JP2632767B2 - 積層型リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

積層型リードフレームおよびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、積層型リードフレーム
およびその製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体素
子の発熱を拡散すると共に、インナーリードに滞留した
残留応力の開放時のインナーリードの変形を防止するヒ
ートシンクを別体に装着した積層型リードフレームおよ
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴う半導
体素子の発熱の対策として、半導体装置に熱を拡散させ
るヒートシンク(放熱板)を装着させたり、半導体装置
の多ピン化に対応して、リードの残留応力を除去する熱
処理が行われている。以下、図6、7を参照して従来の
リードフレームを具体的に説明する。
【0003】図6に示すように、従来のリードフレーム
100は、条材をプレス加工またはエッチング加工し
て、多数本のリード101などを有するリードフレーム
本体102を設け、次いで加工履歴により生じた残留応
力を除去する熱処理を行った後、その表面にメッキ加工
を施す。続いて、リード101のインナーリード103
の先端部の裏面に、インナーリード103を一括して連
結すると共に熱可塑性の絶縁性接着材からなる枠形絶縁
テープ104を貼着し、この枠形絶縁テープ104を介
して、インナーリード103に半導体素子105の搭載
部を兼ねたヒートシンク106を結合することによりリ
ードフレーム100が製造される。なお、このヒートシ
ンク106の四隅には、屈曲したサポートリード107
が突設されており、各サポートリード107は、枠形絶
縁テープ104の対応する角部に熱圧着されている。ま
た、枠形絶縁テープ104の角部にはインナーリード1
03は配置されていない。
【0004】また、図示しないものの、従来の他のリー
ドフレームとして、リードフレーム本体から下方に屈曲
状態で延びる4本の長尺なサポートリードを介して、イ
ンナーリードの先方の空隙部に、前記ヒートシンクを宙
吊り状態に保持したものが知られている。なお、これら
の従来のリードフレームに使用されるヒートシンクのサ
ポートリードは、図7に示すように、モールド体の上部
の厚さAと下部の厚さBがほぼ同じになるように屈曲さ
れている。同図に示すように、このリードフレーム10
0は、半導体素子105をヒートシンク106の半導体
素子搭載部を兼ねた底部の上面に搭載し、次いでインナ
ーリード103と半導体素子105の電極をワイヤ10
8により接続した後、半導体素子105およびその搭載
部を樹脂モールドしてモールド体109を設け、それか
らアウターリード110の先端の切断とそのフォーミン
グを行って半導体装置を製造するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リードフレーム100では、このようにサポートリード
107が熱圧着されるインナーリード103群のそれぞ
れの角部にインナーリード103が配置されていないの
で、サポートリード103は枠形絶縁テープ104だけ
に熱圧着される。従って、インナーリード103は組み
立て工程などの後工程において加熱されると、予め取り
除かれた加工履歴による残留応力が開放されてインナー
リード103の先端部が変形し、これによりワイヤボン
ディングが不安定になる。そこで、リードフレーム10
0の形状加工後に、再び残留応力を除去する熱処理が必
要であり、この熱処理のための設備や作業工程を要する
という問題点があった。さらに、近来、半導体装置の高
集積化に伴い、半導体素子が大きくなり、インナーリー
ド103の先端と、モールド体109の端部との距離が
短くなり、アウターリード110のフォーミングの際
に、インナーリード103が外方に引っ張られてワイヤ
108にストレスが生じたり、モールド樹脂との接着性
が低下して、長期的な信頼性が低下するなどの問題点が
あった。
【0006】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、リードフレームに滞留した加工履歴中の残留応
力を除去する熱処理工程を省いて製造工程の短縮化を図
ると共に、良好な放熱効率が得られ、またインナーリー
ドの変形を防止して、インナーリードの位置精度の向上
およびインナーリードの浮き沈みを解消することにより
インナーリードの平坦度の向上が図れる積層型リードフ
レームおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項1
記載の積層型リードフレームは、多数本のリードと、該
リードのインナーリードを一括して連結する絶縁性接着
材からなる枠形の接合部と、少なくとも各角部に切欠孔
が設けられた外縁部を、前記接合部に熱圧着される枠形
の平坦部を外側に設けて段差状に屈曲させた半導体素子
搭載部を有するヒートシンクとを備えた構成としてい
る。また、請求項2記載の積層型リードフレームの製造
方法は、リードフレーム用の条材を打ち抜いて、多数本
のリードのインナーリードの先端が連結部により連結さ
れた中間形状のリードフレーム本体を設け、前記インナ
ーリードの先端部および連結部の少なくとも片面に、絶
縁性接着材からなる絶縁テープを貼着し、次いで前記連
結部を打ち抜いて、各インナーリードの先端を切断する
と共に、該インナーリードを一括して連結する前記絶縁
テープからなる枠形の接合部を設け、一方、半導体素子
搭載部を有するヒートシンクの、少なくとも各角部に切
欠孔が設けられた外縁部を、外側に枠形の平坦部を設け
て段差状に屈曲させ、次いで前記接合部を介して、前記
ヒートシンクの平坦部を前記リードフレーム本体のイン
ナーリードに接合させた構成としている。
【0008】
【作用】請求項1、2記載の積層型リードフレームおよ
びその製造方法においては、ヒートシンクの半導体素子
搭載部を支持する外縁部を段差状に屈曲するように外方
から圧力をかけて半導体素子搭載部を形成する際に、こ
の外縁部の少なくとも各角部には切欠孔が設けられてい
るので、外縁部の切欠孔間のサポートリード部分が、外
縁部の外側にほとんど歪みのない枠形の平坦部を残し、
前記半導体素子搭載部を屈曲することができる。次い
で、この平坦部を、インナーリードの枠形の接合部に熱
圧着することにより、ヒートシンクは、従来のように半
導体素子搭載部の四隅から延びるサポートリードを熱圧
着したものや、リードフレーム本体と一体化した長尺な
サポートリードに比べ、全てのインナーリードの先端部
に熱圧着されるので、半導体素子搭載部の取り付け、支
持が安定する。
【0009】しかも、インナーリードは、このように接
合部を介して枠形の平坦部に堅固に熱圧着されているの
で、リードに滞留する残留応力を取り除く熱処理をしな
くても、半導体装置の組み立てなどの後工程における加
熱時に生じる残留応力の開放によるインナーリードの変
形を拘束し、リードの寄りや浮き沈みを防止できる。さ
らに、枠形の平坦部によりインナーリードを固定してい
るので、アウターリードのフォーミングの際に生じるイ
ンナーリードの引っ張りを防止できると共に、モールド
樹脂の密着性を向上させる。
【0010】
【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図1は本発明の一実施例の積層型リードフ
レームおよびその製造方法に係るリードフレームの分解
斜視図、図2は同断面図、図3(a)は同打抜き加工さ
れたリードフレーム本体の斜視図、図3(b)は同イン
ナーリードの先端部および先端を連結した連結部を絶縁
テープにより貼着した状態の斜視図、図3(c)は同イ
ンナーリードの先端を連結した連結部を除去した斜視
図、図4(a)は同ヒートシンクの所要の形状を打ち抜
き加工中の斜視図、図4(b)は同ヒートシンクの屈曲
加工中の断面図、図4(c)は同ヒートシンクの打抜き
加工中の断面図、図5(a)は同リードフレーム本体へ
のヒートシンクの搭載中の斜視図、図5(b)は同リー
ドフレーム本体へのヒートシンクの熱圧着中の断面図を
示している。
【0011】まず、本発明の一実施例に係るリードフレ
ームの構成を説明する。図1、2に示すように、本発明
の一実施例に係るリードフレーム10は、順送り金型に
より打抜き加工されたリードフレーム本体11を有して
いる。リードフレーム本体11には多数本のリード12
が設けられており、それぞれのリード12のインナーリ
ード13の先端部は、熱可塑性の絶縁性接着材からなる
枠形の接合部の一例としての枠形絶縁テープ14により
一括して連結されている。枠形絶縁テープ14の下面に
は、半導体素子15が搭載される下方に屈曲(ダウンセ
ット)する半導体素子搭載部16dを有するヒートシン
ク16が熱圧着されている。
【0012】ヒートシンク16の外縁部16aの全域に
は、四隅を含んで多数個の長方形の切欠孔17が所定間
隔毎に穿孔されており、またこの外縁部16aは、枠形
絶縁テープ14に熱圧着される枠形の平坦部16bを外
側に設けて、それぞれの切欠孔17間に形成された多数
本のサポートリード16cを介して、段差状に屈曲され
ている。このヒートシンク16の屈曲量は、半導体素子
15を半導体素子搭載部16dに搭載した際に、モール
ド体36の上部幅Aと下部幅Bがほぼ等しくなるように
設定されている(図2参照)。
【0013】続いて、図3〜5を参照して本発明の一実
施例のリードフレーム10の製造方法を説明する。図3
(a)に示すように、リードフレーム10の条材を金型
により打抜き加工して、多数本のリード12を有する中
間形状のリードフレーム本体11を設ける。このとき、
全てのインナーリード13の先端はほぼ四角形の連結部
11aにより連結されている。次に、図3(b)に示す
ように、移載ヘッド18のノズル19にほぼ四角形の熱
可塑性の絶縁性接着材からなる絶縁テープ14Aを吸着
して、これを図3(a)に示すリードフレーム本体11
の接着エリアaに接着する。これにより、インナーリー
ド13の先端部上に、絶縁テープ14Aの外縁部が接着
される。次いで、図3(c)に示すように、それぞれの
インナーリード13の先端の端面と枠形の枠形絶縁テー
プ14を残すように、打抜き用の刃物20を有する抜き
型21により連結部11aを打ち抜いて除去した後、イ
ンナーリード13の先端の端面と枠形絶縁テープ14の
端面にシェイビング加工を施して、インナーリード13
の先端部に枠形絶縁テープ14を有するリードフレーム
本体11を連続した条材が設けられる。
【0014】一方、このリードフレーム11の形成と平
行して、図4(a)に示すように、所要の条材22から
ヒートシンク16を支持する支持タブとパイロット孔を
備えた外枠と内枠とを有し、多数個のパンチ(刃物)が
一定間隔で枠型に配列されたパンチブロック23を有す
る上型24と下型25により打ち抜いて、ヒートシンク
16の外縁部16aに設けられる多数個の切欠部17を
穿孔して、サポートリード16c、枠形の平坦部16
b、半導体素子搭載部16dを有するヒートシンク16
を連続した条材22aを設ける(図4(b)参照)。そ
れから、図4(b)に示すように、条材22aをダウン
セットパンチおよびダイを有する上下型26、27によ
りプレスして、サポートリード16cを下方に屈曲させ
て、平坦部16bと半導体搭載部16dとに所定の屈曲
量を有する段差を設けている。このとき、半導体素子搭
載部16dは、切欠孔17を有する外縁部16aのサポ
ートリード16c部分で屈曲されるので、ほとんど歪み
のない枠形の平坦部16bと半導体素子搭載部16dが
形成される。次いで、図4(c)に示すように、条材2
2aに形成されたヒートシンク16を、前記支持タブを
上型26aに設けたパンチ28により切断してヒートシ
ンク16を分離する。
【0015】それから、ヒートシンク16を図5(a)
に示す移載ヘッド29のノズル30により吸着してピッ
クアップし、移載ヘッド29を前記リードフレーム本体
11上に移動させてこれを昇降させ、ヒートシンク16
の平坦部16bを枠形絶縁テープ14上に載置する。次
にまた、図5(b)に示すように、リードフレーム本体
11を熱圧着台31上に載置し、ヘッド32の下面に設
けられた枠形の熱圧着子33により、上方からヒートシ
ンク16の平坦部16bを押圧することにより、インナ
ーリード13の先端部にヒートシンク16が熱圧着され
て、図2実線に示す積層型リードフレーム10が製造さ
れる。
【0016】なお、製造されたリードフレーム10は、
図2に示すように、上下反転された後に半導体素子15
をヒートシンク16の半導体素子搭載部16dに搭載
し、次いでインナーリード13のワイヤボンディングエ
リアと半導体素子15の電極をワイヤ35により接続し
て電気的導通回路を形成した後、樹脂モールドしてモー
ルド体36を設け、それからアウターリード37の先端
の切断とそのフォーミングを行って半導体装置38を製
造するものである。半導体素子15の搭載部の樹脂モー
ルド時には、モールド体36の上部幅Aと下部幅Bがほ
ぼ等しくなるように屈曲量を設定できるので、上部と下
部側でモールド樹脂の流れが異なるのを原因とするモー
ルド樹脂の充填欠陥が発生するのを防止できる。
【0017】このように、ヒートシンク16の平坦部1
6bを、枠形絶縁テープ14を介してインナーリード1
3に熱圧着することにより、ヒートシンク16は、従来
のようにインナーリード13が枠形絶縁テープ14のみ
により連結されていたものに比べて連結が著しく堅固に
なり、インナーリード13の浮き沈みや寄りがなくな
り、平坦度および位置精度の向上が図れると共に、アウ
ターリード37のフォーミング時に引っ張りに対するイ
ンナーリード13および半導体素子搭載部16dの安定
性が向上する。しかも、インナーリード13は、このよ
うに枠形絶縁テープ14を介して枠形の平坦部16bに
堅固に熱圧着されるので、リード12の残留応力を取り
除く熱処理をしなくても、ヒートシンク16をインナー
リード13に熱圧着する際のインナーリード13の熱変
形を防止でき、これにより熱処理に要する設備コストの
削減や作業時間の短縮化が図れる。
【0018】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明はこの実施例に限定されるものではなく、要旨を逸脱
しない限り、本発明に含まれる。例えば、リードフレー
ムを製造する方法は、実施例のものに限定されるもので
はなく、例えば図1に示すようにインナーリードの先端
部の下面に、接着部とヒートシンクを順次取り付けるよ
うにして製造するなど、その製造方法はどのような方法
や手順であってもかまわない。また、実施例では、絶縁
テープおよびヒートシンクの移載に、移載ヘッドを用い
て説明したが、積層型リードフレームの製造工程の所定
位置の上部または下部のいずれかで、リードフレーム本
体と、帯状の絶縁テープおよびヒートシンクが連続した
条材とを交差させて圧着して形成してもよい。さらに、
実施例では、ヒートシンクの外縁部に設けられる切欠孔
を、この外縁部の全域に多数個設けたが、これに限定し
なくても、少なくとも外縁部の各角部に設けてあればか
まわない。
【0019】
【発明の効果】請求項1、2記載のリードフレームおよ
びその製造方法は、このようにヒートシンクの外縁部の
切欠孔間の部分のサポートリードが、外縁部の外側にほ
とんど歪みのない枠形の平坦部を残して屈曲しているの
で、熱応力に対して安定性が向上する。また、ヒートシ
ンクの平坦部を絶縁テープを介してインナーリードに熱
圧着することにより、従来のようにインナーリードが絶
縁テープのみにより連結されていたのに比べて連結が著
しく堅固になり、インナーリードの浮き沈みや寄りがな
くなって平坦度および位置精度の向上ができると共に、
アウターリードのフォーミングによる引っ張りに対する
インナーリードおよび半導体素子搭載部の安定性が向上
する。しかも、インナーリードは、このように絶縁テー
プを介して枠形の平坦部に堅固に熱圧着されているの
で、リードの残留応力を取り除く熱処理に要する設備コ
ストの削減や作業時間の短縮化が図れる。さらに、枠形
の平坦部によりインナーリードを固定しているので、ア
ウターリードのフォーミングの際に生じるインナーリー
ドの引っ張りを防止できる。さらにまた、インナーリー
ドを枠形の平坦部により固定しているので、樹脂パッケ
ージに生じるクラックを防止でき、半導体装置の信頼性
が向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のリードフレームおよびその
製造方法に係るリードフレームの分解斜視図である。
【図2】同断面図である。
【図3】(a) 同打抜き加工されたリードフレーム本
体の斜視図である。 (b) 同インナーリードの先端部および先端を連結し
た連結部を絶縁テープにより貼着した状態の斜視図であ
る。 (c) 同インナーリードの先端を連結した連結部を除
去した斜視図である。
【図4】(a) 同ヒートシンクの所要の形状を打ち抜
き加工中の斜視図である。 (b) 同ヒートシンクの屈曲加工中の断面図である。 (c) 同ヒートシンクの打抜き加工中の断面図であ
る。
【図5】(a) 同リードフレーム本体へのヒートシン
クの搭載中の斜視図である。 (b) 同リードフレーム本体へのヒートシンクの熱圧
着中の断面図である。
【図6】従来手段のリードフレームの分解斜視図であ
る。
【図7】同断面図である。
【符号の説明】
10 リードフレーム 11 リードフレーム本体 11a 連結部 12 リード 13 インナーリード 14 枠形絶縁テープ(接合部) 14A 絶縁テープ 15 半導体素子 16 ヒートシンク 16a 外縁部 16b 平坦部 16c サポートリード 16d 半導体素子搭載部 17 切欠孔 18 移載ヘッド 19 ノズル 20 刃 21 抜き型 22 条材 22a 条材 23 パンチブロック 24 上型 25 下型 26 上型 26a 上型 27 下型 28 刃 29 移載ヘッド 30 ノズル 31 熱圧着台 32 ヘッド 33 熱圧着子 34 ボンド 35 ワイヤ 36 モールド体 37 アウターリード 38 半導体装置

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数本のリードと、該リードのインナー
    リードを一括して連結する絶縁性接着材からなる枠形の
    接合部と、少なくとも各角部に切欠孔が設けられた外縁
    部を、前記接合部に熱圧着される枠形の平坦部を外側に
    設けて段差状に屈曲させた半導体素子搭載部を有するヒ
    ートシンクとを備えたことを特徴とする積層型リードフ
    レーム。
  2. 【請求項2】 リードフレーム用の条材を打ち抜いて、
    多数本のリードのインナーリードの先端が連結部により
    連結された中間形状のリードフレーム本体を設け、前記
    インナーリードの先端部および連結部の少なくとも片面
    に、絶縁性接着材からなる絶縁テープを貼着し、次いで
    前記連結部を打ち抜いて、各インナーリードの先端を切
    断すると共に、該インナーリードを一括して連結する前
    記絶縁テープからなる枠形の接合部を設け、 一方、半導体素子搭載部を有するヒートシンクの、少な
    くとも各角部に切欠孔が設けられた外縁部を、外側に枠
    形の平坦部を設けて段差状に屈曲させ、 次いで、前記接合部を介して、前記ヒートシンクの平坦
    部を前記リードフレーム本体のインナーリードに接合さ
    せたことを特徴とする積層型リードフレームの製造方
    法。
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