JP4152684B2 - 受光モジュールとその製造方法 - Google Patents
受光モジュールとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4152684B2 JP4152684B2 JP2002208517A JP2002208517A JP4152684B2 JP 4152684 B2 JP4152684 B2 JP 4152684B2 JP 2002208517 A JP2002208517 A JP 2002208517A JP 2002208517 A JP2002208517 A JP 2002208517A JP 4152684 B2 JP4152684 B2 JP 4152684B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic film
- light receiving
- receiving module
- photoelectric conversion
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
- H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
- H01L2924/18162—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a chip with build-up interconnect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光信号を取り込む結像光学系と光電変換素子、更には画像信号処理を行う集積回路部品を有機フィルム上に構成した受光モジュールとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やモバイル機器などに撮像機能が設けられたものが商品化されつつあり、撮像機能はレンズなどの光学構造とＣＣＤなどの光電変換素子とを一体化した受光モジュールに構成されている。この従来技術に係る受光モジュールの構成を図５に示す。
【０００３】
図５は、従来技術に係る受光モジュールの構成を示すもので、筒形に形成された立体回路配線板１０１の下面及び内面には配線パターン１０２が形成され、この配線パターン１０２が回路基板１０７の配線パターン１０９に接合されることにより配線接続がなされると共に立体回路配線板１０１は回路基板１０７上に固定されている。立体回路配線板１０１の筒内にはレンズ１０６及び光学フィルタ１０５が配設され、レンズ１０６により入射光が集光された焦点位置には光電変換素子１０３が配設され、光電変換素子１０３はその突起電極１０４が配線パターン１０２に接合されることにより回路基板１０７に配線接続され、光電変換した画像信号を回路基板１０７上に実装された集積回路部品１０８により処理できるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来構成における受光モジュールは、立体的な組み立て構造であるため、小型あるいは薄型に機器に適用するには難があった。
【０００５】
また、立体回路配線板１０１は筒形に樹脂成形されたブロックの筒内に配線パターン１０２を形成するため、特殊な工程や設備が必要となり、コストアップをまねく問題点があった。量産効果によるコストダウンが図られているものの、一般的な平板状の回路配線板に比してコスト高になることも否めない。更に、筒内への配線パターンの形成は、現状では最小でも３００〜５００μｍの粗いピッチでのパターン形成であり、平板状の回路基板が１００μｍピッチ以下のパターン形成が可能であることからも、比較的入出力端子の数が少ない光電変換素子１０３にしか対応できない。
【０００６】
また、複数の構成要素を組み立てて受光モジュールが構成されるため、外的な衝撃に対して脆弱であり、生産工程においても光電変換素子１０３に塵埃が付着することを避けるため、クリーン環境下での製造が要求され、製造コストの増加や歩留りの低下をまねく課題もあった。
【０００７】
本発明が目的とするところは、有機フィルム中に光学構造と光電変換素子とを一体的に構成して薄型化を実現した受光モジュールとその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本願第１発明に係る受光モジュールは、配線パターンを内部に形成した有機フィルムと、前記有機フィルムの一方の面側から有機フィルム内に埋め込まれかつ接続電極を前記配線パターンに接続して配設された光電変換素子と、前記有機フィルムの他方の面に前記光電変換素子の受光面に対向して形成された結像光学系とが設けられてなることを特徴とする。
【０００９】
上記構成になる受光モジュールは、有機フィルム内に光電変換素子が取り付けられ、表面に結像光学系が形成されているので、薄型の受光モジュールに構成することができ、小型化あるいは薄型化が要求される携帯電子機器に適用するのに好適な受光モジュールが得られる。
【００１０】
上記構成において、有機フィルムは、検出する光の波長域を透過する材料を用いる形成され、具体的な材料としてポリエチレンテレフタレートが好適である。
【００１１】
また、接続電極は、材質が金であるスタッドバンプ又は金メッキを施したメッキバンプが好適である。
【００１２】
また、結像光学系は、フレネル帯体、凸レンズ、フレネルレンズのいずれかにより形成することが好ましく、成膜プロセス、熱プレスなどにより有機フィルム上に形成することができる。
【００１３】
また、有機フィルムの配線パターンに接続して画像信号処理を行う集積回路部品を取り付けることができ、光電変換素子から最短距離で集積回路部品に信号伝送する伝送損失のない画像処理が可能となる。
【００１４】
また、本願第２発明に係る受光モジュールの製造方法は、配線パターンを内部に形成した有機フィルムの一方の面側から有機フィルム内に光電変換素子を埋め込み、その接続電極を前記配線パターンに接続することにより、有機フィルム内に光電変換素子を取り付ける工程と、前記有機フィルムの他方の面に結像光学系を形成する工程とを設けて受光モジュールを製造することを特徴とする。
【００１５】
上記製造方法によれば、有機フィルム内に光電変換素子を取り付け、有機フィルムの表面に結像光学系を形成することができるので、薄型の受光モジュールに製造することができ、小型化あるいは薄型化が要求される携帯電子機器に適用するのに好適な受光モジュールが得られる。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明し、本発明の理解に供する。尚、以下に示す実施形態は本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２３】
図１は、実施形態に係る受光モジュール１の構成を示すもので、検出する光の波長域を透過する有機フィルム１１には配線パターン１２が形成され、この配線パターン１２に接続して集積回路部品１３と光電変換素子１４とが配設され、前記光電変換素子１４の受光面に対向する有機フィルム１１の所定表面には結像光学系であるフレネル帯板２３が配設されている。尚、図１においては、配線パターン１２を有機フィルム１１内に構成している。また、集積回路部品１３及び光電変換素子１４配線パターン１２への接続は、それぞれに形成された突起電極１３ａ、１４ａを配線パターン１２に接続することによってなされる。
【００２４】
上記集積回路部品１３及び光電変換素子１４は、薄型の受光モジュール１を得るためにはベアチップの形態に構成することが望ましい。ここでは５０μｍにまでバックグラインドを施したベアチップを採用している。また、集積回路部品１３及び光電変換素子１４に形成される突起電極１３ａ、１４ａは、金によるスタッドバンプ又はメッキバンプに構成することにより、配線パターン１２に密着した良好な接続状態が得られる。また、結像光学系としてフレネル帯板２３を適用しているが、凸レンズあるいはフレネルレンズを形成することによっても同様の効果が得られる。
【００２５】
上記構成において、撮像に伴う入射光はフレネル帯板２３によって集光されて光電変換素子１４の受光面に結像する。光電変換素子１４は光を電気信号に変換して配線パターン１２を通じて電気信号を集積回路部品１３に出力する。集積回路部品１３は画像信号処理回路が構成されており、この受光モジュール１が装着された機器に画像表示あるいは画像送信に必要な画像信号を出力する。尚、集積回路部品１３は、受光モジュール１中に一体化することなく、受光モジュール１を装着した機器側の回路構成中に組み込むように構成することも可能である。
【００２６】
次に、上記構成になる受光モジュール１の製造する第１〜第３の製造方法について、図２〜図４を参照して以下に説明する。
【００２７】
図２は、第１の製造方法の工程手順を示すもので、まず、図２（ａ）に示すように、配線パターン１２が形成された有機フィルム１１に対してベアチップに形成された集積回路部品１３を取り付ける。集積回路部品１３の取り付けは、有機フィルム１１をポリエチレンテレフタレートで形成した場合には、集積回路部品１３を１５０℃以上で６０秒程度に加熱し、加圧して集積回路部品１３を有機フィルム１１内に埋め込み、突起電極１３ａが配線パターン１２に圧接して変形し、密着することにより突起電極１３ａの配線パターン１２の所定位置への接続が得られる。
【００２８】
尚、有機フィルム１１内に形成する配線パターン１２は、２枚のフィルムの一方に銅又はアルミニウムにより配線パターン１２を形成し、一方のフィルムの配線パターン形成面上に他方のフィルムを位置決めし、１５０℃以上に加熱した状態で加圧して両フィルムを接合することにより構成できる。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、有機フィルム１１に対してベアチップに形成された光電変換素子１４を取り付ける。この取り付け方法は、上記集積回路部品１３の場合と同様である。
【００３０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、光電変換素子１４の受光面に対向する有機フィルム１１の所定表面にフレネル帯板２３を形成する。フレネル帯板２３の形成は、有機フィルム１１の所定表面にスパッタリング等の薄膜形成プロセスによりアルミニウムの薄膜を５００ｎｍの厚さに成膜し、複数の同心円を形成することによって得られる。上記工程により、図１に示した受光モジュール１が製造される。
【００３１】
次に、受光モジュール１の第２の製造方法について説明する。第２の製造方法は、結像光学系としてレンズを形成するもので、他の製造工程は先の第１の製造方法と同一であり、その説明は省略する。
【００３２】
図３は、有機フィルム１１の所定表面に凸レンズ４５を形成する工程手順を示すものである。図３（ａ）に示すように、所望の焦点距離を形成する曲率の円弧面が形成された金型４４を、ポリエチレンテレフタレートによる有機フィルム１１に熱変形を与えることができる１５０℃以上に加熱し、有機フィルム１１の所定表面上に加圧する。金型４４の加熱、加圧により有機フィルム１１の所定表面には、図３（ｂ）に示すように、凸レンズ４５が形成される。
【００３３】
有機フィルム１１の所定表面にフレネルレンズを形成する場合は、フレネルレンズの同心円凹凸形状を形成した金型の加熱、加圧により、上記と同様の工程によりフレネルレンズを形成することができる。
【００３４】
次いで、受光モジュール１の第３の製造方法について説明する。
【００３５】
図４は、第３の製造方法の工程手順を示すもので、まず、図４（ａ）に示すように、第１に有機フィルム１１ａに対してベアチップに形成された集積回路部品１３を取り付ける。集積回路部品１３の取り付けは、第１の有機フィルム１１ａをポリエチレンテレフタレートで形成した場合には、集積回路部品１３を１５０℃以上で６０秒程度に加熱し、加圧して集積回路部品１３を有機フィルム１１内に埋め込み、突起電極１３ａを第１の有機フィルム１１ａの一方面上に露出させる。続いて、図４（ｂ）に示すように、第１の有機フィルム１１ａに光電変換素子１４を取り付ける。集積回路部品１３の場合と同様に加熱、加圧により第１の有機フィルム１１ａ内に埋め込み、突起電極１４ａを第１の有機フィルム１１ａの一方面上に露出させる。
【００３６】
次に、図４（ｃ）に示すように、有機フィルム１１ａの一方面上に、集積回路部品１３の突起電極１３ａ及び光電変換素子１４の突起電極１４ａに接合させて配線パターン１２を薄膜形成プロセスにより形成する。配線パターン１２の薄膜形成は、銅又はアルミニウムを成膜するのが好適である。
【００３７】
上記工程と並行して、図４（ｄ）に示すように、第２の有機フィルム１１ｂの一方面上に薄膜形成プロセスによりアルミニウム薄膜を形成し、複数の同心円を形成することにより結像光学系とするフレネル帯体２３を形成する。このフレネル帯体２３に代えて、第２の製造方法で示した凸レンズ４５やフレネルレンズを形成することもできる。
【００３８】
上記各工程により得られた集積回路部品１３及び光電変換素子１４を取り付けた第１の有機フィルム１１ａと、フレネル帯体２３を形成した第２の有機フィルム１１ｂとは、図４（ｅ）に示すように、光電変換素子１４の受光面とフレネル帯体２３との位置合わせをして、第１の有機フィルム１１ａの一方面に第２の有機フィルム１１ｂの他方面との間で接合し、図１に示した一体化された有機フィルム１１に形成する。第１の有機フィルム１１ａと第２の有機フィルム１１ｂとの接合は、１５０℃以上に加熱した状態で加圧して両フィルムを接合することにより貼り合わせがなされる。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【発明の効果】
以上の説明の通り本発明によれば、有機フィルム内に光電変換素子が取り付けられ、表面に結像光学系が形成されているので、薄型の受光モジュールに構成することができ、小型化あるいは薄型化が要求される携帯電子機器に適用するのに好適な受光モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態に係る受光モジュールの構成を示す模式図。
【図２】 第１の製造方法の各工程を示す模式図。
【図３】 第２の製造方法の各工程を示す模式図。
【図４】 第３の製造方法の各工程を示す模式図。
【図５】 従来技術に係る受光モジュールの構成を示す模式図。
【符号の説明】
１ 受光モジュール
１１ 有機フィルム
１１ａ 第１の有機フィルム
１１ｂ 第２の有機フィルム
１２ 配線パターン
１３ 集積回路部品
１４ 光電変換素子
２３ フレネル帯体（結像光学系）
４５ 凸レンズ（結像光学系）
【発明の属する技術分野】
本発明は、光信号を取り込む結像光学系と光電変換素子、更には画像信号処理を行う集積回路部品を有機フィルム上に構成した受光モジュールとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やモバイル機器などに撮像機能が設けられたものが商品化されつつあり、撮像機能はレンズなどの光学構造とＣＣＤなどの光電変換素子とを一体化した受光モジュールに構成されている。この従来技術に係る受光モジュールの構成を図５に示す。
【０００３】
図５は、従来技術に係る受光モジュールの構成を示すもので、筒形に形成された立体回路配線板１０１の下面及び内面には配線パターン１０２が形成され、この配線パターン１０２が回路基板１０７の配線パターン１０９に接合されることにより配線接続がなされると共に立体回路配線板１０１は回路基板１０７上に固定されている。立体回路配線板１０１の筒内にはレンズ１０６及び光学フィルタ１０５が配設され、レンズ１０６により入射光が集光された焦点位置には光電変換素子１０３が配設され、光電変換素子１０３はその突起電極１０４が配線パターン１０２に接合されることにより回路基板１０７に配線接続され、光電変換した画像信号を回路基板１０７上に実装された集積回路部品１０８により処理できるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来構成における受光モジュールは、立体的な組み立て構造であるため、小型あるいは薄型に機器に適用するには難があった。
【０００５】
また、立体回路配線板１０１は筒形に樹脂成形されたブロックの筒内に配線パターン１０２を形成するため、特殊な工程や設備が必要となり、コストアップをまねく問題点があった。量産効果によるコストダウンが図られているものの、一般的な平板状の回路配線板に比してコスト高になることも否めない。更に、筒内への配線パターンの形成は、現状では最小でも３００〜５００μｍの粗いピッチでのパターン形成であり、平板状の回路基板が１００μｍピッチ以下のパターン形成が可能であることからも、比較的入出力端子の数が少ない光電変換素子１０３にしか対応できない。
【０００６】
また、複数の構成要素を組み立てて受光モジュールが構成されるため、外的な衝撃に対して脆弱であり、生産工程においても光電変換素子１０３に塵埃が付着することを避けるため、クリーン環境下での製造が要求され、製造コストの増加や歩留りの低下をまねく課題もあった。
【０００７】
本発明が目的とするところは、有機フィルム中に光学構造と光電変換素子とを一体的に構成して薄型化を実現した受光モジュールとその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本願第１発明に係る受光モジュールは、配線パターンを内部に形成した有機フィルムと、前記有機フィルムの一方の面側から有機フィルム内に埋め込まれかつ接続電極を前記配線パターンに接続して配設された光電変換素子と、前記有機フィルムの他方の面に前記光電変換素子の受光面に対向して形成された結像光学系とが設けられてなることを特徴とする。
【０００９】
上記構成になる受光モジュールは、有機フィルム内に光電変換素子が取り付けられ、表面に結像光学系が形成されているので、薄型の受光モジュールに構成することができ、小型化あるいは薄型化が要求される携帯電子機器に適用するのに好適な受光モジュールが得られる。
【００１０】
上記構成において、有機フィルムは、検出する光の波長域を透過する材料を用いる形成され、具体的な材料としてポリエチレンテレフタレートが好適である。
【００１１】
また、接続電極は、材質が金であるスタッドバンプ又は金メッキを施したメッキバンプが好適である。
【００１２】
また、結像光学系は、フレネル帯体、凸レンズ、フレネルレンズのいずれかにより形成することが好ましく、成膜プロセス、熱プレスなどにより有機フィルム上に形成することができる。
【００１３】
また、有機フィルムの配線パターンに接続して画像信号処理を行う集積回路部品を取り付けることができ、光電変換素子から最短距離で集積回路部品に信号伝送する伝送損失のない画像処理が可能となる。
【００１４】
また、本願第２発明に係る受光モジュールの製造方法は、配線パターンを内部に形成した有機フィルムの一方の面側から有機フィルム内に光電変換素子を埋め込み、その接続電極を前記配線パターンに接続することにより、有機フィルム内に光電変換素子を取り付ける工程と、前記有機フィルムの他方の面に結像光学系を形成する工程とを設けて受光モジュールを製造することを特徴とする。
【００１５】
上記製造方法によれば、有機フィルム内に光電変換素子を取り付け、有機フィルムの表面に結像光学系を形成することができるので、薄型の受光モジュールに製造することができ、小型化あるいは薄型化が要求される携帯電子機器に適用するのに好適な受光モジュールが得られる。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明し、本発明の理解に供する。尚、以下に示す実施形態は本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２３】
図１は、実施形態に係る受光モジュール１の構成を示すもので、検出する光の波長域を透過する有機フィルム１１には配線パターン１２が形成され、この配線パターン１２に接続して集積回路部品１３と光電変換素子１４とが配設され、前記光電変換素子１４の受光面に対向する有機フィルム１１の所定表面には結像光学系であるフレネル帯板２３が配設されている。尚、図１においては、配線パターン１２を有機フィルム１１内に構成している。また、集積回路部品１３及び光電変換素子１４配線パターン１２への接続は、それぞれに形成された突起電極１３ａ、１４ａを配線パターン１２に接続することによってなされる。
【００２４】
上記集積回路部品１３及び光電変換素子１４は、薄型の受光モジュール１を得るためにはベアチップの形態に構成することが望ましい。ここでは５０μｍにまでバックグラインドを施したベアチップを採用している。また、集積回路部品１３及び光電変換素子１４に形成される突起電極１３ａ、１４ａは、金によるスタッドバンプ又はメッキバンプに構成することにより、配線パターン１２に密着した良好な接続状態が得られる。また、結像光学系としてフレネル帯板２３を適用しているが、凸レンズあるいはフレネルレンズを形成することによっても同様の効果が得られる。
【００２５】
上記構成において、撮像に伴う入射光はフレネル帯板２３によって集光されて光電変換素子１４の受光面に結像する。光電変換素子１４は光を電気信号に変換して配線パターン１２を通じて電気信号を集積回路部品１３に出力する。集積回路部品１３は画像信号処理回路が構成されており、この受光モジュール１が装着された機器に画像表示あるいは画像送信に必要な画像信号を出力する。尚、集積回路部品１３は、受光モジュール１中に一体化することなく、受光モジュール１を装着した機器側の回路構成中に組み込むように構成することも可能である。
【００２６】
次に、上記構成になる受光モジュール１の製造する第１〜第３の製造方法について、図２〜図４を参照して以下に説明する。
【００２７】
図２は、第１の製造方法の工程手順を示すもので、まず、図２（ａ）に示すように、配線パターン１２が形成された有機フィルム１１に対してベアチップに形成された集積回路部品１３を取り付ける。集積回路部品１３の取り付けは、有機フィルム１１をポリエチレンテレフタレートで形成した場合には、集積回路部品１３を１５０℃以上で６０秒程度に加熱し、加圧して集積回路部品１３を有機フィルム１１内に埋め込み、突起電極１３ａが配線パターン１２に圧接して変形し、密着することにより突起電極１３ａの配線パターン１２の所定位置への接続が得られる。
【００２８】
尚、有機フィルム１１内に形成する配線パターン１２は、２枚のフィルムの一方に銅又はアルミニウムにより配線パターン１２を形成し、一方のフィルムの配線パターン形成面上に他方のフィルムを位置決めし、１５０℃以上に加熱した状態で加圧して両フィルムを接合することにより構成できる。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、有機フィルム１１に対してベアチップに形成された光電変換素子１４を取り付ける。この取り付け方法は、上記集積回路部品１３の場合と同様である。
【００３０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、光電変換素子１４の受光面に対向する有機フィルム１１の所定表面にフレネル帯板２３を形成する。フレネル帯板２３の形成は、有機フィルム１１の所定表面にスパッタリング等の薄膜形成プロセスによりアルミニウムの薄膜を５００ｎｍの厚さに成膜し、複数の同心円を形成することによって得られる。上記工程により、図１に示した受光モジュール１が製造される。
【００３１】
次に、受光モジュール１の第２の製造方法について説明する。第２の製造方法は、結像光学系としてレンズを形成するもので、他の製造工程は先の第１の製造方法と同一であり、その説明は省略する。
【００３２】
図３は、有機フィルム１１の所定表面に凸レンズ４５を形成する工程手順を示すものである。図３（ａ）に示すように、所望の焦点距離を形成する曲率の円弧面が形成された金型４４を、ポリエチレンテレフタレートによる有機フィルム１１に熱変形を与えることができる１５０℃以上に加熱し、有機フィルム１１の所定表面上に加圧する。金型４４の加熱、加圧により有機フィルム１１の所定表面には、図３（ｂ）に示すように、凸レンズ４５が形成される。
【００３３】
有機フィルム１１の所定表面にフレネルレンズを形成する場合は、フレネルレンズの同心円凹凸形状を形成した金型の加熱、加圧により、上記と同様の工程によりフレネルレンズを形成することができる。
【００３４】
次いで、受光モジュール１の第３の製造方法について説明する。
【００３５】
図４は、第３の製造方法の工程手順を示すもので、まず、図４（ａ）に示すように、第１に有機フィルム１１ａに対してベアチップに形成された集積回路部品１３を取り付ける。集積回路部品１３の取り付けは、第１の有機フィルム１１ａをポリエチレンテレフタレートで形成した場合には、集積回路部品１３を１５０℃以上で６０秒程度に加熱し、加圧して集積回路部品１３を有機フィルム１１内に埋め込み、突起電極１３ａを第１の有機フィルム１１ａの一方面上に露出させる。続いて、図４（ｂ）に示すように、第１の有機フィルム１１ａに光電変換素子１４を取り付ける。集積回路部品１３の場合と同様に加熱、加圧により第１の有機フィルム１１ａ内に埋め込み、突起電極１４ａを第１の有機フィルム１１ａの一方面上に露出させる。
【００３６】
次に、図４（ｃ）に示すように、有機フィルム１１ａの一方面上に、集積回路部品１３の突起電極１３ａ及び光電変換素子１４の突起電極１４ａに接合させて配線パターン１２を薄膜形成プロセスにより形成する。配線パターン１２の薄膜形成は、銅又はアルミニウムを成膜するのが好適である。
【００３７】
上記工程と並行して、図４（ｄ）に示すように、第２の有機フィルム１１ｂの一方面上に薄膜形成プロセスによりアルミニウム薄膜を形成し、複数の同心円を形成することにより結像光学系とするフレネル帯体２３を形成する。このフレネル帯体２３に代えて、第２の製造方法で示した凸レンズ４５やフレネルレンズを形成することもできる。
【００３８】
上記各工程により得られた集積回路部品１３及び光電変換素子１４を取り付けた第１の有機フィルム１１ａと、フレネル帯体２３を形成した第２の有機フィルム１１ｂとは、図４（ｅ）に示すように、光電変換素子１４の受光面とフレネル帯体２３との位置合わせをして、第１の有機フィルム１１ａの一方面に第２の有機フィルム１１ｂの他方面との間で接合し、図１に示した一体化された有機フィルム１１に形成する。第１の有機フィルム１１ａと第２の有機フィルム１１ｂとの接合は、１５０℃以上に加熱した状態で加圧して両フィルムを接合することにより貼り合わせがなされる。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【発明の効果】
以上の説明の通り本発明によれば、有機フィルム内に光電変換素子が取り付けられ、表面に結像光学系が形成されているので、薄型の受光モジュールに構成することができ、小型化あるいは薄型化が要求される携帯電子機器に適用するのに好適な受光モジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態に係る受光モジュールの構成を示す模式図。
【図２】 第１の製造方法の各工程を示す模式図。
【図３】 第２の製造方法の各工程を示す模式図。
【図４】 第３の製造方法の各工程を示す模式図。
【図５】 従来技術に係る受光モジュールの構成を示す模式図。
【符号の説明】
１ 受光モジュール
１１ 有機フィルム
１１ａ 第１の有機フィルム
１１ｂ 第２の有機フィルム
１２ 配線パターン
１３ 集積回路部品
１４ 光電変換素子
２３ フレネル帯体（結像光学系）
４５ 凸レンズ（結像光学系）
Claims (4)
- 配線パターンを内部に形成した有機フィルムと、前記有機フィルムの一方の面側から有機フィルム内に埋め込まれかつ接続電極を前記配線パターンに接続して配設された光電変換素子と、前記有機フィルムの他方の面に前記光電変換素子の受光面に対向して形成された結像光学系とが設けられてなることを特徴とする受光モジュール。
- 接続電極は、材質が金であるスタッドバンプ又は金メッキを施したメッキバンプである請求項１に記載の受光モジュール。
- 結像光学系は、フレネル帯体、凸レンズ、フレネルレンズのいずれかにより形成されてなる請求項１または２に記載の受光モジュール。
- 配線パターンを内部に形成した有機フィルムの一方の面側から有機フィルム内に光電変換素子を埋め込み、その接続電極を前記配線パターンに接続することにより、有機フィルム内に光電変換素子を取り付ける工程と、前記有機フィルムの他方の面に結像光学系を形成する工程とを設けて受光モジュールを製造することを特徴とする受光モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002208517A JP4152684B2 (ja) | 2002-07-17 | 2002-07-17 | 受光モジュールとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002208517A JP4152684B2 (ja) | 2002-07-17 | 2002-07-17 | 受光モジュールとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004055671A JP2004055671A (ja) | 2004-02-19 |
| JP4152684B2 true JP4152684B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=31932644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002208517A Expired - Fee Related JP4152684B2 (ja) | 2002-07-17 | 2002-07-17 | 受光モジュールとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4152684B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200055121A (ko) | 2017-11-27 | 2020-05-20 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 광 반도체 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153184A (ja) * | 1984-01-21 | 1985-08-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| JPH03201488A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Omron Corp | 光学素子 |
| DE19527026C2 (de) * | 1995-07-24 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren |
| JP3613951B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2005-01-26 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 太陽電池モジュールとその製造方法 |
| JP3649907B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| JP4294841B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2009-07-15 | ローム株式会社 | 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール |
| JP2001267372A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 光電変換装置及びその製造方法と、それを用いたカメラ |
-
2002
- 2002-07-17 JP JP2002208517A patent/JP4152684B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200055121A (ko) | 2017-11-27 | 2020-05-20 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 광 반도체 장치 |
| US11081602B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-08-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004055671A (ja) | 2004-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7414663B2 (en) | Imaging element, imaging device, camera module and camera system | |
| US6759642B2 (en) | Image pick-up device, camera module and camera system | |
| CN103338622B (zh) | 具有模制的带基板与折叠引线的相机模块壳体 | |
| US7001797B2 (en) | Optical device and method of manufacturing the same, optical module, circuit board, and electronic instrument | |
| US8760559B2 (en) | Miniaturization image capturing module and method of manufacturing the same | |
| KR20070041572A (ko) | 웨이퍼 수준에서 카메라 모듈을 제조하는 방법 | |
| US20100214456A1 (en) | Camera module and method of manufacturing camera module | |
| JP2004242166A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器 | |
| CN111163255A (zh) | 影像感测模块 | |
| JP4849703B2 (ja) | 光学モジュール | |
| KR20090073656A (ko) | 카메라 모듈 및 그 제조 방법 | |
| JP2011165774A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP4314825B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4152684B2 (ja) | 受光モジュールとその製造方法 | |
| JP2005242242A (ja) | 画像センサパッケージおよびカメラモジュール | |
| JP4361300B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP5045952B2 (ja) | 光デバイス、光モジュール及び電子機器 | |
| JP2005051535A (ja) | 撮像装置およびその製造方法 | |
| TWI555398B (zh) | 攝像模組及其製造方法 | |
| JP4292383B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
| JP2004214788A (ja) | 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP2004349369A (ja) | 固体撮像装置用半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2014036090A (ja) | 撮像センサモジュール及びその製造方法 | |
| TW201511552A (zh) | 相機模組及其組裝方法 | |
| KR101641527B1 (ko) | 센서용 칩 패키지, 이를 구비한 카메라 모듈 및 센서용 칩 패키지 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050330 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070810 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080221 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080603 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080702 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |