JP2001267372A - 光電変換装置及びその製造方法と、それを用いたカメラ - Google Patents

光電変換装置及びその製造方法と、それを用いたカメラ

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JP2001267372A JP2000078450A JP2000078450A JP2001267372A JP 2001267372 A JP2001267372 A JP 2001267372A JP 2000078450 A JP2000078450 A JP 2000078450A JP 2000078450 A JP2000078450 A JP 2000078450A JP 2001267372 A JP2001267372 A JP 2001267372A
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美智子 大石
Masao Segawa
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造コストが安価で、簡便な製造工程が可能
な光電変換装置の実装構造およびその製造方法と、それ
を用いたカメラを提供すること。 【解決手段】 光電変換装置に用いる配線基板１は、少
なくとも光電変換受光素子５の受光面８に対面した領域
の部材を透光性にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、カメラの
イメージセンサに用いるＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐ
ｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）素子等を用いた光電変換装置お
よびその製造方法と、それを用いたカメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、カメラ等に用いられている光電変
換素子（ＣＣＤ素子等）を小型パッケージ内に収納した
光電変換装置等の電子部品は様々な分野に用いられてお
り、軽薄短小化が進んでいる。電子部品の小型化の進展
に伴い、光電変換装置の実装技術もより高密度化が求め
られている。このような光電変換装置の実装方法につい
ては、例えば、本件出願人が先に出願した特願平６−１
１１３４号に記載されている。以下、当該出願の図面を
用いて説明する。
【０００３】図１０は光電変換装置の断面構造を示して
いる。すなわち、光電変換装置は、光学ガラス板３１上
に接合された配線基板３２に光の通過するロ字状の領域
が開口部３３として形成されている。この配線基板３２
は、図１１に示すように絶縁基材３４の上の開口部３３
の周辺に電極パターン３５が形成されている。この電極
パターン３５の所定位置には接続用のバンプ３６ａ、３
６ｂ、３６ｃ…を介して光電変換素子３７が異方性導電
膜３８により固定されている。光電変換素子３７は、図１
２に示すように、受光面３９の外側に電極パッド４０
ａ、４０ｂ、４０ｃ…が形成されており、この電極パッ
ド４０ａ、４０ｂ、４０ｃ…にバンプ３６ａ、３６ｂ、
３６ｃ…が形成されている。配線基板３２の開口部３３
に対向するように光電変換素子３７が取付けられ、この
開口部３３を覆うように光学ガラス板３１に対向する側
にセンサが設けられ受光面３９を形成している。これら
の構成により、対象物（不図示）からの光は光学ガラス
板３１を透過し、配線基板３２の開口部３３を通過して、
光電変換素子３７のセンサの受光面３９に入光する。こ
れらの光電変換装置の製造工程は、大別すると、ガラス
接着工程およびフリップチップ接続工程によって行なわ
れている。それらを、以下に図１３（ａ）から（ｆ）を
参照して説明する。まず、ガラス接着工程を行なう。つ
まり、図示しない実装装置のテーブル上に配線基板３２
を、絶縁基材３４が上側で電極パターン３５を下側にし
た状態で固定する（ａ）。次に、絶縁基材３４の開口部３
３の周囲の表面に、例えば、紫外線硬化樹脂または熱硬
化性樹脂等からなる接着剤４１を、ディスペンサを用い
たディスぺンス法またはスクリーン印刷法等により塗布
した後、接着剤４１の上に光学ガラス板３１を載置して
（ｂ）、光学ガラス板３１を配線基板３２に接着固定す
る（ｃ）。続いて、フリップチップ接続工程に入る。ま
ず、配線基板３２の電極パターン３５上に、ぺースト状
の樹脂をディスペンサ４２によるディスぺンス法又はス
クリーン印刷法等によりパターン塗布するか、シート状
の成形品を貼り合わせることにより異方性導電膜３８を
形成する（ｄ）。次に、予め接続用のバンプ３６ａ、３
６ｂ、３６ｃ…がワイヤボンディング法等により、電極
パッド４０ａ、４０ｂ、４０ｃ…上に形成されている光
電変換素子３７の接続用のバンプ３６ａ、３６ｂ、３６
ｃ…（電極パッド４０ａ、４０ｂ、４０ｃ…）を、配線
基板の電極パターン３５に対向させて位置合せを行なう
（ｅ）。位置合せが終了後に、光電変換素子３７を配線
基板３２に熱圧着して接合し、光電変換装置を形成する
（ｆ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の製造方
法は、電極間の接合にワイヤボンディング法を用いた光
電変換装置のパッケージに比べて、軽薄短小化が実現で
きるが、その反面、製造コストの面でのメリットが少な
く、ワイヤボンディング法等を用いた従来法より、製造
コストや部材コストを低減できる代替法の開発が望まれ
ていた。
【０００５】本発明は、これらに事情にもとづいてなさ
れもので、製造コストが安価で、簡便な製造工程が可能
な光電変換装置の実装構造およびその製造方法と、それ
を用いたカメラを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による手
段によれば、表面に所定の電極パターンが形成れた配線
基板と、この電極パターン上にバンプを介して接合材に
より電極が接合され、かつ、受光面が前記配線基板に対
面した光電変換素子を具備した光電変換装置において、
前記配線基板の少なくとも前記受光面に対面した領域が
透光性であることを特徴とする光電変換装置である。ま
た請求項２の発明による手段によれば、前記配線基板の
絶縁材料がＰＥＴからなることを特徴とする光電変換装
置である。また請求項３の発明による手段によれば、前記
バンプを介して電極を接合している接合材は、異方性導
電膜であることを特徴とする光電変換装置である。また
請求項４の発明による手段によれば、前記バンプを介し
て電極を接合している接合材は、少なくとも硬化後に透
光性を有する樹脂を用いていることを特徴とする光電変
換装置である。また請求項５の発明による手段によれば、
前記透光性を有する樹脂に含まれる導電粒子は、透光性
であることを特徴とする光電変換装置である。また請求
項６の発明による手段によれば、透光部を有する配線基
板の電極パターン上に、光電変換素子を受光面を前記配
線基板の前記透光部に対面させ、かつ、前記電極パター
ンと前記光電素子の電極上に形成されたバンプとを位置
合せし、この位置合の後に前記バンプを介して前記配線
基板と前記光電変換素子の相互の電極を接続手段によっ
て接続することを特徴とする光電変換装置の製造方法で
ある。また請求項７の発明による手段によれば、前記接続
手段は、異方性導電膜または紫外線硬化型樹脂により接
続することを特徴とする光電変換装置の製造方法であ
る。また請求項８の発明による手段によれば、上記に記載
した光電変換装置を、オートフォーカス機構の受光部に
用いたことを特徴とするカメラである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明の光電変換装置の側
面断面図である。配線基板１は、透光性の絶縁基板２の表
面に電極パターン３が形成されている。この電極パター
ン３上の所定個所にバンプ（突起電極）４ａ、４ｂ、４
ｃ…を介して光電変換素子５が異方性導電膜７により接
合されている。なお、バンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…は光電
変換素子５に設けられた電極パッド６ａ、６ｂ、６ｃ…
に形成されている。また、光電変換素子５の配線基板１
に面した側には受光面８が形成されている。配線基板１
は、総厚が数十〜数百μｍ程度の絶縁基板２（ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルム等）の表層
（片面または両面）に、例えば、表面に金メッキ処理を
施した銅リード（厚さ：十〜数十μｍ程度、幅：百〜数
百μｍ程度）からなる電極パターン３が形成されたもの
である。なお、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ他の配線電極も形成
可能である。また、配線基板１は、光電変換素子５の受
光面８への入光部として光を透過する透光領域が形成さ
れている。この透光領域の光の透過率は光学ガラスと同
程度である。なお、配線基板１のこの透光領域以外は、
必ずしも透光性でなくてもよい。
【０００８】光電変換素子５の大きさは数ｍｍ角程度、
厚さは数百μｍ〜数ｍｍ程度で、その受光面８の外側に
は、百〜数百μｍ角程度大きさの電極パッド６ａ、６
ｂ、６ｃ…が形成されている。電極パッド６ａ、６ｂ、
６ｃ…には、高さ数十μｍの接続用のバンプ４ａ、４
ｂ、４ｃ…が形成されている。
【０００９】異方性導電膜７は、例えば、エポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂あるいはポリイミド等の熱可塑性樹脂
に、直径が数μｍの導電粒子を数〜数十％の割合で混合
して分散させて形成したものである。これは、光電変換
素子５と配線基板１の電極パッド６ａ、６ｂ、６ｃ…同
士を接続用バンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…を介して電気的・
機械的に接続する機能と、封止の機能とを兼ね備えてい
る。
【００１０】次に、本発明による光電変換装置の製造方
法について説明する。図２は実装装置による製造工程の
基本動作を模式的に示した説明図である。すなわち、実
装装置（不図示）の搬送路９を配線基板１がディスペン
サ１０の位置まで搬送されてきて停止する。配線基板１
は電極パターン３が上側（ディスペンサ１０側）で絶縁
基板２が下側である。この位置で、ディスペンサ１０が予
めプログラムされた通りＸＹＺ軸方向に作動して、電極
パターン３上に異方性導電膜７を塗布する。この電極パ
ターン３上への異方性導電膜７の塗布が終了すると、配
線基板１は、搬送路９に沿って搬送手段（不図示）によ
って次の、加圧加熱ポジションまで移送されて停止する。
加圧加熱ポジションには加圧加熱ヘッド１１に光電変換
素子５が保持されている。光電変換素子５は受光面８が
搬送路９に対面し、電極パッド６ａ、６ｂ、６ｃ…上に
は接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…が形成されてい
る。加圧加熱ヘッド１１が所定量下降すると、バンプ４
ａ、４ｂ、４ｃ…は配線基板１の電極パターン３に接し
て変形状態で接触する。加圧加熱ヘッド１１により、百
数十度にて数秒〜数分程度の加熱が行なわれるので、バ
ンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…を介して、光電変換素子５と配
線基板１の電極６ａ、６ｂ、６ｃ…，３同志は、電気的
ならびに機械的に接続されて光電変換装置が形成され
る。
【００１１】なお、異方性導電膜の代わりに、導電粒子
を含有しない絶縁性樹脂を用いて、接続用のバンフ°と
電極パターンとを直接接触させて固着するようにしても
よい。
【００１２】次に、以下に本発明の応用例について説明
する。 （応用例１）図３（ａ）から（ｃ）に示した工程説明図
と、図４に示したフロー図を用いて説明する。この場合
は、異方性導電膜の樹脂に紫外線硬化樹脂を用いる。ま
ず、図３（ａ）に示したように、ディスペンサ１０を用
いて透光性の絶縁基板２を用いた配線基板１の電極パタ
ーン３の上に、紫外線硬化樹脂を用いた異方性導電膜７
を層状に塗布する（Ｓ１）。続いて、図３（ｂ）に示し
たように、接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…が電極パ
ッド６ａ、６ｂ、６ｃ上に形成されている光電変換素子
５を配線基板１の電極パターン３に位置合わせする（Ｓ
２）。次に、図３（ｃ）に示したように、加圧ツールで
位置合せした配線基板１の電極パターンと光電素子の電
極パッド６ａ、６ｂ、６ｃ…同士を位置合せして加圧
し、紫外線光源により紫外線を照射する（Ｓ３）。これに
より、接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…を介して、光
電変換素子５と配線基板１の電極６ａ、６ｂ、６ｃ…，
３同志を電気的及び機械的に接続する（Ｓ４）。
【００１３】この場合の配線基板１は、総厚が数十〜数
百μｍ程度の絶縁基材（ＰＥＴ等）の表層（片面または
両面）に、例えば、表面に金メッキ処理を施した銅リー
ド（厚さ：十〜数十μｍ程度、幅：百〜数百μｍ程度）
からなる電極パターン３が形成されたものである。な
お、Ａｌ，Ａｇ，ＩＴＯ他の配線電極パターン３も形成
可能である。また、配線基板１は、光電変換素子５の受
光面８への入光部として光が透過する領域以外は、必ず
しも透光性でなくてもよい。
【００１４】光電変換素子５の大きさは数ｍｍ角程度、
厚さは数百μｍ〜数ｍｍ程度で、その受光面８の外側に
は、百〜数百μｍ角程度大きさの電極パッド６ａ、６
ｂ、６ｃ…が形成されている。電極パッド６ａ、６ｂ、
６ｃ…には、予め、ワイヤボンディング法により、高さ
数十μｍの接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…が形成さ
れている。
【００１５】異方性導電膜７は、紫外硬化型樹脂に、直
径が数μｍの導電粒子を数〜数十％の割合で混合して分
散させたものである。これは、光電変換素子５と配線基
板１の電極６ａ、６ｂ、６ｃ…，３同士を接続用のバン
プ４ａ、４ｂ、４ｃ…を介して電気的・機械的に接続す
る機能と、封止の機能とを兼ね備えている。また、異方
性導電膜７は、ディスぺンス法による以外に、スクリー
ン印刷法等により形成することも可能である。 （応用例２）図５（ａ）から（ｃ）に示した工程説明図
と、図６に示したフロー図を用いて説明する。まず、図
５（ａ）に示したように、ディスペンサ１０を用いて透
光性の絶縁基板２を用いた配線基板１に、透光性樹脂か
らなる異方性導電膜７ａを塗布する（Ｓ１１）。続い
て、図５（ｂ）に示したように、接続用のバンプ４ａ、４
ｂ、４ｃ…が電極パッド６ａ、６ｂ、６ｃ…上に形成さ
れている光電変換素子５を、配線基板１の電極パターン
３に位置合わせして固定する（Ｓ１２）。次に、図５
（ｃ）に示したように、熱圧着により光電変換素子５と
配線基板１とフリップチップ接続する（Ｓ１３）（Ｓ１
４）。なお、このとき、図５（ｃ）のように、光電変換
素子５と配線基板１との隙間に異方性導電膜７ａの透光
性樹脂が充填されている状態にする。
【００１６】異方性導電膜７ａは、紫外硬化型樹脂に、
直径が数μｍの導電粒子を数〜数十％の割合で混合して
分散させたものである。なお、異方性導電膜に含まれる
導電粒子は、プラスチック等の透光性の粒子にＩＴＯ等
の透光性膜を形成した等の、透光性を有する所望する透
過波長以下の大きさであることが望ましい。この場合の
配線基板１は、総厚が数十〜数百μｍ程度の絶縁基板２
（ＰＥＴ等）の表層（片面または両面）に、例えば、表
面に金メッキ処理を施した銅リード（厚さ：十〜数十μ
ｍ程度、幅：百〜数百μｍ程度）からなる電極パターン
３が形成されたものである。なお、Ａｌ，Ａｇ，ＩＴＯ
他の配線の電極パターン３も形成可能である。また、配
線基板１は、光電変換素子５の受光面８への入光部とし
て光が透過する領域以外は、必ずしも透光性でなくても
よい。
【００１７】光電変換素子５の大きさは数ｍｍ角程度、
厚さは数百μｍ〜数ｍｍ程度で、その受光面８の外側に
は、百〜数百μｍ角程度大きさの電極パッド６ａ、６
ｂ、６ｃ…が形成されている。電極パッド６ａ、６ｂ、
６ｃ…には、予め、ワイヤボンディング法により、高さ
数十μｍの接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…が形成さ
れている。 （応用例３）図７（ａ）から（ｃ）に示した工程説明図
と、図８に示したフロー図を用いて説明する。まず、図
７（ａ）に示したように、ディスペンサ１０を用いて透
光性の絶縁基板２を用いた配線基板１に透光性で紫外線
硬化型樹脂からなる異方性導電膜７ｂを塗布する（Ｓ１
６）。続いて、図７（ｂ）に示したように、接続用のバン
プ４ａ、４ｂ、４ｃ…が電極パッド６ａ、６ｂ、６ｃ…
上に形成されている光電変換素子５を、配線基板１の電
極パターン３に位置合わせする（Ｓ１７）。次に、図７
（ｃ）に示したように、加圧ツールで位置合せした配線
基板１の電極パターン３と光電素子の電極パッド６ａ、
６ｂ、６ｃ…同士を加圧し、紫外光源１２ａ、１２ｂ、
１２ｃにより紫外線を照射する（Ｓ１８）。これによ
り、接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…を介して、光電
変換素子５と配線基板１の電極６ａ、６ｂ、６ｃ，３同
志を電気的及び機械的に接続する（Ｓ１９）。なお、こ
のとき、図７（ｃ）のように、光電変換素子５と配線基
板１との隙間に異方性導電膜７ｂの透光性樹脂が充填さ
れている状態にする。
【００１８】異方性導電膜７ｂは、紫外硬化型樹脂に、
直径が数μｍの導電粒子を数〜数十％の割合で混合して
分散させたものである。
【００１９】この場合の配線基板１は、総厚が数十〜数
百μｍ程度の絶縁基板２（ＰＥＴ等）の表層（片面また
は両面）に、例えば、表面に金メッキ処理を施した銅リ
ード（厚さ：十〜数十μｍ程度、幅：百〜数百μｍ程
度）からなる電極パターン３が形成されたものである。
なお、Ａｌ，Ａｇ，ＩＴＯ他の配線の電極パターン３も
形成可能である。また、配線基板１は、光電変換素子５
の受光面８への入光部として光が透過する領域以外は、
必ずしも透光性でなくてもよい。また、赤外線カット用
蒸着膜を形成した透光性基板を用いてもよい。
【００２０】光電変換素子５の大きさは数ｍｍ角程度、
厚さは数百μｍ〜数ｍｍ程度で、その受光面８の外側に
は、百〜数百μｍ角程度大きさの電極パッド６ａ、６
ｂ、６ｃ…が形成されている。電極パッド６ａ、６ｂ、
６ｃ…には、予め、ワイヤボンディング法により、高さ
数十μｍの接続用のバンプ４ａ、４ｂ、４ｃ…が形成さ
れている。
【００２１】なお、応用例２および応用例３の場合、異
方性導電膜の導電粒子として、プラスチックボールに透
光性の導電粒子をコーティングしたり、また、数〜数十
％のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を配
合して透光性を得ることもできる。
【００２２】次に本発明による光電変換装置を搭載した
ＣＣＤカメラのオートフォーカス機構（ＡＦ）の一例の
原理について、図９（ａ）に示した光路の原理図と、図
９（ｂ）に示したその際の光電変換素子での受光像の説
明図により説明する。
【００２３】コンパクトカメラのオートフォーカス方式
では、カメラから被写体に向けて赤外光や超音波を出し、
その反射をセンサで受けて距離を検知（測距）する方式
が用いられている。図９（ａ）に示したように、アクテ
ィブＡＦタイプのフルオートコンパクトカメラでは、シ
ャッタボタン（不図示）を押すと、近赤外線発光ダイオ
ード（ＩＲＥＤ）２１が赤外光を投光レンズ２２を介し
て、各距離に存在する被写体（Ａ１〜Ａ４）に向けて照
射し、その反射光を受光レンズ２３を介してＣＣＤ受光
素子で形成された光電変換受光装置２４で受光して距離
を検知する。距離の測定は三角測量のように照射と反射
（被写体が近いと広くＤ２、遠いと狭いＤ１）によって
距離を測る。光電変換素子２４での受光像は、図９
（ｂ）に示したように、距離に応じて画像の位置が異な
るので（Ａ１〜Ａ４）、それを検出してその距離にピン
トが合うようにモータにより撮像レンズ（不図示）を移
動させてピントを自動調節する。なお、通常、アクティブ
ＡＦタイプのコンパクトカメラでは、赤外ビームを数本
照射し、それぞれのポイントの距離に差が有ると最も近
い距離にピントをセットしているカメラが多い。（近い
距離にピントを合わせておくほうがトータルとしてのピ
ンぼけになりにくい）本発明による光電変換装置に用い
たＣＣＤ素子は、樹脂が光電変換装置のイメージエリア
に滲み出して画像不良となるのも防ぐことができるた
め、良好な画像が得られる。上述のように本発明によれ
ば、従来のガラス板を貼り合わせた配線基板に替わり、
透光性基板を用いることにより、配線基板と光電変換素
子との接続工程のみで、光電変換装置を製造することが
できる。また、ディスペンサ法またはスクリーン印刷法
等による精密塗布工程を省略することができるため、接
着剤がイメージエリアにはみ出して画像不良が生じた
り、封止不良が生じたりすることがなく、高精度で、安
価な光電変換装置が実現できる。
【００２４】また、本発明の光電変換装置を例えば、オ
ートフォーカス機構に搭載したカメラは、極めて高精度
の光学的特性が得られる。
【００２５】
【発明の効果】本発明のによれば、光電変換素子を透光
性の基板により形成した配線基板を用いることにより、
簡便な製造工程で生産性および歩留まりを向上できる。
【００２６】また、本発明の光電変換装置を用いたカメ
ラは精密な光学的特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電変換装置の側面断面図。
【図２】本発明の製造工程の基本動作を模式説明図。
【図３】（ａ）から（ｃ）は、本発明の第１の応用例の
工程説明図。
【図４】本発明の第１の応用例のフロー図。
【図５】（ａ）から（ｃ）は、本発明の第２の応用例の
工程説明図。
【図６】本発明の第２の応用例のフロー図。
【図７】（ａ）から（ｃ）は、本発明の第３の応用例の
工程説明図。
【図８】本発明の第３の応用例のフロー図。
【図９】ＣＣＤカメラのオートフォーカス機構の一例の
原理について、（ａ）は、本発明の光電変換受光素子を
カメラのオートフォーカス機構用いた光路の原理図、
（ｂ）は、その際の光電変換素子での受光像の説明図。
【図１０】光電変換装置の断面構造図。
【図１１】絶縁基材の平面図
【図１２】光電変換素子の平面図。
【図１３】（ａ）から（ｆ）は、光電変換装置の製造工
程の説明図。
【符号の説明】
１…配線基板、２…絶縁基材、３…電極パターン、４
ａ、４ｂ、４ｃ…バンプ、５…光電変換素子、６ａ、６
ｂ、６ｃ…電極パッド、７ａ、７ｂ、７ｃ…異方性導電
膜、８…受光面、９…、１０…ディスペンサ、１１…加
熱加圧ヘッド、１２ａ、１２ｂ…紫外線光源、２４…光
電変換装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｇ０２Ｂ 7/11 Ｂ ５Ｆ０４４ Ｈ０４Ｎ 5/225 Ｇ０３Ｂ 3/00 Ａ ５Ｆ０６１ 5/232 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ ５Ｆ０８８ 5/335 31/02 Ｂ Ｆターム(参考） 2H011 AA01 BA14 BB02 2H051 BB20 BB22 CA09 CA12 4M118 AA10 AB01 AB03 BA10 GA02 HA09 HA24 HA26 HA27 HA31 HA32 5C022 AB24 AC42 AC51 AC70 AC78 5C024 CY47 EX23 EX24 EX25 GY01 5F044 KK06 LL09 RR17 RR19 5F061 AA01 BA03 CA04 CA12 FA01 5F088 BA01 BA18 BB03 EA04 FA06 FA09 FA20 GA02 JA03 JA06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面に所定の電極パターンが形成れた配
    線基板と、この電極パターン上にバンプを介して接合材
    により電極が接合され、かつ、受光面が前記配線基板に
    対面した光電変換素子を具備した光電変換装置におい
    て、前記配線基板の少なくとも前記受光面に対面した領
    域が透光性であることを特徴とする光電変換装置。
  2. 【請求項２】 前記配線基板の絶縁材料がＰＥＴからな
    ることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
  3. 【請求項３】 前記バンプを介して電極を接合している
    接合材は、異方性導電膜であることを特徴とする請求項
    １記載の光電変換装置。
  4. 【請求項４】 前記バンプを介して電極を接合している
    接合材は、少なくとも硬化後に透光性を有する樹脂を用
    いていることを特徴とする請求項３記載の光電変換装
    置。
  5. 【請求項５】 前記透光性を有する樹脂に含まれる導電
    粒子は、透光性であることを特徴とする請求項４記載の
    光電変換装置。
  6. 【請求項６】 透光部を有する配線基板の電極パターン
    上に、光電変換素子を受光面を前記配線基板の前記透光
    部に対面させ、かつ、前記電極パターンと前記光電素子
    の電極上に形成されたバンプとを位置合せし、この位置
    合の後に前記バンプを介して前記配線基板と前記光電変
    換素子の相互の電極を接続手段によって接続することを
    特徴とする光電変換装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記接続手段は、異方性導電膜または紫
    外線硬化型樹脂により接続することを特徴とする請求項
    ６記載の光電変換装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項５に記載した光電変
    換装置を、オートフォーカス機構の受光部に用いたこと
    を特徴とするカメラ。
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