KR101134409B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지의 반사면 구조에 관한 것이다.
본 발명은 광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 및 상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면을 포함하여 이루어지고, 여기서, 상기 반사면은 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에서 형성되어 수평면과 28.5~31.5도의 각도를 갖는 제 1 반사면과, 상기 제 1 반사면에서 형성되어 수평면과 57~63도의 각도를 갖는 제 2 반사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
따라서, 발광 다이오드의 측면에서 방출된 빛이 2중 구조의 반사컵에 의하여 전면으로 반사되어 발광 다이오드의 광효율을 극대화할 수 있으며, 발광 다이오드 패키지의 반사면에 반사 유닛이 구비되어 초박형 백라이트 내의 발광 다이오드 패키지 내의 빛의 출사각을 조절할 수 있다.

Description

발광 다이오드 패키지{Light emitting diode package}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 다이오드 패키지의 반사면 구조에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다.
이러한 기술의 발달로 디스플레이 소자뿐만 아니라 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL : Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
여기서, LED의 구조는 기판 상에 P 전극, 활성층, N 전극이 순차적으로 적층되고, 기판과 N 전극이 와이어 본딩되어 있으므로 전류가 상호 통전될 수 있다.
그리고, 기판에 전류를 인가하면, 전류가 P전극과 N전극에 공급되기 때문에, P전극으로부터 활성층으로 정공(+)이 방출되고, N 전극으로부터 활성층으로 전자(-)가 방출된다. 따라서, 활성층에서 정공과 전자가 결합하면서 에너지 준위가 낮아지게 되고, 에너지 준위가 낮아짐과 동시에 방출되는 에너지가 빛의 형태로 발산된다.
종래의 발광 다이오드 소자는, 발광 다이오드 칩이 마운트 리드 상에 형성된 리플렉터 컵 내부에 설치되어 있다. 그리고, 상기 발광 다이오드 칩은 형광층에 의해 덥여져 있으며, 반사컵은 가시광선의 고반사를 위해서 반사율이 높은 물질로 코팅이 되기도 한다.
또한, 상기 반사컵 상에 렌즈부가 구비되며 형광체 분말이 첨가될 수도 있는데, 상기 반사컵은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 넓게 퍼지도록 하는 형상이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 발광 다이오드의 측면으로 방출되는 빛의 손실을 줄이는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 초박형 백라이트에 사용되는 발광 다이오드 패키지에서, 측면으로 손실되는 빛을 최소화하여 광출사각 및 광효율을 극대화한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 및 상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면을 포함하여 이루어지고, 여기서, 상기 반사면은 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에서 형성되어 수평면과 28.5~31.5도의 각도를 갖는 제 1 반사면과, 상기 제 1 반사면에서 형성되어 수평면과 57~63도의 각도를 갖는 제 2 반사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 의하면, 광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면; 및 상기 반사면 상에 구비되고, 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에 구비된 반사 유닛을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
여기서, 상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드를 둘러싼 경사면으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 반사 유닛은 28.5~31.5의 경사각을 구비할 수 있다.
그리고, 상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드로부터 47.5~52.5 마이크로 미터의 거리에 구비될 수 있다.
그리고, 상기 반사 유닛은 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖을 수 있다.
그리고, 상기 반사 유닛의 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0.9~1.1배일 수 있다.
그리고, 상기 반사면은 상기 반사 유닛으로부터 기설정된 거리에서 경사를 갖을 수 있다.
그리고, 상기 경사는 수평면과 57~63도의 각도를 갖을 수 있다.
그리고, 상기 경사의 외곽에 수평부가 형성될 수 있다.
또한, 상기 수평부는 95~105 마이크로 미터의 폭으로 구비될 수 있다.
상술한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 발광 다이오드의 측면에서 방출된 빛의 광효율을 극대화할 수 있다.
둘째, 발광 다이오드 패키지의 반사면에 반사 유닛이 구비되어, 초박형 백라이트 내의 발광 다이오드 패키지 내의 빛의 출사각을 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 반사면의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 반사면의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 도 2의 발광 다이오드 패키지의 일실시예의 평면도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 반사면의 일실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서 도 1을 참조하여 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 반사면의 일실시예를 설명한다.
도시된 바와 같이 반사컵(200) 상에 발광 다이오드 칩(100)이 접합되어 있고, 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발광층(105)을 표시하였다.
여기서, 발광 다이오드 칩은 기판 상에 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 포함한 질화물 반도체가 형성되어 이루어진다.
그리고, 상기 n형 질화물 반도체층은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1 임)을 갖는 n-도핑된 반도체 물질로 이루어지며, 특히 n-GaN이 널리 사용된다.
그리고, 상기 활성층은 다중 양자 우물(Multi-Quantum Well: MQW) 구조를 가지며, GaN 또는 InGaN으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 p형 질화물 반도체층은 상기 n형 질화물 반도체층과 마찬가지로, AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1 임)을 갖는 질화물 반도체 물질로 이루어지며, p-도핑된다.
그리고, 상기 p형 질화물 반도체층과 n형 질화물 반도체층 상에는 각각 전극이 형성될 수 있는데, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다.
그리고, 발광 다이오드 칩의 n 전극과 p 전극은 와이어에 의해 마운트 리드와 인너 리드 각각에 전기적으로 연결되어 있다.
또한, 발광 다이오드 칩은 투명 수지에 형광물질이 혼합된 형광층에 의해 덮여져 있다.
여기서는, 발광층(105)에서 측면 방향으로 출사되는 빛의 진행 경로 및 반사컵의 작용에 대하여 주로 설명한다.
발광 다이오드 칩(100)은 반사컵(200)의 바닥에 고정되어 있다. 여기서, 상기 반사컵(20)은 가시광선의 고반사를 위해서 은(Ag) 및/또는 알루미늄(Al) 등으로 코팅이 된다. 또한, 상기 반사컵(200) 상에 액상의 투명 수지를 충진하고 경화함으로써 렌즈가 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 반사컵(200)은 도시된 바와 같이 측면에 경사면을 가지는 것을 특징으로 하고, 바람직하게는 2개의 서로 다른 경사각을 갖는 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 발광 다이오드 칩(100)이 고정된 반사컵(200)의 수평 부분에서 시작된 경사면을 제 1 반사면(b)이라고 칭하고, 상기 제 1 반사면(b)에서 시작하는 다른 반사면을 제 2 반사면(c)라고 한다.
도시된 바와 같이, 제 1 반사면(b)은 상기 발광 다이오드 칩(100)으로부터 수평 방향으로 소정 거리(Wa)만큼 이격되어 구비된다. 여기서, 소정 거리 (Wa)는 175 마이크로 미터인 것이 바람직하고, 5%의 공차를 가질 수 있다.
즉, 제 1 수평 반사면(a)이 약 175 마이크로 미터의 폭을 갖고 상기 발광 다이오드 칩(100)의 바로 측면에 구비되며, 상기 발광 다이오드 칩(100)으로부터 상기 제 1 수평 반사면(a)으로 출사된 빛은 발광 다이오드 소자의 전면으로 반사될 수 있다.
그리고, 상기 수평 반사면(a)이 종료되는 지점에서 제 1 반사면(b)이 시작된다. 여기서, 상기 제 1 반사면(b)은 상기 수평 경사면(a)으로부터 약 30도의 각도(α)를 이루며 형성된다.
그리고, 상기 각도(α)는 약 5%의 공차를 가질 수 있다. 즉, 상기 제 1 반사면(b)이 상기 수평 반사면(a)과 이루는 각도(α)는 약 28.5~31.5도인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 반사면(b)의 수평 거리(Wb)는 약 175 마이크로 미터일 수 있는데, 상기 제 1 반사면(b)의 수평 거리(Wb)는 약 5%의 공차를 가질 수 있다.
그리고, 상기 제 1 반사면(b)의 높이(hb)는 상기 발광층(105)의 높이의 0.9 내지 1.1 배로 형성될 수 있다. 즉, 약 25 마이크로 미터의 두께에서 빛을 방출하는 발광 다이오드 칩의 높이가 약 100 마이크로 미터이면, 상기 제 1 반사면(b)의 높이(hb)는 90~100 마이크로 미터이다. 그리고, 상기 제 1 반사면(b)은 상기 발광층(105)으로부터 수평방향보다 낮은 방향으로 방출된 빛을 반사시킬 수 있다.
그리고, 상기 제 1 반사면(b)이 종료하는 지점에서 제 2 반사면(c)이 시작된다. 여기서, 제 2 반사면(c)이 수평 방향과 이루는 각도(β)는 약 60도이며, 약 5%의 공차를 가질 수 있다.
이때, 수평 방향은 연직면에 대한 수평 방향이 아니라, 상기 제 1 수평 반사면(a)과 나란한 방향이다.
그리고, 상기 제 2 반사면(c)의 수평 방향의 거리(Wc)와 높이(hc)는 임의로 설계할 수 있으나, 상기 발광층(105)에서 방출된 빛이 후술하는 바와 같이 발광 다이오드 칩의 전면으로 약 120도의 각도 이내로 출사되도록 설계되어야 한다.
그리고, 상기 제 2 반사면(c)의 외곽에는 제 2 수평 반사면(d)이 구비된다. 여기서, 상기 제 2 수평 반사면(d)은 약 5%의 공차를 가지고 100 마이크로 미터의 폭으로 구비된다. 다만, 상기 제 2 수평 반사면(d)은 상기 발광 다이오드 칩(100)보다 높은 위치에 구비되어, 빛의 반사 작용을 크게 수행하지는 않는다.
도 1은 발광 다이오드 칩(100)과 반사컵(200)의 단면의 일부만을 도시한 것이다. 따라서, 발광 다이오드 소자의 전체 구조는 발광 다이오드 칩이 반사컵 상에 놓여지고, 제 1 반사면과 제 2 반사면이 상기 발광 다이오드를 에워싸고 있는 구조일 것이다.
따라서, 상술한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 일실시예는, 발광층에서 방출된 빛 중 (도면 상에서) 수평 높이 이하로 진행하는 빛은 수평면 및 제 1 반사면에서 반사되어 상부 즉 발광층(105)의 전면으로 진행한다.
그리고, 상기 발광층에서 방출된 빛 중 (도면 상에서) 수평 높이 이상으로 진행하는 빛은, 제 2 반사면에서 반사되어 상부 즉 발광층의 전면으로 진행한다.
또한, 전체 반사컵에서 반사되어 발광 다이오드 패키지의 전면으로 진행하는 빛은, 발광 다이오드 칩을 점광원으로 간주한다면, 약 120도의 각도의 범위 내로 진행하게 된다.
즉, 발광 다이오드 칩에서 방출된 빛 중에서 측면 방향으로 진행하는 빛이 수평형 (lateral type) 발광 다이오드는 약 40%, 수직형(vertical type) 발광 다이오드는 약 5% 정도인데, 상술한 반사면 구조는 측면 방향으로 진행한 빛의 전면 방향으로 진행시켜서 광효율을 높일 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 반사면의 다른 실시예를 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의 발광 다이오드 패키지의 일실시예의 평면도이다. 이하에서 도 2 및 도 3를 참조하여 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 다른 실시예를 설명한다.
도시된 바와 같이 반사컵 상에 발광 다이오드 칩(100)이 접합되어 있고, 상기 발광 다이오드 칩(100)에서 발광층(105)을 표시하였다.
상술한 도 2에 도시된 실시예와는 달리, 상기 반사컵은 측면에 1개의 경사면 만을 가지며, 발광 다이오드 칩(100)과 경사면과의 사이에 반사 유닛이 구비되어 있다.
구체적으로 설명하면 다음과 같다.
발광 다이오드 칩(100)으로부터 소정 거리(distance) 이격된 곳에 반사 유닛(e)이 형성되어 있다. 그리고, 소정 거리는 약 50 마이크로 미터일 수 있는데, 약 5%의 공차를 갖는다.
반사 유닛(e)의 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다. 반사 유닛(e)은 단면이 직각 삼각형 구조를 하고 있으며, 3개의 꼭지점 중 직각을 이루는 꼭지점이 발광 다이오드 칩(100)과 나란한 높이이면서 바깥 방향에 구비되어 있다.
그리고, 상기 반사 유닛(e)의 밑변의 길이(We)는 약 175 마이크로 미터일 수 있고, 상기 수치는 약 10%의 공차를 갖는다.
그리고, 상기 반사 유닛(e)의 높이는 상기 발광층(105)의 높이의 0.9 내지 1.1 배로 형성될 수 있다. 즉, 약 25 마이크로 미터의 두께에서 빛을 방출하는 발광 다이오드 칩의 높이가 약 100 마이크로 미터이면, 상기 반사 유닛(e)의 높이(he)는 90~100 마이크로 미터이다. 그리고, 상기 반사 유닛(e)은 상기 발광층(105)으로부터 수평방향보다 낮은 방향으로 방출된 빛을 반사시킬 수 있다.
그리고, 반사 유닛(e)은 도 4에 도시된 바와 같이 발광 다이오드 칩 및 발광층(105)을 둘러싸고 있다. 따라서, 평면도 4 상에서는 발광층(105)의 주위를 반사 유닛(e)이 에워싸고 있는 것으로 도시된다.
그리고, 상기 반사 유닛(e)로부터 소정 거리 이격된 지점에서 반사면(a)이 소정 각도를 가지고 형성된다. 편의상, 소정 각도를 가지고 형성된 면을 경사면(c)라고 부른다.
여기서, 경사면(c)은 도 2에 도시된 실시예의 제 2 반사면과 유사하나, 도 2의 실시예에서 제 2 반사면(c)이 제 1 반사면(b)에서 시작한 것과는 달리, 발광 다이오드 칩(100)과 수평한 반사면(a)에서 시작된다.
그리고, 상기 경사면(c)은 상기 반사면(a)과 60도의 각도(β)를 이루며 형성되고, 상기 각도(β)는 약 5%의 공차를 갖는다.
그리고, 상기 경사면(c) 수평 방향의 거리(Wc)와 높이(hc)는 임의로 설계할 수 있으나, 상기 발광층(105)에서 방출된 빛이 후술하는 바와 같이 발광 다이오드 칩의 전면으로 약 120도의 각도 이내로 출사되도록 설계되어야 한다.
그리고, 상기 경사면(c)의 외곽에는 제 2 수평 반사면(d)이 구비된다. 여기서, 상기 제 2 수평 반사면(d)은 약 5%의 공차를 가지고 100 마이크로 미터의 폭으로 구비된다. 다만, 상기 제 2 수평 반사면(d)은 상기 발광 다이오드 칩(100)보다 높은 위치에 구비되어, 빛의 반사 작용을 크게 수행하지는 않는다.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩 상의 발광층(105)을 소정 거리를 두고 반사 유닛(e)이 에워싸고 있으며, 상기 반사 유닛(e)을 또 다른 소정 거리를 두고 경사면(c)이 둘러싸고 있다.
따라서, 상기 발광층(105)에서 방출된 빛 중 (도면 상에서) 수평 높이 이하로 진행하는 빛은, 반사 유닛(e)에서 반사되어 상부 즉 발광층(105)의 전면으로 진행한다.
그리고, 상기 발광층(105)에서 방출된 빛 중 (도면 상에서) 수평 높이 이상으로 진행하는 빛은, 경사면(c)에서 반사되어 상부 즉 발광층(105)의 전면으로 진행한다.
또한, 발광 다이오드 칩(100)과 반사 유닛(e) 사이, 그리고 반사 유닛(e)과 경사면(c) 사이의 반사컵 역시 발광 다이오드 칩(100)에서 투사된 빛을 반사하는데, 주로 다른 부분에서 이미 반사된 빛을 재반사하는 경우가 많다.
따라서, 전체 반사컵에서 반사되어 발광 다이오드 패키지의 전면으로 진행하는 빛은, 발광 다이오드 칩을 점광원으로 간주한다면, 약 120도의 각도의 범위 내로 진행하여 광효율의 극대화를 기할 수 있다.
디스플레이 장치 등의 백라이트용 도광판의 박형화를 위해서는 도광판의 광원으로 적용되는 백색 측면 발광 다이오드 패키지 자체의 두께가 낮아져야 한다. 여기서, 발광 소자와 반사컵 내측면 간의 거리가 가까워지면 이에 따라 발광 소자에서 발생되는 반사컵 내측면에서 손실될 수 있는데, 상술한 반사컵 구조를 포함한 발광 다이오드 패키지는 이러한 문제점을 해결할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 발광 다이오드 소자 105 : 발광층
200 : 반사컵
e : 반사 유닛

Claims (16)

  1. 광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면을 포함하여 이루어지고,
    여기서, 상기 반사면은 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에서 형성되어 수평면과 28.5~31.5도의 각도를 갖는 제 1 반사면과, 상기 제 1 반사면에서 형성되어 수평면과 57~63도의 각도를 갖는 제 2 반사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사면의 수직 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0.9~1.1배인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사면은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 175 마이크로 미터의 거리에서 형성되고, 상기 거리는 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 반사면은 수평 방향으로 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 반사면의 외곽에 형성된 수평 반사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 수평 반사면은 95~105 마이크로 미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 광을 방출하는 발광 다이오드 칩;
    상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면;
    상기 반사면 상에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 기설정된 거리에 구비된 반사 유닛; 및
    상기 반사 유닛으로부터 이격되며 상기 반사면으로부터 각도를 갖고 형성된 경사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싼 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 반사 유닛은 28.5~31.5의 경사각을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 47.5~52.5 마이크로 미터의 거리에 구비된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사 유닛은 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사 유닛의 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0.9~1.1배인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  13. 삭제
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 경사면은 상기 반사면과 57~63도의 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 경사면의 외곽에 형성된 수평부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 수평부는 95~105 마이크로 미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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