DE19958229B4 - Optisches Halbleiter-Sensorbauelement - Google Patents

Optisches Halbleiter-Sensorbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE19958229B4
DE19958229B4 DE19958229A DE19958229A DE19958229B4 DE 19958229 B4 DE19958229 B4 DE 19958229B4 DE 19958229 A DE19958229 A DE 19958229A DE 19958229 A DE19958229 A DE 19958229A DE 19958229 B4 DE19958229 B4 DE 19958229B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
focusing device
openings
transparent
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19958229A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19958229A1 (de
Inventor
Hajime Fukamura
Akio Izumi
Nobuo Hirata
Osamu Sugiyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of DE19958229A1 publication Critical patent/DE19958229A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19958229B4 publication Critical patent/DE19958229B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

Optisches Halbleiter-Sensorbauelement, umfassend:
ein Gehäuse (1) aus elektrisch isolierendem Material,
eine Verdrahtungsanordnung (3), die sich vom Inneren des Gehäuses (1) nach außen erstreckt,
einen optischen Halbleiter-Sensorchip (2), der an dem Boden des Gehäuses (1) befestigt ist und an seiner Oberfläche Anschlüsse aufweist, und
Verbindungsmittel (4), die die Anschlüsse mit der Verdrahtungsanordnung (3) verbinden,
dadurch gekennzeichnet, daß
im Boden des Gehäuses (1) eine oder mehrere Öffnungen (1a, 1b) ausgebildet sind,
ein transparenter Füllstoff (7) den Raum innerhalb des Gehäuses (1) füllt, wobei die eine oder mehreren Öffnungen (1a, 1b) eine Volumenänderung des transparenten Füllstoffs infolge von dessen Expansion oder Kontraktion absorbieren, und
eine Fokussiereinrichtung (6) oberhalb des Sensorchips (2) unter Zwischenlage des transparenten Füllstoffs (7) in einer solchen Position angeordnet ist, daß sie eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip (2) fokussiert, wobei die Fokussiereinrichtung (6) mit dem Gehäuse (1) verklebt oder...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement, das einen optischen Halbleiter-Sensorchip enthält.
  • Ein bekanntes optisches Halbleiter-Sensorbauelement enthält einen optischen Halbleiter-Sensorchip, wie etwa eine ladungsgekoppelte Einrichtung (CCD) oder eine MOS-Einrichtung, eingeschlossen in einem Keramikgehäuse zur praktischen Verwendung. Der Sensorchip erfaßt eines oder mehrere auf ihn durch eine asphärische Glaslinse fokussierte Bilder. 20(a) ist eine Draufsicht auf ein bekanntes Bauelement dieser Art. 20(b) ist eine Querschnittsansicht längs der Linie S-S in 20(a). 21(a) ist eine Draufsicht auf ein anderes bekanntes Sensorbauelement dieser Art, und 21(b) ist eine Querschnittsansicht längs der Linie T-T in 21(a). 22(a) ist eine Draufsicht auf ein weiteres bekanntes Sensorbauelement dieser Art, während 22(b) eine Querschnittsansicht längs der Linie U-U in 22(a) ist. In diesen Figuren enthält das Sensorbauelement einen Sensorchip, eine mit dem Sensorchip kombinierte asphärische Glaslinse und ein Keramikgehäuse in dem der Sensorchip und die Glaslinse untergebracht sind. Bei dem Sensorchip kann es sich um einen CCD-Bildfühler, einen MOS-Bildfühler, eine Fotodiode, einen Ultraviolettsensor und dergleichen optischen Sensor handeln.
  • Das in den 20(a) und (b) gezeigte Sensorbauelement enthält einen Detektorteil und einen optischen Teil. Der Detektorteil enthält einen optischen Halbleiter-Sensorchip 111, ein Keramikgehäuse 112, einen Leiterrahmen 113, und Bonddrähte 114 und eine transparente Platte 116. Der Sensorchip 111 ist an dem Gehäuse 112 befestigt (die-bonded). Der Leiterrahmen 113 enthält Anschlußstifte. Die Bonddrähte 114 verbinden interne Anschlüsse des Sensorchips 111 mit dem Leiterrahmen 113. Die transparente Platte 116 ist am offenen Ende des Gehäuses 112 mit einer Schicht 115 aus einem Glas niedrigen Schmelzpunkts oder einem Klebstoff befestigt.
  • Der Sensorchip 111 ist an der Bodeninnenfläche des Gehäuses 112 montiert, und das Gehäuse 112 ist durch die transparente Platte 116 abgedichtet. Der von dem Gehäuse 112 und der transparenten Platte 116 eingeschlossene Raum ist mit einem nicht gezeigten transparenten Füllstoff oder mit Gas gefüllt. Der Detektorteil ist dadurch an einer bedruckten Leiterplatte 117 befestigt, daß der Leiterrahmen 113 mit der Leiterplatte 117 verlötet ist.
  • Der optische Teil enthält eine asphärische Glaslinse 118, einen Linsenhalterahmen 120 und einen metallischen Andruckring 121. Der Linsenhalterahmen 120 ist mittels eines Klebstoffs 119 an der Leiterplatte 117 so befestigt, daß die Linse 118 eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip 111 fokussieren kann. Der Andruckring 121 fixiert die Linse 118 an den Linsenhalterahmen 120.
  • Das so aufgebaute Sensorbauelement erfaßt eines oder mehrere mittels der Linse 118 durch die transparente Platte 116 auf den Sensorchip 111 fokussierte Bilder und gibt entsprechende Bildsignale über den Leiterrahmen 113 aus. Das Sensorbauelement arbeitet somit als Bildsensor.
  • Der optische Teil des in den 21(a) und (b) gezeigten Sensorbauelements unterscheidet sich von demjenigen des Sensorbauelements der 20(a) und (b). In den 21(a) und (b) enthält der optische Teil die asphärische Glaslinse 118, einen Linsenhalterahmen 124 und einen metallischen Andruckring 125. Der Linsenhalterahmen 124 ist mittels Tragsäulen 122 und Schrauben 123 so an der Leiterplatte 117 befestigt, daß die Linse 118 eines oder mehrerer Bilder auf den Sensorchip 111 fokussieren kann. Der Andruckring 125 fixiert die Linse 118 an dem Linsenhalterahmen 124.
  • Auch der optische Teil des in den 22(a) und (b) gezeigten Sensorbauelements unterscheidet sich von demjenigen des Sensorbauelements der 20(a) und (b). Diese beiden Sensorbauelemente unterscheiden sich darüber hinaus aber auch noch dadurch, daß bei den 22(a) und (b) der Detektorteil und der optische Teil zu einer Einheit integriert sind. In den 22(a) und (b) enthält der optische Teil die asphärische Glaslinse 118, einen Linsenhalterahmen 126, eine Klebstoffschicht 127 und einen metallischen Andruckring 128. Die Linse 118 ist an dem Linsenhalterahmen 126 montiert. Die Klebstoffschicht 127 verklebt den Linsenhalterahmen 126 mit der transparenten Platte 116 des Detektorteils. Der Andruckring 128 fixiert die Linse 118 an dem Linsenhalterahmen 126. Die Linse 118 ist so positioniert, daß sie eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip 111 fokussieren kann.
  • Wenn der Raum innerhalb des Gehäuses 112 mit Gas gefüllt ist, können die Oberfläche des Sensorchips und die Bonddrähte 114 abhängig von Art und Zustand des im Gehäuse 112 eingeschlossenen Gases beeinträchtigt werden. Um dies zu vermeiden, ist es nötig, den Raum innerhalb des Gehäuses 112 mit einem Inertgas zu füllen. Das Füllen mit einem Inertgas führt zu einer Zunahme der Herstellungsschritte. Selbst wenn der Raum innerhalb des Gehäuses 112 mit einem Inertgas gefüllt ist, müssen die Temperatur und die Feuchtigkeit präzise gesteuert werden, damit sich die Eigenschaften des Sensorbauelements nicht ändern. Außerdem muß nach Auffüllen des Raums innerhalb des Gehäuses 112 mit einem Inertgas ein Gaslecktest ausgeführt werden, der die Herstellungskosten erhöht.
  • Wenn der Raum innerhalb des Gehäuses 112 mit einem nicht gezeigten transparenten Füllstoff zum Schutz des Sensorchips 111 und zur Abdichtung des Gehäuses 112 gefüllt ist, dehnt sich dieser Füllstoff bei Temperaturänderungen um und innerhalb des Gehäuses 112 aus oder zieht sich zusammen. Diese Expansion und Kontraktion des Füllstoffs führt zu einer Ablösung des Füllstoffs von dem Gehäuse 112, zu Blasen im Füllstoff und im schlimmsten Fall zum Bruch der Bonddrähte 114. Die Expansion und Kontraktion des Füllstoffs infolge von Temperaturänderungen ändert außerdem den Abstand zwischen der oberen Fläche der transparenten Platte 116 und der Oberfläche des Sensorchips 111. Diese Abstandsänderung führt zu einer Änderung der optischen Eigenschaften des Sensorbauelements.
  • Bei bekannten CCD-Bildaufnahmebauelementen und bekannten MOS-Bildaufnahmebauelementen wird ein Keramikgehäuse mit einer asphärischen Glaslinse kombiniert, um einen Versatz des Brennpunkts infolge von Temperaturänderungen zu verhindern. Wie in den 20(a) bis 22(b) gezeigt, sind eine oder mehrere asphärische Glaslinsen 118 an dem jeweiligen Linsenhalterahmen 120, 124 bzw. 126 montiert und mittels des jeweiligen metallischen Andruck- oder Halterings 121, 125 bzw. 128 fixiert. Dieser Aufbau erhöht die Kosten und den Arbeitsaufwand bei der Herstellung.
  • Wenn andererseits ein Gehäuse aus isolierendem Kunststoff und eine asphärische Kunststofflinse zur Verringerung der Herstellungskosten in dem optischen Teil eingesetzt werden, dehnt sich das Kunststoffgehäuse bei einer Dehnung des transparenten Füllstoffs ebenfalls aus bzw. zieht sich bei einem Zusammenziehen des Füllstoffs zusammen. Diese Expansion und Kontraktion des Gehäuses bewirkt einen großen Versatz des Brennpunkts, der zum Erhalt eines klaren Bildes sehr problematisch ist.
  • Aus der EP 0 867 935 A ist ein Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 bekannt. Das bei diesem Stand der Technik an sich oben offene Gehäuse ist mit einem Deckel verschlossen. Der Hohlraum im Gehäuse ist aber nicht aufgefüllt.
  • Aus der US 4,723,156 A ist ein EEPROM bekannt, bei dem ein Halbleiterchip auf einem Leiterrahmen angeordnet ist und mittels einer ebenfalls auf dem Leiterrahmen befindlichen Kappe abgedeckt wird. Die Oberseite der Kappe stellt eine UV-durchlässige Platte dar. Der Raum innerhalb der Kappe zwischen deren Oberseite und der Hauptfläche des Halbleiterchips ist mit UV-durchlässigem Harz aufgefüllt. Der verbleibende Teil des Inneren der Kappe ist mit isolierendem Harz aufgefüllt. Die ganze Anordnung ist, mit Ausnahme der Anschlußstifte des Leiterrahmens und der Oberseite der Kappe, in Gießharz eingebettet.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, die oben beschriebenen Probleme der bekannten Sensorbauelemente zu beseitigen und ein wirtschaftliches optisches Halbleiter-Sensorbauelement mit einem einfachen Aufbau zu schaffen, das weniger von Temperaturänderungen beeinflußt wird. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, solch ein Sensorbauelement zu schaffen, bei dem eine Verschlechterung und Änderung der optischen Eigenschaften ganz oder weitgehend verhindert wird, die Lebensdauer des Bauelements verlängert ist und die Zuverlässigkeit erhöht ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen. Es zeigen:
  • 1 bis 18 ein erstes bis achtzehntes Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei (a) jeweils eine Draufsicht und (b) eine Schnittansicht längs der jeweiligen Schnittlinie in der Darstellung (a) ist,
  • 19(a) bis 19(b) perspektivische Ansichten der äußeren Erscheinung typischer optischer Halbleiter-Sensorbauelemente, und
  • 20 bis 22 herkömmliche optische Halbleiter-Sensorbauelemente, wobei (a) jeweils eine Draufsicht und (b) eine Schnittansicht längs der jeweiligen Schnittlinie ist.
  • Bei dem in den 1(a) und (b) dargestellten ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, dessen äußeres Erscheinungsbild der Darstellung in 19(a) entspricht, ist ein optischer Halbleiter-Sensorchip 2 auf dem Boden eines Kunststoffgehäuses 1 befestigt. Bei dem Sensorchip kann es sich um einen CCD-Bildsensor, einen MOS-Bildsensor, eine Fotodiode, einen UV-Sensor oder dergleichen optischen Sensor handeln. Das Kunststoffgehäuse 1 enthält einen Befestigungsabschnitt, an dem der Sensorchip 2 befestigt ist, einen Stützabschnitt, der den Befestigungsabschnitt trägt, und Öffnungen 1a und 1b. Die Öffnungen 1a und 1b befinden sich im Boden des Kunststoffgehäuses 1 und lassen zwischen sich den Stützabschnitt stehen.
  • Ein Leiterrahmen 3 als Verdrahtungsanordnung erstreckt sich von der Innenseite zur Außenseite des Kunststoffgehäuses 1. Interne Anschlüsse an der Oberfläche des Sensorchips 2 sind mit dem Leiterrahmen 3 über Bonddrähte 4 als Verbindungsmittel verbunden. Eine transparente Platte 5 ist mit dem oberen Umfangsrand des Kunststoffgehäuses 1 verklebt oder verschweißt. Die Platte 5 ist groß genug, um die obere Öffnung des Kunststoffgehäuses 1 vollständig zu bedecken.
  • Eine Fokussiereinrichtung 6 ist mit dem oberen Umfangsrand der Platte 5 verklebt oder verschweißt. Die Fokussiereinrichtung 6 enthält eine einstückig mit ihm ausgebildete Linse 6a. Die Linse 6a fokussiert eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip 2. Das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen alle aus demselben Material. Alternativ bestehen das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind. Der Grund hierfür wird später beschrieben. Der Raum innerhalb des Kunststoffgehäuses 1 ist mit einem transparenten Silikongel 7 als transparentem Füllstoff gefüllt. Das Silikongel 7 liegt durch die Öffnungen 1a und 1b im Boden des Kunststoffgehäuses 1 nach außen frei. Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel füllt das Silikongel 7 den Raum innerhalb des Kunststoffgehäuses vollständig in einer solchen Weise aus, daß das Silikongel den Sensorchip und die Bonddrähte 4 vollständig abdichtet und schützt. Ein Gas, daß den Halbleiter-Sensorchip beeinträchtigen könnte, wird bei dem ersten Ausführungsbeispiel nicht zur Abdichtung verwendet bzw. eingeschlossen. Daher bleiben die Eigenschaften des Bauelements des ersten Ausführungsbeispiels stabil.
  • Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel sind die Öffnungen 1a und 1b im Boden des Kunststoffgehäuses 1 vorgesehen, und das Silikongel 7 liegt durch die Öffnungen 1a und 1b nach außen frei. Deswegen heben und senken sich die Endflächen oder Niveaus des Silikongels 7 in den Öffnungen 1a und 1b als Antwort auf eine Kontraktion oder Expansion des Silikongels infolge von Temperaturänderungen. Anders ausgedrückt, die Öffnungen 1a und 1b absorbieren temperaturänderungsbedingte Volumenänderungen des Silikongels 7. Im Gegensatz zu dem herkömmlichen geschlossenen Aufbau, bei dem das Innere des Gehäuses vollständig mit transparentem Füllstoff aufgefüllt ist, verhindert der offene Aufbau gemäß diesem ersten Ausführungsbeispiel Blasen in dem Füllstoff, das Ansaugen von Luft, das Ablösen des Füllstoffs von dem Gehäuse und andere Fehler, die aufgrund von Expansion und Kontraktion des Füllstoffs sonst auftreten. Damit wird es möglich, die Eigenschaften des Sensorbauelements stabil zu halten.
  • Da außerdem die transparente Platte 5 fest an der Oberseite des Kunststoffgehäuses 1 befestigt ist, ändert sich der Abstand zwischen der Oberfläche der Platte 5 und der Oberfläche des Sensorchips niemals, selbst wenn sich das Silikongel 7 im Gehäuse dehnt oder zusammenzieht.
  • Somit werden die optischen Eigenschaften nicht durch Volumenänderungen des transparenten Silikongels 7 beeinträchtigt.
  • Das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 können wirtschaftlich hergestellt werden, da diese Bestandteile aus dem gleichen oder jeweiligen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind. Wenn beispielsweise die Temperatur zunimmt, dehnen sich das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 in gleicher Weise aus, so daß die Formen vor und nach der Ausdehnung ähnlich sind. Der Radius und die Dicke der Linse 6a nehmen zu, und die Linse 6a dehnt sich nach oben aus, wobei die Brennweite konstant bleibt, da die Krümmung der Linse 6a konstant bleibt. Gleichzeitig dehnt sich das Kunststoffgehäuse 1 nach oben aus, und der Sensorchip 2 auf dem Kunststoffgehäuse 1 bewegt sich nach oben. Als Folge davon bleibt der Abstand zwischen der Linse 6a und dem Sensorchip 2 ständig auf dem Wert der Brennweite der Linse 6a, und die optischen Eigenschaften des Sensorbauelements bleiben stabil.
  • Es soll nun das Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel beschrieben werden. Eine Metallplatte (Leiterrahmen 3) wird in eine Gießform eingesetzt, und das Kunststoffgehäuse 1 wird unter Verwendung der Gießform durch Spritzgießen eines thermoplastischen Harzes geformt. Der Sensorchip 2 wird auf dem Kunststoffgehäuse 1 befestigt. Die Bonddrähte 4 werden an dem Sensorchip 2 und dem Leiterrahmen 3 befestigt. Die transparente Platte 5 wird mit einem Klebstoff an dem Kunststoffgehäuse 1 befestigt oder durch Ultraschall mit ihm verschweißt.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 wird mittels eines Klebstoffs an der transparenten Platte 5 befestigt oder mit dieser verschweißt. Diese Verbindungsschritte können leicht ausgeführt werden, da das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 alle aus demselben Material bestehen oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind. Wenn dann das Kunststoffgehäuse 1 und die anderen Bestandteile 2, 5 und 6 soweit zusammengesetzt wurden, wird das Kunststoffgehäuse 1 umgedreht und durch die Öffnungen 1a und 1b transparentes Silikongel 7 eingespritzt. Das Kunststoffgehäuse 1 wird dann in einen Ofen gebracht und dort das Silikongel 7 thermisch ausgehärtet.
  • Der Brennpunkt der Linse 6a liegt immer auf dem Sensorchip 2, selbst wenn sich das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 thermisch dehnen oder zusammenziehen. Die Öffnungen 1a und 1b absorbieren Volumenänderungen des Silikongels 7, die infolge einer thermischen Expansion oder Kontraktion auftreten, so daß eine stabile Abdichtung aufrechterhalten bleiben. Das Sensorbauelement gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel bietet damit ein hohes Erfassungsvermögen, und zwar selbst in Umgebungen, wo sich die Temperatur abrupt oder in einem weiten Bereich ändert.
  • Beispielhaft weist die Fokussiereinrichtung 6 die Form einer zylindrischen Stange auf, wie in den 1(a), 1(b) und 19(a) gezeigt. Die Fokussiereinrichtung 6 kann aber auch als quaderförmige Platte, in die die Linse 6a eingesetzt ist, ausgebildet werden, wie in 19(b) gezeigt. Die Sensorbauelemente der nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele können in gleicher Weise entweder mit zylindrischer Stangenform oder als quaderförmiger Platte ausgebildet werden.
  • Die 2(a) und (b) zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel des optischen Halbleiter-Sensorbauelements. Das äußere Erscheinungsbild entspricht der Darstellung in 19(a).
  • Das Sensorbauelement des zweiten Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels darin, daß der Sensorchip 2 mit einer Metallauflage 8 (metal die pad) verbunden ist, die an der Befestigungsposition des Kunststoffgehäuses 1 vorgesehen ist. Die Metallauflage ist eingesetzt, um das Potential des Gehäuses des Sensorchips 2 zu erden und die Haftung zwischen dem Kunststoffgehäuse 1 und dem Sensorchip 2 zu verbessern. Eine Öffnung 1c ist in dem Teil des Kunststoffgehäuses ausgebildet, auf dem sich die Metallauflage 8 befindet. Ein Stift zum Halten der Metallauflage 8 wird durch die Öffnung 1c eingeführt, so daß die Metallauflage 8 beim Spritzgießen des Kunststoffgehäuses 1 nicht durch das eingespritzte Harz bewegt wird. Da die anderen Bestandteile und ihre Ausgestaltung gleich denen des ersten Ausführungsbeispiels sind, werden mit dem zweiten Ausführungsbeispiel die gleichen Wirkungen wie mit dem ersten Ausführungsbeispiel erzielt. Wenn die Fokussiereinrichtung 6 als quaderförmige Platte ausgebildet ist, erhält das Sensorbauelement eine äußere Form gemäß 19(b).
  • Die 3(a) und (b) zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild des Sensorbauelements diese dritten Ausführungsbeispiels entspricht dem von 19(c).
  • Das dritte Ausführungsbeispiel hat einen Aufbau, bei dem gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel die transparente Platte 5 wegfällt und die Fokussiereinrichtung 6 direkt mit dem Kunststoffgehäuse 1 verklebt oder verschweißt ist. Wie in 19(c) gezeigt, ist die Fokussiereinrichtung 6 als quaderförmige Platte ausgebildet, die weit genug ist, um die obere Öffnung des Kunststoffgehäuses 1 vollständig abzudecken. Die Linse 6a ist so ausgestaltet, daß ihr Brennpunkt ständig auf dem Sensorchip 2 liegt. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 sind aus demselben Material oder jeweiligen Materialien hergestellt, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind.
  • Der Brennpunkt der Linse 6a liegt auch dann auf dem Sensorchip 2, wenn sich das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 thermisch dehnen oder zusammenziehen. Die Öffnungen 1a und 1b absorbieren Volumenänderungen des transparenten Silikongels 7, die infolge von dessen thermischer Expansion oder Kontraktion auftreten, so daß eine stabile Dichtung aufrechterhalten bleibt. Somit zeigt das Sensorbauelement des dritten Ausführungsbeispiels ein hohes Erfassungsvermögen selbst in Umgebungen, in denen sich die Temperatur abrupt oder in einem großen Bereich ändert.
  • Die 4(a) und (b) zeigen ein viertes Ausführungsbeispiel des optischen Halbleiter-Sensorbauelements gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild dieses vierten Ausführungsbeispiels entspricht der Darstellung in 19(c).
  • Das vierte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem dritten Ausführungsbeispiel dadurch, daß wie bei dem zweiten Ausführungsbeispiel eine Metallauflage 8 vorgesehen ist. Die Metallauflage 8 ist an der Befestigungsposition des Kunststoffgehäuses 1, wo der Sensorchip 2 befestigt wird, vorgesehen. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen auch bei dem vierten Ausführungsbeispiel aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind. Damit zeigt das Sensorbauelement des vierten Ausführungsbeispiels die gleichen Effekte wie dasjenige des dritten Ausführungsbeispiels.
  • Die 5(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild dieses fünften Ausführungsbeispiels entspricht der Darstellung in 19(d).
  • Das fünfte Ausführungsbeispiel hat im wesentlichen denselben Aufbau wie das dritte Ausführungsbeispiel. Anstelle der Fokussiereinrichtung des dritten Ausführungsbeispiels mit der Form einer quaderförmigen Platte, ist bei dem vierten Ausführungsbeispiel eine zylindrische Fokussiereinrichtung 6 vorgesehen. Diese Fokussiereinrichtung 6 ist direkt mit dem Gehäuse 1 verklebt oder verschweißt. Wie durch die gepunkteten Flächen in 5(a) gezeigt, liegt der transparente Silikongel 7 durch die Öffnungen 1a, 1b und 1d nach außen frei. Die Öffnungen 1d sind im oberen Bereich des Gehäuses 1 ausgebildet. Die Linse 6a ist in die Fokussiereinrichtung 6 eingesetzt bzw. deren Bestandteil und oberhalb des Sensorchips 2 in einer solchen Position angeordnet, daß sie ein Bild oder Bilder auf den Sensorchip 2 fokussiert. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind.
  • Der Brennpunkt der Linse 6a liegt immer auf dem Sensorchip 2, selbst wenn sich das transparente Silikongel dehnt oder zusammenzieht. Die Öffnungen 1a, 1b und 1d absorbieren die Volumenänderungen des Silikongels 7, die infolge von dessen thermischer Expansion oder Kontraktion auftreten, so daß eine stabile Abdichtung aufrechterhalten bleibt. Somit zeigt das fünfte Ausführungsbeispiel ein hohes Erfassungsvermögen selbst in Umgebungen, in denen sich die Temperatur abrupt oder in einem großen Bereich ändert.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel kann, wie bei dem zweiten und dem vierten Ausführungsbeispiel, eine Metallauflage (8) an der Befestigungsstelle im Gehäuse 1 vorgesehen werden.
  • Die 6(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Das Sensorbauelement enthält ein Kunststoffgehäuse 1, eine transparente Platte 5 und eine Fokussiereinrichtung 6. Das Kunststoffgehäuse 1 enthält einen Befestigungsabschnitt, auf dem der Sensorchip 2 befestigt ist, einen Stützabschnitt, der den Befestigungsabschnit trägt, Öffnungen 1a und 1b und Haltestege 9. Die Öffnungen 1a und 1b sind im Boden des Kunststoffgehäuses 1 vorgesehen und lassen zwischen sich den Tragabschnitt stehen. Eine Öffnung 1d ist zwischen der Platte 5 und dem Kunststoffgehäuse 1 ausgebildet. Die Haltestege 9 erstrecken sich von den Seiteninnenwänden des Kunststoffgehäuses 1, einander gegenüberliegend, nach innen.
  • Der Leiterrahmen 3 erstreckt sich von der Innenseite des Kunststoffgehäuses 1 nach außen. Der Sensorchip 2 ist an dem Boden (Befestigungsabschnitt) des Kunststoffgehäuses 1 befestigt. Interne Anschlüsse an der Oberfläche des Sensorchips 2 sind mittels Bonddrähten 4 mit dem Leiterrahmen 3 verbunden. Der Raum innerhalb des Kunststoffgehäuses 1 ist mit dem transparenten Silikongel 7 gefüllt. Die transparente Platte 5 wird mittels der Haltestege 9 auf dem Silikongel 7 so gehalten, daß um die Platte 5 herum die Öffnung 1d gebildet wird, wie durch die punktierte Fläche in 6(a) gezeigt. Das Silikongel 7 liegt durch die Öffnungen 1a, 1b und 1d nach außen frei.
  • Die transparente Platte 5 steht nicht direkt mit dem Kunststoffgehäuse 1 in Kontakt. Der Boden der Platte 5 berührt direkt die Oberfläche des Silikongels 7. Die Fokussiereinrichtung 6 ist am oberen Umfangsrand der Platte 5 angeklebt oder mit ihm verschweißt. Die Fokussiereinrichtung 6 enthält die Linse 6a, die einstückig mit ihr so ausgebildet ist, daß die Linse 6a ein Bild oder Bilder auf den Sensorchip 2 fokussiert.
  • Gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel ist der Raum innerhalb des Kunststoffgehäuses 1 vollständig mit dem transparenten Silikongel 7 gefüllt. Das Silikongel 7 dichtet den Sensorchip 2 und die Bonddrähte 4 vollständig ab und schützt sie. Ein Gas, das den Halbleiter-Sensorchip beeinträchtigen könnte, wird bei dem sechsten Ausführungsbeispiel nicht verwendet. Daher werden die Eigenschaften des Sensorchips bei dem sechsten Ausführungsbeispiel stabil aufrechterhalten.
  • Bei dem sechsten Ausführungsbeispiel sind die Öffnungen 1a und 1b im Boden des Kunststoffgehäuses 1 ausgebildet, während die Öffnung 1d an der Oberseite des Kunststoffgehäuses 1 ausgebildet ist. Das Silikongel liegt über die Öffnungen 1a, 1b und 1d nach außen frei. Infolge dieses offenen Aufbaus bewegen sich die Endflächen oder Niveaus des Silikongels 7 in den Öffnungen 1a, 1b und 1d als Antwort auf eine Expansion oder Kontraktion des Silikongels 7, die als Folge einer Temperaturänderung auftritt. Anders ausgedrückt, die Öffnungen 1a, 1b und 1d absorbieren temperaturbedingte Volumenänderungen des Silikongels 7.
  • Der offene Aufbau des sechsten Ausführungsbeispiels verhindert die Entstehung von Blasen in dem Füllstoff (dem Gel), das Ansaugen von Luft, das Ablösen des Füllstoffs von dem Gehäuse und dergleichen Fehler, die infolge von Expansion und Kontraktion des Füllstoffs auftreten könnten, und ermöglicht die Aufrechterhaltung der Eigenschaften des Sensorbauelements.
  • Selbst wenn sich das Silikongel 7 dehnt oder zusammenzieht, wird der Abstand zwischen der Platte 5 und dem Sensorchip 2 nicht geändert, da die Platte 5 von den Haltestegen 9 gehalten wird.
  • Das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 können wirtschaftlich hergestellt werden, da diese Bestandteile alle aus dem gleichen Material oder aus jeweiligen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind. Wenn sich das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 infolge einer Temperaturzunahme ausdehnen, dehnt sich auch die Linse 6a aus. Dies hat zur Folge, daß die Brennweite größer wird und der Brennpunkt ständig auf dem Sensorchip 2 verbleibt. Somit werden stabile Eigenschaften aufrechterhalten.
  • Daher beeinträchtigen Volumenänderungen des Silikongels die optischen Eigenschaften des Sensorbauelements nicht.
  • Bedarfsweise kann wie bei dem zweiten und dem vierten Ausführungsbeispiel eine Metallauflage (8) an der Befestigungsposition für den Sensorchip 2 in dem Boden des Kunststoffgehäuses 1 vorgesehen werden.
  • Statt die transparente Platte 5 durch die Haltestege 9 zu halten, kann die Platte 5 in horizontaler oder vertikaler Richtung in 6(a) verlängert und direkt mit dem Kunststoffgehäuse 1 unter Bildung von Öffnungen 1d verklebt oder verschweißt werden. Die Fokussiereinrichtung 6 kann in der Form einer zylindrischen Stange oder einer quaderförmigen Platte ausgebildet werden.
  • Die 7(a) und (b) zeigen ein optischen Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Eine als quaderförmige Platte ausgebildete Fokussiereinrichtung 6 wird mittels Haltestegen 9 so auf dem transparenten Silikongel 7 getragen, daß um die Fokussiereinrichtung 6 herum eine Öffnung 1d gebildet wird, wie durch die punktierte Fläche in 7(a) dargestellt. Das transparente Silikongel 7 liegt über die Öffnungen 1a, 1b und 1d nach außen frei.
  • Der Aufbau des siebten Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von demjenigen des sechsten Ausführungsbeispiels dadurch, daß die transparente Platte 5 entfallen ist und die Fokussiereinrichtung 6 direkt mit den Haltestegen 9 verklebt oder verschweißt ist. Dies erfolgt in einer solchen Weise, daß die Linse 6a der als quaderförmige Platte ausgebildeten Fokussiereinrichtung 6 sich in einer solchen Lage befindet, daß sie ein Bild oder Bilder auf den Sensorchip 2 fokussiert.
  • Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind. Das Sensorbauelement des siebten Ausführungsbeispiels zeigt die gleichen Wirkungen wie das des sechsten Ausführungsbeispiels.
  • Wiederum kann bedarfsweise die Metallauflage (8) des zweiten oder des vierten Ausführungsbeispiels an der Befestigungsposition für den Sensorchip 2 im Boden des Kunststoffgehäuses 1 vorgesehen werden.
  • Die 8(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem achten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Dieses achte Ausführungsbeispiel hat ein äußeres Erscheinungsbild gemäß der Darstellung in 19(b).
  • Der Aufbau des achten Ausführungsbeispiels ist im wesentlichen der gleiche wie der des ersten Ausführungsbeispiels. Die transparente Platte 5 zwischen dem Kunststoffgehäuse 1 und der Fokussiereinrichtung 6 des ersten Ausführungsbeispiels ist beim achten Ausführungsbeispiel durch eine Blendenplatte 13 mit einer Blendenöffnung 13a ersetzt. Die Blendenplatte 13 ist als quaderförmige Platte ausgebildet, die weit genug ist, um die obere Öffnung des Kunststoffgehäuses 1 vollständig zu überdecken. Die Blendenplatte 13 ist mit dem oberen Umfangsrand des Kunststoffgehäuses 1 verklebt oder verschweißt. Die Fokussiereinrichtung 6 ist am oberen Umfangsrand der Blendenplatte 13 angeklebt oder mit ihm verschweißt.
  • Die Linse 6a ist so ausgebildet, daß ihr Brennpunkt immer auf dem Sensorchip 2 liegt. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind.
  • Der Brennpunkt der Linse 6a liegt auch dann immer auf dem Sensorchip 2, wenn sich das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 thermisch dehnen oder zusammenziehen. Die Öffnungen 1a und 1b absorbieren Volumenänderungen des transparenten Silikongels 7, die infolge von dessen thermischer Expansion oder Kontraktion auftreten, so daß eine stabile Abdichtung aufrechterhalten wird. Somit zeigt das achte Ausführungsbeispiel ein hohes Erfassungsvermögen, selbst in Umgebungen, in denen sich die Temperatur abrupt oder in einem großen Bereich ändert.
  • Obwohl in den Figuren nicht dargestellt, kann eine kastenartig geformte Fokussiereinrichtung 6 so positioniert angeordnet werden, daß sie die Blendenplatte 13, die mit dem Kunststoffgehäuse 1 verklebt oder verschweißt ist, bedeckt und ihrerseits mit dem oberen Umfangsrand des Kunststoffgehäuses verklebt oder verschweißt ist. In diesem Fall hat das Sensorbauelement ein äußeres Erscheinungsbild gemäß Darstellung in 19(c).
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch die Form einer zylindrischen Stange aufweisen. In diesem Fall hat das Sensorbauelement ein äußeres Erscheinungsbild gemäß Darstellung in 19(a).
  • Die 9(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Das neunte Ausführungsbeispiel hat einen Aufbau, der im wesentlichen demjenigen des achten Ausführungsbeispiels gleicht. Unterschiedlich ist, daß beim neunten Ausführungsbeispiel die Fokussiereinrichtung 6 einen mehrere Linsen umfassenden Linsensatz aufweist. Im Fall der 9(a) und (b) umfaßt der Linsensatz zwei Linsen 6a und 6b.
  • Eine Blendenplatte 13 für den Linsensatz ist mit Blendenöffnungen 13a und 13b versehen und mit dem oberen Umfangsrand des Kunststoffgehäuses 1 verklebt oder verschweißt. Das Kunststoffgehäuse 1 ist in seinem Boden mit einer Öffnung 1a versehen. Die Fokussiereinrichtung 6 ist mit der oberen Fläche der Blendenplatte 13 in einer solchen Position verklebt oder verschweißt, daß die Linsen 6a und 6b über den Blendenöffnungen 13a bzw. 13b liegen.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 ist so ausgebildet, daß sie (im Beispiel mit zwei Linsen), Bilder an zwei Stellen auf den Sensorchip 2 fokussiert. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten im wesentlichen gleich sind.
  • Die Brennpunkte der Linsen 6a und 6b befinden sich immer auf dem Sensorchip 2, selbst wenn sich das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 thermisch dehnen oder zusammenziehen. Die Öffnung 1a absorbiert Volumenänderungen des transparenten Silikongels 7, die als Folge von dessen thermischer Expansion oder Kontraktion auftreten, so daß eine stabile Abdichtung erhalten bleibt. Somit zeigt das neunte Ausführungsbeispiel ein hohes Erfassungsvermögen auch in Umgebungen, in denen sich die Temperatur abrupt oder in einem großen Bereich ändert.
  • Die 10(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das zehnte Ausführungsbeispiel hat ein äußeres Erscheinungsbild gemäß Darstellung in 19(a).
  • Der Aufbau des zehnten Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels dadurch, daß zusätzlich ein Dünnfilm 10 vorgesehen ist, um die Öffnungen 1a und 1b an der Rückseite bzw. dem Boden des Kunststoffgehäuses 1 zu bedecken. Der Dünnfilm 10 verhindert, daß Feuchtigkeit und Fremdstoffe in das transparente Silikongel 7 gelangen, so daß dieses das das Gehäuse 1 auffüllende Silikongel 7 schützt.
  • Die Teile des Dünnfilms 10, die den Öffnungen 1a bzw. 1b zugewandt sind, heben oder senken sich als Antwort auf eine Kontraktion oder Expansion des Silikongels 7. Der Dünnfilm 10 besteht aus Gummi bzw. Kautschuk, Kunststoff, Kunstharz oder dergleichen elastischem Material. Vorzugsweise ist der Dünnfilm 10 behandelt, beispielsweise schwarz gestrichen, um Licht abzublocken. Das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in der Form einer quaderförmigen Platte ausgebildet sein. In diesem Fall wird das äußere Erscheinungsbild zu dem der Darstellung in 19(b).
  • Die 11(a) und (b) zeigen ein elftes Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild des elften Ausführungsbeispiels entspricht der Darstellung in 19(c).
  • Der Aufbau des elften Ausführungsbeispiels entspricht im wesentlichen demjenigen des dritten Ausführungsbeispiels. Im Unterschied zum dritten Ausführungsbeispiel ist, wie bei dem zehnten Ausführungsbeispiel, ein Dünnfilm 10 vorgesehen, der die Öffnungen 1a und 1b an der Rückseite des Kunststoffgehäuses 1 abdeckt, um den Zutritt von Feuchtigkeit und Fremdstoffen zu dem transparenten Silikongel 7 zu verhindern und das das Gehäuse 1 auffüllende Silikongel 7 zu schützen.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer zylindrischen Stange ausgebildet werden, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild zu demjenigen der Darstellung in 19(d) ändert.
  • Die 12(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem zwölften Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das zwölfte Ausführungsbeispiel hat ein äußeres Erscheinungsbild gemäß der Darstellung in 19(b).
  • Der Aufbau des zwölften Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des achten Ausführungsbeispiels. Abweichend von diesem achten Ausführungsbeispiel ist bei diesem zwölften Ausführungsbeispiel ein Dünnfilm 10 vorgesehen, der die Öffnungen 1a und 1b, die im Boden des Kunststoffgehäuses 1 ausgebildet sind, abdeckt, um den Zutritt von Feuchtigkeit und Fremdstoffen zu dem transparenten Silikongel 7 zu verhindern und dadurch das das Gehäuse 1 auffüllende Silikongel 7 zu schützen.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer zylindrischen Stange ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild zu demjenigen der Darstellung in 19(a) ändert.
  • Die 13(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem dreizehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild des dreizehnten Ausführungsbeispiels gleicht der Darstellung in 19(a).
  • Der Aufbau des dreizehnten Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels mit dem Unterschied, daß beim dreizehnten Ausführungsbeispiel zusätzlich Beschichtungsfilme 11a und 11b vorgesehen sind. Die Beschichtungsfilme 11a und 11b beschichten die Oberflächen des transparenten Silikongels 7 in den jeweiligen Öffnungen 1a und 1b. Die Beschichtungsfilme 11a und 11b bestehen aus Silikongummi, Kunstharz oder dergleichen Material, das weniger hygroskopisch und nach Aushärtung härter ist als das transparente Silikongel 7.
  • Die Beschichtungsfilme 11a und 11b bewegen sich abhängig von einer Kontraktion bzw. Expansion des Silikongels 7 nach oben und unten und verhindern, daß Feuchtigkeit und Fremdstoffe in das Silikongel 7 gelangen. Dadurch wird das das Gehäuse 1 auffüllende Silikongel 7 geschützt. Das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer quaderförmigen Platte ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild dieses Ausführungsbeispiels zu demjenigen der Darstellung in 19(b) ändert.
  • Die 14(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem vierzehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild dieses vierzehnten Ausführungsbeispiels gleicht der Darstellung in 19(c).
  • Der Aufbau des vierzehnten Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des dritten Ausführungsbeispiels mit der Ausnahme, daß bei dem vierzehnten Ausführungsbeispiel Beschichtungsfilme 11a und 11b die Oberflächen des transparenten Silikongels 7 in den Öffnungen 1a und 1b bedecken. Die Beschichtungsfilme 11a und 11b bestehen aus Silikongummi, Kunstharz oder dergleichen Material, das weniger hygroskopisch und nach Aushärtung härter ist als das transparente Silikongel 7.
  • Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material, oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten nahezu gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer zylindrischen Stange ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild zu demjenigen der Darstellung in 19(d) ändert.
  • Die 15(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem fünfzehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild des fünfzehnten Ausführungsbeispiels gleicht der Darstellung in 19(b).
  • Der Aufbau des fünfzehnten Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des achten Ausführungsbeispiels mit der Ausnahme, daß zusätzlich Beschichtungsfilme 11a und 11b vorgesehen sind, die die Oberflächen des transparenten Silikongels 7 in der Öffnung 1a und 1b bedecken. Die Beschichtungsfilme 11a und 11b bestehen aus Silikongummi, Kunstharz oder dergleichen Material, das weniger hygroskopisch und nach der Aushärtung härter ist als das transparente Silikongel 7.
  • Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten im wesentlichen gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer zylindrischen Stange ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild dieses Ausführungsbeispiels zu dem der Darstellung in 19(a) ändert.
  • Die 16(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem sechzehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild des sechzehnten Ausführungsbeispiels entspricht der Darstellung in 19(b).
  • Der Aufbau des sechzehnten Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des ersten Ausführungsbeispiels mit der Ausnahme, daß zusätzlich an der Rückseite des Kunststoffgehäuses 1 eine Schutzplatte 12 ausgebildet ist. Die Schutzplatte 12 enthält Bohrungen 12a und 12b an den den Öffnungen 1a bzw. 1b entsprechenden Stellen. Zum Schutz des transparenten Silikongels 7 sind die Querschnittsflächen der Bohrungen 12a und 12b klein genug um zu verhindern, daß Feuchtigkeit und Fremdstoffe in das transparente Silikongel 7 gelangen. Das Kunststoffgehäuse 1, die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten im wesentlichen gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch als quaderförmige Platte ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild dieses Ausführungsbeispiels zu dem der Darstellung in 19(b) ändert.
  • Die 17(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem siebzehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild des siebzehnten Ausführungsbeispiels entspricht der Darstellung in 19(b).
  • Der Aufbau des siebzehnten Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des dritten Ausführungsbeispiels mit der Ausnahme, daß ähnlich dem sechzehnten Ausführungsbeispiel, zusätzlich eine an der Rückseite des Kunststoffgehäuses 1 angeordnete Schutzplatte 12 vorgesehen ist. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten im wesentlichen gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer zylindrischen Stange ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild dieses Ausführungsbeispiels zu dem der Darstellung in 19(d) ändert.
  • Die 18(a) und (b) zeigen ein optisches Halbleiter-Sensorbauelement gemäß einem achtzehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das äußere Erscheinungsbild dieses achtzehnten Ausführungsbeispiels entspricht der Darstellung in 19(b).
  • Der Aufbau des achtzehnten Ausführungsbeispiels gleicht im wesentlichen demjenigen des achten Ausführungsbeispiels mit der Ausnahme, daß ähnlich wie bei dem sechzehnten und dem siebzehnten Ausführungsbeispiel zusätzlich eine an der Rückseite des Kunststoffgehäuses 1 angeordnete Schutzplatte 12 vorgesehen ist. Das Kunststoffgehäuse 1 und die Fokussiereinrichtung 6 bestehen aus demselben Material oder aus jeweiligen Materialien, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten im wesentlichen gleich sind.
  • Die Fokussiereinrichtung 6 kann auch in Form einer zylindrischen Stange ausgebildet sein, in welchem Fall sich das äußere Erscheinungsbild dieses Ausführungsbeispiels zu demjenigen der Darstellung in 19(a) ändert.
  • Bei jedem der Ausführungsbeispiele 10 bis 18 kann ähnlich wie beim zweiten Ausführungsbeispiel eine Metallauflage (8) an der Befestigungsposition des Kunststoffgehäuses 1 angeordnet werden, an der der Sensorchip 2 befestigt wird.
  • Haltestege 9 können bei jedem der Ausführungsbeispiele 10 bis 18 hinzugefügt werden, um eine oder mehrere zusätzliche Öffnungen 1d zu schaffen, wie sie etwa in Verbindung mit den Ausführungsbeispielen 5 bis 7 erläutert wurden.
  • Obwohl nicht dargestellt, ist es vorzuziehen, einen Dünnfilm, einen Beschichtungsfilm oder eine Schutzplatte auf dem transparenten Silikongel 7 in jeder Öffnung 1d vorzusehen um zu verhindern, daß Feuchtigkeit und Fremdstoffe in das Silikongel 7 gelangen.
  • Die vorliegende Erfindung ist anwendbar auf ein Gehäuse für Oberflächenmontage, dessen Innenraum mit einem transparenten Füllstoff gefüllt ist. Der transparente Füllstoff ist nicht auf das oben beschriebene transparente Silikongel beschränkt. Beispielsweise können auch transparente Silikongummis und transparente Kunstharze als Füllstoff verwendet werden. Das Gehäuse kann auch aus anderen Materialien hergestellt werden, etwa Keramik oder einem Keramik-Kunststoffverbund.
  • Die Kunststoffgehäuse der Ausführungsbeispiele 1 bis 18 werden durch Spritzgießen von thermoplastischem Harz hergestellt. Die Kunststoffgehäuse können aber auch durch Formgießen von Epoxyharzen und wärmehärtenden Harzen hergestellt werden. Die Verbindungsmittel zum Verbinden der internen Anschlüsse des Sensorchips mit dem Verdrahtungsmuster auf dem isolierenden Gehäuse sind nicht auf die oben beschriebenen Bonddrähte beschränkt. Verbindungen durch das sogenannte kontrollierte "collapse bonding" ist ebenso anwendbar auf die Verbindung der internen Anschlüsse des Sensorchips mit dem Verdrahtungsmuster auf dem isolierenden Gehäuse.
  • Cycloolefinpolymer, allgemein als "CPO" bezeichnet, sind bevorzugt als Kunststoffmaterialien für die Bestandteile. Als Beispiel für die Kombination von Materialien mit nahezu gleichem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, können die transparente Platte 5 und die Fokussiereinrichtung 6 aus einem transparenten Cycloolefinpolymer und das Kunststoffgehäuse 1 aus einem mit Pigment vermischten Cycloolefinpolymer hergestellt werden.
  • Wie beschrieben, verbessert die vorliegende Erfindung die Stabilität des optischen Halbleiter-Sensorbauelements gegen Temperaturänderungen, verhindert eine Verschlechterung und Änderung der optischen Eigenschaften, verlängert die Lebensdauer des Bauelements und schafft in Bauelement mit hoher Zuverlässigkeit.

Claims (10)

  1. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement, umfassend: ein Gehäuse (1) aus elektrisch isolierendem Material, eine Verdrahtungsanordnung (3), die sich vom Inneren des Gehäuses (1) nach außen erstreckt, einen optischen Halbleiter-Sensorchip (2), der an dem Boden des Gehäuses (1) befestigt ist und an seiner Oberfläche Anschlüsse aufweist, und Verbindungsmittel (4), die die Anschlüsse mit der Verdrahtungsanordnung (3) verbinden, dadurch gekennzeichnet, daß im Boden des Gehäuses (1) eine oder mehrere Öffnungen (1a, 1b) ausgebildet sind, ein transparenter Füllstoff (7) den Raum innerhalb des Gehäuses (1) füllt, wobei die eine oder mehreren Öffnungen (1a, 1b) eine Volumenänderung des transparenten Füllstoffs infolge von dessen Expansion oder Kontraktion absorbieren, und eine Fokussiereinrichtung (6) oberhalb des Sensorchips (2) unter Zwischenlage des transparenten Füllstoffs (7) in einer solchen Position angeordnet ist, daß sie eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip (2) fokussiert, wobei die Fokussiereinrichtung (6) mit dem Gehäuse (1) verklebt oder verschweißt ist, und wobei die Fokussiereinrichtung (6) und das Gehäuse (1) aus demselben Material oder jeweiligen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten gleich sind.
  2. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch: eine transparente Platte (5), die über dem Sensorchip (2) unter Zwischenlage des transparenten Füllstoffs (7) angeordnet und mit dem Gehäuse (1) verklebt oder verschweißt ist, wobei die Fokussiereinrichtung (6) mit der transparenten Platte (5) in einer solchen Position verklebt oder verschweißt ist, daß sie eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip (2) fokussiert, und wobei die Fokussiereinrichtung (6), die transparente Platte (5) und das Gehäuse (1) aus demselben Material oder jeweiligen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten gleich sind.
  3. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Platte (5) so angeordnet ist, daß eine oder mehrere Öffnungen (1d) zwischen dem Gehäuse (1) und der transparenten Platte (5) gebildet werden, wobei die eine oder mehreren Öffnungen (1a, 1b) im Boden des Gehäuses (1) und die eine oder mehreren Öffnungen (1d) zwischen dem Gehäuse (1) und der transparenten Platte (5) Volumenänderungen des transparenten Füllstoffs (7) absorbieren, die sich bei dessen Expansion oder Kontraktion ergeben.
  4. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach Anspruch 1, bei dem das Gehäuse (1) nach innen ragende Haltestege (9) aufweist, und die Fokussiereinrichtung (6) mit den Haltestegen (9) des Gehäuses (1) verklebt oder verschweißt ist derart, daß zwischen dem Gehäuse (1) und der Fokussiereinrichtung (6) eine oder mehrere Öffnungen (1d) gebildet werden und die eine oder mehreren Öffnungen (1a, 1b) im Boden des Gehäuses (1) und die eine oder mehreren Öffnungen (1d) zwischen dem Gehäuse (1) und der Fokussiereinrichtung (6) Volumenänderungen des transparenten Füllstoffs (7) absorbieren, die sich bei dessen Expansion oder Kontraktion ergeben.
  5. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Blendenplatte (13) oberhalb des Sensorchips (2) unter Zwischenlage des transparenten Füllstoffs (7) angeordnet ist und mit dem Gehäuse (1) verklebt oder verschweißt ist, um die auf den Sensorchip (2) auftreffenden Lichtstrahlen zu begrenzen, und die Fokussiereinrichtung (6) mit der Blendenplatte (13) in einer solchen Position verklebt oder verschweißt ist, daß sie eines oder mehrere Bilder auf den Sensorchip (2) fokussiert, wobei die Fokussiereinrichtung (6), die Blendenplatte (13) und das Gehäuse (1) aus demselben Material oder jeweiligen Materialien bestehen, deren thermische Ausdehnungskoeffizienten gleich sind.
  6. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Fokussiereinrichtung (6) wenigstens zwei Linsen (6a, 6b) aufweist und die Blendenplatte (13) Blendenöffnungen (13a, 13b) aufweist, von denen je eine einer jeweiligen der Linsen (6a, 6b) eindeutig zugeordnet ist.
  7. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner eine Abdeckanordnung (10) zum Bedecken der einen oder mehreren Öffnungen (1a, 1b) aufweist.
  8. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner Beschichtungsmittel (11a, 11b) zum Beschichten des transparenten Füllstoffs (7) in der einen oder den mehreren Öffnungen (1a, 1b) aufweist.
  9. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner eine Schutzanordnung (12, 12a, 12b) zum Schutz des transparenten Füllstoffs (7) aufweist.
  10. Optisches Halbleiter-Sensorbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente Füllstoff (7) transparentes Silikongel umfaßt.
DE19958229A 1998-12-09 1999-12-03 Optisches Halbleiter-Sensorbauelement Expired - Fee Related DE19958229B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP349423/98 1998-12-09
JP34942398 1998-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19958229A1 DE19958229A1 (de) 2000-06-15
DE19958229B4 true DE19958229B4 (de) 2007-05-31

Family

ID=18403652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19958229A Expired - Fee Related DE19958229B4 (de) 1998-12-09 1999-12-03 Optisches Halbleiter-Sensorbauelement

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6627872B1 (de)
KR (1) KR100608523B1 (de)
DE (1) DE19958229B4 (de)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6483101B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package having lens holder
US6483030B1 (en) * 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Snap lid image sensor package
DE19960055A1 (de) * 1999-12-13 2001-06-21 Thomson Brandt Gmbh Photoelement für ein Gerät zum Lesen optischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2001091193A2 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Atmel Corporation Integrated ic chip package for electronic image sensor die
CN2457740Y (zh) * 2001-01-09 2001-10-31 台湾沛晶股份有限公司 集成电路晶片的构装
FR2819634B1 (fr) * 2001-01-15 2004-01-16 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur a capteur, muni d'un insert et son procede de fabrication
US7059040B1 (en) 2001-01-16 2006-06-13 Amkor Technology, Inc. Optical module with lens integral holder fabrication method
KR100401020B1 (ko) 2001-03-09 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체칩의 스택킹 구조 및 이를 이용한 반도체패키지
US7078791B1 (en) * 2001-05-09 2006-07-18 Ess Technology, Inc. Chip on board package for imager
FR2824953B1 (fr) * 2001-05-18 2004-07-16 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a lentille incorporee et blindage
FR2835654B1 (fr) * 2002-02-06 2004-07-09 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a porte-lentille accouple
JP3832360B2 (ja) * 2002-03-04 2006-10-11 株式会社デンソー 電子装置
JP3980933B2 (ja) * 2002-05-23 2007-09-26 ローム株式会社 イメージセンサモジュールの製造方法
DE10226135B4 (de) * 2002-06-12 2004-08-05 Siemens Ag Optisches Modul und optisches System
EP1383175A1 (de) * 2002-07-16 2004-01-21 Abb Research Ltd. Optisches chipmodul
US6823582B1 (en) * 2002-08-02 2004-11-30 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for force mounting semiconductor packages to printed circuit boards
US7146106B2 (en) * 2002-08-23 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Optic semiconductor module and manufacturing method
US20040094695A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Chen Wen Ching Digital CMOS sensor
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
KR100539234B1 (ko) * 2003-06-11 2005-12-27 삼성전자주식회사 투명 고분자 소재를 적용한 씨모스형 이미지 센서 모듈 및그 제조방법
EP1498756A1 (de) * 2003-07-17 2005-01-19 STMicroelectronics S.A. Methode zur Befestigung einer Linse gegenüber einem optischen Sensor in einer Bildaufnahmevorrichtung
KR100541650B1 (ko) * 2003-08-12 2006-01-10 삼성전자주식회사 고체 촬상용 반도체 장치 및 그 제조방법
WO2005031879A1 (de) 2003-09-26 2005-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Optisches modul und optisches system
DE10344770A1 (de) * 2003-09-26 2005-05-04 Siemens Ag Optisches Modul und optisches System
DE10344760A1 (de) * 2003-09-26 2005-05-04 Siemens Ag Optisches Modul und optisches System
FR2861217B1 (fr) 2003-10-21 2006-03-17 St Microelectronics Sa Dispositif optique pour boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication.
JP4259979B2 (ja) * 2003-10-22 2009-04-30 新光電気工業株式会社 光透過性カバー及びこれを備えたデバイス並びにそれらの製造方法
US20060261458A1 (en) * 2003-11-12 2006-11-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2869158A1 (fr) * 2004-04-20 2005-10-21 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a moyen compressible de reglage
JP2006105811A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体光センサデバイス及び測距方法
US7359579B1 (en) 2004-10-08 2008-04-15 Amkor Technology, Inc. Image sensor package and its manufacturing method
US20070210246A1 (en) * 2005-04-14 2007-09-13 Amkor Technology, Inc. Stacked image sensor optical module and fabrication method
US7227236B1 (en) 2005-04-26 2007-06-05 Amkor Technology, Inc. Image sensor package and its manufacturing method
US20070272827A1 (en) * 2005-04-27 2007-11-29 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having mount holder attached to image sensor die
DE102005025754B4 (de) * 2005-06-02 2019-08-08 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit einem Sensorchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen
JP2006338785A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sony Corp 受発光集積装置及び光ディスク装置
US7576401B1 (en) 2005-07-07 2009-08-18 Amkor Technology, Inc. Direct glass attached on die optical module
CN100555643C (zh) * 2005-08-12 2009-10-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测芯片封装结构及应用该结构的数码相机模组
DE102005061798A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsanordnung
US7675180B1 (en) 2006-02-17 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer
US20080237824A1 (en) * 2006-02-17 2008-10-02 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having single-sided film spacer
US7633144B1 (en) 2006-05-24 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US20080203512A1 (en) * 2006-06-07 2008-08-28 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Image sensor chip package
US8093493B2 (en) * 2007-04-30 2012-01-10 Solyndra Llc Volume compensation within a photovoltaic device
JP4819152B2 (ja) * 2008-09-25 2011-11-24 シャープ株式会社 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
DE102011014584A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anschlussträger für Halbleiterchips und Halbleiterbauelement
US9279946B2 (en) * 2012-05-23 2016-03-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Premolded cavity for optoelectronic device
JP6094150B2 (ja) 2012-11-02 2017-03-15 セイコーエプソン株式会社 搬送装置及び記録装置
US20180017741A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4723156A (en) * 1984-08-20 1988-02-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. EPROM device and a manufacturing method thereof
EP0867935A2 (de) * 1997-03-25 1998-09-30 Mitsui Chemicals, Inc. Kunststoffpackung, Halbleiteranordnung, und Verfahren zum Herstellen einer Kunststoffpackung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766095A (en) * 1985-01-04 1988-08-23 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of manufacturing eprom device
JPS61214566A (ja) 1985-03-20 1986-09-24 Toshiba Corp 半導体光センサ装置
JPS6457661A (en) * 1987-08-27 1989-03-03 Toshiba Corp Solid-state image sensing device and manufacture thereof
US5324888A (en) * 1992-10-13 1994-06-28 Olin Corporation Metal electronic package with reduced seal width
JPH07183415A (ja) * 1993-11-12 1995-07-21 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH0883859A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
DE19508222C1 (de) * 1995-03-08 1996-06-05 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
US5734155A (en) * 1995-06-07 1998-03-31 Lsi Logic Corporation Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same
JPH1197656A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体光センサデバイス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4723156A (en) * 1984-08-20 1988-02-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. EPROM device and a manufacturing method thereof
EP0867935A2 (de) * 1997-03-25 1998-09-30 Mitsui Chemicals, Inc. Kunststoffpackung, Halbleiteranordnung, und Verfahren zum Herstellen einer Kunststoffpackung

Also Published As

Publication number Publication date
DE19958229A1 (de) 2000-06-15
KR100608523B1 (ko) 2006-08-09
US6627872B1 (en) 2003-09-30
KR20000048031A (ko) 2000-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19958229B4 (de) Optisches Halbleiter-Sensorbauelement
DE19842881A1 (de) Halbleiter-Optosensor
DE69829703T2 (de) Verfahren zum hermetischen Verschliessen einer optischen Faserdurchführung und hermetisch verschlossene Vorrichtung
DE602004008325T2 (de) Kompaktes Kameramodul
DE10344768B3 (de) Optisches Modul mit federndem Element zwischen Linsenhalter und Schaltungsträger und optisches System
US5998862A (en) Air-packed CCD images package and a mold for manufacturing thereof
EP2063649B1 (de) Stereokamera zur Umgebungserfassung
AT410728B (de) Verfahren zum einbetten zumindest einer flexiblen leiterbahnfolie in kunststoff, leiterbahneneinheitsowie einbettungseinheit hiefür
DE10054013B4 (de) Drucksensormodul
DE60319678T2 (de) Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006013164A1 (de) Verfahren zur Montage eines Kameramoduls und Kameramodul
CN109581785B (zh) 减少杂散光的摄像模组及其感光组件
EP1380056A2 (de) Optoelektronische bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen bauelementanordnung
EP1705900A1 (de) Kamera für den Aussenbereich
DE102011003195B4 (de) Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines Bauteils
DE60305091T2 (de) Bildaufnahmegerät
EP1665776A1 (de) Optisches modul und optisches system
DE102004031316B3 (de) Gassensor-Modul zur spektroskopischen Messung einer Gaskonzentration
EP1664881B1 (de) Optisches modul mit bildsensor und auf der sensitiven fläche des bildsensors abgestützter linseneinheit
US20030173655A1 (en) Component assembly and method for producing the same
DE10344767B4 (de) Optisches Modul und optisches System
JP2000230856A (ja) 半導体光センサデバイス
CN107734216A (zh) 阵列摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及带有阵列摄像模组的电子设备
DE102010044560A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102011007228B4 (de) Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee