JPS61214566A - 半導体光センサ装置 - Google Patents
半導体光センサ装置Info
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- JPS61214566A JPS61214566A JP60056511A JP5651185A JPS61214566A JP S61214566 A JPS61214566 A JP S61214566A JP 60056511 A JP60056511 A JP 60056511A JP 5651185 A JP5651185 A JP 5651185A JP S61214566 A JPS61214566 A JP S61214566A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/02—Details
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体光センサ装置、特にＣＣＤセンサにおけ
る外囲器の改良に関する。
る外囲器の改良に関する。
従来、ＣＯＤ （ｃｈａｒｇｅ ｃａｐｐｌｅｄ ｄｅ
ｖｉｃｅ ）のような半導体光センサはセラミック外囲
器に封止した実装形態で用いられている。第２図はセラ
ミック外囲器にパッケージングされた従来のＣＣＤセン
サを示す断面図である。
ｖｉｃｅ ）のような半導体光センサはセラミック外囲
器に封止した実装形態で用いられている。第２図はセラ
ミック外囲器にパッケージングされた従来のＣＣＤセン
サを示す断面図である。
同図において、１はセラミック製の外囲器基体である。
該外囲器基体１にはＣＯＤセンサチップを収容するため
の凹部が形成されている。該凹部は階段状の側壁を有し
、凹部底面および階段上側壁のテラス面にはメタライズ
ｌ１２ｔ 、２２が形成されている。テラス面に形成さ
れたメタライズ層２２は、収容されるＣＯＤセンサチッ
プの内部端子に対応したパターンニングされている。な
お、このセラミック基体１は表面にメタライズ対応する
メタライズ層２１．２２を形成した二枚のセラミック基
板と、メタライズ層を形成していないセラミック板を積
層焼結して製造したものである。
の凹部が形成されている。該凹部は階段状の側壁を有し
、凹部底面および階段上側壁のテラス面にはメタライズ
ｌ１２ｔ 、２２が形成されている。テラス面に形成さ
れたメタライズ層２２は、収容されるＣＯＤセンサチッ
プの内部端子に対応したパターンニングされている。な
お、このセラミック基体１は表面にメタライズ対応する
メタライズ層２１．２２を形成した二枚のセラミック基
板と、メタライズ層を形成していないセラミック板を積
層焼結して製造したものである。
上記セラミック基体１の凹部底面には、前記メタライズ
Ｗ４２１上にＣＯＤセンサチップ３がダイボンデインク
されている。該ＣＯＤセンサチップ３の各内部端子は、
ボンディングワイヤ４・・・を介して夫々対応する前記
テラス面のメタライズ１２２・・・に接続されている。
Ｗ４２１上にＣＯＤセンサチップ３がダイボンデインク
されている。該ＣＯＤセンサチップ３の各内部端子は、
ボンディングワイヤ４・・・を介して夫々対応する前記
テラス面のメタライズ１２２・・・に接続されている。
また、メタライズ層２２・・・はセラミック基体１の外
側面に露出しており、該露出面に接続されたリードビン
５・・・がセラミック基体１の外側面に固着されている
。更に、ＣＯＤセンサチップ３が収容されたセラミック
基体１の凹部開孔端面には低融点ガラスまたは樹脂等の
接着剤６を介して透明なガラス板７が固着されており、
凹部内に収容されたＣＣＤサンサチツプ３を封止してい
る。但し、凹部の中は中空のままである。
側面に露出しており、該露出面に接続されたリードビン
５・・・がセラミック基体１の外側面に固着されている
。更に、ＣＯＤセンサチップ３が収容されたセラミック
基体１の凹部開孔端面には低融点ガラスまたは樹脂等の
接着剤６を介して透明なガラス板７が固着されており、
凹部内に収容されたＣＣＤサンサチツプ３を封止してい
る。但し、凹部の中は中空のままである。
上記の構造からなるＣＣＤセンサ装置は、ガラス板６を
透過してくる光をＣＯＤセンサチップ３が検知し、それ
による信号をリードビン５・・・を介して出力すること
によりセンサ装置として機能するものである。
透過してくる光をＣＯＤセンサチップ３が検知し、それ
による信号をリードビン５・・・を介して出力すること
によりセンサ装置として機能するものである。
（背景技術の問題点）
上記のようにセラミック外囲器を用いてアセンブリーさ
れた従来の半導体光センサ装置は、半導体光センサチッ
プを収容した外囲器の内部が中空状態のままである。こ
のためチップを封止するガス状態によってはチップ表面
に劣化を生じ、特性が低下することから不活性ガスを用
いる必要があり、また不活性ガスを用いたとしても湿度
条件を精密に制御しないと特性の低下を回避できない問
題があった。
れた従来の半導体光センサ装置は、半導体光センサチッ
プを収容した外囲器の内部が中空状態のままである。こ
のためチップを封止するガス状態によってはチップ表面
に劣化を生じ、特性が低下することから不活性ガスを用
いる必要があり、また不活性ガスを用いたとしても湿度
条件を精密に制御しないと特性の低下を回避できない問
題があった。
更に、従来のセラミック外囲器に用いるセラミック基体
１は、複数枚のセラミック基板（メタライズ！２ｚ 、
２２は予め形成しておく）を積層焼結するといった多く
の製造工程を経て製造されるから高価なものにならざる
を得ず、パッケージコストが高いという問題があった。
１は、複数枚のセラミック基板（メタライズ！２ｚ 、
２２は予め形成しておく）を積層焼結するといった多く
の製造工程を経て製造されるから高価なものにならざる
を得ず、パッケージコストが高いという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、安定した封
止状態により特性の劣化を防止できる半導体光センサ装
置を提供するものである。
止状態により特性の劣化を防止できる半導体光センサ装
置を提供するものである。
本発明による半導体光センサ装置は、絶縁材料からなり
且つ上部が解放された絶縁筺体と、該絶縁筺体の内部か
ら外部に貫通して設けられた配線パターンと、前記絶縁
筺体の内部底面にダイボンディングされた半導体光セン
サチップと、該半導体光センサチップ表面の内部端子を
前記配線パターンに接続するボンディングワイヤと、前
記絶縁筺体の内部に充填されて前記半導体光センサチッ
プを封止すると共に、絶縁枠の頂面をも覆って形成され
た透明樹脂層と、該透明樹脂層を介して前記絶縁筺体の
頂面に固着され、絶縁筺体の解放部を閉鎖する透明ガラ
ス板とを具備したことを特徴とするものである。
且つ上部が解放された絶縁筺体と、該絶縁筺体の内部か
ら外部に貫通して設けられた配線パターンと、前記絶縁
筺体の内部底面にダイボンディングされた半導体光セン
サチップと、該半導体光センサチップ表面の内部端子を
前記配線パターンに接続するボンディングワイヤと、前
記絶縁筺体の内部に充填されて前記半導体光センサチッ
プを封止すると共に、絶縁枠の頂面をも覆って形成され
た透明樹脂層と、該透明樹脂層を介して前記絶縁筺体の
頂面に固着され、絶縁筺体の解放部を閉鎖する透明ガラ
ス板とを具備したことを特徴とするものである。
上記の構成から明らかなように、本発明の半導体光セン
サ装置ではチップが透明樹脂層で完全に封止されている
ため、従来のように外囲器内部のガス状態によってチッ
プ表面が劣化するのを防止できる。従って、信頼性の高
い安定した特性が得られる。
サ装置ではチップが透明樹脂層で完全に封止されている
ため、従来のように外囲器内部のガス状態によってチッ
プ表面が劣化するのを防止できる。従って、信頼性の高
い安定した特性が得られる。
第１図は本発明の一実施例になるＣＣＤセンサ装置を示
す断面図である。同図において、１１は単層のセラミッ
ク基板である。該セラミック基板１１の表面には金属配
線パターン１２・・・が形成され、これら配線パターン
の一端部（ボンディング端）はＣＯＤセンサチップのマ
ウント位置近傍に配置されている。そして、配線パター
ン１２・・・のボンディング端に囲まれたセラミック基
板１１の表面領域には、ＣＯＤセンサチップ１３がダイ
ボンディングされている。該ＣＯＤセンサチップ１３表
面にの内部端子（ポンディングパッド）は、ボンディン
グワイヤ１４・・・を介して夫々対応する ′配
線パターン１２・・・のボンディング端に接続されてい
る。他方、１５はセラミックでできた筒状の絶縁枠で、
前記ボンディング端の外側を取囲んで設けられ、且つ低
融点ガラス層１６により絶縁基板１１上に接着固定され
ている。更に、この絶縁枠１５で囲まれた空間にはエポ
キシ樹脂等の透明樹脂１７が充填され、ＣＯＤセンサチ
ップ１３およびボンディングワイヤ１４は該透明樹脂１
７で完全に封止されている。また、この透明樹脂は絶縁
枠１５の頂面を覆って設けられ、その上には透明なガラ
ス板１８が固着されている。
す断面図である。同図において、１１は単層のセラミッ
ク基板である。該セラミック基板１１の表面には金属配
線パターン１２・・・が形成され、これら配線パターン
の一端部（ボンディング端）はＣＯＤセンサチップのマ
ウント位置近傍に配置されている。そして、配線パター
ン１２・・・のボンディング端に囲まれたセラミック基
板１１の表面領域には、ＣＯＤセンサチップ１３がダイ
ボンディングされている。該ＣＯＤセンサチップ１３表
面にの内部端子（ポンディングパッド）は、ボンディン
グワイヤ１４・・・を介して夫々対応する ′配
線パターン１２・・・のボンディング端に接続されてい
る。他方、１５はセラミックでできた筒状の絶縁枠で、
前記ボンディング端の外側を取囲んで設けられ、且つ低
融点ガラス層１６により絶縁基板１１上に接着固定され
ている。更に、この絶縁枠１５で囲まれた空間にはエポ
キシ樹脂等の透明樹脂１７が充填され、ＣＯＤセンサチ
ップ１３およびボンディングワイヤ１４は該透明樹脂１
７で完全に封止されている。また、この透明樹脂は絶縁
枠１５の頂面を覆って設けられ、その上には透明なガラ
ス板１８が固着されている。
なお、前記絶縁枠の外側に延出した配線パターン１２・
・・の端部は、セラミック基板１１を貫通して設けられ
たスルホール１９・・・を介してセラミック基板１１の
裏面に取出され、端子２０・・・が形成されている。従
って、このＣＣＤセンサ装置をプリント配線基板に実装
する際には、端子１９・・・を配線基板上の端子に半田
付けしてもよく、またスルホール１８・・・にリードビ
ンを挿着すれば配線基板に設けたソケットに挿入して実
装することもできる。
・・の端部は、セラミック基板１１を貫通して設けられ
たスルホール１９・・・を介してセラミック基板１１の
裏面に取出され、端子２０・・・が形成されている。従
って、このＣＣＤセンサ装置をプリント配線基板に実装
する際には、端子１９・・・を配線基板上の端子に半田
付けしてもよく、またスルホール１８・・・にリードビ
ンを挿着すれば配線基板に設けたソケットに挿入して実
装することもできる。
上記実施例のＣＣＤセンサ装置では絶縁枠１５の中の空
間が透明樹脂層１７で完全に満たされ、ＣＯＤセンサチ
ップ１３は透明樹脂層１７で完全に封止されている。従
って、従来のように封止のガス状態がチップに影響する
ことはなく、安定した特性を維持することができる。同
時に、透明樹脂１７はガラス板１８を固着するための接
着剤としても作用し、ガラス板１８は樹脂層１７の上に
直接設置して固着できる利点が得られる。
間が透明樹脂層１７で完全に満たされ、ＣＯＤセンサチ
ップ１３は透明樹脂層１７で完全に封止されている。従
って、従来のように封止のガス状態がチップに影響する
ことはなく、安定した特性を維持することができる。同
時に、透明樹脂１７はガラス板１８を固着するための接
着剤としても作用し、ガラス板１８は樹脂層１７の上に
直接設置して固着できる利点が得られる。
また、上記実施例では第２図の従来の装置のように高価
な積層焼結によるセラミック基体を用いず、単層のセラ
ミック基板１１と絶縁枠１５を用いてパッケージングを
行っているから、パッケージコストを従来よりも大幅に
低減することができる。
な積層焼結によるセラミック基体を用いず、単層のセラ
ミック基板１１と絶縁枠１５を用いてパッケージングを
行っているから、パッケージコストを従来よりも大幅に
低減することができる。
更に、上記実施例のＣＣＤセンサ装置では、その製造に
際して絶縁枠１５が存在しない状態でワイヤボンディン
グを行うことができるため作業性が良好となり、生産性
を向上することができる。
際して絶縁枠１５が存在しない状態でワイヤボンディン
グを行うことができるため作業性が良好となり、生産性
を向上することができる。
なお、上記実施例におけるセラミック基板１１の代りに
、例えばガラスエポキシ基板や紙エポキシ基板等のより
安価な絶縁材料を用いることにより、コストを更に低減
することができる。絶縁枠１５についても同様である。
、例えばガラスエポキシ基板や紙エポキシ基板等のより
安価な絶縁材料を用いることにより、コストを更に低減
することができる。絶縁枠１５についても同様である。
また、本発明の適用範囲は上記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば第２図の従来のセラミック外囲器を用
いた場合にも同様に適用することが可能である。
ではなく、例えば第２図の従来のセラミック外囲器を用
いた場合にも同様に適用することが可能である。
以上詳述したように、本発明による半導体光センサ装置
は安定した封止状態により特性の劣化を防止し、高い信
頼性が得られる等、顕著な効果を奏するものである。
は安定した封止状態により特性の劣化を防止し、高い信
頼性が得られる等、顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の−・実施例になるＣＣＤセンサ装置を
示す断面図、第２図は従来のセラミック外囲器によるＣ
ＣＤセンサ装置を示す断面図である。 １１・・・単層セラミック基板、１２・・・金属配線パ
ターン、１３・・・ＣＯＤセンサチップ、１４・・・ボ
ンディングワイヤ、１５・・・絶縁枠、１６・・・低融
点ガラス層、１７・・・透明ガラス板、１８・・・透明
樹脂層、１９・・・スルホール、２０・・・端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 １日
示す断面図、第２図は従来のセラミック外囲器によるＣ
ＣＤセンサ装置を示す断面図である。 １１・・・単層セラミック基板、１２・・・金属配線パ
ターン、１３・・・ＣＯＤセンサチップ、１４・・・ボ
ンディングワイヤ、１５・・・絶縁枠、１６・・・低融
点ガラス層、１７・・・透明ガラス板、１８・・・透明
樹脂層、１９・・・スルホール、２０・・・端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 １日
Claims (1)
- 絶縁材料からなり且つ上部が解放された絶縁筺体と、
該絶縁筺体の内部から外部に貫通して設けられた配線パ
ターンと、前記絶縁筺体の内部底面にダイボンディング
された半導体光センサチップと、該半導体光センサチッ
プ表面の内部端子を前記配線パターンに接続するボンデ
ィングワイヤと、前記絶縁筺体の内部に充填されて前記
半導体光センサチップを封止すると共に、絶縁枠の頂面
をも覆って形成された透明樹脂層と、該透明樹脂層を介
して前記絶縁筺体の頂面に固着され、絶縁筺体の解放部
を閉鎖する透明ガラス板とを具備したことを特徴とする
半導体光センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056511A JPS61214566A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 半導体光センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056511A JPS61214566A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 半導体光センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214566A true JPS61214566A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=13029148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60056511A Pending JPS61214566A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 半導体光センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214566A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256667A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| US6583433B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-06-24 | Fuji Electric Co., Ltd. | Range finder structure allowing easier filling of the transparent filler |
| US6627872B1 (en) | 1998-12-09 | 2003-09-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor optical sensing apparatus with reliable focusing means and casing structure |
| US6906316B2 (en) | 2000-10-27 | 2005-06-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device module |
| WO2005064626A3 (de) * | 2003-12-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches modul und verfahren zu dessen herstellung |
| WO2010140545A1 (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | アルプス電気株式会社 | 湿度検出センサパッケージ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60056511A patent/JPS61214566A/ja active Pending
Cited By (8)
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