）はそのＢ1 −Ｂ1 線断面説明図、（ｃ）はそのリ
ードフレームの製造工程の要部の断面説明図である。
【００１５】図１において、１はダイパッドで、その中
心部に凹部２が形成されており、その凹部２内にＬＥＤ
チップ３がダイボンディングされると共に、その一方の
電極がリード４の端部とワイヤ５により接続されてい
る。図１では発光素子の１個分だけが図示されている
が、このボンディングがなされる状態では、このダイパ
ッド１およびリード４の部分がたくさん連結されたリー
ドフレームの状態になっており、この後、透明なエポキ
シ樹脂などにより被覆されてリードフレームから切り離
されることにより発光素子が大量に製造される。
心部に凹部２が形成されており、その凹部２内にＬＥＤ
チップ３がダイボンディングされると共に、その一方の
電極がリード４の端部とワイヤ５により接続されてい
る。図１では発光素子の１個分だけが図示されている
が、このボンディングがなされる状態では、このダイパ
ッド１およびリード４の部分がたくさん連結されたリー
ドフレームの状態になっており、この後、透明なエポキ
シ樹脂などにより被覆されてリードフレームから切り離
されることにより発光素子が大量に製造される。
【００１６】本発明のリードフレームおよび発光素子の
製法は、リードフレームのダイパッド１の中心部に形成
される凹部２を、まずエッチングにより板状体の一部を
えぐり取ることにより貫通しないエッチング穴２ａを形
成し、その後金型により整形してきれいなパラボラ形状
にすることより形成していることに特徴がある。
製法は、リードフレームのダイパッド１の中心部に形成
される凹部２を、まずエッチングにより板状体の一部を
えぐり取ることにより貫通しないエッチング穴２ａを形
成し、その後金型により整形してきれいなパラボラ形状
にすることより形成していることに特徴がある。
【００１７】すなわち、板状体の一部をエッチングする
ことにより凹部２を形成しているため、リードフレーム
の下側に突出することがなく、裏面は平らでダイボンデ
ィングやワイヤボンディングをする場合、リードフレー
ムを各素子共用のボンディング用機台に載置することに
より簡単にボンディングをすることができる。この場
合、板材の一部をエッチングすることなく、直接金型で
押し潰して裏面に突出させないで凹部を形成することも
できるが、凹部の肉が周辺に移動しリードフレームが一
層変形し、また歪みが残り後からも変形し、ワイヤボン
ディングに支障を来す。また、機械加工や放電加工によ
り板状体の一部を削りとることにより凹部を形成すれば
金型整形をしなくてもきれいな形状のパラボラを形成す
ることができるが、これらの加工はコストアップとなる
ため大量生産品には採用できない。
ことにより凹部２を形成しているため、リードフレーム
の下側に突出することがなく、裏面は平らでダイボンデ
ィングやワイヤボンディングをする場合、リードフレー
ムを各素子共用のボンディング用機台に載置することに
より簡単にボンディングをすることができる。この場
合、板材の一部をエッチングすることなく、直接金型で
押し潰して裏面に突出させないで凹部を形成することも
できるが、凹部の肉が周辺に移動しリードフレームが一
層変形し、また歪みが残り後からも変形し、ワイヤボン
ディングに支障を来す。また、機械加工や放電加工によ
り板状体の一部を削りとることにより凹部を形成すれば
金型整形をしなくてもきれいな形状のパラボラを形成す
ることができるが、これらの加工はコストアップとなる
ため大量生産品には採用できない。
【００１８】このリードフレームを製造するには、図１
（ｃ）に示されるように、まず板状体１０の状態で、ダ
イパッド１が形成される部分に塩化第二鉄溶液などのエ
ッチング液によりエッチングを施し、たとえば０.２５
ｍｍ程度の厚さの板材の７０％程度の厚さを除去し、そ
の後、板状体１０からダイパッド１やリード４を形成す
るためのパンチングの際に、エッチング穴２ａを金型２
２により整形して底面が平らな凹部２とすることにより
形成する。その結果、金型２２で凹部２が形成されても
整形だけで板状体１０の変形は殆どなく、したがって歪
みも殆ど生じない。
（ｃ）に示されるように、まず板状体１０の状態で、ダ
イパッド１が形成される部分に塩化第二鉄溶液などのエ
ッチング液によりエッチングを施し、たとえば０.２５
ｍｍ程度の厚さの板材の７０％程度の厚さを除去し、そ
の後、板状体１０からダイパッド１やリード４を形成す
るためのパンチングの際に、エッチング穴２ａを金型２
２により整形して底面が平らな凹部２とすることにより
形成する。その結果、金型２２で凹部２が形成されても
整形だけで板状体１０の変形は殆どなく、したがって歪
みも殆ど生じない。
【００１９】本発明の発光素子の製法は、このリードフ
レームを用いて前述のように、ダイパッド１の凹部２内
にＬＥＤチップ３をダイボンディングし、ワイヤボンデ
ィングをし、さらにＬＥＤチップ３およびリード４の端
部部分を透明樹脂で被覆することにより発光素子を形成
するものである。
レームを用いて前述のように、ダイパッド１の凹部２内
にＬＥＤチップ３をダイボンディングし、ワイヤボンデ
ィングをし、さらにＬＥＤチップ３およびリード４の端
部部分を透明樹脂で被覆することにより発光素子を形成
するものである。
【００２０】図２は本発明の発光素子の他の例を示す図
で、図１と同様に示されている。図２に示される例で
は、ＬＥＤチップ３の電極端子とリード４とを連結する
ワイヤ５の下のダイパッド１の端部、すなわちリード４
と隣接するダイパッド１の部分の端部に切欠部６が形成
されていることに特徴がある。このように切欠部６が形
成されていることにより、ＬＥＤチップ３の電極端子と
リード４とがほぼ同じ高さの状態でワイヤ５により連結
されてワイヤ５が少々垂れ下がってもワイヤ５とダイパ
ッド１とが接触することがない。その結果、ショート不
良が発生することがなく、信頼性の高い発光素子が得ら
れる。この切欠部の形成は発光素子に限らず、他の半導
体装置についても同様の効果がある。
で、図１と同様に示されている。図２に示される例で
は、ＬＥＤチップ３の電極端子とリード４とを連結する
ワイヤ５の下のダイパッド１の端部、すなわちリード４
と隣接するダイパッド１の部分の端部に切欠部６が形成
されていることに特徴がある。このように切欠部６が形
成されていることにより、ＬＥＤチップ３の電極端子と
リード４とがほぼ同じ高さの状態でワイヤ５により連結
されてワイヤ５が少々垂れ下がってもワイヤ５とダイパ
ッド１とが接触することがない。その結果、ショート不
良が発生することがなく、信頼性の高い発光素子が得ら
れる。この切欠部の形成は発光素子に限らず、他の半導
体装置についても同様の効果がある。
【００２１】この切欠部６の形成は、図２（ｃ）にリー
ドフレームの製造工程が示されるように、図１に示され
る製法と同じ工程で、エッチング穴２ａを形成する際に
切欠部６を形成する部分のマスクを除去しておくだけで
同時にエッチングされ、余計な工数を必要とするこよな
く簡単に形成される。ここで、切欠部６の形状は余り問
題にならないため、切欠部６を金型整形する必要はな
い。なお、切欠部６以外は図１に示される例と同じで、
同じ部分に同じ符号を付してその説明を省略する。
ドフレームの製造工程が示されるように、図１に示され
る製法と同じ工程で、エッチング穴２ａを形成する際に
切欠部６を形成する部分のマスクを除去しておくだけで
同時にエッチングされ、余計な工数を必要とするこよな
く簡単に形成される。ここで、切欠部６の形状は余り問
題にならないため、切欠部６を金型整形する必要はな
い。なお、切欠部６以外は図１に示される例と同じで、
同じ部分に同じ符号を付してその説明を省略する。
【００２２】図３は本発明の方法により製造するリード
フレームのさらに他の応用例を示す図である。図３はた
とえばＩＣチップ（以下、単にＩＣという）７、８など
を同じパッケージ内に組み込むため、同じリードフレー
ム上に異なる高さのＩＣ７、８をボンディングする半導
体装置の例で、リードフレームの一部を予めエッチング
しておくことによりＩＣ７、８の高さを実質的に同じ高
さにするものである。すなわち、ダイボンディング後に
ワイヤボンディングをする場合に、画像認識によりボン
ディング位置を特定するが、ＩＣ７、８の表面同志で高
さが異なると焦点距離が異なり、ボケにより位置ずれが
生じやすいという問題がある。
フレームのさらに他の応用例を示す図である。図３はた
とえばＩＣチップ（以下、単にＩＣという）７、８など
を同じパッケージ内に組み込むため、同じリードフレー
ム上に異なる高さのＩＣ７、８をボンディングする半導
体装置の例で、リードフレームの一部を予めエッチング
しておくことによりＩＣ７、８の高さを実質的に同じ高
さにするものである。すなわち、ダイボンディング後に
ワイヤボンディングをする場合に、画像認識によりボン
ディング位置を特定するが、ＩＣ７、８の表面同志で高
さが異なると焦点距離が異なり、ボケにより位置ずれが
生じやすいという問題がある。
【００２３】しかし、本発明では高さが高いＩＣ７がボ
ンディングされるダイパッド９にあらかじめ凹部１２を
形成しておくことによりＩＣ７、８の表面を実質的に同
じ高さに合わせることができ、ボンディング時の画像認
識の不都合をなくしたものである。たとえばＩＣ７の高
さが０.４ｍｍで、ＩＣ８の高さが０.２３ｍｍでリード
フレームの板厚が０.２５ｍｍの場合、ＩＣ７、８の表
面の高さはリードフレームの底面からそれぞれ０.６５
ｍｍおよび０.４８ｍｍと０.１７ｍｍの高さの差があ
る。このＩＣ７の方のダイパッド９をエッチングにより
０.１８ｍｍ程度除去して凹部１２を形成すればＩＣ
７、８の表面の高さをほぼ同じ高さにすることができ
る。
ンディングされるダイパッド９にあらかじめ凹部１２を
形成しておくことによりＩＣ７、８の表面を実質的に同
じ高さに合わせることができ、ボンディング時の画像認
識の不都合をなくしたものである。たとえばＩＣ７の高
さが０.４ｍｍで、ＩＣ８の高さが０.２３ｍｍでリード
フレームの板厚が０.２５ｍｍの場合、ＩＣ７、８の表
面の高さはリードフレームの底面からそれぞれ０.６５
ｍｍおよび０.４８ｍｍと０.１７ｍｍの高さの差があ
る。このＩＣ７の方のダイパッド９をエッチングにより
０.１８ｍｍ程度除去して凹部１２を形成すればＩＣ
７、８の表面の高さをほぼ同じ高さにすることができ
る。
【００２４】この凹部１２の形成は、図１に示されるパ
ラボラのための凹部２と同様に、予めエッチングをして
おき、リードフレームの打抜き形成の際に金型で整形を
することにより簡単に形成することができる。なお、こ
の例では光を反射させるパラボラにする必要がないた
め、図３に示されるように、ダイパッド９に打ち抜く際
に凹部の側壁をなくして、ダイパッド９の端面が薄いま
まで終端していても構わない。また、その意味で金型に
よる完全な整形がなされていなくてもよい。図３におい
て、１１はＩＣ８側のダイパッド、１３はＩＣ７の電極
端子と接続されるリード、１４はＩＣ７の電極端子とリ
ード１３とを電気的に接続するワイヤである。
ラボラのための凹部２と同様に、予めエッチングをして
おき、リードフレームの打抜き形成の際に金型で整形を
することにより簡単に形成することができる。なお、こ
の例では光を反射させるパラボラにする必要がないた
め、図３に示されるように、ダイパッド９に打ち抜く際
に凹部の側壁をなくして、ダイパッド９の端面が薄いま
まで終端していても構わない。また、その意味で金型に
よる完全な整形がなされていなくてもよい。図３におい
て、１１はＩＣ８側のダイパッド、１３はＩＣ７の電極
端子と接続されるリード、１４はＩＣ７の電極端子とリ
ード１３とを電気的に接続するワイヤである。
【００２５】
【発明の効果】本発明の製法によれば、リードフレーム
のダイパッドに凹部を形成する場合に、予めエッチング
をしておきその後金型により整形して形成しているた
め、リードフレームに歪みが加わることがなく、変形が
生じない。しかもダイパッドの底面が突出せずに平らな
状態で凹部を形成することができる。
のダイパッドに凹部を形成する場合に、予めエッチング
をしておきその後金型により整形して形成しているた
め、リードフレームに歪みが加わることがなく、変形が
生じない。しかもダイパッドの底面が突出せずに平らな
状態で凹部を形成することができる。
【００２６】その結果、リードフレームの変形は最小限
に抑えられると共に、半導体チップをダイボンディング
したり、ワイヤボンディングする際に特定の素子用にボ
ンディング用機台を改造し、専用化しなければならない
という不都合が生じない。
に抑えられると共に、半導体チップをダイボンディング
したり、ワイヤボンディングする際に特定の素子用にボ
ンディング用機台を改造し、専用化しなければならない
という不都合が生じない。
【００２７】また、本発明の方法により製造したリード
フレームを用いた発光素子によれば、リードフレームに
歪みがなく、きれいな形状のパラボラが形成されるた
め、発光効率が向上すると共に、ワイヤの接触不良の発
生も殆どない。その結果、高品質で信頼性の高い発光素
子が得られる。
フレームを用いた発光素子によれば、リードフレームに
歪みがなく、きれいな形状のパラボラが形成されるた
め、発光効率が向上すると共に、ワイヤの接触不良の発
生も殆どない。その結果、高品質で信頼性の高い発光素
子が得られる。
【００２８】さらに、本発明の半導体装置によれば、Ｉ
Ｃのチップの高さの異なるものを同一パッケージに組み
込む場合でも、ワイヤボンディング不良が発生すること
がなく信頼性の高い半導体装置が得られる。
Ｃのチップの高さの異なるものを同一パッケージに組み
込む場合でも、ワイヤボンディング不良が発生すること
がなく信頼性の高い半導体装置が得られる。
【図１】本発明の発光素子およびリードフレームの製法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２】本発明の発光素子の改良された例を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明のリードフレームの製法の応用例を示す
図である。
図である。
【図４】従来の発光素子のダイパッド部の形状を示す図
である。
である。
１ ダイパッド ２ 凹部 ２ａ エッチング穴 ３ ＬＥＤチップ ４ リード ５ ワイヤ ６ 切欠部
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップをボンディングするダイパ
ッドと、該ダイパッドにボンディングされる半導体チッ
プとワイヤにより電気的に接続されるリードとを有する
リードフレームの製法であって、板状体で、前記ダイパ
ッドが形成され半導体チップがボンディングされる部分
にエッチングにより貫通しないエッチング穴を形成し、
ついで金型により前記エッチング穴を整形することによ
り凹部を形成するリードフレームの製法。 - 【請求項２】 前記エッチング穴の整形を、前記ダイパ
ッドおよびリードを形成するために前記板状体を打ち抜
く際に同時に行う請求項１記載のリードフレームの製
法。 - 【請求項３】 前記板状体のダイパッドが形成される部
分に前記エッチング穴を形成するためのエッチングをす
る際に、形成されるダイパッドの端部となる部分で前記
リードと隣接する側の部分を同時にエッチングすること
によりダイパッドの端部に切欠部を形成する請求項１ま
たは２記載のリードフレームの製法。 - 【請求項４】 請求項１記載のリードフレームの該ダイ
パッドに発光素子チップをボンディングし、該発光素子
チップと前記リードをワイヤで電気的に接続し、前記発
光素子チップおよび前記リードの端部の部分を透明樹脂
で被覆した後、リードフレームから切断分離する発光素
子の製法。 - 【請求項５】 板状体の裏面が平らで表面側に凹部が形
成されたダイパッドと、該ダイパッドの凹部にボンディ
ングされた発光素子チップと、前記ダイパッドと隣接し
て設けられたリードと、前記発光素子チップの電極端子
と前記リードの端部とを電気的に接続するワイヤとから
なり、前記ダイパッドの前記リード側の端部に切欠部が
形成されてなる発光素子。 - 【請求項６】 高さの異なる半導体チップがそれぞれダ
イパッドにボンディングされ、１つのパッケージに包含
される半導体装置であって、前記半導体チップのうちの
背の高いチップがボンディングされるダイパッドの少な
くとも半導体チップがボンディングされる部分が予め薄
く形成され、前記ダイパッドの裏面からの各半導体チッ
プの表面の高さが実質的に同じ高さに形成されてなる半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03966196A JP3571450B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | リードフレームの製法および発光素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03966196A JP3571450B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | リードフレームの製法および発光素子の製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003414222A Division JP3967314B2 (ja) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232637A true JPH09232637A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3571450B2 JP3571450B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=12559278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03966196A Expired - Fee Related JP3571450B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | リードフレームの製法および発光素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3571450B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1928033A3 (en) * | 2006-11-30 | 2010-09-01 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
| JP2011233928A (ja) * | 2006-07-13 | 2011-11-17 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 |
| CN102655201A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-09-05 | 湖北匡通电子股份有限公司 | 一种带反射腔的smd型led支架 |
| US8941134B2 (en) | 2006-07-13 | 2015-01-27 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices having heat dissipating regions in packaging |
| JP2019511128A (ja) * | 2016-05-17 | 2019-04-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 電気デバイスを備えるアセンブリ |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP03966196A patent/JP3571450B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233928A (ja) * | 2006-07-13 | 2011-11-17 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 |
| US8941134B2 (en) | 2006-07-13 | 2015-01-27 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices having heat dissipating regions in packaging |
| EP1928033A3 (en) * | 2006-11-30 | 2010-09-01 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
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| JP2019511128A (ja) * | 2016-05-17 | 2019-04-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 電気デバイスを備えるアセンブリ |
| US10637206B2 (en) * | 2016-05-17 | 2020-04-28 | Osram Oled Gmbh | Assembly comprising an electric component |
| US11177628B2 (en) * | 2016-05-17 | 2021-11-16 | Osram Oled Gmbh | Assembly comprising an electric component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3571450B2 (ja) | 2004-09-29 |
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