KR100647216B1 - 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR100647216B1
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

평판 형상의 기판(1)과, 기판 상에 고정된 촬상 소자(2)와, 기판 상에 촬상 소자를 포위하도록 설치된 리브(3)와, 리브의 상면에 고정된 투광판(4)과, 기판, 리브, 및 차광판에 의해 형성된 패키지의 내부에서 외부에 걸쳐 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선(6)과, 패키지의 공간 내에 설치되어 촬상 소자의 전극과 각 배선을 접속하는 금속 세선(7)을 구비한다. 배선은, 촬상 소자의 탑재면에 형성된 내부 전극(6a)과, 그 이면의 내부 전극과 대응하는 위치에 형성된 외부 전극(6b)과, 기판의 단면에 형성되어 내부 전극과 외부 전극을 접속하는 단면 전극(6c)을 포함한다. 기판의 단면, 리브의 측면 및 투명판의 단면이, 실질적으로 동일한 평면을 형성하고 있다. 외부 단자를 갖는 기대의 구조가 간소하며, 용이하게 소형화가 가능하다.

Description

고체 촬상 장치 및 그 제조 방법{SOLID STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에서의 고체 촬상 장치의 구성을 도시하는 단면도,
도 2는 도 1의 고체 촬상 장치의 측면도,
도 3은 도 2의 저면도,
도 4a∼도 4f는 본 발명의 실시 형태 2에서의 고체 촬상 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
도 5는 이 제조 방법에서의 리브 형성 부재를 도시하는 평면도,
도 6은 본 발명의 실시 형태 3에서의 고체 촬상 장치의 단면도,
도 7은 종래예의 고체 촬상 장치의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 기판 1a : 오목부
2 : 촬상 소자 3, 3a : 리브
4 : 투광판 5 : 접착제
6 : 배선 6a : 내부 전극
6b : 외부 전극 6c : 단면 전극
7 : 금속 세선 8a, 8b : 절연막
10 : 기재 11 : 배선 형성 부재
11a : 상면 도전층 11b : 하면 도전층
11c : 관통 도전층 12 : 절연막
13 : 리브 형성 부재 14 : 촬상 소자
15 : 금속 세선 16 : 접착재
17 : 투명판 18 : 다이싱 블레이드
21 : 기대 22 : 촬상 소자 칩
23 : 본딩 패드 24 : 리드 단자
25 : 리드측 패드 26 : 본딩 와이어
27 : 시일 글라스판 28 : 리브
본 발명은 CCD 등의 촬상 소자를 기대(基臺)에 탑재하여 구성되는 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
고체 촬상 장치는, 비디오 카메라나 스틸 카메라 등에 널리 이용되며, CCD 등의 촬상 소자를 절연성 재료로 이루어지는 기대에 탑재하여, 수광 영역을 투광판으로 덮은 패키지의 형태로 제공된다. 장치의 소형화를 위해, 촬상 소자는 배어 칩 그대로 기대에 탑재된다. 이와 같은 고체 촬상 장치의 종래예로서, 일본국 특 개평 5-267629호 공보에 기재된 고체 촬상 장치에 대해서, 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7에서, 21은 기대이고, 그 상면에 오목부가 형성되고, 오목부의 중앙에 촬상 소자 칩(22)이 고정되어 있다. 기대(21)에는 리드 단자(24)가 설치되고, 그 리드측 패드(25)와 촬상 소자 칩(22)의 본딩 패드(23)가, 금속선으로 이루어지는 본딩 와이어(26)에 의해 접속되어 있다. 또한 기대(21)의 둘레가장자리부 상면에는 리브(28)가 설치되고, 그 상부에 투명한 시일 글라스판(27)이 고정되어, 촬상 소자 칩(22)을 보호하기 위한 패키지가 형성되어 있다.
이러한 고체 촬상 장치는, 도시된 바와 같이 시일 글라스판(27)의 측을 윗쪽으로 향한 상태에서, 회로 기판 상에 탑재되고, 리드 단자(24)가, 회로 기판 상의 전극과 접속하기 위해 사용된다. 도시하지 않지만, 시일 글라스판(27)의 상부에는, 촬상 광학계가 장착된 경통이, 촬상 소자 칩(22)에 형성된 수광 영역과의 상호 위치 관계에 소정의 정확도를 갖게 하여 장착된다. 촬상 동작시는, 경통에 장착된 촬상 광학계를 통해서, 피촬상 대상으로부터의 광이 수광 영역에 집광되어, 광전 변환된다.
상기 종래예의 고체 촬상 장치는, 리드 단자(24)를 기대(21)의 측면에 배치한 구조이므로, 제조 공정이 번잡하고, 패키지의 소형화가 곤란하다.
또한, 리드 단자(24)의 존재에 의해, 기대(21)의 단면(端面), 리브(28)의 측면, 및 시일 글라스판(27) 단면에 의해 형성되는 패키지의 측면이 평탄하지 않다. 만일 패키지의 측면이 평탄하면, 광학계를 수용한 경통을 장착할 때, 패키지의 측 면을 이용함으로써, 용이하게 높은 정밀도의 위치 결정이 가능하다. 즉, 패키지의 측면과 경통의 내면의 맞닿음에 의해, 수평방향을 위치 결정하고, 회로 기판면과 경통의 하면과의 맞닿음에 의해 수직 방향의 위치 결정이 가능하다. 그런데, 패키지의 측면이 평탄하지 않으면, 상술과 같은 위치 결정 방법에서는 높은 정밀도를 얻는 것이 곤란하다.
이상의 것을 고려하여, 본 발명은, 외부 단자를 갖는 기대의 구조가 간소하고, 용이하게 소형화가 가능한 고체 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 패키지의 측면이 평탄하고, 패키지의 측면을 이용한 경통의 위치 결정을 안정된 정밀도로 행하는 것이 가능한 고체 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이와 같은 고체 촬상 장치를 용이하게 양산 가능한 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 고체 촬상 장치는, 절연성의 수지로 이루어지는 평판 형상의 기판과, 상기 기판 상에 고정된 촬상 소자와, 상기 기판 상에 상기 촬상 소자를 포위하도록 설치된 직사각형틀의 평면 형상을 갖는 리브와, 상기 리브의 상면에 고정된 투광판과, 상기 기판, 상기 리브, 및 상기 투광판에 의해 형성된 패키지의 내부에서 외부에 걸쳐 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선과, 상기 패키지의 공간내에 설치되어 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 배선을 접속하는 금속 세선을 구비한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 상기 배선은, 상기 촬상 소자의 탑재면에 형 성된 내부 전극과, 그 이면의 상기 내부 전극과 대응하는 위치에 형성된 외부 전극과, 상기 기판의 단면에 형성되어 상기 내부 전극과 상기 외부 전극을 접속하는 단면 전극을 포함하고, 상기 패키지의 각 측면에 대응하는, 상기 기판의 단면, 상기 리브의 측면 및 상기 투명판의 단면이 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 상기 구성의 고체 촬상 장치를 제조하는 방법으로서, 이하의 공정을 특징으로 한다.
즉, 먼저, 다수개의 고체 촬상 장치를 구성하기 위한 다수 그룹의 상기 배선에 대응시켜, 절연성의 수지로 이루어지는 평판 형상 기재(基材)의 상하면에 각각 상면 도전층 및 하면 도전층을 형성하고, 또한 상기 상면 도전층과 상기 하면 도전층을 상기 기재를 관통하여 접속하는 관통 도전층을 형성한다. 다음에, 상기 기재 상에 상기 리브를 형성하기 위한 리브 형성 부재를, 상기 각 고체 촬상 장치를 각각 형성하기 위한 각 영역의 경계에, 상기 관통 도전층의 윗쪽 위치에서 상기 상면 도전층을 횡단하도록 설치한다. 다음에, 상기 촬상 소자를 상기 리브 형성 부재에 의해 포위된 각 영역 내에 고정하여, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 상면 도전층을 상기 금속 세선에 의해 접속하고, 또한, 상기 리브 형성 부재의 상단면에 상기 투명판을 고정한다. 다음에, 상기 기재, 상기 리브 형성 부재 및 상기 투명판을, 상기 기재에 직교하는 방향으로, 또한 평면 형상에서 상기 각 리브 형성 부재의 폭을 2분하는 방향으로 일괄하여 절단하여, 상기 각 고체 촬상 장치를 개개의 것으로 분리한다.
본 발명의 고체 촬상 장치는, 상술한 대로, 기판, 리브, 및 투광판에 의해 형성된 패키지 내에서, 기판 상에 촬상 소자가 고정된 구조를 가진다. 그리고, 패키지 내부에서 외부로 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선이, 각각 촬상 소자의 탑재면에 형성된 내부 전극과, 그 이면의 내부 전극과 대응하는 위치에 형성된 외부 전극과, 기판의 단면에 형성되어 내부 전극과 외부 전극을 접속하는 단면 전극을 포함하는 것, 및, 패키지의 각 측면에 대응하는, 기판의 단면, 리브의 측면 및 투명판의 단면이 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 기판이 간소한 배선 기판을 이용하여 형성되고, 기판의 상면으로부터 단면을 경유하여 하면에 이르는 범위의 배선을, 도금에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 기대의 구조가 간소하고, 패키지의 소형화가 용이하다. 또한, 패키지 측면이 평탄하므로, 광학계를 수용한 경통을 장착할 때, 패키지 측면과 경통의 내면의 맞닿음에 의해 경통을 위치 결정하여, 높은 위치 정밀도를 확보할 수 있다.
상기의 구성에서, 기판의 단면, 리브의 측면 및 투명판의 단면은, 일괄 절단에 의해 형성된 평면인 것이 바람직하다. 리브의 내측면은, 기판면에서 투광판을 향해 열리는 방향의 경사를 갖는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 리브의 내측면에 의한 입사광의 반사를, 촬상 기능에 실질적인 악영향을 주지 않도록 할 수 있다. 이 경우, 리브의 내측면은 평면으로 하고, 경사의 각도는 기판면에 직교하는 방향에 대해 2∼12°의 범위로 할 수 있다. 혹은, 리브의 내측면에, 바둑판 모양이나 또는 주름을 형성해도 된다. 한편, 리브의 내측면이 평면이고, 리브의 외측면 및 내측면이 기판면에 직교해 있는 구성으로 해도 된다.
또한, 단면 전극은 기판의 단면에 형성된 오목부에 배치되어 있고, 단면 전극의 표면은, 기판의 단면과 실질적으로 동일 평면을 형성하던지, 또는 기판의 단면보다도 우묵하게 들어가 있는 구성으로 할 수 있다. 외부 전극의 표면은 기판의 이면과 실질적으로 동일 평면을 형성하는 구성으로 할 수 있다. 혹은, 외부 전극의 표면은 기판 이면의 다른 부분보다도 우묵하게 들어가 있는 구성으로 해도 된다.
기판의 이면에 절연막이 형성되고, 상기 절연막과 상기 외부 전극은, 서로 중첩 부분을 가지지 않도록 배치된 구성으로 할 수 있다. 또는, 외부 전극의 둘레가장자리부가 절연막과 서로 겹치도록 배치되어도 된다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에서는, 상기 구성의 다수개의 고체 촬상 장치에 대응시켜 다수 그룹의 배선을 형성하기 때문에, 평판 형상 기재에, 상면 도전층, 하면 도전층, 및 그 양 도전층을 접속하는 관통 도전층을 형성한다. 그리고, 리브 형성 부재를, 관통 도전층의 윗쪽 위치에서 상면 도전층을 횡단하도록 설치하고, 촬상 소자를 탑재하여, 투명판을 고정한 후, 기재, 리브 형성 부재 및 투명판을 일괄하여 절단하여, 각 고체 촬상 장치를 개개의 것으로 분리한다. 이 제조 방법에 의하면, 리브는 리브 형성 부재의 반만큼의 폭으로 되어, 소형화에 유리하다. 또한, 기재, 리브 형성 부재 및 투명판을 일괄하여 절단함으로써, 기판의 단면, 리브의 측면 및 투명판의 단면이 형성하는 평면은, 실질적으로 동일 평면으로 되어, 양호한 평탄도를 얻을 수 있다.
상기의 제조 방법에서, 리브 형성 부재를 격자 형상으로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 기재 상에 리브 형성 부재를 수지 성형에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 수지 성형은 금형을 이용하여 행할 수 있다. 이들은 다수의 촬상 소자를 효율적으로 제조하기 위해서 효과적이다. 또한, 리브 형성 부재를 수지 성형에 의해 형성할 때에, 상기 수지 성형용의 금형과 기재 사이에, 수지 플래시 버르(burr)의 발생을 억제하기 위한 시트를 개재시키는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
(실시 형태 1)
도 1은 실시 형태 1에서의 고체 촬상 장치의 단면도, 도 2는 측면도이다. 도 3은 도 2의 하면을 도시하는 도면이다.
기판(1)은 평판 형상이고, 통상의 배선 기판에 이용되는 절연성의 수지, 예를 들면 글라스 에폭시 수지로 이루어진다. 기판(1) 상에 촬상 소자(2)가 고정되고, 이 촬상 소자(2)를 포위하도록, 기판(1) 상에 직사각형 틀의 평면 형상을 갖는 리브(3)가 설치되어 있다. 리브(3)는, 예를 들면 에폭시 수지로 이루어지고, 수지 성형에 의해 기판(1) 상에, 예를 들면 0.3∼1.0㎜의 높이로 설치된다. 리브(3)의 상면에는 투광판(4)이 접착제(5)에 의해 고정되어 있다. 기판(1), 리브(3), 및 투광판(4)에 의해, 내부에 공간을 갖는 패키지가 형성되고, 그 내부에서 외부로 전기적인 도출을 행하기 위한 다수의 배선(6)이 형성되어 있다. 촬상 소자(2)의 전극(도시하지 않음)과 각 배선(6)을 접속하는 금속 세선(7)이 패키지의 공간 내에 설치되어 있다. 패키지 전체의 두께는 2.0㎜ 이하로 한다.
배선(6)은, 촬상 소자(2)의 탑재면에 형성된 내부 전극(6a)과, 이면에 형성된 외부 전극(6b)과, 기판(1)의 단면에 형성된 단면 전극(6c)으로 이루어진다. 외부 전극(6b)은 내부 전극(6a)과 대응하는 위치에 배치되어 있다. 단면 전극(6c)은 내부 전극(6a)과 외부 전극(6b)을 접속하고 있다. 내부 전극(6a), 외부 전극(6b), 및 단면 전극(6c)은 모두, 예를 들면, 도금에 의해 형성할 수 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 단면 전극(6c)은 기판(1)의 단면에 형성된 오목부(1a)에 배치되어 있다. 단면 전극(6c)의 표면은, 기판(1)의 단면과 실질적으로 동일한 평면을 형성하고 있던지, 또는 기판(1)의 단면보다도 우묵하게 들어가 있다.
기판(1)의 양면에서의 내부 전극(6a)과 외부 전극(6b)의 주위의 영역에는, 절연막(8a, 8b)이 형성되어 있다(도 3에는 절연막(8b)을 도시하지 않음). 외부 전극(6b)의 표면은, 도시한 바와 같이 절연막(8b)의 표면보다도 우묵하게 들어가 있던지, 혹은, 절연막(8b)의 표면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있다. 절연막(8b)과 외부 전극(6b)은, 서로 중첩 부분을 갖지 않도록 배치되어 있거나, 외부 전극(6b)의 둘레가장자리부가 절연막(8b)과 서로 겹치도록 배치되어 있어도 된다.
패키지의 각 측면에 대응하는, 기판(1)의 단면, 리브(3)의 측면 및 투명판(4)의 단면은, 실질적으로 동일 평면 내에 있고, 평탄한 패키지 측면을 형성하고 있다. 이 패키지 측면은, 예를 들면, 제조 공정에서 기판(1)의 단면, 리브(3)의 측면 및 투명판(4)의 단면을 일괄하여 절단함으로써, 양호한 평탄도의 평면을 형성할 수 있다.
이상의 구성에 의하면, 기판(1)은 간소한 배선 기판을 이용하여 형성되고, 기판(1)의 상면에서 단면을 경유하여 하면에 이르는 범위의 배선(6)을, 도금에 의해 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 패키지의 소형화가 용이하다. 또한, 외부 단자가 패키지의 이면에 배치되고, 또한 패키지의 단면에도 전극이 존재하므로, 납땜에 의한 회로 기판과의 전기적인 접속 강도가 높다.
또한, 패키지 측면이 평탄하므로, 광학계를 수용한 경통을 장착할 때, 패키지 측면과 경통의 내면의 맞닿음에 의해 경통을 위치 결정하여, 높은 위치 정밀도를 확보할 수 있다. 경통의 위치 결정을 정밀도 좋게 행하기 위해서는, 패키지 측면의 기판(1)의 면에 대한 경사는, ±1° 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
(실시 형태 2)
실시 형태 2는 실시 형태 1에 나타낸 구조의 고체 촬상 장치를 제조하는 방법으로, 이에 대해, 도 1∼도 4를 참조하여 설명한다.
먼저 도 4a에 도시하는 바와 같이, 절연성의 수지로 이루어지는 평판 형상의 기재(10)를 준비한다. 기재(10)는, 그 일부 영역에 배선(6)(도 1 참조)을 형성하기 위한 배선 형성 부재(11)가 형성되고, 나머지 영역의 상하면에 절연막(12)이 형성되어 있다. 배선 형성 부재(11)는 기재(10)의 상하면에 각각 형성된 상면 도전층(11a) 및 하면 도전층(11b)을 포함한다. 상면 도전층(11a)과 하면 도전층(11b)은, 상하 방향에서 상호 대응하는 위치에 배치되고, 기재(10)를 관통하여 형성된 관통 도전층(11c)에 의해 접속되어 있다. 이들 도전층은 통상 이용되는 어떠한 방법으로 형성해도 된다. 예를 들면, 기재(10)에 관통 구멍을 형성하여, 도금에 의 해 관통 도전층(11c)을 형성하고, 다음에 관통 도전층(11c)의 위치에 맞추어 상면 도전층(11a) 및 하면 도전층(11b)을 도금에 의해 형성할 수 있다.
기재(10)는, 동시에 다수개의 고체 촬상 장치를 형성 가능한 크기를 갖는다(도 4에는 일부만 도시). 배선 형성 부재(11)는 다수개의 고체 촬상 장치에 대응시켜 다수 그룹 형성한다.
다음에 도 4b에 도시하는 바와 같이, 기재(10) 상에 리브(3)(도 1 참조)를 형성하기 위한 리브 형성 부재(13)를, 각 고체 촬상 장치를 각각 형성하기 위한 각 영역의 경계에 설치한다. 리브 형성 부재(13)는, 관통 도전층(11c)의 위치에서 상면 도전층(11a)을 횡단하도록 배치한다. 따라서, 리브 형성 부재(13)는, 인접하는 각 고체 촬상 장치에 대해 공통으로 설치되고, 후술하는 공정에서, 각 고체 촬상 장치에 개별로 소속되도록 분할된다.
기재(10) 상에, 다수의 직사각형 영역을 격자 상에 형성한 리브 형성 부재(13)의 일례를 도 5에 도시한다. 리브 형성 부재(13)는 어떠한 방법으로 형성해도 되는데, 예를 들면 금형을 이용한 수지 성형에 의해, 기재(10)의 표면에 직접 형성하는 것도 가능하다. 리브 형성 부재(13)를 수지 성형에 의해 형성할 때에는, 수지 성형용의 금형과 기재(10) 사이에 예를 들면 폴리이미드의 시트를 개재시켜, 수지 플래시 버르의 발생을 억제할 수 있다.
다음에 도 4c에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(13)에 의해 포위된 각 영역 내에 촬상 소자(14)를 고정하고, 촬상 소자(14)의 패드 전극(도시하지 않음)과 각 상면 도전층(11a)을 금속 세선(15)에 의해 접속한다. 또한, 리브 형성 부재(13)의 상면에 접착재(16)를 도포한다. 다음에 도 4d에 도시하는 바와 같이, 리브 형성 부재(13)의 상단면에 투명판을 얹어놓아, 접착재(16)에 의해 고정한다.
다음에 도 4e에 도시하는 바와 같이, 기재(10), 리브 형성 부재(13) 및 투명판(17)을, 다이싱 블레이드(18)에 의해 절단하여, 도 4f에 도시하는 바와 같이, 각 고체 촬상 장치를 형성하는 개개의 것으로 분리한다. 절단은, 도 4e에 도시한 대로, 기재(10)에 직교하는 방향에서, 또한 평면 형상에서 각 리브 형성 부재(13)의 폭을 2분하는 방향으로 행한다. 그 결과, 리브 형성 부재(13), 상면 도전층(11a), 하면 도전층(11b), 및 관통 도전층(11c)이 2분되어, 각각 별개의 고체 촬상 장치에서의 리브(3), 내부 전극(6a), 외부 전극(6b) 및 단면 전극(6c)을 형성한다.
이 제조 방법에 의하면, 리브(3)는 리브 형성 부재(13)의 반만큼의 폭으로 되어, 소형화에 유리하다. 또한, 기재(10), 리브 형성 부재(13) 및 투명판(17)을 일괄하여 절단함으로써, 기판(1)의 단면, 리브(3)의 측면 및 투명판(4)의 단면이 형성하는 평면은, 실질적으로 동일한 평면으로 되어, 양호한 평탄도를 얻을 수 있다.
(실시 형태 3)
도 6은 실시 형태 3에서의 고체 촬상 장치의 단면도이다. 이 고체 촬상 장치의 구조는 리브(3a)의 내측면의 형상을 제외하고 실시 형태 1의 경우와 동일하다.
본 실시 형태의 특징은, 리브(3a)의 내측면을, 기판(1)의 면에서 투광판(4)을 향해 열리는 방향의 경사를 갖도록 형성한 것이다. 이것에 의해, 리브(3a)의 내측면에 의한 입사광의 반사를, 촬상 기능에 실질적인 악영향을 주지 않도록 할 수 있다. 리브(3a)의 내측면은 평면으로 하고, 경사의 각도는 기판(1)의 면에 직교하는 방향에 대해 2∼12°의 범위로 한다. 리브(3a)의 내측면에 의한 반사의 영향을 경감시키기 위해서는, 리브(3a)의 내측면에, 바둑판 모양 또는 주름을 형성해도 된다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 구성에 의하면, 외부 단자를 갖는 기대의 구조가 간소하고, 용이하게 소형화가 가능하다. 또한, 패키지의 측면이 평탄하고, 패키지의 측면을 이용한 경통의 위치 결정을 안정된 정밀도로 행하는 것이 가능하다.
본 발명의 고체 촬상 장치의 제조 방법에 의하면, 상술한 바와 같은 특징을 갖는 고체 촬상 장치를 용이하게 양산 가능하다.

Claims (17)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 탑재된 촬상 소자와, 상기 기판 상에 상기 촬상 소자를 포위하도록 설치된 리브와, 상기 리브의 상면에 고정된 투광판과, 상기 기판, 상기 리브, 및 상기 투광판에 의해 형성된 패키지의 내부와 외부를 전기적으로 접속하는 배선과, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 배선을 접속하는 금속 세선을 구비한 고체 촬상 장치에 있어서,
    상기 배선은, 상기 기판의 상면에 형성된 내부 전극과, 상기 기판의 하면에 형성된 외부 전극과, 상기 기판의 측면에 형성되어 상기 내부 전극과 상기 외부 전극을 접속하는 단면 전극을 포함하고,
    상기 리브는, 상기 기판상에 상기 기판과는 별체의 부재를 배치함으로써 설치되고,
    상기 기판의 상기 측면, 상기 리브의 외측면 및 상기 투명판의 측면이, 일괄 절단에 의해 형성된 동일 평면을 형성하고,
    상기 단면 전극은 상기 기판의 단면에 형성된 오목부에 배치되어 있고, 상기 단면 전극의 표면은, 상기 기판의 단면과, 일괄 절단에 의해 형성된 동일 평면을 형성하거나, 또는 상기 기판의 단면보다도 우묵하게 들어가 있는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 외부 전극은 상기 기판의 상기 내부 전극이 형성된 부분의 뒤쪽에 형성되어 있는 고체 촬상 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 리브의 내측면은, 상기 기판면에서 상기 투광판을 향해 열리는 방향의 경사를 갖는 고체 촬상 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 리브의 내측면에, 바둑판 모양 또는 주름이 형성되어 있는 고체 촬상 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 리브의 내측면이 평면이고, 상기 리브의 외측면 및 내측면은 상기 기판면에 직교하고 있는 고체 촬상 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 외부 전극의 표면이, 상기 기판의 이면과 실질적으로 동일 평면을 형성하고 있는 고체 촬상 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 외부 전극의 표면이, 상기 기판의 이면의 다른 부분보다도 우묵하게 들어가 있는 고체 촬상 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기판의 이면에 절연막이 형성되고, 상기 절연막과 상기 외부 전극은, 서로 중첩 부분을 가지지 않도록 배치되어 있는 고체 촬상 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 기판의 이면에 절연막이 형성되고, 상기 외부 전극의 둘레가장자리부가 상기 절연막과 서로 겹치도록 배치되어 있는 고체 촬상 장치.
  13. 기재의 상하면에 각각 상면 도전층 및 하면 도전층을 형성하고, 또한 상기 상면 도전층과 상기 하면 도전층을 상기 기재를 관통하여 접속하는 관통 도전층을 형성하고,
    상기 기재 상에 상기 리브를 형성하기 위한 리브 형성 부재를, 복수의 고체 촬상 소자를 각각 고정하기 위한 각 영역의 경계에서, 상기 관통 도전층의 위쪽 위치에 설치하고,
    상기 촬상 소자를 상기 리브 형성 부재에 의해 포위된 각 영역 내에 고정하여, 상기 촬상 소자의 전극과 상기 각 상면 도전층을 상기 금속 세선에 의해 접속하고,
    상기 리브 형성 부재의 상단면에 상기 투명판을 고정하고,
    상기 기재, 상기 리브 형성 부재 및 상기 투명판을, 상기 기재의 평면 방향에 직교하는 방향으로, 또한 평면 형상에서 상기 각 리브 형성 부재의 폭을 2분하는 방향으로 일괄하여 절단하여, 각 개별 고체 촬상 장치로 분리하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 리브 형성 부재를 격자 형상으로 형성하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  15. 제13항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재 상에 상기 리브 형성 부재를 수지 성형에 의해 형성하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 수지 성형을 금형을 이용하여 행하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 리브 형성 부재를 수지 성형에 의해 형성할 때에, 상기 수지 성형용의 금형과 상기 기재 사이에, 수지 플래시 버르의 발생을 억제하기 위한 시트를 개재시키는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3782405B2 (ja) * 2003-07-01 2006-06-07 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US20060001761A1 (en) * 2003-12-23 2006-01-05 Tessera, Inc. Hermetically sealed image sensor module and method of fabricating same
TWI324829B (en) * 2004-02-06 2010-05-11 Advanced Semiconductor Eng Optical semiconductor package and method for manufacturing the same
KR100673950B1 (ko) * 2004-02-20 2007-01-24 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 구비하는 카메라 모듈 패키지
KR100652375B1 (ko) * 2004-06-29 2006-12-01 삼성전자주식회사 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법
DE102006005419B4 (de) 2006-02-03 2019-05-02 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanisches Halbleiterbauelement mit Hohlraumstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
US7807506B2 (en) * 2006-02-03 2010-10-05 Infineon Technologies Ag Microelectromechanical semiconductor component with cavity structure and method for producing the same
KR100766505B1 (ko) * 2006-10-03 2007-10-15 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
US20080197375A1 (en) * 2007-02-15 2008-08-21 Wen-Kung Sung Lateral-type light-emitting diode and method of manufacture thereof
US7528420B2 (en) * 2007-05-23 2009-05-05 Visera Technologies Company Limited Image sensing devices and methods for fabricating the same
TW200941598A (en) * 2008-03-18 2009-10-01 Lingsen Precision Ind Ltd Method for packaging semi-conductor chamber
US8551814B2 (en) * 2010-03-11 2013-10-08 Freescale Semiconductor, Inc. Method of fabricating a semiconductor device that limits damage to elements of the semiconductor device that are exposed during processing
CN103095972A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 闳乔光学股份有限公司 具有液晶组件的摄像单元及其制作方法
USD680119S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-16 Connectblue Ab Module
USD680545S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-23 Connectblue Ab Module
USD689053S1 (en) * 2011-11-15 2013-09-03 Connectblue Ab Module
USD692896S1 (en) * 2011-11-15 2013-11-05 Connectblue Ab Module
USD668658S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD668659S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
US9197796B2 (en) * 2011-11-23 2015-11-24 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module
TWI626395B (zh) * 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
US10211179B2 (en) * 2016-04-20 2019-02-19 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP6899244B2 (ja) * 2016-04-20 2021-07-07 ローム株式会社 半導体装置
JP7218126B2 (ja) 2018-08-30 2023-02-06 キヤノン株式会社 配線板を備えるユニット、モジュールおよび機器
JP2020129629A (ja) * 2019-02-12 2020-08-27 エイブリック株式会社 光センサ装置およびその製造方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0273556A1 (en) * 1986-12-22 1988-07-06 Trw Inc. Integrated-circuit chip packaging construction
US5256901A (en) * 1988-12-26 1993-10-26 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic package for memory semiconductor
JP2647194B2 (ja) * 1989-04-17 1997-08-27 住友電気工業株式会社 半導体用パッケージの封止方法
JPH05267629A (ja) 1992-03-19 1993-10-15 Sony Corp 固体撮像装置
TW332348B (en) 1992-06-23 1998-05-21 Sony Co Ltd Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin.
JP3161142B2 (ja) 1993-03-26 2001-04-25 ソニー株式会社 半導体装置
JP3541491B2 (ja) * 1994-06-22 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
JP3507251B2 (ja) * 1995-09-01 2004-03-15 キヤノン株式会社 光センサｉｃパッケージおよびその組立方法
JP2842355B2 (ja) 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
US6011294A (en) * 1996-04-08 2000-01-04 Eastman Kodak Company Low cost CCD packaging
US6730991B1 (en) 1996-06-11 2004-05-04 Raytheon Company Integrated circuit chip package
US6034429A (en) * 1997-04-18 2000-03-07 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package
US5811799A (en) * 1997-07-31 1998-09-22 Wu; Liang-Chung Image sensor package having a wall with a sealed cover
US5893726A (en) * 1997-12-15 1999-04-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor package with pre-fabricated cover and method of fabrication
KR100259359B1 (ko) * 1998-02-10 2000-06-15 김영환 반도체 패키지용 기판 및 반도체 패키지, 그리고 그 제조방법
US6060340A (en) * 1998-07-16 2000-05-09 Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. Packing method of semiconductor device
US6075237A (en) * 1998-07-29 2000-06-13 Eastman Kodak Company Image sensor cover with integral light shield
JP4372241B2 (ja) 1998-08-05 2009-11-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置の製造方法
US6130448A (en) * 1998-08-21 2000-10-10 Gentex Corporation Optical sensor package and method of making same
JP2001102502A (ja) 1999-09-27 2001-04-13 Kyocera Corp イメージセンサ素子収納用パッケージ
US6262479B1 (en) * 1999-10-05 2001-07-17 Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor packaging structure
KR100370852B1 (ko) 1999-12-20 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US6351027B1 (en) * 2000-02-29 2002-02-26 Agilent Technologies, Inc. Chip-mounted enclosure
JP3880278B2 (ja) 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP4239352B2 (ja) * 2000-03-28 2009-03-18 株式会社日立製作所 電子装置の製造方法
TW454309B (en) 2000-07-17 2001-09-11 Orient Semiconductor Elect Ltd Package structure of CCD image-capturing chip
JP3578400B2 (ja) 2000-12-28 2004-10-20 吉川工業株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
US6737720B2 (en) * 2001-01-23 2004-05-18 Mon Nan Ho Packaging structure of image sensor and method for packaging the same
JP2002299595A (ja) 2001-04-03 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002353354A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Kyocera Corp 撮像素子収納用パッケージ
JP2002353763A (ja) 2001-05-29 2002-12-06 Mitsubishi Electric Corp 圧電素子デバイスの製造方法
US6890834B2 (en) 2001-06-11 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic device and method for manufacturing the same
JP2002373950A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Seiko Instruments Inc 気密封止ｉｃパッケージの製造方法
DE10139723A1 (de) * 2001-08-13 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Chip und strahlungsemittierendes Bauelement
US6603183B1 (en) * 2001-09-04 2003-08-05 Amkor Technology, Inc. Quick sealing glass-lidded package
US6759266B1 (en) * 2001-09-04 2004-07-06 Amkor Technology, Inc. Quick sealing glass-lidded package fabrication method
US6624003B1 (en) 2002-02-06 2003-09-23 Teravicta Technologies, Inc. Integrated MEMS device and package
US6784534B1 (en) * 2002-02-06 2004-08-31 Amkor Technology, Inc. Thin integrated circuit package having an optically transparent window
US6590269B1 (en) * 2002-04-01 2003-07-08 Kingpak Technology Inc. Package structure for a photosensitive chip
TWI268584B (en) * 2002-04-15 2006-12-11 Advanced Semiconductor Eng Optical integrated circuit element package and method for making the same
JP4443865B2 (ja) 2002-06-24 2010-03-31 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US20040038442A1 (en) * 2002-08-26 2004-02-26 Kinsman Larry D. Optically interactive device packages and methods of assembly
US6929974B2 (en) * 2002-10-18 2005-08-16 Motorola, Inc. Feedthrough design and method for a hermetically sealed microdevice
US6900531B2 (en) * 2002-10-25 2005-05-31 Freescale Semiconductor, Inc. Image sensor device
US6982470B2 (en) 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
JP4125112B2 (ja) 2002-12-20 2008-07-30 キヤノン株式会社 受光センサの製造方法
JP3782405B2 (ja) 2003-07-01 2006-06-07 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法

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