JPH0883859A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH0883859A
JPH0883859A JP6242236A JP24223694A JPH0883859A JP H0883859 A JPH0883859 A JP H0883859A JP 6242236 A JP6242236 A JP 6242236A JP 24223694 A JP24223694 A JP 24223694A JP H0883859 A JPH0883859 A JP H0883859A
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semiconductor element
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adhesive
frame
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Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子の実装精度が高く、しかも簡単な
工程にて低コストの半導体装置を製造する方法を提供す
ること。 【構成】 本発明は先ず平板状で絶縁性を備える基台１
の半導体素子１０の実装領域周辺に熱硬化型接着剤また
は紫外線照射硬化型接着剤を含む接着剤２を塗布した
り、または実装面１ａ全体に分離接着層を設けた後、こ
の接着剤２または分離接着層を介して基台１上にリード
フレーム３を接着する。次にウインドフレーム４または
樹脂ダム部の取り付け、半導体素子１０の実装およびボ
ンディングワイヤー５による配線を行い枠内へ樹脂を注
入して半導体素子１０とボンディングワイヤー５とを封
止する半導体装置の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平板状で絶縁性を備え
る基台に半導体素子を実装し、これを樹脂にて封止する
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリ
ニアセンサー、ＥＰＲＯＭなどの光学的な特性を必要と
する半導体装置を製造する場合には、先ず、平坦なセラ
ミックス基台およびウインドフレーム間に低融点ガラス
を介してリードフレーム（インナーリード部にアルミク
ラッド層を形成した４２アロイ材から成るリードフレー
ム）を接着し、アウターリード部へ錫めっき処理を施し
て中空パッケージを形成しておく。次いで、この基台の
中空内に半導体素子を実装し、半導体素子とリードフレ
ームとをボンディングワイヤーにて配線する。その後、
ＢステージシーラーやＡステージシーラー等を介してシ
ールガラスを取り付け、半導体素子およびボンディング
ワイヤーを中空封止している。
【０００３】また、近年ではコストダウンの観点から、
中空基台に半導体素子を実装し、この中空内に樹脂を注
入して半導体素子やボンディングワイヤーを封止する半
導体装置の製造方法も考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ックスを用いた中空基台では製法と形状が複雑となりそ
の成形性を高めるのが困難となる。このため、半導体素
子を中空内に精度良く実装しようとする場合に問題とな
る。特にＣＣＤリニアセンサーの場合には半導体素子が
長尺状であるため、基台の成形精度が実装精度に大きく
影響することになる。この半導体素子の実装精度が不十
分となると光軸ずれやチップクラック、割れ等が発生し
その特性や品質を大きく劣化させる原因となる。
【０００５】また、低融点ガラスを介して基台とウイン
ドフレーム間にリードフレームを接着する場合には、低
融点ガラスを溶融させるため４５０℃程度まで加熱する
必要があり、リードフレームの酸化を招くことになる。
この酸化が発生すると、アウターリード部をマザーボー
ド等の基板へはんだ付けする際の妨げとなり、電気的な
接触不良を起こす原因となる。そこで、低融点ガラスに
よるリードフレームの接着を行う際には、加熱接着後に
アウターリード部へ錫めっき処理を施しておくような処
置が必要となる。これにより、製造工程数の増加および
コストアップを招くことになる。
【０００６】また、基台の中空内に半導体素子を実装し
て透光性樹脂にて封止する半導体装置の製造方法の場合
には、基台の熱膨張係数と透光性封止樹脂の熱膨張係数
との差が小さくなるよう各々の材質を選択する必要があ
る。これらの熱膨張係数の差があまり大きいと、透光性
封止樹脂内部に歪みが生じてクラックを発生させたり、
内部応力によってボンディングワイヤーを切断してしま
うという不都合が生じることになる。
【０００７】例えば、セラミックス（熱膨張係数５〜７
×１０-6／℃）から成る基台を用いる場合には、エポキ
シ系（熱膨張係数６０〜８０×１０-6／℃）から成る透
光性樹脂を使用すると熱膨張係数の差が大きすぎてしま
い、歪みやクラックを起こす原因となる。このため、熱
膨張係数の差がなるべく小さくなるような、または温度
ストレスを吸収するような柔軟性を有する例えばシリコ
ーン系の樹脂を使用する必要がある。このように、透光
性樹脂による半導体素子の封止を行う場合には材料の選
択に対する制限を受けることになる。
【０００８】よって、本発明は半導体素子の実装精度が
高く、しかも簡単な工程にて低コストの半導体装置を製
造する方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために成された半導体装置の製造方法である。
すなわち、本発明は平板状で絶縁性を備える基台に半導
体素子を実装し、この半導体素子を樹脂にて封止する半
導体装置の製造方法であり、先ず、この基台における半
導体素子の実装領域周辺に熱硬化型接着剤または紫外線
照射硬化型接着剤を含む接着剤を塗布した後、この接着
剤を介して基台上にリードフレームを接着する。次に、
リードフレーム上への枠材の取り付け、実装領域への半
導体素子の実装および半導体素子とリードフレームとの
ボンディングワイヤーによる配線を行い、その後、枠材
の枠内へ樹脂を注入して半導体素子とボンディングワイ
ヤーとを封止する。
【００１０】また、先ず、基台における半導体素子の実
装面全体に分離接着層を設けた後、この分離接着層を介
して基台上にリードフレームを接着し、次に、リードフ
レーム上への枠材の取り付け、実装面への半導体素子の
実装および半導体素子とリードフレームとのボンディン
グワイヤーによる配線を行い、その後、枠材の枠内へ樹
脂を注入して半導体素子とボンディングワイヤーとを封
止する半導体装置の製造方法でもある。
【００１１】
【作用】本発明では、半導体素子を実装する基台として
平板状のものを用いるため、基台の形状が単純であり成
形精度を向上させることができる。すなわち、このよう
な基台を用いることで半導体素子の実装精度が向上する
ことになる。また、基台にリードフレームを接着する際
に熱硬化型接着剤または紫外線照射硬化型接着剤を含む
接着剤を用いることで、リードフレームを酸化させない
程度の温度にて接着を行うことができるようになる。こ
のため、予めインナーリード部分またはアウターリード
部分へめっき処理を施したリードフレームを用いること
ができ、リードタイム短縮による生産性向上、品質向上
およびコストダウンを図ることができるようになる。
【００１２】また、基台における半導体素子の実装面全
体に分離接着層を設けることにより、基台と枠内へ注入
する樹脂とを仕切ることができ、基台と樹脂との間に熱
膨張係数の差があっても各々の膨張収縮差をこの分離接
着層にて吸収することができるようになる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける実施例を図に基づいて説明する。図１は本発明の半
導体装置の製造方法における第１実施例を順に説明する
断面図（その１）、図２は第１実施例を順に説明する断
面図（その２）である。先ず、図１（ａ）に示す接着剤
塗布工程として、基台１の実装面１ａにおける周縁部分
にスクリーン印刷法等によって接着剤２を塗布する処理
を行う。
【００１４】基台１としては平板状で絶縁性を備えるも
のを使用する。例えば、セラミックスやガラスエポキシ
材、ＢＴレジン材さらにはアルマイト処理を施したアル
ミニウム、ガラス等から成り、平板状に加工したものを
使用する。平板状の基台１では構造が単純であり、その
加工精度を非常に高めることができる。特に、半導体素
子１０（図１（ｃ）参照）を実装する実装面１ａの加工
精度を向上できるため、正確な実装を行うことができる
ようになる。
【００１５】接着剤２としては、熱硬化型接着剤や紫外
線照射硬化型接着剤、または加熱と紫外線照射との両方
によって硬化するものを使用する。これによって、熱硬
化型接着剤では１５０℃程度、紫外線照射硬化型接着剤
では室温にて後の工程であるリードフレーム接着を行う
ことができるようになり、リードフレーム材の酸化を防
止することができる。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すリードフレーム接
着工程として、基台１の実装面１ａに塗布した接着剤２
を介してリードフレーム３を接着する処理を行う。リー
ドフレーム３としては、例えばニッケル−金めっきを施
した４２アロイ（鉄−ニッケル４２％合金）や銅材を使
用し、そのインナーリード部分を接着剤２上に載置した
状態で、予めスクリーン印刷法等で接着剤２をコーティ
ングした基台１と同じ材質の枠であるウインドフレーム
４を搭載し、さらにその上から固定治具４１にて押圧す
る。そして、この状態で接着剤２を硬化させてリードフ
レーム３を接着し、アウターリード部分の切断および折
り曲げ処理を施す。なお、予め折り曲げ処理を行ったリ
ードフレーム３を基台１に取り付けて、リードフレーム
３を基台１に接着した後にアウターリード部先端のステ
イカットを行ってもよい。
【００１７】この際、熱硬化型接着剤から成る接着剤２
を用いる場合には１５０℃１〜２時間の加熱によって硬
化させ、紫外線照射硬化型接着剤から成る接着剤２を用
いる場合には２０００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線
照射によって硬化させる。また、紫外線照射硬化型およ
び加熱硬化型の両方から成る接着剤２の場合には、２０
００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線照射と１２０〜１
３０℃１時間の加熱によって硬化させる。なお、紫外線
照射硬化型接着剤または紫外線照射硬化型および加熱硬
化型の両方から成る接着剤２を用いる場合、透光性を備
えた例えばガラス製の固定治具４１にて押圧して、所定
の紫外線照射で硬化させる。
【００１８】いずれの接着剤２を用いた場合であって
も、リードフレーム３を酸化させるような温度にまで加
熱する必要がなくなる。次に、図１（ｃ）に示す実装工
程として、基台１へ半導体素子１０を実装する処理を行
う。半導体素子１０は絶縁性ペースト剤を介して実装面
１ａに実装され（１００℃〜１５０℃１時間程度の加
熱）、さらにリードフレーム３のインナーリード部分と
ボンディングワイヤー５を介して電気的に配線される。
【００１９】次いで、図２（ａ）に示すポッティング工
程として、ウインドフレーム４の枠内へ樹脂６をポッテ
ィング（ディスペンス塗布）し半導体素子１０およびボ
ンディングワイヤー５を封止する処理を行う。ポッティ
ングする樹脂６としては、基台１との熱膨張係数差が小
さくかつ温度ストレスを吸収するような柔軟性を備えた
もの、例えばセラミックスから成る基台１の場合にはシ
リコーン系のものを、またガラスエポキシ材やＢＴレジ
ン材、ガラス材、アルミニウム材から成る基台１の場合
にはエポキシ系やアクリル系、ウレタン系のものを使用
する。なお、ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリニアセン
サーなどの光学的な特性を必要とする半導体素子１０の
場合には、透光性の樹脂６にてポッティングを行うよう
にする。
【００２０】また、シリコーン系、エポキシ系、アクリ
ル系、ウレタン系いずれの樹脂６であっても熱硬化型と
紫外線照射硬化型、またはこれらの両方による硬化型を
使用し、リードフレーム３の不要な酸化を防止する。し
かも、ポッティングする樹脂６としてチクソトロピック
性を備えたものを使用してもよく、これにより樹脂６の
表面を平坦化することができ、光学的な特性を向上させ
ることができるようになる。
【００２１】樹脂６にて半導体素子１０およびボンディ
ングワイヤー５を封止した段階で半導体装置の完成とし
ても良いが、樹脂６の表面保護のため、図２（ｂ）に示
すコーティング工程を行うようにしても良い。すなわ
ち、このコーティング工程では樹脂６の表面に導電性透
明薄膜材６１を被着する処理を行う。導電性透明薄膜材
６１としては、例えばアクリル系またはポリエステル系
の導電性透明樹脂薄膜を用いたり、酸化錫系またはＩＴ
Ｏの導電性透明酸化物薄膜を用いたりする。
【００２２】導電性透明樹脂薄膜の場合にはロールコー
ト方式やスプレー方式、ディップ方式によって被着し、
導電性透明酸化物薄膜の場合にはスパッタリングによっ
て被着する。これら導電性透明薄膜材６１はシート抵抗
値１０7 〜１０12Ω／□であり、静電気帯電を防止でき
るようになっている。これによって静電気によるごみの
付着を防止でき、しかも樹脂６より硬度が高いため傷付
きを防止できる効果もある。
【００２３】図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ａ）〜
（ｂ）に示す各工程により、基台１の平坦性向上すなわ
ち半導体素子１０の実装精度向上を図るとともに、リー
ドフレーム３の酸化を防止できる半導体装置を簡単な作
業によって製造することができる。なお、第１実施例に
おいては枠材としてセラミックス、ガラスエポキシ材、
アルミニウム材等の基台１と同じ材質から成るウインド
フレーム４を用いる例を示したが、代わりに樹脂ダム材
を用いて製造しても同様である。
【００２４】次に、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける第２実施例を説明する。図３は本発明の第２実施例
を順に説明する断面図（その１）、図４は本発明の第２
実施例を順に説明する断面図（その２）である。先ず、
図３（ａ）に示すメラタイズ工程として、基台１の実装
面１ａにおける実装部分にメタライズ部１１を形成す
る。メタライズ部１１は、基台１がガラスエポキシ材ま
たはＢＴレジン材から成る場合は銅膜（これにニッケル
ー金めっきを施してもよい）、基台１がセラミックスか
ら成る場合はタングステン（これにニッケルー金めっき
を施してもよい）から成り、後の工程で半導体素子１０
（図４（ａ）参照）を実装する際の位置決めマークの役
割を果たしたり、半導体素子１０の接地電位として使用
される。
【００２５】また、基台１としては平板状で絶縁性を備
えるものを使用する。例えば、セラミックスやガラスエ
ポキシ材、ＢＴレジン材等を使用することができる。し
かも、第１実施例と同様に平板状に加工したものを使用
するため構造が単純となり、その加工精度を非常に高め
ることができる。特に、半導体素子１０（図４（ａ）参
照）を実装する実装面１ａの加工精度を向上できるた
め、正確な実装を行うことができるようになる。
【００２６】次に、図３（ｂ）に示す接着剤塗布工程と
して、スクリーン印刷法等によってメタライズ部１１を
除く実装面１ａ全体に接着剤２を塗布する処理を行う。
この接着剤２としては、例えばエポキシ系やアクリル系
の熱硬化型を用いたり、エポキシ系やアクリル系の紫外
線照射硬化型を用いたり、またはこれらの両方による硬
化型を使用する。また、メタライズ部１１を除く成形加
工したアクリル系やポリエステル系のテープ状シーリン
グ材を貼り付けるようにしても良い。この基台１上に形
成したメタライズ部１１および接着剤２によって分離接
着層が構成され、後の工程でこの上にポッティングする
樹脂６（図４（ｂ）参照）と基台１との仕切りを行うこ
とになる。
【００２７】次に、図３（ｃ）に示すリードフレーム接
着工程として、基台１上の接着剤２を介してニッケル−
金めっきを施した銅材または４２アロイ材から成るリー
ドフレーム３を接着する処理を行う。すなわち、リード
フレーム３のインナーリード部分を接着剤２上に載置
し、その上から固定治具４１によって押圧して接着を行
う。
【００２８】接着剤２が熱硬化型から成る場合には例え
ば１５０℃１時間程度の加熱によって接着剤２を硬化さ
せる。また、接着剤２が紫外線照射硬化型から成る場合
には例えば２０００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線照
射によって硬化させる。また、紫外線照射硬化型および
加熱硬化型の両方から成る接着剤２の場合には、２００
０〜３０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線照射と１２０〜１３
０℃１時間の加熱によって硬化させる。なお、紫外線照
射硬化型接着剤または紫外線照射硬化型および加熱硬化
型の両方から成る接着剤２を用いる場合、透光性を備え
た例えばガラス製の固定治具４１にて押圧して、所定の
紫外線照射で硬化させる。これにより、リードフレーム
３を酸化させることなく接着を行うことができる。
【００２９】次に図４（ａ）に示す実装工程として、基
台１のメタライズ部１１に半導体素子１０を実装する処
理およびボンディングワイヤー５による配線処理を行
う。基台１は平板状であり実装面１ａの平坦性が高いと
ともに、このメタライズ部１１を位置決めマークとして
使用することにより半導体素子１０を正確な位置へ確実
に実装することができるようになる。また、実装には銀
ペーストなどの導電性ペースト剤を使用する。つまり、
メタライズ部１１を接地電位として半導体素子１０との
コンタクトをとるようにすれば、半導体素子１０の電気
的特性を向上させることが可能となる。
【００３０】次いで、図４（ｂ）に示すポッティング工
程として、リードフレーム３上に枠材としての樹脂ダム
部７を形成し、その枠内へ樹脂６をポッティングする処
理を行う。樹脂ダム部７はエポキシ系またはシリコーン
系から成り、少なくともボンディングワイヤー５のイン
ナーリードとの接合位置より外側を囲むようになってい
る。この樹脂ダム部７の枠内へ、エポキシ系、アクリル
系、ウレタン系やシリコーン系の樹脂６をポッティング
し、例えばエポキシ系の場合には１２０℃３時間、アク
リル系、ウレタン系の場合には１５０℃３時間、シリコ
ーン系の場合には１５０℃３時間程度の加熱によって硬
化させる。これによって、枠内で半導体素子１０および
ボンディングワイヤー５を樹脂６にて封止する。なお、
ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリニアセンサーなど光学
的な特性を有する半導体素子１０の場合には、透光性を
備えた樹脂６を用いてポッティングを行うようにする。
【００３１】この際、ポッティングする樹脂６と基台１
とは、先に説明したメタライズ部１１と接着剤２とによ
り構成される分離接着層にて仕切られることになる。つ
まり、基台１の熱膨張係数と樹脂６の熱膨張係数との間
に大きな差があっても、この分離接着層が緩衝材の役目
を果たし内部での歪みによる応力を吸収するようにな
る。したがって、第２実施例における半導体装置の製造
方法では、基台１と樹脂６との熱膨張係数差が大きい材
料であっても内部応力による樹脂クラックやボンディン
グワイヤー５の切れの発生を抑制できるため、種々の材
料の組合せを選択できるようになる。
【００３２】例えば、基台１としてセラミックスを用い
る場合においても、樹脂６としてエポキシ系、アクリル
系、ウレタン系のものを使用することができる。この
際、接着剤２の熱膨張係数として基台１の熱膨張係数と
樹脂６の熱膨張係数との間の値となるものを使用すれば
歪みによる内部応力を的確に緩和することができる。
【００３３】ところで、先に説明したように光学的な特
性を有する半導体素子１０を封止するための樹脂６とし
ては光学的特性を満足するような透光性を備える必要が
り、あまり添加剤を混入させることができない。このた
め、添加剤によって熱膨張係数を選択するのが非常に困
難となる。一方、接着剤２は透光性が不要であるため種
々の添加剤を混入できるため、所定の熱膨張係数を選択
することができる。このような理由から、接着剤２にお
いては種々の添加材を混入してその熱膨張係数を基台１
の熱膨張係数と樹脂６の熱膨張係数との間の値に設定
し、樹脂６においては不要な添加剤を混入することなく
光学的な特性を追求することができるようになる。
【００３４】一例として、セラミックス（熱膨張係数５
〜７×１０-6／℃）から成る基台１と、エポキシ系（熱
膨張係数６０〜８０×１０-6／℃）から成る樹脂６を使
用する場合には、添加剤を混入したエポキシ系（熱膨張
係数１０〜３０×１０-6／℃）から成る接着剤２および
樹脂ダム部７を使用することにより基台１と樹脂６との
熱膨張係数差を吸収することができる。なお、接着剤２
および樹脂ダム部７としては外乱光の影響を少なくする
ため黒色から成るものを使用するのが望ましい。また、
樹脂６としてチクソトロピック性を備えたものを使用す
ることで、その表面を平坦化でき、さらに光学的特性を
向上させることもできる。
【００３５】この樹脂６によるポッティングを行った状
態で半導体装置の完成としても良いが、第１実施例と同
様に、樹脂６の表面保護の観点から図４（ｃ）に示すコ
ーティング工程を行うようにしても良い。すなわち、こ
のコーティング工程では樹脂６の表面に例えばアクリル
系またはポリエステル系の導電性透明樹脂薄膜や、酸化
錫系またはＩＴＯの導電性透明酸化物薄膜から成る導電
性透明薄膜材６１を被着する。これによって、静電気に
よるごみの付着を防止、さらには樹脂６の傷付き防止を
図ることが可能となる。
【００３６】次に、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける第３実施例を説明する。図５は本発明の第３実施例
を順に説明する断面図である。第３実施例では、第２実
施例と同様に基台１と樹脂６との間に分離接着層を形成
し、これらの間の熱膨張係数差を吸収するようにしたも
のである。また、基台１としても第２実施例と同様に、
平板状で絶縁性を備えた例えばセラミックスやガラスエ
ポキシ材、ＢＴレジン材、さらには表面にアルマイト処
理を施したアルミニウムまたはガラス等から成るものを
使用する。
【００３７】先ず、図５（ａ）に示すシーリング材の貼
り付け工程として、基台１の実装面１ａ全体にアクリル
系やポリエステル系の熱硬化型から成るシーリング材２
１を貼り付ける処理を行う。シーリング材２１は、熱硬
化型接着剤から成る接着層２２と保護テープ２３とから
構成されている。
【００３８】次いで、図５（ｂ）に示すリードフレーム
接着工程として、基台１に貼り付けられた接着層２２を
介してニッケル−金めっきが施された銅材や４２アロイ
材から成るリードフレーム３を接着する処理を行う。リ
ードフレーム３の接着を行うには、図５（ａ）に示すシ
ーリング材２１の保護テープ２３をはがして接着層２２
を露出させ、その上にリードフレーム３を載置した状態
で固定治具４１にて押圧する。
【００３９】この際、例えば１５０℃３０分程度の加熱
を行い熱圧着させる。この熱圧着を行う場合、半導体素
子１０（図５（ｃ）参照）の実装部分に当接する固定治
具４１の凸部を高精度（例えば、１０〜２０μｍ／４０
ｍｍ）に平坦化しておくとともに、少なくとも凸部にフ
ッ素系樹脂４２の皮膜を形成しておく。
【００４０】これによって、固定治具４１にてリードフ
レーム３を押圧する際、同時に半導体素子１０（図５
（ｃ）参照）の実装部分における接着層２２の凹凸（反
り等を含む）を精度良く矯正でき、半導体素子１０（図
５（ｃ）参照）の実装を正確に行うことができるように
なる。しかもフッ素系樹脂４２の離型性によりリードフ
レーム３を熱圧着した後、固定治具４１を容易に引き離
すことができるようになる。なお、リードフレーム３を
接着した後は、そのアウターリード部分を所定の長さに
切断しておくとともに、所定形状に折り曲げておく。な
お、予め所定の長さに切断し、所定計上に折り曲げたリ
ードフレーム３を接着してもよい。
【００４１】次に、図５（ｃ）に示す実装とポッティン
グ工程として、半導体素子１０の実装と樹脂６のポッテ
ィングとを行う。すなわち、先ず、基台１上の接着層２
２が露出する実装部分に半導体素子１０を実装するとと
もに、半導体素子１０とリードフレーム３のインナーリ
ード部分とをボンディングワイヤー５にて配線し、その
後リードフレーム３上に枠材となる樹脂ダム部７を形成
し、その枠内に樹脂６をポッティングする。
【００４２】このポッティングされる樹脂６は、基台１
の実装面１ａ全体に設けられた接着層２２すなわち分離
接着層にて基台１と仕切られて接触することがなくな
る。このため、基台１の熱膨張係数と樹脂６の熱膨張係
数との差が大きい場合であってもこの接着層２２にてそ
の差を吸収することが可能となる。つまり、基台１と樹
脂６との熱膨張係数差によって生じる内部応力を接着層
２２にて吸収し、樹脂クラックやボンディングワイヤー
５の切れ発生を抑制することができる。
【００４３】この際、接着層２２の熱膨張係数を、基台
１の熱膨張係数と樹脂６の熱膨張係数との間の値に設定
することで、より内部応力の吸収を的確に行うことが可
能となる。なお、ポッティングする樹脂６としてチクソ
トロピック性を備えたものを使用することでその表面を
平坦化でき、光学的特性を向上させることもできる。
【００４４】図５（ａ）〜（ｃ）に示す各工程によっ
て、基台１と樹脂６との熱膨張係数差を特に考慮するこ
となく種々の材料を選択できる半導体装置を製造するこ
とができる。つまり、光学的な特性およびコストダウン
を考慮した樹脂封止型の半導体装置を製造することが可
能となる。
【００４５】なお、ポッティングした樹脂６の表面に図
４（ｃ）に示すような導電性透明薄膜材６１を被着し
て、静電気によるごみの付着や傷付きを防止するように
してもよい。また、第２実施例および第３実施例におい
ては、いずれもリードフレーム３上に樹脂ダム部７から
成る枠材を形成する例を示したが、樹脂ダム部７の代わ
りに第１実施例で示したような基台１と同じ材質から成
るウインドフレーム４（図１参照）を用いるようにして
も同様である。
【００４６】また、いずれの実施例においても基台１と
してガラスを用いる場合には、基台１上に塗布する接着
剤２や半導体素子１０のダイボンド剤として紫外線照射
硬化型または紫外線照射硬化型および加熱硬化型の両方
から成る接着剤を使用するようにし、基台１の下方から
基台１を介して紫外線を照射してまたは加熱を追加して
接着剤２およびダイボンド剤を硬化させるようにすれば
よい。
【００４７】また、いずれの実施例においても単個取り
した基台１を用いて半導体装置を製造する場合を例とし
て説明したが、多数個取りから成る基台１を用いて製造
しても同様である。多数個取りを行う場合には、例えば
セラミックスから成る平板材料の場合には基台１の大き
さに沿ってＶ溝等を設けてこれを折り曲げ切断し、ガラ
スエポキシ材やガラスから成る平板材料の場合にはそれ
を基台１の大きさでダイシングし、またアルマイト処理
を施したアルミニウムから成る平板材料の場合には基台
１の大きさでプレスカットして製造する。このように、
基台１を多数個取りにて製造すれば半導体装置の生産性
をより向上させることが可能となる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、基台として加工精度が高く加工しやすい平板状のも
のを使用することにより実装面の加工精度が向上し、半
導体素子の実装精度を高めることが可能となる。これ
は、特にＣＣＤリニアセンサーなど長尺状の半導体素子
を実装する場合に有効である。
【００４９】また、基台へリードフレームを接着する際
に、熱硬化型接着剤や紫外線照射硬化型接着剤、紫外線
照射硬化型と加熱硬化型の両方から成る接着剤を使用す
るためリードフレームが酸化してしまう程の加熱が不要
となる。これによって、リードフレームの酸化を防止で
き、これにともなう処置を行う必要がなくなって製造工
程を非常に簡素化することができる。
【００５０】しかも、基台と封止のための樹脂との間を
分離接着層にて仕切ることができ、基台と樹脂との熱膨
張係数差を特に考慮する必要がなくなって光学的な特性
やコストのみを考慮した材料選択を行うことができるよ
うになる。これらのことから光学的特性に優れた半導体
装置を低コストで製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を順に説明する断面図（そ
の１）で、（ａ）は接着剤塗布工程、（ｂ）はリードフ
レーム接着工程、（ｃ）は実装工程である。
【図２】本発明の第１実施例を順に説明する断面図（そ
の２）で、（ａ）はポッティング工程、（ｂ）はコーテ
ィング工程である。
【図３】本発明の第２実施例を順に説明する断面図（そ
の１）で、（ａ）はメタライズ工程、（ｂ）は接着剤塗
布工程、（ｃ）はリードフレーム接着工程である。
【図４】本発明の第２実施例を順に説明する断面図（そ
の２）で、（ａ）は実装工程、（ｂ）はポッティング工
程、（ｃ）はコーティング工程である。
【図５】本発明の第３実施例を順に説明する断面図で、
（ａ）はシーリング材の貼り付け工程、（ｂ）はリード
フレーム接着工程、（ｃ）は実装とポッティング工程で
ある。
【符号の説明】
１ 基台 １ａ 実装面 ２ 接着剤 ３ リードフレーム ４ ウインドフレーム ５ ボンディングワイヤー ６ 樹脂 ７ 樹脂ダム部 １０ 半導体素子 １１ メタライズ部 ２１ シーリング材 ６１ 導電性透明薄膜材

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平板状で絶縁性を備える基台に半導体素
    子を実装し、該半導体素子を樹脂にて封止する半導体装
    置の製造方法であって、 先ず、前記基台における前記半導体素子の実装領域周辺
    に熱硬化型接着剤または紫外線照射硬化型接着剤を含む
    接着剤を塗布した後、該接着剤を介して該基台上にリー
    ドフレームを接着し、 次に、前記リードフレーム上への枠材の取り付け、前記
    実装領域への前記半導体素子の実装および該半導体素子
    と該リードフレームとのボンディングワイヤーによる配
    線を行い、 その後、前記枠材の枠内へ前記樹脂を注入して前記半導
    体素子と前記ボンディングワイヤーとを封止することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記樹脂はチクソトロピック性を備えて
    いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
    方法。
  3. 【請求項３】 前記枠材の枠内へ前記樹脂を注入した
    後、該樹脂の外表面へ導電性透明薄膜材を形成すること
    を特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置
    の製造方法。
  4. 【請求項４】 平板状で絶縁性を備える基台に半導体素
    子を実装し、該半導体素子を樹脂にて封止する半導体装
    置の製造方法であって、 先ず、前記基台における前記半導体素子の実装面全体に
    分離接着層を設けた後、該分離接着層を介して前記基台
    上にリードフレームを接着し、 次に、前記リードフレーム上への枠材の取り付け、前記
    実装面への前記半導体素子の実装および該半導体素子と
    該リードフレームとのボンディングワイヤーによる配線
    を行い、 その後、前記枠材の枠内へ前記樹脂を注入して前記半導
    体素子と前記ボンディングワイヤーとを封止することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記分離接着層は、前記基台における前
    記半導体素子の実装領域に形成されるメタライズ部と、 前記メタライズ部を除く前記半導体素子の実装面全体に
    塗布される熱硬化型接着剤または紫外線照射硬化型接着
    剤を含む接着剤とから構成されていることを特徴とする
    請求項４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記接着剤の熱膨張係数は、前記基台の
    熱膨張係数と前記樹脂の熱膨張係数との間の値となって
    いることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造
    方法。
  7. 【請求項７】 前記分離接着層は、前記基台における前
    記半導体素子の実装面全体に貼り付けられるテープ状シ
    ーリング材から成ることを特徴とする請求項４記載の半
    導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記テープ状シーリング材の熱膨張係数
    は、前記基台の熱膨張係数と前記樹脂の熱膨張係数との
    間の値となっていることを特徴とする請求項７記載の半
    導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記樹脂はチクソトロピック性を備えて
    いることを特徴とする請求項４から請求項８のうちいず
    れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記枠材の枠内へ前記樹脂を注入した
    後、該樹脂の外表面へ導電性透明薄膜材を形成すること
    を特徴とする請求項４から請求項９のうちいずれか１項
    に記載の半導体装置の製造方法。
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