JP2001196639A - Led発光素子及びその製造方法 - Google Patents
Led発光素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001196639A JP2001196639A JP2000003718A JP2000003718A JP2001196639A JP 2001196639 A JP2001196639 A JP 2001196639A JP 2000003718 A JP2000003718 A JP 2000003718A JP 2000003718 A JP2000003718 A JP 2000003718A JP 2001196639 A JP2001196639 A JP 2001196639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cup
- led chip
- phosphor
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蛍光体を均一に配置して色むらの少ないLE
D発光素子を提供する。 【構成】 下から上に向かって広がった傾斜面6をもつ
カップ4と、前記カップ4内に配置したLEDチップ5
と、前記LEDチップ5が埋没するように前記カップ4
内に充填した第1の樹脂8と、前記LEDチップ5が発
する光の波長を変換して出力する蛍光体の大部分を含み
前記カップ4の開口を覆うように前記第1の樹脂8の表
面に配置した第2の樹脂9を備えることを特徴とする。
D発光素子を提供する。 【構成】 下から上に向かって広がった傾斜面6をもつ
カップ4と、前記カップ4内に配置したLEDチップ5
と、前記LEDチップ5が埋没するように前記カップ4
内に充填した第1の樹脂8と、前記LEDチップ5が発
する光の波長を変換して出力する蛍光体の大部分を含み
前記カップ4の開口を覆うように前記第1の樹脂8の表
面に配置した第2の樹脂9を備えることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LEDチップが出力す
る光の波長を変換して出力することができるLED発光
素子とその製造方法に関する。
る光の波長を変換して出力することができるLED発光
素子とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】LEDチップが出力する光の波長を蛍光
体を用いて変換して出力することができるLED発光素
子は、例えば、特許第2927279号公報等に示され
ている。従来の発光素子は、蛍光体を含有する樹脂をカ
ップに充填させた後、これを熱硬化させる。この熱硬化
を行なう際、静置した樹脂内の蛍光体の一部分が自重で
沈降し、図3に示すようにカップの底に堆積する。
体を用いて変換して出力することができるLED発光素
子は、例えば、特許第2927279号公報等に示され
ている。従来の発光素子は、蛍光体を含有する樹脂をカ
ップに充填させた後、これを熱硬化させる。この熱硬化
を行なう際、静置した樹脂内の蛍光体の一部分が自重で
沈降し、図3に示すようにカップの底に堆積する。
【0003】このように沈降し堆積した蛍光体は、場所
によってその厚さに相違が生じ易い。LEDチップの上
面、特にその縁では蛍光体の量が少なくなりやすく、一
方、カップ底、特にカップの傾斜面の下縁部分では傾斜
面に沿って沈降する蛍光体の量が多くなりやすい。ま
た、カップの傾斜面に沿って沈降する蛍光体の堆積状態
は、カップの形状の影響を受けやすく、例えば、カップ
の平面形状が円であれば、円形に厚く堆積し、四角形で
あれば四角形に厚く堆積する。そして、堆積厚さの厚い
部分では、チップから出力されて蛍光体で波長変換され
る光の量が多くなる一方で、厚さの薄い部分では、チッ
プから出力されて蛍光体で波長変換される光の量が少な
くなる。その結果、チップから出力された光と蛍光体で
波長変換された光の混色具合が場所によって相違し、色
むらが発生するという問題が有った。この色むらは、カ
ップの形状の影響も受けやすい。
によってその厚さに相違が生じ易い。LEDチップの上
面、特にその縁では蛍光体の量が少なくなりやすく、一
方、カップ底、特にカップの傾斜面の下縁部分では傾斜
面に沿って沈降する蛍光体の量が多くなりやすい。ま
た、カップの傾斜面に沿って沈降する蛍光体の堆積状態
は、カップの形状の影響を受けやすく、例えば、カップ
の平面形状が円であれば、円形に厚く堆積し、四角形で
あれば四角形に厚く堆積する。そして、堆積厚さの厚い
部分では、チップから出力されて蛍光体で波長変換され
る光の量が多くなる一方で、厚さの薄い部分では、チッ
プから出力されて蛍光体で波長変換される光の量が少な
くなる。その結果、チップから出力された光と蛍光体で
波長変換された光の混色具合が場所によって相違し、色
むらが発生するという問題が有った。この色むらは、カ
ップの形状の影響も受けやすい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、色む
らの発生を防止したLED発光素子を提供することを課
題とする。また、蛍光体の厚さを均一にすることができ
るLED発光素子を提供することを課題とする。また、
カップの形状に起因する色むらを防止することを課題と
する。
らの発生を防止したLED発光素子を提供することを課
題とする。また、蛍光体の厚さを均一にすることができ
るLED発光素子を提供することを課題とする。また、
カップの形状に起因する色むらを防止することを課題と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のLED発光素子
は、請求項1に記載のように、下から上に向かって広が
った傾斜面をもつカップと、前記カップ内に配置したL
EDチップと、前記LEDチップが埋没するように前記
カップ内に充填した第1の樹脂と、前記LEDチップが
発する光の波長を変換して出力する蛍光体の大部分を含
み前記カップの開口を覆うように前記第1樹脂の表面に
配置した第2の樹脂を備えることを特徴とする。
は、請求項1に記載のように、下から上に向かって広が
った傾斜面をもつカップと、前記カップ内に配置したL
EDチップと、前記LEDチップが埋没するように前記
カップ内に充填した第1の樹脂と、前記LEDチップが
発する光の波長を変換して出力する蛍光体の大部分を含
み前記カップの開口を覆うように前記第1樹脂の表面に
配置した第2の樹脂を備えることを特徴とする。
【0006】本発明のLED発光素子は、請求項2に記
載のように、前記発光素子において、前記カップとそれ
に隣接したリードピンの先端とを覆う第3の樹脂を備え
ることを特徴とする。
載のように、前記発光素子において、前記カップとそれ
に隣接したリードピンの先端とを覆う第3の樹脂を備え
ることを特徴とする。
【0007】本発明のLED発光素子の製造方法は、請
求項3に記載のように、下から上に向かって広がった傾
斜面をもつカップ内にLEDチップを配置した後、前記
LEDチップが埋没するように前記カップ内に第1の樹
脂を配置するとともに、前記第1の樹脂の上に、前記L
EDチップが発する光の波長を変換して出力する蛍光体
の大部分を含んだ第2の樹脂を前記カップの開口を覆う
ように配置することを特徴とする。
求項3に記載のように、下から上に向かって広がった傾
斜面をもつカップ内にLEDチップを配置した後、前記
LEDチップが埋没するように前記カップ内に第1の樹
脂を配置するとともに、前記第1の樹脂の上に、前記L
EDチップが発する光の波長を変換して出力する蛍光体
の大部分を含んだ第2の樹脂を前記カップの開口を覆う
ように配置することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面を参照
して説明する。図1は本発明のLED発光素子の一実施
例を示す断面図である。図に示すように、このLED発
光素子1は、一対のリードピン2,3の一方のリードピ
ン2の先端にカップ4を一体に形成し、このカップ4の
中にLEDチップ5を配置している。
して説明する。図1は本発明のLED発光素子の一実施
例を示す断面図である。図に示すように、このLED発
光素子1は、一対のリードピン2,3の一方のリードピ
ン2の先端にカップ4を一体に形成し、このカップ4の
中にLEDチップ5を配置している。
【0009】カップ4は、LEDチップ5を完全に収容
することができる深さを備えているとともに、下から上
向きに広がる傾斜面6を周囲部に一体に備えている。
することができる深さを備えているとともに、下から上
向きに広がる傾斜面6を周囲部に一体に備えている。
【0010】LEDチップ5は、可視光、この例では発
光ピーク波長が470nm前後の青色発光LEDチップ
を用いているが、可視領域や紫外領域にピーク波長を有
する他のLEDチップを用いることもできる。青色発光
LEDチップは、SiCやサファイヤ等を基板として用
い、その上に有機金属化学気相成長(MOCVD)法等
によって、InGaN/GaN多重量子井戸型の発光層
を含んだ薄膜の結晶成長を行なって形成することができ
る。この時、ドナー不純物としてはSiを、アクセプタ
ー不純物としては、Mgを用いることができる。
光ピーク波長が470nm前後の青色発光LEDチップ
を用いているが、可視領域や紫外領域にピーク波長を有
する他のLEDチップを用いることもできる。青色発光
LEDチップは、SiCやサファイヤ等を基板として用
い、その上に有機金属化学気相成長(MOCVD)法等
によって、InGaN/GaN多重量子井戸型の発光層
を含んだ薄膜の結晶成長を行なって形成することができ
る。この時、ドナー不純物としてはSiを、アクセプタ
ー不純物としては、Mgを用いることができる。
【0011】LEDチップ5は、銀ペーストなどの導電
性接着剤によってカップ4の底に固定された後、金線等
のワイヤボンド線7によってリード3の頂上部に配線が
施される。
性接着剤によってカップ4の底に固定された後、金線等
のワイヤボンド線7によってリード3の頂上部に配線が
施される。
【0012】チップ配置と配線が施されたカップ4に
は、初めに第1の樹脂8が充填されてその熱硬化が行わ
れる。第1の樹脂8は、後述する蛍光体を含まないエポ
キシ等の透明樹脂で構成され、この樹脂8内にLEDチ
ップ5が完全に埋没するようにカップ4の開口部近くま
で充填される。熱硬化後の第1の樹脂8の上には、その
表面を覆うように第2の樹脂9が配置される。第2の樹
脂9は、LEDチップ5が発する光を吸収し、例えば黄
色の光に波長変換して出力するYAG系の蛍光体を含ん
だエポキシ樹脂で構成している。この第2の樹脂9は、
第1の樹脂8が硬化した後に前記カップ4の開口部を覆
うように塗布され、熱硬化される。
は、初めに第1の樹脂8が充填されてその熱硬化が行わ
れる。第1の樹脂8は、後述する蛍光体を含まないエポ
キシ等の透明樹脂で構成され、この樹脂8内にLEDチ
ップ5が完全に埋没するようにカップ4の開口部近くま
で充填される。熱硬化後の第1の樹脂8の上には、その
表面を覆うように第2の樹脂9が配置される。第2の樹
脂9は、LEDチップ5が発する光を吸収し、例えば黄
色の光に波長変換して出力するYAG系の蛍光体を含ん
だエポキシ樹脂で構成している。この第2の樹脂9は、
第1の樹脂8が硬化した後に前記カップ4の開口部を覆
うように塗布され、熱硬化される。
【0013】第2の樹脂9の熱硬化が終了した後、前記
カップ4部分を含めて第1、第2のリード2,3の先端
を覆うように第3の樹脂10が形成される。第3の樹脂
10は、第1の樹脂8と同様に前記蛍光体を含まない透
明なエポキシ等の樹脂で構成され、成形用の型を用いて
砲弾形状に形成される。
カップ4部分を含めて第1、第2のリード2,3の先端
を覆うように第3の樹脂10が形成される。第3の樹脂
10は、第1の樹脂8と同様に前記蛍光体を含まない透
明なエポキシ等の樹脂で構成され、成形用の型を用いて
砲弾形状に形成される。
【0014】上記のように構成した発光素子1は、第
1、第2のリード2,3に通電してLEDチップ5を発
光させると、その光は第1の樹脂8を透過し、直接ある
いはカップ4等で反射されて第2の樹脂9に至る。第2
の樹脂9には、LEDチップ5の光を吸収して波長変換
する蛍光体の殆どが含有されているので、第2の樹脂9
に至った光の一部は、蛍光体によって黄色の光に変換さ
れる。この波長変換された光(黄色)と第2の樹脂9を
通過してきた元の光(青色)が混色され、観察者には白
色として認識される。
1、第2のリード2,3に通電してLEDチップ5を発
光させると、その光は第1の樹脂8を透過し、直接ある
いはカップ4等で反射されて第2の樹脂9に至る。第2
の樹脂9には、LEDチップ5の光を吸収して波長変換
する蛍光体の殆どが含有されているので、第2の樹脂9
に至った光の一部は、蛍光体によって黄色の光に変換さ
れる。この波長変換された光(黄色)と第2の樹脂9を
通過してきた元の光(青色)が混色され、観察者には白
色として認識される。
【0015】上記のように、蛍光体の殆どを含有する樹
脂9を第1の樹脂8の上にカップ4の開口を塞ぐように
配置しているので、第1の樹脂8のみに蛍光体を含有さ
せる場合に比べて、蛍光体の偏った沈降による色むらを
防止することができる。また、カップ4の開口を塞ぐよ
うに第2の樹脂9を配置しているので、透明樹脂の最外
表面に蛍光体を塗布する場合に比べて、LEDチップ5
から発した光が蛍光体層によって波長変換されるまでの
距離を短く、しかも均一な長さに保つことができ、元の
光と波長変換された光の混色具合を均一に保つことがで
きる。
脂9を第1の樹脂8の上にカップ4の開口を塞ぐように
配置しているので、第1の樹脂8のみに蛍光体を含有さ
せる場合に比べて、蛍光体の偏った沈降による色むらを
防止することができる。また、カップ4の開口を塞ぐよ
うに第2の樹脂9を配置しているので、透明樹脂の最外
表面に蛍光体を塗布する場合に比べて、LEDチップ5
から発した光が蛍光体層によって波長変換されるまでの
距離を短く、しかも均一な長さに保つことができ、元の
光と波長変換された光の混色具合を均一に保つことがで
きる。
【0016】尚、上記実施例は、第1、第3の樹脂8,
10を蛍光体を含まない透明樹脂とした例を示したが、
第2の樹脂9の蛍光体含有率よりも大幅に小さな含有率
の範囲内で蛍光体をごく微量含有させることもできる。
10を蛍光体を含まない透明樹脂とした例を示したが、
第2の樹脂9の蛍光体含有率よりも大幅に小さな含有率
の範囲内で蛍光体をごく微量含有させることもできる。
【0017】また、上記実施例は、一対のリードピン
2,3の先端にLEDチップ5を配置して配線を施した
ランプタイプのLED発光素子を例にとって説明した
が、本発明は、図2に示すように、チップタイプのLE
D発光素子11にも適用することができる。すなわち、
図2に示すように、チップLED本体12の上面に形成
したカップ13の底面にLEDチップ5を配置し、カッ
プ底面の配線用リード14との間に金線などのワイヤボ
ンド線7を用いて配線を行なう。カップ13は、LED
チップ5が埋まる程度の充分な深さを有している。LE
Dチップ5の固定と配線が終わってからカップ13内に
第1の樹脂8を充填し、熱硬化させる。熱硬化が終わっ
てから、第2の樹脂9を第1の樹脂8を覆うように充填
し、熱硬化させる。LEDチップ5、第1、第2の樹脂
8,9は、先の例と同じ物を用いることができる。
2,3の先端にLEDチップ5を配置して配線を施した
ランプタイプのLED発光素子を例にとって説明した
が、本発明は、図2に示すように、チップタイプのLE
D発光素子11にも適用することができる。すなわち、
図2に示すように、チップLED本体12の上面に形成
したカップ13の底面にLEDチップ5を配置し、カッ
プ底面の配線用リード14との間に金線などのワイヤボ
ンド線7を用いて配線を行なう。カップ13は、LED
チップ5が埋まる程度の充分な深さを有している。LE
Dチップ5の固定と配線が終わってからカップ13内に
第1の樹脂8を充填し、熱硬化させる。熱硬化が終わっ
てから、第2の樹脂9を第1の樹脂8を覆うように充填
し、熱硬化させる。LEDチップ5、第1、第2の樹脂
8,9は、先の例と同じ物を用いることができる。
【0018】このように第1の樹脂8内にLEDチップ
5が埋没するようにしてカップ13内に第1の樹脂8を
配置し、その上に第1の樹脂8よりも少量で、蛍光体の
含有率が第1の樹脂8に比べて大幅に大きな第2の樹脂
9をカップ13の開口部を塞ぐように配置することによ
り、第2の樹脂9に含有した蛍光体をカップ形状の影響
を受けることなく均一に配置することができる。
5が埋没するようにしてカップ13内に第1の樹脂8を
配置し、その上に第1の樹脂8よりも少量で、蛍光体の
含有率が第1の樹脂8に比べて大幅に大きな第2の樹脂
9をカップ13の開口部を塞ぐように配置することによ
り、第2の樹脂9に含有した蛍光体をカップ形状の影響
を受けることなく均一に配置することができる。
【0019】上記各実施例において、第1の樹脂8をカ
ップの上面と面一に配置し、その上に第2の樹脂9を配
置することもできるが、図1,2に示すように、第2の
樹脂9がカップ4,13の上面と面一になるように配置
することが望ましい。このように、第2の樹脂9をカッ
プ4,13の上面と面一に配置すると、カップ4,13
の開口を確実に塞ぐことができる。また、面一に配置す
ることにより、カップから突出する樹脂9の量を少なく
することができ、外部から第2の樹脂9に当たる不要な
可視光をカップ4,13によって遮光する割合を高める
ことができる。
ップの上面と面一に配置し、その上に第2の樹脂9を配
置することもできるが、図1,2に示すように、第2の
樹脂9がカップ4,13の上面と面一になるように配置
することが望ましい。このように、第2の樹脂9をカッ
プ4,13の上面と面一に配置すると、カップ4,13
の開口を確実に塞ぐことができる。また、面一に配置す
ることにより、カップから突出する樹脂9の量を少なく
することができ、外部から第2の樹脂9に当たる不要な
可視光をカップ4,13によって遮光する割合を高める
ことができる。
【0020】尚、上記各実施例では、第1の樹脂8を硬
化させた後に、第2の樹脂9を硬化させたが、硬化前の第
1の樹脂8の上に第2の樹脂9を配置して熱硬化を行な
うことにより、第1、第2の樹脂8,9を同時に硬化させ
ても良い。
化させた後に、第2の樹脂9を硬化させたが、硬化前の第
1の樹脂8の上に第2の樹脂9を配置して熱硬化を行な
うことにより、第1、第2の樹脂8,9を同時に硬化させ
ても良い。
【0021】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、蛍光体を
均一に配置して色むらの少ないLED発光素子を提供す
ることができる。
均一に配置して色むらの少ないLED発光素子を提供す
ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図3】従来例を示す断面図である。
1 LED発光素子 4 カップ 5 LEDチップ 8 第1の樹脂 9 第2の樹脂 10 第3の樹脂
Claims (3)
- 【請求項1】 下から上に向かって広がった傾斜面をも
つカップと、前記カップ内に配置したLEDチップと、
前記LEDチップが埋没するように前記カップ内に充填
した第1の樹脂と、前記LEDチップが発する光の波長
を変換して出力する蛍光体の大部分を含み前記カップの
開口を覆うように前記第1樹脂の表面に配置した第2の
樹脂を備えることを特徴とするLED発光素子。 - 【請求項2】 前記カップとそれに隣接したリードピン
の先端とを覆う第3の樹脂を備えることを特徴とする請
求項1記載のLED発光素子。 - 【請求項3】 下から上に向かって広がった傾斜面をも
つカップ内にLEDチップを配置した後、前記LEDチ
ップが埋没するように前記カップ内に第1の樹脂を配置
するとともに、前記第1樹脂の上に、前記LEDチップ
が発する光の波長を変換して出力する蛍光体の大部分を
含んだ第2の樹脂を前記カップの開口を覆うように配置
することを特徴とするLED発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000003718A JP2001196639A (ja) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | Led発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000003718A JP2001196639A (ja) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | Led発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001196639A true JP2001196639A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=18532616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000003718A Pending JP2001196639A (ja) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | Led発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001196639A (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003021691A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device |
US6809342B2 (en) | 2002-05-31 | 2004-10-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
JP2006041084A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sharp Corp | 光半導体装置、光コネクタおよび電子機器 |
JP2006093612A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
US7221003B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-05-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device |
US7246930B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-07-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7260123B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-08-21 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same |
US7300326B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-11-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED device and method for manufacturing the same |
US7309881B2 (en) | 2003-08-12 | 2007-12-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Wavelength-converting LED |
US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
JPWO2005091386A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-02-07 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
US7371593B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-05-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
US7411220B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-08-12 | Stanley Electric Co. Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
US7442563B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-10-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing and semiconductor light emitting device |
US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
US7508129B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-03-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mount LED |
US7586127B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-09-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode |
US7605403B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and fabrication method of the same |
US7605405B2 (en) | 2004-03-22 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having first and second resins |
US7635873B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-12-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
US7728508B2 (en) | 2004-06-11 | 2010-06-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode with fluorescent material |
US7754527B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED and method of manufacturing the same |
US7763906B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-07-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method |
US7932523B2 (en) | 2004-07-30 | 2011-04-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source of lighting device |
JP2011091204A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源装置の製造方法 |
US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
US8614451B2 (en) | 2004-09-24 | 2013-12-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode device |
US8884315B2 (en) | 2004-04-23 | 2014-11-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
CN111969094A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-20 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装结构 |
-
2000
- 2000-01-12 JP JP2000003718A patent/JP2001196639A/ja active Pending
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003021691A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device |
US7629620B2 (en) | 2001-09-03 | 2009-12-08 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
USRE47453E1 (en) | 2001-09-03 | 2019-06-25 | Panasonic Corporation | Luminescent layer and light-emitting semiconductor device |
US7023019B2 (en) | 2001-09-03 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
CN101335322B (zh) * | 2001-09-03 | 2010-12-08 | 松下电器产业株式会社 | 荧光体层、半导体发光装置及半导体发光元件的制造方法 |
CN100423296C (zh) * | 2001-09-03 | 2008-10-01 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 |
US7772769B2 (en) | 2001-09-03 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
US7422504B2 (en) | 2001-09-03 | 2008-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
US7592639B2 (en) | 2001-09-03 | 2009-09-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
US6809342B2 (en) | 2002-05-31 | 2004-10-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
US8093613B2 (en) | 2003-06-13 | 2012-01-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source |
US7622748B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-11-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source and method |
US7309881B2 (en) | 2003-08-12 | 2007-12-18 | Stanley Electric Co., Ltd. | Wavelength-converting LED |
US7753573B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7246930B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-07-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
US7950837B2 (en) | 2003-10-24 | 2011-05-31 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
US7260123B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-08-21 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting apparatus having wavelength conversion portion and method of fabricating the same |
US7605405B2 (en) | 2004-03-22 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having first and second resins |
JPWO2005091386A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2008-02-07 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
US7586127B2 (en) | 2004-03-29 | 2009-09-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode |
US7955878B2 (en) | 2004-03-31 | 2011-06-07 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
US7635873B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-12-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
US8884315B2 (en) | 2004-04-23 | 2014-11-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
US7605403B2 (en) | 2004-05-11 | 2009-10-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and fabrication method of the same |
US7728508B2 (en) | 2004-06-11 | 2010-06-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode with fluorescent material |
US7595206B2 (en) * | 2004-06-18 | 2009-09-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor light emitting device |
US7411220B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-08-12 | Stanley Electric Co. Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2006041084A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sharp Corp | 光半導体装置、光コネクタおよび電子機器 |
US7932523B2 (en) | 2004-07-30 | 2011-04-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source of lighting device |
US7754527B2 (en) | 2004-08-09 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED and method of manufacturing the same |
US8648366B2 (en) | 2004-08-09 | 2014-02-11 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED and method of manufacturing the same |
US8614451B2 (en) | 2004-09-24 | 2013-12-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting diode device |
JP2006093612A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
US7442563B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-10-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing and semiconductor light emitting device |
US8481349B2 (en) | 2004-10-04 | 2013-07-09 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
US7371593B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-05-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
US7300326B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-11-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED device and method for manufacturing the same |
US7508129B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-03-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mount LED |
US7221003B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-05-22 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light emitting device |
US8178895B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-05-15 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emiting device and method |
US7763906B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-07-27 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method |
US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
JP2011091204A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Citizen Holdings Co Ltd | Led光源装置の製造方法 |
CN111969094A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-11-20 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装结构 |
CN111969094B (zh) * | 2020-09-02 | 2022-10-04 | 安晟技术(广东)有限公司 | 一种led芯片的封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001196639A (ja) | Led発光素子及びその製造方法 | |
TWI550910B (zh) | Semiconductor light emitting device | |
US9847465B2 (en) | Light emitting device with molded wavelength converting layer | |
CN103081141B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
EP2975655B1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP5290368B2 (ja) | ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、led照明装置、光源 | |
US7208769B2 (en) | LED arrangement | |
JP4254266B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
US8207552B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
US8546838B2 (en) | Light emitting device package and method for manufacturing the same | |
US20080128732A1 (en) | Light emitting device | |
JP2003258300A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2002252376A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2001210872A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP3725413B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR100901369B1 (ko) | 백색 발광다이오드 칩 및 그 제조 방법 | |
JP2010129655A (ja) | Led発光装置 | |
JP3492945B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP2001177157A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3798588B2 (ja) | 発光ダイオード | |
KR101543725B1 (ko) | 반도체 발광소자를 제조하는 방법 | |
KR20130051095A (ko) | 리드 프레임, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 | |
JP2007165548A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR20100093948A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040928 |