KR20050039588A - 고체 촬상 장치 - Google Patents

고체 촬상 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050039588A
KR20050039588A KR1020040083974A KR20040083974A KR20050039588A KR 20050039588 A KR20050039588 A KR 20050039588A KR 1020040083974 A KR1020040083974 A KR 1020040083974A KR 20040083974 A KR20040083974 A KR 20040083974A KR 20050039588 A KR20050039588 A KR 20050039588A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
imaging device
rib
bonded
solid
Prior art date
Application number
KR1020040083974A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100644180B1 (ko
Inventor
시미즈가츠토시
미나미오마사노리
야마우치고우이치
Original Assignee
마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 filed Critical 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Publication of KR20050039588A publication Critical patent/KR20050039588A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100644180B1 publication Critical patent/KR100644180B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

기판(2)과, 기판 상에 설치되어 내부 공간을 형성하는 테두리 형상의 리브(3)와, 기판과 리브에 의해 형성된 통체(1)의 내부 공간으로부터 외부에 걸쳐 전기적인 도출을 하기 위한 다수의 배선 부재(9)와, 내부 공간 내에서 배선 기판 상에 접합된 촬상 소자(5)와, 리브의 상단면에 접합된 투광판(7)과, 촬상 소자의 전극과 각 배선 부재를 접속하는 금속 세선(10)을 구비한다. 기판에서의 촬상 소자에 면한 영역에는 다수개의 반구형 돌기(2a)가 설치되고, 촬상 소자는 돌기에 지지된 상태로 기판에 대하여 접착재(6)에 의해 접합되어 있다. 평탄도가 불충분한 기판 면에 촬상 소자가 접합된 경우에도, 촬상 소자가 기판면을 따름으로써 변형의 발생이 억제되어, 변형에 의한 전기적 특성 등에의 영향이 경감된다.

Description

고체 촬상 장치{SOLID IMAGE PICKUP APPARATUS}
본 발명은 CCD 등의 촬상 소자가 통체 내에 탑재된 구성의 고체 촬상 장치에 관한 것이다.
고체 촬상 장치는 비디오 카메라나 스틸 카메라 등에 널리 이용되고, CCD 등의 촬상 소자를 절연성 재료로 이루어지는 베이스에 탑재하여, 수광 영역을 투광판으로 덮은 패키지의 형태로 제공된다. 장치의 소형화를 위해, 촬상 소자는 베어 칩의 상태로 베이스에 탑재된다. 이와 같은 고체 촬상 장치의 종래예로서, 일본국 특개 2001-77277호 공보에 기재된 고체 촬상 장치를 도 9에 도시한다.
도 9에서, 41은 통체이고, 수지 몰드에 의해 일체 성형된 기판부(41a) 및 테두리 형상의 리브(41b)로 이루어지며, 이 상면에 내부 공간(42)이 형성되어 있다. 통체(41)에는 기판부(41a)의 중앙부에 위치하는 다이 패드(43) 및 리브(41b)의 하부에 위치하는 리드(44)가 매립된다. 내부 공간(42)의 중앙부에 배치된 촬상 소자 칩(45)은 다이 패드(43)의 상면에 고정된다. 리드(44)는 리브(41b)의 내측의 기판부(41a) 상면에서 내부 공간(42)으로 노출한 내부 단자부(44a)와, 리브(41b)의 하부에서 기판부(41a) 저면으로부터 노출한 외부 단자부(44b)를 갖는다. 내부 단자부(44a)와 촬상 소자 칩(45)의 본딩 패드는, 금속선으로 이루어지는 본딩 와이어(46)에 의해서 접속된다. 또 리브(41b)의 상단면에, 투명한 시일 글래스판(47)이 접합되어, 촬상 소자 칩(45)을 보호하기 위한 패키지가 형성된다.
이 고체 촬상 장치는, 도시된 바와 같이, 시일 글래스판(47)측을 상방으로 향하게 한 상태로 회로 기판 상에 탑재되어, 외부 단자부(44b)가 회로 기판 상의 전극과 접속하기 위해서 이용된다. 도시하지 않지만, 시일 글래스판(47)의 상부에는 촬상 광학계가 장착된 경통이, 촬상 소자 칩(45)에 형성된 수광 영역과의 상호 위치 관계를 소정 정밀도로 조정하여 장착된다. 촬상 동작 시에는, 경통에 조립된 촬상 광학계를 통하여 피촬상 대상으로부터의 광이 수광 영역으로 집광되어 광전 변환된다.
이와 같은 구조의 고체 촬상 장치는 통체 저면에 노출한 외부 단자부(44b)에 의해 회로 기판 상의 전극과 접속되므로, 통체의 측면으로부터 하방으로 꺽인 아우터 리드에 의한 접속을 이용한 구조에 비하면, 패키지의 높이나 점유 면적이 작으므로, 고밀도 실장에 적합하다.
상기 종래예의 고체 촬상 장치의 구성에서, 통체(41)의 기판부(41a)는 충분한 평탄도를 가질 필요가 있다. 즉, 촬상 소자 칩(45)은 통상적으로, 기판부(41a) 면에 접착재에 의해 접합되고, 접착재가 고화하면 촬상 소자 칩(45)을 기판부(41a) 면을 따르게 하는 힘이 작용한다. 따라서, 기판부(41a)의 평탄도가 양호하지 않으면, 촬상 소자 칩(45)이 변형되어 내부 응력이 발생하므로, 촬상 소자 칩(45)의 전기적 특성 등에 영향을 받게 된다.
그러나, 기판부(41a)를 성형할 경우에는, 단면 형상에서 어느 정도의 뒤틀림 혹은 휘어짐이 발생하는 것을 피하기 힘드므로 평탄도는 완전하지 않다.
본 발명은, 평탄도가 불충분한 기판 면에 촬상 소자가 접합된 경우에도, 촬상 소자가 기판 면을 따름으로써 변형의 발생이 억제되고, 변형에 의한 전기적 특성 등으로의 영향이 경감된 고체 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 설치되어 내부 공간을 형성하는 테두리 형상의 리브와, 상기 기판과 상기 리브에 의해 형성된 통체의 상기 내부 공간으로부터 외부에 걸쳐 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선 부재와, 상기 내부 공간 내에서 상기 배선 기판 상에 접합된 촬상 소자와, 상기 리브의 상단면에 접합된 투광판와, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선 부재를 접속하는 접속 부재를 구비한다. 상기 기판에서의 상기 촬상 소자에 면한 영역에는 다수 개의 돌기가 설치되고, 상기 촬상 소자는 상기 돌기에 지지된 상태로 상기 기판에 대하여 접착재에 의해 접합된다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 구성에서는, 통체를 형성하는 기판의 상면에는 촬상 소자가 탑재되는 영역에 다수개의 돌기가 설치되고, 촬상 소자는 돌기에 지지된 상태로 기판에 대하여 접착재에 의해 접합된다. 따라서, 촬상 소자가 기판 면을 따르게 되는 작용이 억제된다. 이것에 의하여, 평탄도가 양호하지 않은 기판 면에 촬상 소자가 접합되어도 촬상 소자에 변형이 발생하는 것이 억제되고, 변형에 의한 전기적 특성 등에의 영향이 경감된다.
상기 구성에서, 바람직하게는, 돌기의 개수가 3개이상이며 5개이하이다. 또, 바람직하게는, 돌기의 형상은 실질적으로 반구 형상이다. 본 발명의 구성은 기판과 리브가 배선 부재를 매립하여 수지에 의해 일체 성형되어 있는 구조에서, 특히 효과적이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에서의 고체 촬상 장치에 관하여, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 1은 고체 촬상 장치의 단면도, 도 2는 하면도, 도 3은 측면도이다.
1은 에폭시 수지 등의 가소성 수지로 이루어지는 통체이고, 평판 형상의 기판부(2) 상에 구형 테두리 형상의 리브(3)를 배치한 구조를 일체 성형에 의해 제작한 것이다. 통체(1)의 내부 공간(4)에 면한 기판부(2) 상에, 촬상 소자(5)가 접착재(6)에 의해 고정되어 있다. 리브(3)의 상단면에는, 예컨대 글래스로 이루어지는 투광판(7)이 접착제(8)에 의해 접합되어, 이것에 의하여 통체(1)의 내부 공간(4)이 봉지되어 패키지가 형성된다.
촬상 소자(5)에 면하는 기판부(2)의 상면의 영역 내에는 다수개의 반구형 돌기(2a)가 설치되어 있다. 따라서, 촬상 소자(5)는 반구형 돌기(2a)에 지지된 상태로, 기판부(2)에 대하여 접착재(6)에 의해 접합되어 있다. 그러므로, 촬상 소자(5)는 실질적인 점에 지지되고, 기판부(2) 면을 따르지 않는다. 그 결과, 평탄도가 양호하지 않은 기판 면에 기인하여 촬상 소자(5)에 변형이 발생되는 것이 경감된다. 반구형 돌기(2a)의 개수는, 실용적으로는 3개이상이며 5개이하인 것이 바람직하다. 돌기의 형상은 실질적으로 반구 형상인 것이 바람직하지만, 다른 형상이어도 된다.
통체(1)에는, 다수의 금속 리드편(9)이 성형 시에 매립된다. 금속 리드편(9)은 통체(1)의 내부 공간(4)으로부터 외부에 전기적인 도출을 행하기 위한 부재이고, 기판부(2)의 내부 공간(4)측 면에 노출한 내부 단자부(9a)와, 기판부(2)의 이면의 내부 단자부(9a)와 대응하는 위치에 노출한 외부 단자부(9b)와, 통체(1)의 외측면에 노출한 측면 전극부(9c)를 갖는다. 촬상 소자(5)의 패드 전극(5a)과 각 금속 리드편(9)의 내부 단자부(9a)는 각각 금속 세선(10)에 의해 접속되어 있다. 패키지 전체의 두께는, 예컨대 2.0mm이하로 설정된다. 도 1의 고체 촬상 장치로부터 투광판(7)을 제거한 상태의 평면 형상을 도 4에 도시한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 금속 리드편(9)에서 내부 단자부(9a)의 위치에 대응하는 이면이 외부 단자부(9b)가 된다. 또, 이들의 부분에서 금속 리드편(9)은 기판부(2)와 실질적으로 동일한 두께를 갖는다. 금속 리드편(9)에서의 리브(3)의 하부에 위치하는 부분은 하프 에칭에 의해 얇게 되고, 하면이 수지로 덮인다.
도 1 및 3에 도시하는 바와 같이, 통체(1)의 각 외측면, 즉 리브(3)의 외주면은, 기판부(2) 면에 대하여 실질적으로 직교하는 평면을 형성한다. 또, 투광판(7)의 단면 및 측면 전극부(9c)의 표면은, 통체(1)의 외측면과 실질적으로 동일 평면을 형성한다. 이러한 동일 평면을 이루는 형상은 예컨대, 제조 공정에서 리브(3) 및 투명판(7)을 일괄해서 절단함으로써, 양호한 평탄도를 가지며 형성하는 것이 가능하게 된다.
상기 구성의 고체 촬상 장치를 제조하는 방법에 관해서, 도 5a∼5f, 도 6, 도 7을 참조하여 설명한다.
우선 도 5a에 도시하는 바와 같이, 리드 프레임(21)을 준비한다. 리드 프레임(21)은, 도 6의 평면 형상에 도시하는 바와 같이, 도 1에 도시한 금속 리드편(9)을 형성하기 위한 리드부(22)를 다수개 연결한 것이다. 각 리드부(22)의 내부 단자부(9a)에 대응하는 위치에서의 두께는, 기판부(2)의 두께와 실질적으로 동일하게 설정된다. 리드부(22)는 그 하면에 하프 에칭에 의해 형성된 오목부(23)를 갖고, 후 공정으로부터 이 부분에서 절단됨으로써 도 1에 도시한 금속 리드편(9)의 형상이 된다.
다음에, 도 5b에 도시하는 바와 같이, 리드 프레임(21)을 매립하여 수지의 일체 성형에 의해, 기판부(24) 및 리브 형성 부재(25)로 이루어지는 통체(26)를 다수개 일괄하여 제작한다. 기판부(24)의 상면에는, 다수개(도면에서는 각 통체 내에 4개)의 반구형 돌기(24a)를 형성한다. 성형 후의 평면 형상을 도 7에 도시한다. 리드부(22)의 상하면은 각각 기판부(24)의 상하면으로부터 노출되도록 매립하여 각각 내부 단자부(9a) 및 외부 단자부(9b)를 형성한다. 리브 형성 부재(25)는 인접하는 통체(26)의 리브를 일체로 합체시켜 성형한다.
다음에, 도 5c에 도시하는 바와 같이, 각 통체(26)의 반구형 돌기(24a)가 형성된 촬상 소자(5)를 고정해야 할 영역에 접착재(6)를 부여한다. 그리고, 반구형 돌기(24a) 상에 지지되어, 접착재(6)에 의해 접합되도록 촬상 소자(5)를 재치한다. 또한, 촬상 소자(5)의 패드 전극(5a)과 각 내부 단자부(9a)를 금속 세선(10)에 의해 접속한다.
다음에 도 5d에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(25)의 상단면에 접착재(28)를 도포하여, 투명판(27)을 재치하여 접합한다.
다음에 도 5e에 도시하는 바와 같이, 투명판(27), 리브 형성 부재(25), 리드부(22) 및 기판부(24)를 다이싱 블레이드(29)에 의해 절단하여, 도 5f에 도시하는 바와 같이, 각 고체 촬상 장치를 형성하는 개편으로 분리한다. 절단은, 도 5e에 도시한 바와 같이, 기판부(24)에 직교하는 방향이며, 또한 평면 형상에서 각 리브 형성 부재(25)의 폭을 2분하는 방향으로 행한다. 그 결과, 분단된 투명판(27), 리브 형성 부재(25), 리드부(22) 및 기판부(24)에 의해, 하나의 고체 촬상 장치를 구성하는 투명판(7)과, 기판부(2) 및 리브(3)로 이루어지는 통체(1)와, 금속 리드편(9)이 형성된다. 또, 금속 리드편(9)의 측면 전극부(9c)가 노출된다.
이 제조 방법에 의하면, 인접하는 통체(26)의 2개의 리브가 일체로 합체된 하나의 리브 형성 부재(25)는, 하나의 리브를 개별로 성형하는 경우의 폭의 2배보다 작은 폭으로 설정 가능하다. 따라서, 이것을 도 5e에 도시하는 바와 같이 절반으로 절단하면, 도 5f에 도시하는 각 개편의 고체 촬상 장치에서의 리브(3)의 폭은 하나의 리브를 개별로 성형한 경우에 비하면 작아지므로, 그 만큼 고체 촬상 장치의 면적이 축소된다.
또, 리브 형성 부재(25)를 폭 방향으로 2분하여 절단함으로써, 절단면은 기판부(24)에 수직이 되고, 투명판(27), 리브 형성 부재(25) 및 리드부(22)가 동일한 다이싱 블레이드(29)에 의해 일괄적으로 절단되므로, 투명판(27)의 단면, 통체(1)의 측면 및 금속 리드편(9)의 단면이 형성하는 패키지 측면은 실질적으로 동일 평면이 되어 양호한 평탄도를 얻을 수 있다. 따라서, 광학계를 수용한 경통을 장착할 시에, 패키지의 측면을 이용하여 촬상 소자(5)의 수광부에 대한 광학계의 위치 결정을 고정밀도로 행할 수 있다.
다음에, 상술의 제조 공정의 도 5b에 도시한, 수지에 의한 통체의 성형 공정에 관해서, 도 8을 참조하여 구체적으로 설명한다.
우선 도 8a에 도시하는 바와 같이, 상금형(30) 및 하금형(31)간에 리드 프레임을 배치하여, 리드부(22)의 상하면을 상금형(30) 및 하금형(31)으로 클램프한다. 하금형(31)의 상면은 평면이지만, 상금형(30)의 하면에는 오목부(32)가 설치되어 있다. 리드부(22)를 통함으로써 상금형(30) 및 하금형(31) 간에 형성된 공간부(33), 상금형(30)의 오목부(32)의 공간부 및 리드부(22)의 오목부(23)의 공간부가 수지 성형용의 캐비티를 형성한다. 기판부(24)를 성형하기 위한 공간부(33)에 대응하는 상금형(30) 면에는, 기판부(24)의 반구형 돌기(24a)에 대응하는 위치(도 5b 참조)에, 반구형 홈(30a)이 형성되어 있다.
다음에 도 8b에 도시하는 바와 같이, 캐비티에 수지를 충전하여, 기판부(24) 및 리브 형성 부재(25)를 성형한다. 기판부(24)의 상면에는 반구형 돌기(24a)가 형성된다. 그 후 도 8c에 도시하는 바와 같이, 금형을 열어, 도 5b에 도시한 바와 같이, 통체가 연결된 성형체를 취출한다.
이 성형 공정에 의하면, 상금형(30)에 약간의 변경을 가할 뿐, 다른 공정을 추가하지 않고 반구형 돌기(24a)를 간단하게 형성할 수 있다.
또한, 이 성형 공정에서는, 리드부(22)의 상하면을 상금형(30) 및 하금형(31)으로 클램프함으로써, 금형면과 리드부(22)의 상하면이 밀착한 상태를 안정적으로 얻을 수 있게 된다. 또, 상금형(30)의 오목부(32)의 경계부는, 리드부(22)의 상면에 배치된다. 이상의 결과로부터, 성형에 의한 수지 버르의 발생이 효과적으로 억제된다.
또, 통체의 수지 성형에 있어서는, 금형과 리드 프레임(21) 간에, 수지 플레시 버르의 발생을 억제하기 위한 수지 시트를 개재시키면, 버르 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 따르면, 평탄도가 불충분한 기판 면에 촬상 소자가 접합된 경우에도, 촬상 소자가 기판 면을 따름으로써 변형의 발생이 억제되고, 변형에 의한 전기적 특성 등으로의 영향이 경감된 고체 촬상 장치를 획득할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에서의 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도,
도 2는 도 1의 고체 촬상 장치의 하면도,
도 3은 도 1의 고체 촬상 장치의 측면도,
도 4는 도 1의 고체 촬상 장치의 투명판을 제거하여 도시한 평면도,
도 5는 도 1의 고체 촬상 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
도 6은 동 제조 방법에서의 리드 프레임을 도시하는 평면도,
도 7은 동 제조 방법에서의 리드 프레임을 매립하여 성형된 수지 성형체를 도시하는 평면도,
도 8은 동 제조 방법에서의 수지 성형의 공정을 구체적으로 도시하는 단면도,
도 9는 종래예의 고체 촬상 장치의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 통체 2 : 기판부
2a : 반구형 돌기 3 : 리브
4 : 내부 공간 5 : 촬상 소자
6 : 접착재 7 : 투광판
8 : 접착제 9 : 금속 리드편
9a : 내부 단자부 9b : 외부 단자부
9c : 측면 전극부 10 : 금속 세선
21 : 리드 프레임 22 : 리드부
23 : 오목부 24 : 기판부
24a: 반구형 돌기 25 : 리브 형성 부재
26 : 통체 27 : 투명판
28 : 접착재 29 : 다이싱 블레이드
30 : 상금형 30a: 반구형 홈
31 : 하금형 32 : 오목부
33 : 공간부

Claims (4)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 설치되고 내부 공간을 형성하는 테두리 형상의 리브와, 상기 기판과 상기 리브에 의해 형성된 통체의 상기 내부 공간으로부터 외부에 걸쳐 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선 부재와, 상기 내부 공간 내에서 상기 배선 기판 상에 접합된 촬상 소자와, 상기 리브의 상단면에 접합된 투광판과, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선 부재를 접속하는 접속 부재를 구비한 고체 촬상 장치에 있어서,
    상기 기판에서의 상기 촬상 소자에 면한 영역에는 다수개의 돌기가 설치되고, 상기 촬상 소자는 상기 돌기에 지지된 상태로 상기 기판에 대하여 접착재에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 돌기의 개수는 3개 이상이며 5개 이하인 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 돌기의 형상은 실질적으로 반구 형상인 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 리브는 상기 배선 부재를 매립하여 수지에 의해 일체 성형되어 있는 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
KR1020040083974A 2003-10-23 2004-10-20 고체 촬상 장치 KR100644180B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00363609 2003-10-23
JP2003363609A JP3838573B2 (ja) 2003-10-23 2003-10-23 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050039588A true KR20050039588A (ko) 2005-04-29
KR100644180B1 KR100644180B1 (ko) 2006-11-10

Family

ID=34386532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040083974A KR100644180B1 (ko) 2003-10-23 2004-10-20 고체 촬상 장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7586529B2 (ko)
EP (1) EP1526578A3 (ko)
JP (1) JP3838573B2 (ko)
KR (1) KR100644180B1 (ko)
CN (1) CN100433301C (ko)
TW (1) TW200515575A (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059581A (ja) 2005-08-24 2007-03-08 Konica Minolta Opto Inc 固体撮像装置及びカメラモジュール
TWI273325B (en) * 2005-11-18 2007-02-11 Innolux Display Corp Liquid crystal display
US7964945B2 (en) * 2007-09-28 2011-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Glass cap molding package, manufacturing method thereof and camera module
JP4961398B2 (ja) * 2008-06-30 2012-06-27 株式会社日立製作所 半導体装置
JP4560121B2 (ja) * 2008-12-17 2010-10-13 株式会社東芝 センサー固定装置およびカメラモジュール
KR20110001659A (ko) * 2009-06-30 2011-01-06 삼성테크윈 주식회사 카메라 모듈
JP2011018954A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
JP6110673B2 (ja) * 2012-02-17 2017-04-05 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 光センサ装置
KR101319707B1 (ko) * 2012-02-29 2013-10-17 주식회사 팬택 카메라 모듈, 이를 포함하는 이동 통신 단말기 및 그 제조 방법
CN104517985B (zh) * 2013-09-26 2017-10-10 上海澳华光电内窥镜有限公司 一种内窥镜用成像器件的切割封装方法以及内窥镜用成像器件
JP2017041615A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社フジクラ 光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法
DE102018122515B4 (de) * 2018-09-14 2020-03-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiteroxid- oder Glas-basierten Verbindungskörpers mit Verdrahtungsstruktur
WO2020175619A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 京セラ株式会社 電子部品搭載用パッケージ、電子装置及び発光装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140742A (ja) 1985-12-13 1987-06-24 Hitachi Seiki Co Ltd 自動加工機における加工領域分割処理装置
US5081520A (en) * 1989-05-16 1992-01-14 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern
CA2092165C (en) * 1992-03-23 2001-05-15 Tuyosi Nagano Chip carrier for optical device
JPH05343658A (ja) 1992-06-09 1993-12-24 Sony Corp 固体撮像装置のパッケージ構造
JP2001077277A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
JP4302279B2 (ja) 2000-02-29 2009-07-22 富士フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP3494948B2 (ja) 2000-03-22 2004-02-09 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4296685B2 (ja) 2000-04-14 2009-07-15 ソニー株式会社 半導体パッケージとその製造方法
JP2002134762A (ja) * 2000-10-19 2002-05-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学装置及びその製造方法
JP2003078123A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 撮像装置
JP3801025B2 (ja) 2001-11-16 2006-07-26 ソニー株式会社 半導体装置
JP3956199B2 (ja) * 2002-02-20 2007-08-08 シャープ株式会社 固体撮像装置の製造方法およびその製造方法において使用するマスク
TW563986U (en) 2002-12-16 2003-11-21 Kingpak Tech Inc Image sensor structure with better sensing effect
US20040140419A1 (en) * 2003-01-16 2004-07-22 Jackson Hsieh Image sensor with improved sensor effects
DE20301346U1 (de) 2003-01-29 2003-03-27 Kingpak Technology Inc., Chupei, Hsinchu Bildsensor

Also Published As

Publication number Publication date
EP1526578A3 (en) 2006-04-12
US7719585B2 (en) 2010-05-18
US20090290054A1 (en) 2009-11-26
JP3838573B2 (ja) 2006-10-25
KR100644180B1 (ko) 2006-11-10
CN100433301C (zh) 2008-11-12
EP1526578A2 (en) 2005-04-27
US7586529B2 (en) 2009-09-08
CN1610101A (zh) 2005-04-27
TW200515575A (en) 2005-05-01
JP2005129721A (ja) 2005-05-19
US20050088565A1 (en) 2005-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100591375B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조방법
KR100682970B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
US7719585B2 (en) Solid-state imaging device
JP4106003B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR100647216B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
JP3838572B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
EP1473777B1 (en) Solid-state imaging device and method for producing the same
US8077248B2 (en) Optical device and production method thereof
KR100644185B1 (ko) 고체 촬상 장치의 제조 방법
EP1473775B1 (en) Method for producing solid-state imaging device
JP4219943B2 (ja) 固体撮像装置
JP2006332686A (ja) 固体撮像装置
JP3967314B2 (ja) 発光素子
JP4147171B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111019

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee