DE102017112235A1

DE102017112235A1 - Laserdiode und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiode

Info

Publication number: DE102017112235A1
Application number: DE102017112235.4A
Authority: DE
Inventors: Frank Singer; Hubert Halbritter
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2017-06-02
Filing date: 2017-06-02
Publication date: 2018-12-06
Also published as: WO2018220062A2; CN110710071B; US11251587B2; US11749967B2; CN110710071A; US20200203920A1; DE112018002773A5; US20220115839A1; CN114039272A; WO2018220062A3

Abstract

Laserdiode(1) umfassend- einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (10), welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung (E) zu emittieren, und- ein optisches Element (20), welches dem Halbleiterlaser (10) in einer Abstrahlrichtung (L) nachgeordnet ist, wobei- das optische Element (20) eine diffraktive Struktur (200) umfasst, und- das optische Element (20) und der Halbleiterlaser (10)stoffschlüssig miteinander verbunden sind.

Description

Es wird eine Laserdiode angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe besteht unter anderem darin, eine Laserdiode anzugeben, die eine verbesserte Abstrahlcharakteristik aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Laserdiode anzugeben, die eine besonders kompakte Bauweise aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Laserdiode anzugeben, die besonders augensicher ist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Laserdiode anzugeben.
Bei der Laserdiode handelt es sich beispielsweise um eine Halbleiterlaserdiode, welche dazu eingerichtet ist im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Insbesondere ist die Laserdiode dazu eingerichtet, kohärente elektromagnetische Strahlung eines Wellenlängenbereichs zu emittieren. Beispielsweise weist die Leistungsdichteverteilung der emittierten elektromagnetischen Strahlung, quer zur Ausbreitungsrichtung der emittierten elektromagnetischen Strahlung, ein Gaußprofil auf. Bei der elektromagnetischen Strahlung handelt es sich zum Beispiel um elektromagnetische Strahlung im Spektralbereich von InfrarotStrahlung bis UV-Strahlung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiode einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser, welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung zu emittieren.
Der Halbleiterlaser ist beispielsweise mit einem Halbleiterschichtenstapel gebildet. Insbesondere umfasst der Halbleiterlaser zumindest einen aktiven Bereich, welcher dazu eingerichtet ist im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiter kann der Halbleiterlaser Grenzflächen aufweisen, an denen im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise reflektiert wird. Beispielsweise ist der oberflächenemittierende Halbleiterlaser dazu eingerichtet im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung in Stapelrichtung der Halbleiterschichten zu emittieren. Insbesondere handelt es sich bei dem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser um einen VCSEL. Ein VCSEL (von englisch vertical-cavity surface-emitting laser, oft auch „Oberflächenemitter“) ist ein Halbleiterlaser, bei dem die elektromagnetische Strahlung quer oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterchips abgestrahlt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode umfasst die Laserdiode ein optisches Element, welches dem Halbleiterlaser in einer Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Im bestimmungsgemäßen Betrieb trifft ein Großteil, wenigstens 50 %, insbesondere wenigstens 90 %, oder die Gesamte der von dem Halbleiterlaser emittierten elektromagnetischen Strahlung auf das optische Element. Das optische Element ist dazu eingerichtet, die vom Halbleiterlaser emittierte elektromagnetische Strahlung zu beeinflussen. Beispielsweise ist das optische Element dazu eingerichtet die von dem Halbleiterlaser emittierte elektromagnetische Strahlung zu fokussieren, umzulenken oder das Abstrahlprofil anzupassen. Insbesondere kann das optische Element dazu eingerichtet sein, die von dem Halbleiterlaser emittierte elektromagnetische Strahlung in mehrere Teilstrahlen aufzuteilen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optische Element eine diffraktive Struktur. Die diffraktive Struktur ist dazu eingerichtet von dem Halbleiterlaser emittierte elektromagnetische Strahlung zu beeinflussen. Insbesondere ist die diffraktive Struktur dazu eingerichtet elektromagnetische Strahlung mittels Beugung zu beeinflussen. Beispielsweise umfasst die diffraktive Struktur periodisch angeordnete Elemente, an denen die von dem Halbleiterlaser emittierte elektromagnetische Strahlung gebeugt wird. Die diffraktive Struktur kann eine Mehrzahl von nano- oder mikroskaligen Elementen umfassen, welche entlang der Haupterstreckungsebene des optischen Elements periodisch angeordnet sind. Insbesondere liegen die Periodizität und die räumliche Ausdehnung der Elemente in der Größenordnung der Wellenlänge der von dem Halbleiterlaser emittierten elektromagnetischen Strahlung.
Die Elemente können beispielsweise an einer Außenfläche des optischen Elements angeordnet sein oder allseitig vollständig von einem Material des optischen Elements umgeben sein. Die Elemente können beispielsweise Bereiche sein, welche von denen die Bereiche umgebenden Materialien unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen, eine unterschiedliche Absorption und/oder eine unterschiedliche Reflektivität aufweisen. Beispielsweise können die Elemente der diffraktiven Struktur jeweils mittels einer Aussparung gebildet sein. Insbesondere können die Aussparungen mit einem nicht-gasförmigen Material befüllt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode sind das optische Element und der Halbleiterlaser stoffschlüssig miteinander verbunden. Beispielsweise stehen das optische Element und der Halbleiterlaser in direktem mechanischem Kontakt zueinander. Weiter ist es möglich, dass das optische Element und der Halbleiterlaser mittels eines Verbindungsmittels oder zwischenmolekulare Kräfte, wie beispielsweise Van-der-Waals-Bindungen - etwa durch „direct bonding“, stoffschlüssig miteinander verbunden sind. Stoffschlüssige Verbindungen werden alle Verbindungen genannt, bei denen die Verbindungspartner durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten werden. Sie sind gleichzeitig nicht lösbare Verbindungen, die sich nur durch Zerstörung der Verbindungsmittel und/oder der Verbindungspartner trennen lassen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiode einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser, welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung zu emittieren, und ein optisches Element, welches dem Halbleiterlaser in einer Abstrahlrichtung nachgeordnet ist, wobei das optische Element eine diffraktive Struktur umfasst und das optische Element und der Halbleiterlaser stoffschlüssig miteinander verbunden sind.
Einer hier beschriebenen Laserdiode liegen dabei unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde. Um die Strahlcharakteristik einer Laserdiode anzupassen, kann beispielsweise einem Halbleiterlaser ein optisches Element mit einer diffraktiven optischen Struktur nachgeordnet sein. Dazu kann beispielsweise das optische Element auf einem Rahmen oder einem Gehäuse angeordnet sein, welches den Halbleiterlaser in lateralen Richtungen umgibt, sodass das optische Element und der Halbleiterlaser beabstandet zueinander angeordnet sind. Insbesondere kann das optische Element dazu eingerichtet sein, die von dem Halbleiterlaser emittierte elektromagnetische Strahlung zu beeinflussen, nachdem die elektromagnetische Strahlung einen Bereich zwischen dem Halbleiterlaser und dem optischen Element, welcher beispielsweise mit Gas gefüllt ist, durchlaufen hat.
Die hier beschriebene Laserdiode macht unter anderem von der Idee Gebrauch das optische Element und den Halbleiterlaser stoffschlüssig miteinander zu verbinden. Ein besonders geringer Abstand zwischen dem optischen Element und dem Halbleiterlaser ermöglicht eine besonders kompakte Bauweise der Laserdiode. Weiter vereinfacht die stoffschlüssige Verbindung des optischen Elements und des Halbleiterlasers das Ausrichten des optischen Elements relativ zum Halbleiterlaser. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine besonders kompakte Bauweise der Laserdiode. Darüber hinaus ist die Laserdiode besonders sicher, da das Risiko eines Verkippens oder eines Ablösens des optischen Elements reduziert wird. Somit ist die Laserdiode besonders augensicher.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht das optische Element in direktem Kontakt mit einer dem optischen Element zugewandten Fläche des oberflächenemittierenden Halbleiterlasers. Beispielsweise steht die gesamte Fläche des optischen Elements, welche dem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser zugewandt ist, in direktem physischen Kontakt mit einer Fläche des Halbleiterlasers. Beispielsweise sind das optische Element und der Halbleiterlaser mittels eines Bondverfahrens wie „direct bonding“ mechanisch miteinander verbunden. Insbesondere überdeckt der Halbleiterlaser die dem Halbleiterlaser zugewandte Fläche des optischen Elements vollständig. Vorteilhafterweise ermöglicht die direkte Anordnung des optischen Elements auf dem Halbleiterlaser eine besonders kompakte Bauweise der Laserdiode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode sind das optische Element und der Halbleiterlaser mittels eines Verbindungsmittels miteinander stoffschlüssig verbunden. Bei dem Verbindungsmittel handelt es sich beispielsweise um einen Klebstoff. Insbesondere handelt es sich bei dem Verbindungsmittel um ein Epoxidharz oder ein Silikon. Beispielsweise ist das Verbindungsmittel transparent für die in dem Halbleiterlaser erzeugte elektromagnetische Strahlung. Beispielsweise ist das Verbindungsmittel vollflächig auf der dem Halbleiterlaser zugewandten Fläche des optischen Elements angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht die Verwendung eines Verbindungsmittels zum Verbinden des optischen Elements und des Halbleiterlasers eine besonders zuverlässige mechanische Verbindung. Somit wird das Risiko des Ablösens des optischen Elements von dem Halbleiterlaser reduziert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt das Verbindungsmittel den Halbleiterlaser und das optische Element in lateralen Richtungen. Beispielsweise bildet das Verbindungsmittel einen Umhüllungskörper, in welchen das optische Element und der Halbleiterlaser zumindest teilweise eingegossen, eingespritzt oder dergleichen sind. Beispielsweise sind das optische Element und der Halbleiterlaser in lateralen Richtungen vollständig von dem Verbindungsmittel umgeben. Laterale Richtungen sind dabei Richtungen, die quer oder senkrecht zur Abstrahlrichtung des Halbleiterlasers verlaufen. Insbesondere ist der Halbleiterlaser ausschließlich an einer dem optischen Element abgewandten Seite frei von dem Verbindungsmittel. Alternativ können der Halbleiterlaser und das optische Element direkt stoffschlüssig miteinander verbunden sein. In diesem Fall kann das optische Element ausschließlich an einer dem Halbleiterlaser abgewandten Seite frei von dem Verbindungsmittel sein. Insbesondere ist das optische Element allseitig vollständig von dem Verbindungsmittel umgeben. Vorteilhafterweise ermöglicht das Umgeben des Halbleiterlasers und des optischen Elements mittels des Verbindungsmittels eine besonders robuste Ausführung der Laserdiode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode ist das optische Element mit einem Material gebildet, welches - im Rahmen der Herstellungstoleranz - denselben Brechungsindex wie das Verbindungsmittel aufweist. „Im Rahmen der Herstellungstoleranz“ heißt dabei, dass die Brechungsindizes um höchstens 10 %, bevorzugt um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 1 % voneinander abweichen. Insbesondere findet an einer Grenzfläche zwischen dem Verbindungsmittel und dem optischen Element dann keine oder kaum Brechung der von dem Halbleiterlaser emittierten elektromagnetischen Strahlung statt. Beispielsweise weist das Verbindungsmittel einen Brechungsindex von ungefähr 1,5 auf und das optische Element ist zumindest an der Grenzfläche zum Verbindungsmittel mit einem Material gebildet welches einen Brechungsindex von ungefähr 1,5 aufweist. Vorteilhafterweise wird somit ein Effizienzverlust aufgrund von Reflektionen an der Grenzfläche zwischen Verbindungsmittel und optischem Element reduziert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode ist ein Bereich zwischen dem optischen Element und dem Halbleiterlaser mit nicht-gasförmigem Material gefüllt.
Insbesondere ist zwischen dem Halbleiterlaser und dem optischen Element keinerlei gasförmiges Material angeordnet. Beispielsweise ist kein Luftspalt, keine Pore und/oder keine andere Struktur zwischen dem optischen Element und dem Halbleiterlaser angeordnet, welche mit einem gasförmigen Material gefüllt ist. Insbesondere ist kein Stickstoff, keine Umgebungsluft, kein Argon und/oder kein sonstiges Edelgas zwischen dem Halbleiterlaser und dem optischen Element angeordnet. Insbesondere ist zwischen dem optischen Element und dem Halbleiterlaser ausschließlich Material angeordnet, welches einen Brechungsindex aufweist, der zumindest 1,1, bevorzugt zumindest 1,3, beträgt. Vorteilhafterweise weist ein Laserstrahl, welcher von dem Halbleiterlaser emittiert wird, eine geringere Strahlaufweitung auf, wenn dieser ausschließlich Materialien mit einem Brechungsindex durchläuft, welcher größer als 1 ist. Somit kann vorteilhafterweise das optische Element besonders kompakt sein, da nur eine geringe Strahlaufweitung zwischen der dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers und dem optischen Element stattfindet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdeckt das optische Element die dem optischen Element zugewandte Fläche des Halbleiterlasers nicht vollständig. Beispielsweise überdeckt das optische Element ausschließlich den Teil der dem optischen Element zugewandten Fläche, durch welchen der Halbleiterlaser im bestimmungsgemäßen Betrieb kohärente Strahlung emittiert. Insbesondere überdeckt das optische Element maximal 90 %, bevorzugt maximal 60 %, der dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers. Insbesondere überragt das optische Element in lateralen Richtungen, parallel zur Haupterstreckung des optischen Elements, die dem optischen Element zugewandte Fläche des Halbleiterlasers nicht. Vorteilhafterweise kann das optische Element besonders platzsparend realisiert werden, sodass bei der Herstellung des optischen Elements eine besonders geringe Menge des Materials des optischen Elements benötigt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode schließt das optische Element in lateralen Richtungen bündig mit dem Halbleiterlaser ab. Laterale Richtungen verlaufen parallel zu der Haupterstreckungsebenen des optischen Elements. Insbesondere verlaufen die Seitenflächen des Halbleiterlasers, welche die dem optischen Element zugewandte Seite und die dem optischen Element abgewandte Seite miteinander verbinden parallel zu den Seitenflächen des optischen Elements, welche die dem Halbleiterlaser zugewandte Fläche mit der dem Halbleiterlaser abgewandten Fläche verbinden. Beispielsweise sind die Seitenflächen des optischen Elements und die Seitenflächen des Halbleiterlasers in einem gemeinsamen Verfahrensschritt erzeugt. Vorteilhafterweise ermöglicht ein bündiges Abschließen des Halbleiterlasers und des optischen Elements in lateralen Richtungen eine besonders stabile Verbindung zwischen dem Halbleiterlaser und dem optischen Element, da beispielsweise die gesamte dem optischen Element zugwandte Fläche des Halbleiterlasers zur Erzeugung der mechanisch festen Verbindung genutzt wird. Zusätzlich ermöglicht ein bündiges Abschließen in lateraler Richtung des optischen Elements und des Halbleiterlasers eine besonders kompakte Bauweise der Laserdiode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Laserdiode ist die diffraktive Struktur beabstandet zu der dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers angeordnet. Beispielsweise kann eine dem Halbleiterlaser zugewandte Seite des optischen Elements mit der ersten Schicht und eine dem Halbleiterchip abgewandte Seite des optischen Elements mit der zweiten Schicht gebildet sein. Beispielsweise weist eine Grenzfläche zwischen der ersten und der zweiten Schicht des optischen Elements eine Strukturierung auf, mit welcher die Elemente der diffraktiven Struktur gebildet sind. Die erste und die zweite Schicht können jeweils eine Haupterstreckungsebene aufweisen, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des optischen Elements und/oder des Halbleiterlasers verläuft. Die erste und die zweite Schicht können jeweils mit Materialien mit unterschiedlichen optischen Eigenschaften gebildet sein. Die optischen Eigenschaften können beispielsweise unterschiedliche Brechungsindizes, unterschiedliche Absorptionskoeffizienten und/oder unterschiedliche Reflektivitäten sein. Beispielsweise kann die erste Schicht Aussparungen aufweisen, die mit dem Material der zweiten Schicht befüllt sind. Insbesondere ist die zweite Schicht mit mehreren nicht zusammenhängenden Bereichen gebildet, die in lateralen Richtungen, insbesondere in allen Richtungen, vollständig von dem Material der ersten Schicht umgeben sind.
Die diffraktive Struktur kann auf einer dem Halbleiterlaser abgewandten Seite der ersten Schicht angeordnet sein. Beispielsweise weist die erste Schicht eine vorgegebene Dicke auf, welche größer 0 ist. Insbesondere beträgt die Dicke der ersten Schicht zumindest 200 µm. Weiter kann zwischen der diffraktiven Struktur und dem Halbleiterlaser ein Verbindungsmittel angeordnet sein, welches beispielsweise eine Dicke von zumindest 100 µm, insbesondere zumindest 200 µm, aufweist. Beispielsweise beträgt der Abstand zwischen der diffraktiven Struktur und der dem optischen Element zugewandten Seite des Halbleiterlasers zumindest 25 µm, insbesondere zumindest 250 µm. Beispielsweise ist die diffraktive Struktur zumindest um die Dicke der ersten Schicht und/oder des Verbindungsmittels von der dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers beabstandet angeordnet.
Weiter kann die diffraktive Struktur an einer dem Halbleiterlaser zugewandten Seite des optischen Elements angeordnet sein. Beispielsweise ist die diffraktive Struktur um die Dicke des zwischen dem Halbleiterlaser und dem optischen Element angeordneten Verbindungsmittels beabstandet von der dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers angeordnet. Insbesondere ist die diffraktive Struktur an der Grenzfläche zwischen dem optischen Element und dem Verbindungsmittel angeordnet. Beispielsweise ist die diffraktive Struktur durch eine Strukturierung der dem Verbindungsmittel zugewandten Oberfläche des optischen Elements gebildet.
Vorteilhafterweise kann mittels der Anpassung einzelner Schichten des Verbindungsmittels und/oder des optischen Elements der Abstand der diffraktiven Struktur zu der dem optischen Element zugewandten Strahlungsaustrittfläche des Halbleiterlasers besonders exakt eingestellt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ausschließlich auf einer nach außen freiliegenden Fläche des optischen Elements eine Antireflektionsschicht angeordnet. Beispielsweise ist das optische Element in direktem Kontakt zu einer dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers angeordnet oder das optische Element ist mittels eines Verbindungsmittels auf dem Halbleiterlaser angeordnet, wobei der Brechungsindex des Verbindungsmittels um maximal 0,2, bevorzugt um maximal 0,1, von dem Brechungsindex des Material der dem Halbleiterlaser zugewandten Seite des optischen Elements abweicht. Vorteilhafterweise ist keine zusätzliche Antireflektionsbeschichtung auf der dem Halbleiterchip zugewandten Seite des optischen Elements notwendig, da an dieser Grenzfläche des optischen Elements aufgrund der geringen Differenz der Brechungsindices des optischen Elements und des Verbindungsmittels Reflektionen vermieden werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine elektrische Kontaktfläche auf der dem optischen Element zugewandten Fläche des Halbleiterlasers angeordnet und die Kontaktfläche ist nicht von dem optischen Element überdeckt. Beispielsweise überdeckt das optische Element die dem optischen Element zugewandte Fläche des Halbleiterlasers nicht vollständig. Somit kann das optische Element direkt auf dem Halbleiterlaser angeordnet werden und Strukturen des Halbleiterlasers, welche auf einer dem optischen Element zugewandten Seite angeordnet sind, werden nicht von dem optischen Element überdeckt. Beispielsweise ist die Kontaktfläche dazu eingerichtet den Halbleiterlaser elektrisch leitend zu kontaktieren und zu bestromen. Die Kontaktfläche ist beispielsweise mit einer Metallschicht gebildet. Vorteilhafterweise kann auch dann das optische Element direkt auf der Strahlungsaustrittsseite des Halbleiterlasers angeordnet werden, wenn der Halbleiterlaser auf einer dem optischen Element zugewandten Seite funktionale Strukturen aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Halbleiterlaser ausschließlich auf einer dem optischen Element abgewandten Seite elektrische Kontaktflächen auf. Beispielsweise sind alle Flächen des Halbleiterlasers, außer der Fläche an welcher die elektrischen Kontaktflächen angeordnet sind, vollständig von einem Verbindungsmittel überdeckt. Vorteilhafterweise ermöglicht eine solche Bauart eine besonders robuste und kompakte Laserdiode.
Es wird des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode angegeben. Mit dem Verfahren kann insbesondere eine hier beschriebene Laserdiode hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für die Laserdiode offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode einen Verfahrensschritt A, in welchem eine Vielzahl von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern in einem ersten Verbund bereitgestellt wird. Beispielsweise ist die Vielzahl von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern in einem gemeinsamen Prozess hergestellt. Insbesondere ist der gesamte Verbund der Vielzahl von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern in einem gemeinsamen Prozess hergestellt. Beispielsweise ist die Vielzahl oberflächenemittierender Halbleiterlaser in dem ersten Verbund auf einem gemeinsamen Träger angeordnet. Insbesondere ist die Vielzahl von Halbleiterlasern auf dem Träger hergestellt. Beispielsweise ist die Vielzahl von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern ist in einer lateralen Ebene nebeneinander angeordnet. Insbesondere ist die Vielzahl oberflächenemittierender Halbleiterlaser an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Rechteckgitters nebeneinander angeordnet. Zum Beispiel handelt es sich bei dem ersten Verbund um einen Waferverbund, in dem die Laserdioden gemeinsam hergestellt sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Laserdiode wird in einem Verfahrensschritt B eine Vielzahl von optischen Elementen in einem zweiten Verbund bereitgestellt. Beispielsweise ist die Vielzahl von optischen Elementen in einem gemeinsamen Herstellungsverfahren hergestellt. Die Vielzahl von optischen Elementen ist beispielsweise in einer lateralen Ebene nebeneinander angeordnet. Insbesondere ist die Vielzahl optischer Elemente an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Rechteckgitters in einer lateralen Ebene nebeneinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Laserdiode werden in einem Verfahrensschritt C die Vielzahl optischer Elemente und die Vielzahl von Halbleiterlasern stoffschlüssig miteinander verbunden. Beispielsweise werden die optischen Elemente und die Halbleiterlaser mittels eines Verbindungsmittels stoffschlüssig miteinander verbunden. Alternativ können die optischen Elemente und die Halbleiterlaser mittels Bondens miteinander verbunden werden. Insbesondere werden alle Halbleiterlaser und alle optischen Elemente zeitgleich in einem gemeinsamen Verfahrensschritt miteinander verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung einer Laserdiode werden in einem Verfahrensschritt D die optischen Elemente und die Halbleiterlaser vereinzelt, wobei nach dem Vereinzeln jedem Halbleiterlaser genau ein optisches Element zugeordnet ist. Beispielsweise werden die optischen Elemente und die Halbleiterlaser in einem gemeinsamen Verfahrensschritt vereinzelt. Beispielsweise werden die optischen Elemente und die Halbleiterlaser mittels Sägens, mittels eines Laserschneideprozesses oder mittels eines Ätzprozesses vereinzelt.
Vorteilhafterweise ermöglicht ein solches Verfahren ein zeitgleiches Anordnen einer Vielzahl von optischen Elementen auf einer Vielzahl von Halbleiterlasern, wobei sowohl die optischen Elemente als auch die Halbleiterlaser in einem gemeinsamen Verfahren hergestellt sein können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen einer Laserdiode wird der Verfahrensschritt D nach dem Verfahrensschritt C ausgeführt. Insbesondere werden die optischen Elemente und die Halbleiterlaser erst nach dem stoffschlüssigen Verbinden der optischen Elemente mit den Halbleiterlasern vereinzelt. Insbesondere werden die Verfahrensschritte A, B, C und D in der genannten Reihenfolge durchgeführt. Vorteilhafterweise ermöglicht ein derartiges Vorgehen eine vereinfachte Ausrichtung des optischen Elements 20 relativ zum Halbleiterlaser 10. Weiter ermöglicht dies eine besonders zeitsparende Herstellung einer Vielzahl von Leuchtdioden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen einer Laserdiode wird eine hier beschriebene Laserdiode hergestellt.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Laserdiode und des Verfahrens zum Herstellen einer Laserdiode ergeben sich aus den folgenden, in Zusammenhang mit den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen.
Es zeigen die 1, 2, 3 und 5D verschiedene Ausführungsformen einer hier beschriebenen Laserdiode.
Es zeigen die 4, 5A, 5B, 5C und 5D verschiedene Verfahrensschritte des Verfahrens zur Herstellung einer Laserdiode.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer hier beschriebenen Laserdiode 1 gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels. Die Laserdiode umfasst einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser 10, welcher dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung E zu emittieren. Insbesondere ist der Halbleiterlaser 10 dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung E senkrecht zu seiner Haupterstreckungsebene abzustrahlen. Insbesondere handelt es sich bei dem Halbleiterlaser 10 um einen VCSEL. Beispielsweise ist der Halbleiterlaser 10 mit einem Schichtenstapel, welcher mehrere Halbleiterschichten umfasst, gebildet. Im bestimmungsgemäßen Betrieb emittiert der Halbleiterlaser in einer Abstrahlrichtung L, die beispielsweise parallel zur Stapelrichtung verläuft, der Halbleiterschichten elektromagnetische Strahlung E.
Weiter umfasst die Laserdiode 1 einen Träger 30, welcher auf einer Hauptfläche des Halbleiterlasers 10 angeordnet ist. Beispielsweise handelt es sich bei dem Träger 30 um ein Substrat, auf welchem der Halbleiterlaser 10 hergestellt ist. Insbesondere ist der Halbleiterlaser 10 mittels eines Epitaxieverfahrens auf dem Träger 30 hergestellt. An einer dem Träger 30 abgewandten Seite des Halbleiterlasers 10 ist ein optisches Element 20 angeordnet. Das optische Element 20 ist dem Halbleiterlaser 10 in der Abstrahlrichtung L nachgeordnet. Das optische Element 20 umfasst eine diffraktive Struktur 200, welche dazu eingerichtet ist, von dem Halbleiterlaser 10 emittierte elektromagnetische Strahlung E zu beeinflussen. Die diffraktiven Struktur 200 umfasst beispielsweise periodisch entlang der Haupterstreckungsebene des optischen Elements 20 angeordnete Elemente 205, die in zumindest einer Raumrichtung quer zu der Abstrahlrichtung L eine Größe in der Größenordnung des Wellenlängenbereichs der emittierten elektromagnetischen Strahlung E aufweisen. Die optischen Elemente 205 sind beispielsweise als Aussparungen in einer ersten Schicht 201 des optischen Elements 20 ausgebildet. Insbesondere können die Aussparungen, mit welchen die Elemente 205 gebildet sind mit einem gasförmigen Material befüllt sein.
Der Halbleiterlaser 10 und das optische Element 20 sind mittels eines Verbindungsmittels 50 mechanisch fest miteinander verbunden. Beispielsweise handelt es sich bei dem Verbindungsmittel 50 um einen Klebstoff, insbesondere um ein Epoxidharz oder ein Silikon. Das Verbindungsmittel 50 ist auf einer Strahlungsaustrittsseite 10a der Laserdiode 10 angeordnet. Beispielweise ist ein Bereich zwischen dem optischen Element 20 und dem Halbleiterlaser 10 mit nicht-gasförmigem Material gefüllt. Insbesondere bedeckt das Verbindungsmittel 50 die Strahlungsaustrittsseite 10a vollständig. Das optische Element 20, insbesondere die erste Schicht 201, ist beispielsweise mit einem Material gebildet, welches denselben Brechungsindex wie das Verbindungsmittel 50 aufweist.
An dem Träger 30 sind eine erste Kontaktfläche 41 und eine zweite Kontaktfläche 42 angeordnet. Mittels der ersten Kontaktfläche 41 und der zweiten Kontaktfläche 42 kann die Laserdiode 1 elektrisch leitend kontaktiert und betrieben werden. Die erste Kontaktfläche 41 ist auf einer dem Halbleiterlaser 10 abgewandten Seite des Trägers 30 angeordnet. Beispielsweise ist die dem Halbleiterlaser 10 abgewandte Seite des Trägers 30 vollständig von der ersten Kontaktfläche 41 überdeckt. Die Laserdiode 1 ist mit der ersten Kontaktfläche 41 auf eine elektrisch leitende Oberfläche montierbar, die zusätzlich als Wärmesenke für die Laserdiode 1 dienen kann. Die zweite Kontaktfläche 42 ist auf einer der ersten Kontaktfläche 41 abgewandten Seite des Trägers 30 lateral neben dem Halbleiterlaser 10 angeordnet. Beispielsweise kann die zweite Kontaktfläche 42 mittels eines Bonddrahts 43 elektrisch leitend kontaktiert werden.
Die 2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer hier beschriebenen Laserdiode 1 gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. Im Gegensatz zu dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterlaser 10 nicht auf einem Träger 30 angeordnet. Insbesondere weist der Halbleiterlaser 10 ausschließlich auf einer dem optischen Element 20 abgewandten Seite elektrische Kontaktflächen 4 auf. Der Halbleiterlaser 10 und das optische Element 20 sind stoffschlüssig mittels eines Verbindungsmittels 50 miteinander verbunden. Beispielsweise ist das optische Element 20 mit einem Material gebildet, welches denselben Brechungsindex wie das Verbindungsmittel 50 aufweist. Insbesondere wird die von dem Halbleiterlaser 10 emittierte elektromagnetische Strahlung E an der Grenzfläche zwischen dem Verbindungsmittel 50 und dem optischen Element 20 nicht gebrochen.
Das optische Element 20 schließt in lateralen Richtungen R, die senkrecht zur Abstrahlrichtung L des Halbleiterlasers 10 verlaufen, bündig mit dem Halbleiterlaser 10 ab. Insbesondere überragt das optische Element 20 den Halbleiterlaser 10 in lateralen Richtungen R nicht. Das optische Element 20 ist mit einer ersten Schicht 201 und einer zweiten Schicht 202 gebildet. Die zweite Schicht 202 ist nicht zusammenhängend ausgebildet und ist in Aussparungen der ersten Schicht 201 angeordnet. Die zweite Schicht 202 ist beispielsweise allseitig vollständig von der ersten Schicht 201 umgeben. Die erste 201 und die zweite 202 Schicht bilden Elemente 205, die als diffraktive Struktur 200 für die von dem Halbleiterlaser 10 emittierte elektromagnetische Strahlung E wirken. Die diffraktive Struktur 200 ist beabstandet zu der dem optischen Element zugewandten Seite 10a des Halbleiterlasers 10 angeordnet. Insbesondere ist der Abstand D zwischen der diffraktiven Struktur 200 und der Strahlungsaustrittsseite 10a über die Dicke des Verbindungsmittels 50 und/oder die Dicke des optischen Elements 20, insbesondere der ersten Schicht 201, anpassbar.
Weiter ist auf einer dem Halbleiterlaser 10 abgewandten Fläche des optischen Elements 20 eine Antireflektionsschicht 8 angeordnet. Insbesondere ist ausschließlich auf einer nach außen freiliegenden Fläche 1a des optischen Elements 20 die Antireflexionsschicht 8 angeordnet.
Die 3 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer hier beschriebenen Laserdiode 1 gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. In diesem Ausführungsbeispiel sind das optische Element 20 und der Halbleiterlaser 10 mittels des Verbindungsmittels 50 stoffschlüssig miteinander verbunden. Weiter umgibt das Verbindungsmittel 50 den Halbleiterlaser 10 und das optische Element 20 in lateralen Richtungen R. Insbesondere sind alle Flächen des optischen Elements 20 und des Halbleiterlasers 10, die quer zur Abstrahlrichtung L des Halbleiterlasers 10 verlaufen, vollständig von dem Verbindungsmittel 50 überdeckt. Insbesondere überdeckt das Verbindungsmittel 50 auch die dem Halbleiterlaser 10 abgewandte Fläche des optischen Elements 20 vollständig. Beispielsweise handelt es sich bei dem Verbindungsmittel 50 um ein Umhüllungsmittel, welches für die von dem Halbleiterlaser 10 emittierte elektromagnetische Strahlung E transparent ausgebildet ist.
Der Halbleiterlaser 10 ist mit seiner dem optischen Element 20 abgewandten zweiten Kontaktfläche 42 stoffschlüssig mit einem Gehäuse 60 verbunden. Beispielsweise ist das Gehäuse 60 zumindest teilweise elektrisch leitend ausgebildet und dient als Wärmesenke und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlasers 10. Auf der Strahlungsaustrittsseite 10a des Halbleiterlasers 10 ist die erste Kontaktfläche 41 angeordnet. Die erste Kontaktfläche 41 ist elektrisch leitend mittels eines Bonddrahtes 43 mit dem Gehäuse 60 verbunden. Insbesondere sind der Bonddraht 43 und die zweite Kontaktfläche 42 über das Gehäuse 60 nicht elektrisch leitend miteinander verbunden. Die erste elektrische Kontaktfläche 41 ist auf der dem optischen Element 20 zugewandten Strahlungsaustrittsseite 10a des Halbleiterlasers 10 angeordnet. Das optische Element 20 überdeckt die Strahlungsaustrittsseite 10a des Halbleiterlasers 10 nicht vollständig. Insbesondere ist die erste Kontaktfläche 41 nicht von dem optischen Element 20 überdeckt.
Das optische Element 20 ist mit einer ersten Schicht 201 und einer zweiten Schicht 202 gebildet. Die erste Schicht 201 weist eine Vielzahl von Aussparungen auf, welche vollständig mit dem Material der zweiten Schicht 202 befüllt sind. Die erste 201 und die zweite Schicht 202 unterscheiden sich in zumindest einer optischen Eigenschaft, wie beispielsweise ihrem Brechungsindex, ihrer Reflektivität und/oder ihrer Absorption für von dem Halbleiterlaser 10 emittierte elektromagnetische Strahlung E. Die erste 201 und die zweite 202 Schicht bilden eine diffraktive Struktur 200, welche eine Vielzahl von Elementen 205 umfasst, die dazu eingerichtet sind von dem Halbleiterlaser 10 emittierte elektromagnetische Strahlung E zu beeinflussen.
Die 4 zeigt einen Teil eines Verfahrens zur Herstellung einer Vielzahl von Laserdioden 1. In diesem Verfahrensschritt sind die Halbleiterlaser 10 mit ihrer zweiten Kontaktfläche 42 stoffschlüssig mit einem Gehäuse 60 verbunden. Die Halbleiterlaser 10 sind mittels eines Bonddrahtes 43 an ihrer ersten Kontaktfläche 41 elektrisch leitend mit dem Gehäuse 60 kontaktiert. In dem Gehäuse 60 ist das Verbindungsmittel 50 angeordnet, welches als Umhüllungsmittel dient.
Das Verbindungsmittel 50 ist zumindest auf den Strahlungsaustrittsseiten 10a der Halbleiterlaser 10 angeordnet. Zusätzlich ist das Verbindungsmittel 50 derart in dem Gehäuse 60 angeordnet, dass Seitenflächen der Halbleiterlaser 10, welche die dem optischen Element 20 abgewandte Seite und die dem optischen Element zugewandte Seite 10a des Halbleiterlasers 10 miteinander verbinden, überdeckt sind. Das Verbindungsmittel 50 kann beispielsweise in einem Verfahrensschritt derart in dem Gehäuse 60 angeordnet sein, dass alle Strahlungsaustrittsseiten 10a der Halbleiterlaser 10 mit einer vorgegebenen Dicke des Verbindungsmittels 50 überdeckt sind. In einem weiteren Verfahrensschritt können auf den Halbleiterlasern 10 optische Elemente 20 angeordnet werden, sodass die optischen Elemente 20 den Halbleiterlasern 10 in Abstrahlrichtung L nachgeordnet sind. In einem darauffolgenden Verfahrensschritt wird zusätzliches Verbindungsmittel 50 in dem Gehäuse 60 angeordnet, sodass die optischen Elemente 20 vollständig von dem Verbindungsmittel 50 überdeckt sind. In einem darauffolgenden Verfahrensschritt werden die Laserdioden 1 entlang der Trennlinien 7 vereinzelt. Beispielsweise werden die Laserdioden 1 mittels eines Säge- oder Laserschneideverfahrens entlang der Trennlinien 7 vereinzelt.
Die 5A zeigt ein hier beschriebenes Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode 1 nach den Verfahrensschritten A und B. Dabei wurde in dem Verfahrensschritt A eine Vielzahl von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern 10 in einem ersten Verbund 110 bereitgestellt. Beispielsweise sind die Halbleiterlaser 10 auf einem gemeinsamen Träger 30 angeordnet. Insbesondere sind die Halbleiterlaser 10 auf dem gemeinsamen Träger 30 in einem gemeinsamen Herstellungsverfahren hergestellt. Auf einer den Halbleiterlasern 10 abgewandten Seite des Trägers 30 sind Kontaktflächen 4 angeordnet.
Weiter wird in einem Verfahrensschritt B eine Vielzahl von optischen Elementen 20 mit diffraktiven Strukturen 200 in einem zweiten Verbund 120 bereitgestellt. Die Vielzahl von optischen Elementen 20 ist stoffschlüssig mechanisch fest miteinander verbunden. Insbesondere sind die optischen Elemente 20 in einem gemeinsamen Verfahren hergestellt. Die diffraktiven Strukturen 200 sind mit Elementen 205 gebildet, die beispielsweise an einer der Laserdiode 10 abgewandten Fläche einer ersten Schicht 201 des optischen Elements 20 angeordnet sind. Alternativ können die diffraktiven Strukturen 200 vollständig von dem Material der ersten Schicht 201 des optischen Elementes 20 umgeben sein. Die diffraktiven Strukturen 200 können beispielsweise durch eine Variation der Dicke des optischen Elements 20 gebildet sein.
Die 5B zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung einer Laserdiode nach einem Verfahrensschritt C. In dem Verfahrensschritt C wurden die Vielzahl optischer Elemente und die Vielzahl von Halbleiterlasern jeweils im Verbund stoffschlüssig miteinander verbunden. Beispielsweise wurden der erste Verbund 110 und der zweite Verbund 120 mittels Bondens stoffschlüssig miteinander verbunden. Alternativ können der erste Verbund 110 und der zweite Verbund 120 mittels eines Verbindungsmittels 50 stoffschlüssig miteinander verbunden werden.
Die 5C zeigt einen Verfahrensschritt D eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung einer Laserdiode 1. In einem Verfahrensschritt D werden der erste Verbund 110 und der zweite Verbund 120 vereinzelt. Dabei werden die optischen Elemente 20 und die Halbleiterlaser 10 senkrecht zu ihrer Haupterstreckungsebene entlang der Trennlinie 7 durchtrennt. Beispielsweise werden der erste 110 und der zweite 120 Verbund mittels eines Laserschneideverfahrens, eines Sägeverfahrens oder eines Ätzverfahrens durchtrennt. Nach dem Vereinzeln ist jedem Halbleiterlaser 10 genau ein optisches Element 20 zugeordnet.
Die 5D zeigt die Laserdioden 1 nach dem Durchführen der Verfahrensschritte A bis D gemäß dem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode 1. Insbesondere weist die hier beschriebene Laserdiode 1 ausschließlich auf einer dem optischen Element 20 abgewandten Seite elektrische Kontaktflächen 4 auf. Die Halbleiterlaser 10, die Kontaktflächen 4, die Träger 30 und die optischen Elemente 20 werden in einem gemeinsamen Verfahrensschritt durchtrennt. Die optischen Elemente 20, die Halbleiterlaser 10 und die Träger 30 schließen in lateralen Richtungen bündig miteinander ab.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: Laserdiode
1a: nach außen freiliegende Fläche des optischen Elements
10: Halbleiterlaser
10a: Strahlungsaustrittsseite
20: optisches Element
200: Diffraktive Struktur
201: erste Schicht
202: zweite Schicht
205: Element
30: Träger
4: Kontaktfläche
41: erste Kontaktfläche
42: zweite Kontaktfläche
43: Bonddraht
50: Verbindungsmittel
60: Gehäuse
7: Trennlinie
8: Antireflexionsschicht
110: erster Verbund
120: zweiter Verbund
D: Abstand der diffraktiven Struktur zu Strahlungsaustrittsseite
E: Elektromagnetische Strahlung
R: laterale Richtungen

Claims

Laserdiode(1) umfassend - einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (10), welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung (E) zu emittieren, und - ein optisches Element (20), welches dem Halbleiterlaser (10) in einer Abstrahlrichtung (L) nachgeordnet ist, wobei - das optische Element (20) eine diffraktive Struktur (200) umfasst, und - das optische Element (20) und der Halbleiterlaser (10)stoffschlüssig miteinander verbunden sind.
Laserdiode (1) gemäß dem vorherigen Anspruch, bei der das optische Element (20) in direktem Kontakt mit einer dem optischen Element (20) zugewandten Strahlungsaustrittsseite (10a) des oberflächenemittierenden Halbleiterlasers (10) steht.
Laserdiode (1) gemäß dem Anspruch 1, bei der das optische Element (20) und der Halbleiterlaser (10) mittels eines Verbindungsmittels (50) miteinander stoffschlüssig verbunden sind.
Laserdiode (1) gemäß dem vorherigen Anspruch, bei der das Verbindungsmittel (50) den Halbleiterlaser (10) und das optische Element (20) in lateralen Richtungen (R) umgibt.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der das optische Element (20) mit einem Material gebildet ist, welches denselben Brechungsindex wie das Verbindungsmittel (50) aufweist.
Laserdiode (1) gemäß einem vorherigen Anspruch, bei der ein Bereich zwischen dem optischen Element (20) und dem Halbleiterlaser (10) mit nicht-gasförmigem Material gefüllt ist.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der das optische Element (20) die dem optischen Element zugewandte Strahlungsaustrittsseite (10a) des Halbleiterlasers (10) nicht vollständig überdeckt.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der das optische Element (20) in lateralen Richtungen (R) bündig mit dem Halbleiterlaser (10) abschließt.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der die diffraktive Struktur (200) beabstandet zu der dem optischen Element (20) zugewandten Strahlungsaustrittsseite (10a) des Halbleiterlasers (10) angeordnet ist.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der ausschließlich auf einer nach außen freiliegenden Fläche (1a) des optischen Elements (20) eine Antireflektionsschicht (8) angeordnet ist.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der eine elektrische Kontaktfläche (4) auf der dem optischen Element (20) zugewandten Fläche (10a) des Halbleiterlasers (10) angeordnet ist, und die Kontaktfläche (4) nicht vom optischen Element (20) überdeckt ist.
Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, bei der der Halbleiterlaser (10) ausschließlich auf einer dem optischen Element (20) abgewandten Seite elektrische Kontaktflächen (4) aufweist.
Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode (1), mit den folgenden Verfahrensschritten: A) Bereitstellen einer Vielzahl von oberflächenemittierenden Halbleiterlasern (10)in einem ersten Verbund (110); B) Bereitstellen einer Vielzahl von optischen Elementen (20) in einem zweiten Verbund (120); C) stoffschlüssiges Verbinden der Vielzahl optischer Elemente (20) im ersten Verbund (110) und der Vielzahl von Halbleiterlasern (10) im zweiten Verbund (120), D) Vereinzeln der optischen Elemente (20) und der Halbleiterlaser (10), wobei nach dem Vereinzeln jedem Halbleiterlaser (10) genau ein optisches Element (20) zugeordnet ist.
Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode (1) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei der Verfahrensschritt D) nach dem Verfahrensschritt C) ausgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Laserdiode (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Laserdiode (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12 hergestellt wird.