JP2913578B2 - 樹脂封止形半導体発光装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体発光装置

Info

Publication number
JP2913578B2
JP2913578B2 JP7088478A JP8847895A JP2913578B2 JP 2913578 B2 JP2913578 B2 JP 2913578B2 JP 7088478 A JP7088478 A JP 7088478A JP 8847895 A JP8847895 A JP 8847895A JP 2913578 B2 JP2913578 B2 JP 2913578B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
external
light emitting
external lead
semiconductor light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7088478A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08288554A (ja
Inventor
明 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP7088478A priority Critical patent/JP2913578B2/ja
Publication of JPH08288554A publication Critical patent/JPH08288554A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2913578B2 publication Critical patent/JP2913578B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置、特に
外部リードが折り曲げられた場合等に、樹脂封止体での
クラックの発生又はリード細線の破断を抑制できる樹脂
封止形半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】発光色が異なる複数の半導体発光素子を
搭載した公知の樹脂封止形半導体発光装置の一例として
発光ダイオードを図3に示す。この発光ダイオードは、
光透過性の樹脂封止体(8)と、樹脂封止体(8)から
導出された第1の外部リード(1)と、第1の外部リー
ド(1)の一側に配置されかつ樹脂封止体(8)から導
出された第2の外部リード(4)と、第1の外部リード
(1)の他側に配置されかつ樹脂封止体(8)から導出
された第3の外部リード(5)とを備えている。
【0003】第1の外部リード(1)の端部に形成され
た支持板部となる皿状のヘッダ部(2)には、発光色の
異なる2個のダイオードチップ(3)が固着される。第
2の外部リード(4)と第3の外部リード(5)の各端
部はそれぞれリード細線(6)及び(7)を介してダイ
オードチップ(3)に電気的に接続される。外部リード
(1)(4)(5)の各端部と、ダイオードチップ
(3)と、リード細線(6)(7)は、樹脂封止体
(8)によって被覆されている。
【0004】この種の樹脂封止形半導体発光装置は、図
4及び図5に示すカットアンドクリンチ方式によって回
路基板に実装される。カットアンドクリンチ方式では、
2つの刃(11)(12)によって、回路基板(9)の
スルーホール(10)に挿入した外部リード(1)
(4)(5)を折り曲げながら導出方向に引張り、樹脂
封止形半導体発光装置が回路基板(9)上に直立させて
実装される。実装の際に、樹脂封止体(8)の底面が回
路基板(9)の上面に密着した状態で、外部リード
(1)(4)(5)が引張されると、後に外部リードを
回路基板上に半田付けする際の加熱によって樹脂封止体
(8)にクラックが生じ易い。また、リード細線(6)
(7)が破断する場合もある。そこで、本願出願人は、
樹脂封止体(8)のクラックの発生を防止しかつリード
細線(6)(7)の破断を防止するため、実開平4−4
4171号公報に示されるように、外部リードに形成し
た幅広部分を樹脂封止体の底面から外側に突出させた樹
脂封止形光半導体装置を提案した。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記公報に示される樹
脂封止形光半導体装置では、カットアンドクリンチ方式
によって外部リードを引張したとき、外部リードの幅広
部が回路基板(9)に当接し、樹脂封止体(8)の底面
が回路基板(9)に直接に当接しないので、樹脂封止体
(8)に大きな機械的応力が発生せず、半田付け時の加
熱によって樹脂封止体にクラック等が生ずることを防止
できると考えられた。しかしながら、当初予期された程
にその効果は得られなかった。その理由は明確ではない
が、外部リード(1)(4)(5)の回転方向にも応力
が加わるためと考えられる。特に、複数のリード細線を
使用しかつ3本以上の外部リードを備えた発光装置の外
部リードを図5のように引張破断するとき、全引張力の
増加と共に、樹脂封止体及びリード細線に発生する応力
が増加した。このため、半田付け時の加熱による樹脂封
止体でのクラックの発生又はリード細線の破断の可能性
も増大し、改善が望まれていた。そこで、本発明は樹脂
封止体でのクラックの発生又はリード細線の破断を抑制
できる樹脂封止形半導体発光装置を提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止形
半導体発光装置は、第1、第2及び第3の外部リード
(21)(29)(36)と、第1の外部リード(21)の端部
に形成されたヘッダ部(22)に固着された複数の半導体
発光素子(23a)(23b)と、第2及び第3の外部リード
(29)(36)と半導体発光素子(23a)(23b)とを電気
的に接続する複数のリード細線(43)(44)と、半導体
発光素子(23a)(23b)、リード細線(43)(44)並び
に第1、第2及び第3の外部リード(21)(29)(36)
の一部を封止する光透過性樹脂封止体(45)とを備えて
いる。第1の外部リード(21)のヘッダ部(22)は、半
導体発光素子(23a)(23b)が固着される素子固着面
(22a)と、第1、第2及び第3の外部リード(21)(2
9)(36)の配列方向に対して略並行に素子固着面(22
a)の両側に形成され且つ第1の外部リード(21)の両
側面で厚さ方向に突出する一対の反射面(22b)とを備
え、第2の外部リード(29)及び第3の外部リード(3
6)の端部は、ヘッダ部(22)の中心に対して略対称な
形状を有し且つ環状の反射面と、リード細線(43)(4
4)が固着されるリード接続部(30d)(37d)とを備え
ている。第1の外部リード(21)は、ヘッダ部(22)側
から外側に順次第1の幅狭部(24)、第1の幅広部(2
5)、第2の幅狭部(26)、第2の幅広部(27)及び導
出部(28)を備え、第1の幅狭部(24)、第2の幅狭部
(26)及び導出部(28)の中心軸はずれて配置される。
第2の外部リード(29)及び第3の外部リード(36)
は、反射面(30b)(37b)から外側に順次形成された第
1の幅狭部(31)(38)と、第1の幅広部(32)(39)
と、第2の幅狭部(33)(40)と、第2の幅広部(34)
(41)と、導出部(35)(42)とを備え、第2の外部リ
ード(29)及び第3の外部リード(36)の第1の幅狭部
(31)(38)、第2の幅狭部(33)(40)及び導出部
(35)(42)の中心軸は互いにずれて配置される。本発
明の実施例では、第1の外部リード(21)のヘッダ部
(22)は略矩形に形成され、一対の反射面(30b)(37
b)は第1の外部リード(21)の厚さ方向に互いに離間
して配置される。第2及び第3の外部リード(29)(3
6)の第2の幅狭部(33)(40)は第1の外部リード(2
1)側に偏位する折曲げ部となり、第1〜第3の外部リ
ード(21)(29)(36)の各第2の幅広部(27)(34)
(41)の下部は光透過性樹脂封止体(45)から露出す
る。
【0007】
【作用】第1〜第3の外部リード(21)(29)(36)の
各第1の幅狭部(24)(31)(38)と第2の幅狭部(2
6)(33)(40)と導出部(28)(35)(42)とが同一
直線上に配置されず、第1〜第3の外部リード(21)
(29)(36)の配列方向に偏位している。このため、第
1〜第3の外部リード(21)(29)(36)に導出方向に
引張力が加っても力の支点が分散されるので、樹脂封止
体(45)のクラックの発生を防止し、リード細線(43)
(44)の破断を完全に防止することが可能となる。
【0008】
【実施例】次に、発光ダイオードに適用した本発明によ
る樹脂封止形半導体発光装置の実施例を図1及び図2に
ついて説明する。本実施例の発光ダイオードは、第1、
第2及び第3の外部リード(21)(29)(36)
と、第1の外部リード(21)の端部に形成されたヘッ
ダ部(22)に固着された赤色の発光ダイオード素子
(23a)及び緑色の発光ダイオード素子(23b)
と、第2及び第3の外部リード(29)(36)と赤色
の発光ダイオード素子(23a)及び緑色の発光ダイオ
ード素子(23b)とを電気的に接続する複数のリード
細線(43)(44)と、赤色の発光ダイオード素子
(23a)及び緑色の発光ダイオード素子(23b)、
リード細線(43)(44)並びに第1、第2及び第3
の外部リード(21)(29)(36)の一部を封止す
る光透過性の樹脂封止体(45)とを備えている。本発
明の実施例では、図2に示すように、第1の外部リード
(21)のヘッダ部(22)は、略矩形に形成され、第
1〜第3の外部リード(21)(29)(36)の配列
方向に対して略並行に形成された素子固着面(22a)
と、素子固着面(22a)の両側に形成された一対の線
状凸部(22c)と、素子固着面(22a)と線状凸部
(22c)との間に形成された反射面(22b)とを備
えている。複数の半導体発光素子としての赤色の発光ダ
イオード素子(23a)と緑色の発光ダイオード素子
(23b)は、素子固着面(22a)上に第1〜第3の
外部リード(21)(29)(36)の配列方向に対し
て略並行に固定される。一対の反射面(22b)は素子
固着面(22a)から線状凸部(22c)に向かって互
いに徐々に離間するように一定角度で傾斜する。ヘッダ
部(22)は、反射面(22b)及び線状凸部(22
c)は第1の外部リード(21)の両側面で厚さ方向に
突出するように、端部形成用のポンチによって第1の外
部リード(21)の端部を導出方向にプレス成形するこ
とにより形成される。第1の外部リード(21)は、ヘ
ッダ部(22)側から外側に順次第1の幅狭部(2
4)、第1の幅広部(25)、第2の幅狭部(26)、
第2の幅広部(27)及び導出部(28)を備えてい
る。第1の外部リード(21)の第1の幅狭部(24)
と第2の幅狭部(26)と導出部(28)の中心軸はず
れて配置される。
【0009】第2の外部リード(29)及び第3の外部
リード(36)の端部(30)(37)は、ヘッダ部
(22)の中心に対して略対称な形状を有する。端部
(30)(37)は、素子固着面(22a)と略同一の
高さに配置される半円状の底面(30a)(37a)
と、底面(30a)(37a)の周囲に環状に形成され
且つ線状凸部(22c)と略同一の高さに配置される環
状凸部(30c)(37c)と、底面(30a)(37
a)と環状凸部(30c)(37c)との間に形成され
且つ反射面(22b)と略同一の高さに配置された環状
の反射面(30b)(37b)と、赤色の発光ダイオー
ド素子(23a)と緑色の発光ダイオード素子(23
b)にそれぞれ固着された一端を有するリード細線(4
3)(44)の他端が固着されるリード接続部(30
d)(37d)とを備えている。リード接続部(30
d)(37d)は端部(30)(37)でわずかに上方
に突出している。
【0010】第2の外部リード(29)及び第3の外部
リード(36)は、それぞれ端部(30)(37)から
外側に順次形成された第1の幅狭部(31)(38)
と、第1の幅広部(32)(39)と、第2の幅狭部
(33)(40)と、第2の幅広部(34)(41)
と、導出部(35)(42)とを備えている。第2の外
部リード(29)及び第3の外部リード(36)の第1
の幅狭部(31)(38)と第2の幅狭部(33)(4
0)と導出部(35)(42)の中心軸はずれて配置さ
れる。反射面(30b)(37b)は第2の外部リード
(29)及び第3の外部リード(36)の一方の端面の
外部リード(21)側を選択的にポンチでプレス成形し
て形成される。第2及び第3の外部リード(29)(3
6)の第2の幅狭部(33)(40)は第1の外部リー
ド(21)側に偏位する折曲げ部となり、第1〜第3の
外部リード(21)(29)(36)の各幅広部(2
7)(34)(41)の下部は樹脂封止体(45)から
露出する。
【0011】第1〜第3の外部リード(21)(29)
及び(36)の幅広部(27)(34)及び(41)の
下方側は樹脂封止体(45)の底面から導出される。樹
脂封止体(45)は、形成すべき樹脂封止体(45)の
形状に合致した成形金型の成形空所内に発光ダイオード
素子(23a)(23b)、リード細線(43)(4
4)及び外部リード(21)(29)(36)の端部を
配置し、成形空所内に流動化した樹脂を押圧注入して硬
化させる周知のトランスファモールド法によって形成さ
れる。成形空所内では、流動化した樹脂は第2及び第3
の外部リード(29)(36)の底面(30a)(37
a)及び反射面(30b)(37b)上にも充填され、
樹脂封止体(45)は第2及び第3の外部リード(2
9)(36)と良好に密着する。
【0012】本実施例による発光ダイオードは以下の作
用効果が得られる。 (1) 第1の外部リード(21)の反射面(22b)
と第2及び第3の外部リード(29)(36)の反射面
(30b)(37b)は同一高さに配置され、赤色の発
光ダイオード素子(23a)と緑色の発光ダイオード素
子(23b)から照射された光を効率よく反射する。 (2) また、反射面(30b)(37b)及び線状凸
部(22c)及び環状凸部(30c)(37c)は、第
1〜第3の外部リード(21)(29)(36)の配列
方向に対して直角に突出するため、第1、第2及び第3
の外部リード(21)(29)(36)の折り曲げ及び
半田付けの加熱により、樹脂封止体(45)内で第1、
第2及び第3の外部リード(21)(29)(36)が
回転することを防止する。これにより、樹脂封止体(4
5)及びリード細線(43)(44)に大きな機械的応
力が発生しない。 (3) 第1〜第3の外部リード(21)(29)(3
6)の各第2の幅広部(27)(34)(41)が樹脂
封止体(45)の底面から突出し、第2の幅広部(2
7)(34)(41)が回路基板の上面に当接してスト
ッパとして働く。このため、実装時に第1〜第3の外部
リード(21)(29)(36)に強い引張力が加って
も、後の半田付け時の加熱により光透過性樹脂封止体
(45)及びリード細線(43)(44)に大きな機械
的応力が発生しない。 (4) 第1〜第3の外部リード(21)(29)(3
6)の各第1の幅狭部(24)(31)(38)と第2
の幅狭部(26)(33)(40)と導出部(28)
(35)(42)が同一直線上に配置されず、第1〜第
3の外部リード(21)(29)(36)の配列方向に
偏位している。このため、第1〜第3の外部リード(2
1)(29)(36)に導出方向に引張力が加っても、
力の支点が分散される。前記効果によって、樹脂封止体
(45)のクラックの発生を防止し、リード細線(4
3)(44)の破断を完全に防止することが可能とな
る。
【0013】本発明の実施態様は前記の実施例に限定さ
れず、変更が可能である。例えば、外部リード(21)
(29)(36)の配列方向に複数の半導体素子を配置
する代わりに、外部リード(21)(29)(36)の
配列方向と直角方向にヘッダ部(22)を長くして複数
の半導体素子を外部リード(21)(29)(36)の
配列方向と直角方向に配置することも可能であるが、装
置の小型化及び応力低減化のため、本実施例のように外
部リードの配列方向に配置した方が有利である。
【0014】
【発明の効果】前述のように、本発明では、外部リード
の折り曲げ及び外部リードの半田付け時の加熱により、
樹脂封止体にクラックが発生したり、リード細線が破断
したりすることを防止できるので、樹脂封止形半導体発
光装置の品質の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明を適用した発光ダイオードの断面図
【図2】 図1の平面図
【図3】 従来の発光ダイオードの断面図
【図4】 プリント基板に装着した発光ダイオードの外
部リードを破断する前の状態を示す断面図
【図5】 プリント基板に装着した発光ダイオードの外
部リードを破断した後の状態を示す断面図
【符号の説明】
(21)...第1の外部リード、 (22)....
ヘッダ部、 (22a)...素子固着面、 (22
b)...反射面、 (23a)...赤色の発光ダイ
オード素子、 (23b)...緑色の発光ダイオード
素子、 (24)、(31)、(38)... 第1の
幅狭部、 (25)、(32)、(39)...第1の
幅広部、 (26)、(33)、(40)...第2の
幅狭部、(27)、(34)、(41)...第2の幅
広部、 (28)、(35)、(42)...導出部
(29)...第2の外部リード、 (36)...第
3の外部リード、(30b)(37b)...反射面、
(43)、(44)...リード細線、 (4
5)...樹脂封止体、

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1、第2及び第3の外部リード(21)
    (29)(36)と、前記第1の外部リード(21)の端部に
    形成されたヘッダ部(22)に固着された複数の半導体発
    光素子(23a)(23b)と、前記第2及び第3の外部リー
    ド(29)(36)と前記半導体発光素子(23a)(23b)と
    を電気的に接続する複数のリード細線(43)(44)と、
    前記半導体発光素子(23a)(23b)、前記リード細線
    (43)(44)並びに前記第1、第2及び第3の外部リー
    ド(21)(29)(36)の一部を封止する光透過性樹脂封
    止体(45)とを備え、 前記第1の外部リード(21)のヘッダ部(22)は、前記
    半導体発光素子(23a)(23b)が固着される素子固着面
    (22a)と、前記第1、第2及び第3の外部リード(2
    1)(29)(36)の配列方向に対して略並行に前記素子
    固着面(22a)の両側に形成され且つ前記第1の外部リ
    ード(21)の両側面で厚さ方向に突出する一対の反射面
    (22b)とを備え、 前記第2の外部リード(29)及び第3の外部リード(3
    6)の端部は、前記ヘッダ部(22)の中心に対して略対
    称な形状を有し且つ環状の反射面と、前記リード細線
    (43)(44)が固着されるリード接続部(30d)(37d)
    とを備えた樹脂封止形半導体発光装置において、 前記第1の外部リード(21)は、ヘッダ部(22)側から
    外側に順次第1の幅狭部(24)、第1の幅広部(25)、
    第2の幅狭部(26)、第2の幅広部(27)及び導出部
    (28)を備え、第1の幅狭部(24)、第2の幅狭部(2
    6)及び導出部(28)の中心軸は互いにずれて配置さ
    れ、 前記第2の外部リード(29)及び第3の外部リード(3
    6)は、前記反射面(30b)(37b)から外側に順次形成
    された第1の幅狭部(31)(38)と、第1の幅広部(3
    2)(39)と、第2の幅狭部(33)(40)と、第2の幅
    広部(34)(41)と、導出部(35)(42)とを備え、前
    記第2の外部リード(29)及び第3の外部リード(36)
    の第1の幅狭部(31)(38)、第2の幅狭部(33)(4
    0)及び導出部(35)(42)の中心軸は互いにずれて配
    置されたことを特徴とする樹脂封止形半導体発光装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の外部リード(21)のヘッダ部
    (22)は略矩形に形成され、一対の前記反射面(30b)
    (37b)は前記第1の外部リード(21)の厚さ方向に互
    いに離間して配置された請求項1に記載の樹脂封止形半
    導体発光装置。
  3. 【請求項3】 前記第2及び第3の外部リード(29)
    (36)の前記第2の幅狭部(33)(40)は前記第1の外
    部リード(21)側に偏位する折曲げ部となり、前記第1
    〜第3の外部リード(21)(29)(36)の各第2の幅広
    部(27)(34)(41)の下部は前記光透過性樹脂封止体
    (45)から露出する請求項1に記載の樹脂封止形半導体
    発光装置。
JP7088478A 1995-04-13 1995-04-13 樹脂封止形半導体発光装置 Expired - Fee Related JP2913578B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7088478A JP2913578B2 (ja) 1995-04-13 1995-04-13 樹脂封止形半導体発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7088478A JP2913578B2 (ja) 1995-04-13 1995-04-13 樹脂封止形半導体発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08288554A JPH08288554A (ja) 1996-11-01
JP2913578B2 true JP2913578B2 (ja) 1999-06-28

Family

ID=13943902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7088478A Expired - Fee Related JP2913578B2 (ja) 1995-04-13 1995-04-13 樹脂封止形半導体発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2913578B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW418422B (en) * 1998-05-20 2001-01-11 Rohm Co Ltd Reflection-type sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08288554A (ja) 1996-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4174823B2 (ja) 半導体発光装置
US7282740B2 (en) Semiconductor light emitting device
US8178895B2 (en) Semiconductor light-emiting device and method
US20040075100A1 (en) Leadframe and housing for radiation-emitting component, radiation-emitting component, and a method for producing the component
JP2002094122A (ja) 光源装置及びその製造方法
JP3138795U (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
JP4242194B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2002324919A (ja) 発光ダイオードおよびその製造方法
JPS62260384A (ja) 半導体装置
JPH0715046A (ja) 射出成形プリント基板
US7619260B2 (en) Light-emitting diode and method for its production
JP2005116937A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
KR20100083907A (ko) Led 패키지 및 이의 제조 방법
JP2913578B2 (ja) 樹脂封止形半導体発光装置
KR100447413B1 (ko) 반도체 발광장치
JP2913577B2 (ja) 樹脂封止形半導体発光装置
JP2921451B2 (ja) 半導体発光モジュール
CN106067506B (zh) 发光器件封装、背光单元及发光装置的制造方法
JP3332809B2 (ja) 光素子
JP3918863B1 (ja) 発光装置の製造方法
JP2004079619A (ja) Led装置
JP3571450B2 (ja) リードフレームの製法および発光素子の製法
JP2512626Y2 (ja) 樹脂封止形光半導体装置
JP4389263B2 (ja) 半導体発光装置の製法
JP2004104153A (ja) 発光素子および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees