KR20130032095A - 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시 예는, 서로 이격된 제1, 2 리드프레임을 포함하는 몸체 및 상기 제1, 2 리드프레임와 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고, 상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는, 제1 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 영역을 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
Description
실시 예는, 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
이때, 발광소자 패키지는 기판에 배치되어 SMT 장비에 의해 솔더링하는 과정에서 뒤틀림(tilt) 현상이 발생되어, 최근들어 발광소자 패키지의 뒤틀림을 방지하기 위한 연구가 진행 중에 있다.
실시 예는, 발광소자 패키지의 뒤틀림 현상을 방지하기 용이한 발광소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격된 제1, 2 리드프레임을 포함하는 몸체 및 상기 제1, 2 리드프레임와 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고, 상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는, 제1 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 영역을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 어레이는, 기판 및 상기 기판 상에 배치되며, 발광소자 및 상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 서로 이격된 제1, 2 리드프레임을 포함하는 몸체를 포함하는 발광소자 패키지를 포함하고, 상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는, 제1 방향으로 연장된 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 상기 기판에 형성된 고정영역에 고정되는 제2 영역을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격된 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나에 몸체의 외측면 방향으로 연장된 제1 영역 및 제1 영역에서 외측면 방향과 교차하는 방향으로 연장된 제2 영역을 형성하며, 기판에 솔더링되는 경우 제2 영역에 대응하는 위치에 고정영역에 제2 영역이 고정됨으로써, 발광소자 패키지의 뒤틀림(tilt)를 방지할 수 있으며, 제조 공정 효율이 증대되는 이점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 발광소자 모듈을 간략하게 나타내는 분해사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2에 나타낸 제1, 2 리드프레임에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 1에 나타낸 발광소자 어레이의 결합 사시도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 기판에 대한 실시 예를 나타낸 분해 사시도이다.
도 7은 도 5에 나타낸 블록 'P'를 확대한 확대도이다.
도 8은 도 7에 나타낸 P1-P1 방향으로의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 7에 나타낸 P2-P2 방향으로의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.
도 12는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 13은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2에 나타낸 제1, 2 리드프레임에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 5는 도 1에 나타낸 발광소자 어레이의 결합 사시도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 기판에 대한 실시 예를 나타낸 분해 사시도이다.
도 7은 도 5에 나타낸 블록 'P'를 확대한 확대도이다.
도 8은 도 7에 나타낸 P1-P1 방향으로의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 7에 나타낸 P2-P2 방향으로의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.
도 12는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 13은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
본 실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에서 발광소자 어레이의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 어레이를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 발광소자 모듈을 간략하게 나타내는 분해사시도이다.
도 1을 참조하면, 발광소자모듈(200)은 전원컨트롤모듈(210), 발광소자 어레이(100) 및 커넥터(130)를 포함할 수 있다.
여기서, 전원컨트롤모듈(210)은 발광소자 어레이(100)에 실장된 발광소자 패키지(110)에서 소비되는 전원을 생성하여 파워서플라이(212), 파워서플라이(212)의 동작을 제어하는 컨트롤부(214) 및 커넥터(130)의 일측이 접속되는 커넥터연결부(216)를 포함할 수 있다.
이때, 파워서플라이(212)는 컨트롤부(214)의 제어에 따라 동작하며, 발광소자 어레이(100)에서 소비되는 상기 전원을 생성한다.
컨트롤부(214)는 외부에서 입력되는 명령에 따라 파워서플라이(212)의 동작을 제어할 수 있다.
이때, 상기 외부에서 입력되는 명령은 발광소자모듈(200)을 포함하는 장치의 동작을 명령하는 리모트 컨트롤 및 발광소자모듈(200)과 직접 연결된 입력장치(미도시)로부 출력되는 명령일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 커넥터연결부(216)는 커넥터(130)의 일측이 연결되며, 파워서플라이(212)로부터 공급되는 전원을 커넥터(130)로 공급할 수 있다.
발광소자 어레이(100)는 발광소자패키지(110) 및 발광소자패키지(110)와 커넥터(130)의 타측이 배치되는 기판(120)을 포함할 수 있다.
이때, 기판(120)의 상부면에는 발광소자 패키지(110)가 배치되며, 기판(120)의 하부면에는 커넥터(130)가 배치될 수 있다.
실시 예에서, 커넥터(130)는 일체형으로 이루어진 연성회로기판으로 나타내었으나, 커넥터(130)의 상기 일측 및 상기 타측이 핀 타입으로 각각 커넥터 연결부(216) 및 기판(120)에 배치된 고정부재(미도시)에 의해 결합될 수 있으며, 커넥터(130)의 형태에 대하여 한정을 두지 않는다.
기판(120)은 인쇄회로기판(printed circuit board), 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board) 또는 MCPCB(Metal Core PCB)일 수 있으며, 상기 인쇄회로기판인 경우 단면 PCB(Print circuit Board), 양면 PCB(Print circuit Board) 또는 복수 층으로 이루어진 PCB(Print circuit Board) 등을 사용할 수 있으며, 실시 예에서 기판(120)은 인쇄회로기판(printed circuit board)인 것으로 설명하며, 이에 한정을 두지 않는다.
복수의 발광소자 패키지(110)는 복수의 그룹(미도시)으로 나누어질 수 있으며, 이때 상기 복수의 그룹에 배치된 발광소자 패키지(110)는 직렬 연결될 수 있다.
이때, 상기 복수의 그룹에 포함된 발광소자 패키지(110)는 개수에 대하여 한정을 두지 않는다.
복수의 발광소자패키지(110)는 각각 서로 다른 색상을 갖는 적어도 두 개 이상의 발광소자 패키지(110)가 서로 교대로 실장될 수 있으며, 패키지 사이즈에 따라 그룹을 이루어 실장될 수 있으며, 단일 색상을 갖는 발광소자 패키지(110)로 실장될 수 있을 것이다. 또한, 이에 한정을 두지 않는다.
예를 들어, 발광소자 어레이(100)에서 백색 광을 발광시키는 경우, 복수의 발광소자 패키지(110)는 적색 광을 발광하는 발광소자 패키지와 청색 광을 발광하는 발광소자 패키지를 사용함으로써 구현할 수 있다. 따라서, 적색 광과 청색 광으로 발광하는 발광소자 패키지가 서로 교대로 실장될 수 있으며, 적색 광, 청색 광 및 녹색 광으로 형성될 수 있다.
도 1에 나타낸 전원컨트롤모듈(210)은 전원, 즉 외부 전원을 공급하는 공급장치를 나타낸 것이며, 실시 예에 따른 발광소자 어레이(100)를 설명하기 위한 장치일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 2는 발광소자 패키지(110)의 일부분을 투시하여 나타낸 투과 사시도이며, 실시 예에서 발광소자 패키지(110)는 탑 뷰 타입인 것으로 나타내었으나, 사이드 뷰 타입일 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(110)는 발광소자(10) 및 발광소자(10)가 배치된 몸체(20)를 포함할 수 있다.
몸체(20)는 제1 방향(미도시)으로 배치된 제1 격벽(22) 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(미도시)으로 배치된 제2 격벽(24)을 포함할 수 있으며, 제1, 2 격벽(22, 24)은 서로 일체형으로 형성될 수 있으며, 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대하여 한정을 두지 않는다.
즉, 제1, 2 격벽(22, 24)은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹, 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
제1, 2 격벽(22, 24)의 상면 형상은 발광소자(10)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 제1, 2 격벽(22, 24)은 발광소자(10)가 배치되는 캐비티(s)를 형성하며, 캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)를 이루는 제1, 2 격벽(22, 24)은 하부 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.
그리고, 캐비티(s)의 평면 형상은 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
몸체(20)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)이 배치될 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru) 및 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.
그리고, 제1, 2 리드프레임(13, 14)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않으며, 하기에서 자세하게 설명한다.
제1, 2 격벽(22, 24)의 내측면은 제1, 2 리드프레임(13, 14) 중 어느 하나를 기준으로 소정의 경사각을 가지고 경사지게 형성되며, 상기 경사각에 따라 발광소자(10)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(10)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
몸체(20)의 내측면은 복수의 경사각을 가질 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
제1, 2 리드프레임(13, 14)은 발광소자(10)에 전기적으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극 및 음(-)극에 각각 연결되어, 발광소자(10)로 전원을 공급할 수 있다.
실시 예에서, 제1 리드프레임(13) 상에는 발광소자(10)가 배치되며, 제2 리드프레임(14)은 제1 리드프레임(13)과 이격된 것으로 설명하며, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)과 다이본딩되며, 제2 리드프레임(14)과 와이어(미도시)에 의한 와이어 본딩되어, 제1, 2 리드프레임(13, 14)로부터 전원을 공급받을 수 있다.
여기서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 및 제2 리드프레임(14)에 서로 다른 극성을 가지며 본딩될 수 있다.
또한, 발광소자(10)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각에 와이어 본딩되거나, 또는 다이본딩 될수 있으며, 접속 방법에 대하여 한정을 두지 않는다.
실시 예에서, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13)에 배치된 것으로 설명하였으나, 이에 한정을 두지 않는다.
그리고, 발광소자(10)는 제1 리드프레임(13) 상에 접착부재(미도시)에 의해 접착될 수 있다.
여기서, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 사이에는 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 전기적인 단락(쇼트)를 방지하기 위한 절연댐(16)이 형성될 수 있다.
실시 예에서, 절연댐(16)은 상부가 반원형으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
몸체(13)에는 캐소드 마크(cathode mark, 17)가 형성될 수 있다. 캐소드 마크(17)는 발광소자(10)의 극성, 즉 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 극성을 구분하여, 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 전기적으로 연결할 때, 혼동을 방지하는데 이용될 수 있을 것이다.
발광소자(10)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 한정을 두지 않으며, 또한 제1 리드프레임(13)에 실장되는 발광소자(10)는 복수 개 일 수 있으며, 제1, 2 리드프레임(13, 14) 상에 각각 적어도 하나의 발광소자(10)가 실장될 수 있으며, 발광소자(10)의 개수 및 실장위치에 대하여 한정을 두지 않는다.
몸체(20)는 캐비티(s)에 충진된 수지물(18)을 포함할 수 있다. 즉, 수지물(18)은 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
그리고, 수지물(18)은 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
도 3 및 도 4는 도 2에 나타낸 제1, 2 리드프레임에 대한 다양한 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2에 나타낸 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 형상이 상이한 것으로 나타내고 설명하지만, 제1, 2 리드프레임(13, 14)이 서로 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 3을 참조하면, (a)는 발광소자(10)와 인접한 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각의 상면을 바라본 사시도이며, (b)는 제1, 2 리드프레임(13, 14) 각각의 상면과 대향되는 하면을 바라본 사시도이다.
여기서, (a) 및 (b)를 참조하면, 제1, 2 리드프레임(13, 14)의 측면은 단차가 형성될 수 있으며, 상기 단차가 형성되지 않을 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
이때, 제1 리드프레임(13)은 측면에서 제1 방향(X)으로 연장된 제1 영역(15a) 및 제1 영역(15a)에서 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 연장된 제2 영역(15b)을 포함할 수 있다.
실시 예에서, 제1 리드프레임(13)는 양측면에 제1, 2 영역(15a, 15b)이 모두 형성되는 것으로 나타내었으나, 일측면에 제1, 2 영역(15a, 15b)이 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
이때, 제1 영역(15a)은 제1 리드프레임(13)의 측면에서 제1 길이(d1)만큼 연장되며, 제2 영역(15b)는 제1 영역(15a)에서 제2 방향(Y)으로 제2 길이(d2) 만큼 연장될 수 있다.
여기서, 제1 길이(d1)는 제1 리드프레임(13)의 단차진 측면의 단차 길이(d3)보다 길게 형성될 수 있다.
즉, 제1 영역(15a)은 제2 영역(15b)이 몸체(20)의 외측면으로 연장 노출될 수 있도록 적어도 일부분이 외부로 연장될 수 있다.
제2 영역(15b)은 제1 영역(15a)의 평면 면적과 동일하거나, 좁게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
제2 길이(d2)는 제1 길이(d1)와 동일하거나, 제1 길이(d1) 보다 짧게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
즉, 제2 길이(d2)는 10 ㎛ 내지 150 ㎛ 일 수 있으며, 10 ㎛ 미만인 경우 도 1에 나타낸 기판(120)에 배치되는 경우 기판(120)에 형성된 고정영역(미도시)에 고정배치되지 않아 뒤틀림이 발생할 수 있으며, 150 ㎛ 보다 큰 경우 150 ㎛일 때와 뒤틀림 정도가 거의 동일할 수 있습니다.
이때, 제2 영역(15b)의 단면 형상은 다각형 형상일 수 있으며, 적어도 일면에 단차가 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 3에 나타낸 제1 리드프레임(13)의 제1, 2 영역(15a, 15b)은 동일 폭(w)인 것으로 나타내었으나, 제2 영역(15b)의 폭(w)이 제1 영역(15a)의 폭과 상이할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
그리고, 제1 영역(15a)은 제1 리드프레임(13)의 측면 일부분에서 연장된 것으로 나타내고, 제1 영역(15a)은 제2 면(13b)와 단차를 이룰 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
여기서, 도 4는 도 3에 나타낸 제1, 2 리드프레임(13, 14)과 동일 구성에 대하여 간략하게 설명하거나 생략한다.
즉, 도 4의 (a) 및 (b)을 참조하면, 제2 영역(15b)는 제1 영역(15a)의 외측 둘레를 감싸도록 형성될 수 있다.
여기서, 제2 영역(15b)은 기판(120) 상에 형성된 고정영역(미도시)에 고정 배치될 수 있으며, 중심부가 오픈되어 상기 고정영역에 고정배치되는 경우 제2 영역(15b)의 각 변이 각각에서 뒤틀림(tilt)을 방지할 수 있다.
실시 예에서, 제1 영역(15a)은 제1 리드프레임(13)의 측면에서 연장되고, 제2 영역(15b)은 제1 영역(15a)에서 연장된 것으로 나타내고 설명하였으나, 제1 영역(15a)은 제1 리드프레임(13)의 하면에서 제2 방향(Y)과 역방향으로 연장되고, 제2 영역(15b)은 제1 영역(15a)에서 제1 방향(X)으로 연장될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 5는 도 1에 나타낸 발광소자 어레이의 결합 사시도이고, 도 6은 도 5에 나타낸 기판에 대한 실시 예를 나타낸 분해 사시도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 발광소자 어레이(100)는 발광소자 패키지(110) 및 기판(120)을 포함할 수 있다.
실시 예에서, 발광소자 패키지(110)는 도 3에 나타낸 제1, 2 리드프레임(13, 14)을 포함하는 발광소자 패키지이며, 도 4에 나타낸 발광소자 패키지를 적용할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 실시 예에서 발광소자 패키지(110)에 대한 설명은 생략하기로 한다.
기판(120)은 베이스층(120a), 동박층(120b) 및 절연층(120c)을 포함할 수 있다.
여기서, 베이스층(120a)의 상면에 배치되는 동박층(120b) 및 절연층(120c)을 나타낼 수 있다. 실시 예에 나타낸 기판(120)은 단면만 사용하는 것으로 나타내었으나, 양면 기판을 사용하는 경우 기판의 배면에 동박층(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
베이스층(120a)은 FR4 재질일 수 있으며, 이외에 다른 절연 재질이 적용될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
여기서 베이스층(120a)에는 도 3에 나타낸 발광소자 패키지(110)의 제1, 2 영역(15a, 15b) 중 적어도 하나를 고정하는 고정영역(121d)이 형성될 수 있다.
이때, 고정영역(121d)은 홈 또는 홀로 형성될 수 있으며, 고정영역(121d)의 깊이는 50 ㎛ 내지 200 ㎛이며, 제2 영역(15b)의 제2 길이(d2)보다 깊게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
동박층(120b)은 베이스층(120a)의 상면에 배치되며, 도 3에 나타낸 발광소자(112)의 제1, 2 리드프레임(13, 14)과 전기적으로 접촉되는 제1, 2 전극패턴(122a, 122b) 및 커넥터(미도시)가 배치되는 커넥터패턴(122c)을 포함할 수 있다.
동박층(120b)은 제1, 2 전극패턴(122a, 122b) 및 커넥터패턴(122c) 사이를 연결하는 연결패턴(미도시)을 포함할 수 있다.
절연층(120c)은 동박층(120b) 및 베이스층(120a) 상에 배치될 수 있으며, 제1, 2 전극패턴(122a, 122b) 및 커넥터패턴(122c)이 외부에 노출되어, 발광소자 패키지(112) 및 상기 커넥터가 배치되도록 오픈된 제1, 2 전극오픈영역(123a, 123b), 커넥터오픈영역(123c) 및 베이스층(120a)의 고정영역(121d)에 발광소자 패키지(110)의 제2 영역(15b)가 배치되도록 오픈된 고정오픈영역(123d)이 형성될 수 있다.
여기서, 절연층(120c)은 판 형상으로 식각 공정에 의하여 제1, 2 전극오픈영역(123a, 123b), 커넥터오픈영역(123c) 및 고정오픈영역(123d)이 형성될 수 있다.
절연층(120c)은 PSR 잉크 및 절연성 필름 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 절연층(120c)은 발광소자 패키지(110)에서 방출되는 광을 반사시킬 수 있는 반사도가 높은 재질일 수 있다.
도 7은 도 5에 나타낸 블록 'P'를 확대한 확대도이고, 도 8은 도 7에 나타낸 P1-P1 방향으로의 절단면을 나타낸 단면도이고, 도 9는 도 7에 나타낸 P2-P2 방향으로의 절단면을 나타낸 단면도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 발광소자 패키지(110)의 제2 영역(15b)는 기판(120)의 고정영역(121d)에 고정배치될 수 있다.
즉, 도 8에 나타낸 바와 같이, 발광소자 패키지(110)와 동박층(120b) 사이에는 솔더크림, 납, Ag 페이스트 중 적어도 하나를 포함하는 솔더층(130)이 배치될 수 있다.
솔더층(130)은 발광소자 패키지(110)와 동박층(120b) 사이에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
이때, 솔더층(130)은 발광소자 패키지(110)의 배면에 배치되는 제1, 2 리드프레임(13, 14)와 동박층(120b)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.
여기서, 도 9에 나타낸 바와 같이 고정영역(121d)의 깊이는 제2 영역(15b)의 길이보다 깊게 형성될 수 있으며, 50 ㎛ 내지 200 ㎛ 일 수 있다.
실시 예에서는 고정영역(121d) 상에 솔더층(130)이 배치되지 않는 것으로 나타내었으나, 솔더층(130)은 60 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있으므로, 솔더층(130)의 두께를 고려한 것이다.
이와 같이, 제2 영역(15b)은 고정영역(121d)에 고정됨으로써, 발광소자 패키지(110)의 뒤틀림을 방지할 수 있으며, 발광소자 패키지(110)에서 발생되는 열에 대한 방열을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 11은 도 10에 나타낸 조명장치의 A-A` 단면을 나타낸 단면도이다.
이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.
즉, 도 11은 도 10의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.
몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광소자패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
여기서, 발광소자모듈(340)은 발광소자패키지(344) 및 인쇄회로기판(342)을 포함하는 발광소자 어레이(미도시)를 포함할 수 있다.
발광소자패키지(344)는 PCB(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(342)로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 12는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 12는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(410)은 백라이트유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 466, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(440)로 구성된다.
발광소자모듈(420)은 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.
한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(466)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)을 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.
도 13은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
다만, 도 12에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 13은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트유닛(570)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(510)은 도 12에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.
발광소자모듈(523)은 복수의 발광소자패키지(522)와 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.
반사시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학필름(560)이 배치된다. 광학필름(560)은 확산필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함할 수 있다.
여기서, 조명장치(300) 및 액정표시장치는 조명시스템에 포함될 수 있으며, 이 외에도 발광소자 패키지를 포함하며 조명을 목적으로 하는 장치 등도 조명시스템에 포함될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (17)
- 서로 이격된 제1, 2 리드프레임을 포함하는 몸체; 및
상기 제1, 2 리드프레임와 전기적으로 연결된 발광소자;를 포함하고,
상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는,
제1 방향으로 연장된 제1 영역; 및
상기 제1 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 영역;을 포함하는 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 영역의 일부분은,
상기 몸체의 외부로 노출된 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는,
측면에 단차가 형성되며,
상기 제1 영역의 길이는,
상기 단차 길이보다 긴 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 영역은,
상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나의 측면에 배치된 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 영역은,
상기 제1 영역의 적어도 일부분에 형성되며,
상기 제2 영역의 길이는,
상기 제1 영역의 길이와 동일하거나,
상기 제1 영역의 길이보다 짧게 형성된 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제2 영역의 길이는,
10 ㎛ 내지 150 ㎛ 인 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제2 영역의 단면 형상은,
다각형 형상인 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서, 상기 제2 영역은,
상기 제1 영역의 외측 둘레를 감싸는 발광소자 패키지. - 기판; 및
상기 기판 상에 배치되며, 발광소자 및 상기 발광소자와 전기적으로 연결되며 서로 이격된 제1, 2 리드프레임을 포함하는 몸체를 포함하는 발광소자 패키지;를 포함하고,
상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는,
제1 방향으로 연장된 제1 영역; 및
상기 제1 영역에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 상기 기판에 형성된 고정영역에 고정되는 제2 영역;을 포함하는 발광소자 어레이. - 제 9 항에 있어서,
상기 제1 방향은,
상기 몸체의 외측면 방향이며,
상기 제2 방향은,
상기 기판 방향인 발광소자 어레이. - 제 9 항에 있어서, 상기 기판은,
상기 고정영역이 형성된 베이스층;
상기 베이스층 상에 배치되며 상기 제1, 2 리드프레임이 솔더링되는 전극패턴을 포함하는 동박층; 및
상기 베이스층 및 상기 동박층 상에 배치되며, 상기 전극패턴 및 상기 고정영역을 노출시키는 절연층;을 포함하는 발광소자 어레이. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1, 2 리드프레임 중 적어도 하나는,
상기 발광소자와 인접한 제1 면; 및
상기 제1 면과 대향되며 상기 전극패턴과 솔더링되는 제2 면;을 포함하고,
상기 전극패턴은,
상기 제2 면 및 상기 제1, 2 영역 중 적어도 하나와 솔더링되는 발광소자 어레이. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1, 2 리드프레임과 상기 전극패턴 사이에 솔더층;을 포함하고,
상기 솔더층은,
솔더크림, 납, Ag 페이스트 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 어레이. - 제 13 항에 있어서, 상기 제2 영역의 길이는,
상기 절연층의 두께 내지 상기 절연층, 상기 동박층 및 상기 솔더층의 합 두께인 발광소자 어레이. - 제 11 항에 있어서, 상기 제2 영역의 길이는,
10 ㎛ 내지 150 ㎛ 인 발광소자 어레이. - 제 11 항에 있어서, 상기 고정영역은,
홈 또는 홀인 발광소자 어레이. - 제 11 항에 있어서, 상기 고정영역의 깊이는,
50 ㎛ 내지 200 ㎛ 인 발광소자 어레이.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995024732A1 (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | National Semiconductor Corporation | A molded lead frame and method of making same |
JP2001024216A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Ichikoh Ind Ltd | 発光ダイオードの固定構造 |
KR20100055748A (ko) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 발광장치 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995024732A1 (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-14 | National Semiconductor Corporation | A molded lead frame and method of making same |
JP2001024216A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Ichikoh Ind Ltd | 発光ダイオードの固定構造 |
KR20100055748A (ko) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 발광장치 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140139817A (ko) * | 2013-05-28 | 2014-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 및 이를 포함한 액정표시장치 |
KR20150121930A (ko) * | 2014-04-22 | 2015-10-30 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
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