JP2923043B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に、樹脂ク
ラックの防止に好適な樹脂封止型半導体装置に関する。
ラックの防止に好適な樹脂封止型半導体装置に関する。
従来より樹脂封止型半導体装置では、半導体素子を素
子搭載部であるタブの上に固定すると共にタブの周囲に
複数のリードを配設し、半導体素子上の端子とリードを
金属細線によって電気的に接続して、その周囲を樹脂で
封止する構造が採用されている。
子搭載部であるタブの上に固定すると共にタブの周囲に
複数のリードを配設し、半導体素子上の端子とリードを
金属細線によって電気的に接続して、その周囲を樹脂で
封止する構造が採用されている。
ところが近年は半導体素子の高集積化によって素子寸
法が大型化する傾向にあり、その反面、半導体装置の外
形は高密度実装上の要求から自由に拡大できないか或い
は逆に小型化される傾向がある。しかし、従来のように
タブ上に半導体素子を搭載する構造では外形寸法一定の
ままで半導体素子の寸法を大型化していくと、リードを
樹脂に固定する部分の長さ（インナーリード部の樹脂埋
め込み部の距離）が不足し、リードに充分な固定強度を
与えられないという問題が生じた。
法が大型化する傾向にあり、その反面、半導体装置の外
形は高密度実装上の要求から自由に拡大できないか或い
は逆に小型化される傾向がある。しかし、従来のように
タブ上に半導体素子を搭載する構造では外形寸法一定の
ままで半導体素子の寸法を大型化していくと、リードを
樹脂に固定する部分の長さ（インナーリード部の樹脂埋
め込み部の距離）が不足し、リードに充分な固定強度を
与えられないという問題が生じた。
そこで、このような問題を回避するため、複数のイン
ナーリードを半導体素子の回路形成面上に絶縁部材を介
在させて接着し、インナーリードと半導体素子とを金属
細線で電気的に接続して、これらの周囲を樹脂で封止す
る方法が、特開昭61−241959号公報により提案されてい
る。この構造をリード・オン・チップと呼ぶ。
ナーリードを半導体素子の回路形成面上に絶縁部材を介
在させて接着し、インナーリードと半導体素子とを金属
細線で電気的に接続して、これらの周囲を樹脂で封止す
る方法が、特開昭61−241959号公報により提案されてい
る。この構造をリード・オン・チップと呼ぶ。
本発明が対象としている従来のリード・オン・チップ
構造の樹脂封止型半導体装置の部分断面斜視図を第６図
に、また、第６図のVII−VII線で切った断面図を第７図
に示す。
構造の樹脂封止型半導体装置の部分断面斜視図を第６図
に、また、第６図のVII−VII線で切った断面図を第７図
に示す。
半導体素子１の回路形成面1aには、共通信号用インナ
ーリード（バスバーインナーリードとも呼ばれている）
３及び信号用インナーリード４が半導体素子１と電気的
に絶縁する絶縁部材２を介して接着剤９によって接着さ
れている。共通信号用インナーリード３は半導体素子１
の回路形成面1a上の規定された領域内で互いに略平行に
対向配置され、その外方に夫々複数の信号用インナーリ
ード４が配置されている。共通信号用インナーリード３
の一方は電源電圧、他方は基準電圧を半導体素子１に供
給することができるように構成されている。また、半導
体素子１の長方形状の短辺には半導体素子支持用リード
６が設けられている。共通信号用インナーリード３及び
信号用インナーリード４は、半導体素子１と夫々金属細
線７で電気的に接続されている。そして、これらは樹脂
８で封止されている。
ーリード（バスバーインナーリードとも呼ばれている）
３及び信号用インナーリード４が半導体素子１と電気的
に絶縁する絶縁部材２を介して接着剤９によって接着さ
れている。共通信号用インナーリード３は半導体素子１
の回路形成面1a上の規定された領域内で互いに略平行に
対向配置され、その外方に夫々複数の信号用インナーリ
ード４が配置されている。共通信号用インナーリード３
の一方は電源電圧、他方は基準電圧を半導体素子１に供
給することができるように構成されている。また、半導
体素子１の長方形状の短辺には半導体素子支持用リード
６が設けられている。共通信号用インナーリード３及び
信号用インナーリード４は、半導体素子１と夫々金属細
線７で電気的に接続されている。そして、これらは樹脂
８で封止されている。
共通信号用インナーリード３及び信号用インナーリー
ド４の金属細線接合部には、インナーリードと金属細線
の接合を良好にするために金（Au）あるいは銀（Ag）な
どの貴金属被膜が設けられている。信号用インナーリー
ド４は貴金属被膜12を設ける領域を信号用インナーリー
ド４先端の金属細線接合部のみに限っている。しかし、
共通信号用インナーリード３は、金属細線接合本数が多
く、広い範囲にわたっているため絶縁部材２上部に存在
する共通信号用インナーリード３の全面に貴金属被膜12
が施されている。なお、第６図の斜線部は、貴金属被膜
12が設けられている領域を示す。
ド４の金属細線接合部には、インナーリードと金属細線
の接合を良好にするために金（Au）あるいは銀（Ag）な
どの貴金属被膜が設けられている。信号用インナーリー
ド４は貴金属被膜12を設ける領域を信号用インナーリー
ド４先端の金属細線接合部のみに限っている。しかし、
共通信号用インナーリード３は、金属細線接合本数が多
く、広い範囲にわたっているため絶縁部材２上部に存在
する共通信号用インナーリード３の全面に貴金属被膜12
が施されている。なお、第６図の斜線部は、貴金属被膜
12が設けられている領域を示す。
ところが、貴金属被膜と封止樹脂の接着性が悪いた
め、貴金属被膜が設けられているインナーリードと封止
樹脂との界面ははく離が起こりやすくなっている。
め、貴金属被膜が設けられているインナーリードと封止
樹脂との界面ははく離が起こりやすくなっている。
リード・オン・チップ型の半導体装置においては、こ
れを構成する半導体素子、インナーリード、絶縁部材及
び封止樹脂の線膨張係数が通常互いに異なっているめ、
装置の温度変化によって装置内に熱応力が発生する。特
に、共通信号用インナーリード及び絶縁部材夫々の封止
樹脂との界面がはく離することによって共通信号用イン
ナーリードの上端部に高い応力が発生し、この部分より
樹脂クラックが発生する。
れを構成する半導体素子、インナーリード、絶縁部材及
び封止樹脂の線膨張係数が通常互いに異なっているめ、
装置の温度変化によって装置内に熱応力が発生する。特
に、共通信号用インナーリード及び絶縁部材夫々の封止
樹脂との界面がはく離することによって共通信号用イン
ナーリードの上端部に高い応力が発生し、この部分より
樹脂クラックが発生する。
樹脂クラックの発生メカニズムを模式的に第８図の断
面図に示す。共通信号用インナーリード（線膨張係数約
５×10-6/℃）と封止樹脂（線膨張係数約20×10-6/℃）
との線膨張係数差が大きいため、半導体装置樹脂封止後
の冷却や温度サイクル試験時の温度低下によって、接着
性の悪い共通信号用インナーリード３と封止樹脂８の界
面が容易にはく離10する。ちなみに半導体素子１の厚さ
は例えば0.4mm程度であり、絶縁部材２の厚さは0.15〜
0.2mm程度であり、各インナーリードの厚さはおよそ0.2
mm程度である。このはく離10が発生すると、樹脂は第８
図に矢印で示すように中心方向に収縮する。このため、
共通信号用インナーリード側面3aとほぼ同じ位置に存在
する絶縁部材側面2aの樹脂との界面にもはく離10が発生
する。はく離部分10が長くなったことによって共通信号
用インナーリード上部での樹脂の変形量が増大するた
め、共通信号用インナーリード３の上端部に大きな応力
が発生し、この部分に樹脂クラック11が発生する。共通
信号用インナーリード３の上端部より樹脂クラック11が
発生すると、半導体装置の外観を損ねるだけでなく、共
通信号用インナーリード３又は信号用インナーリード４
と半導体素子１とを電気的に接続する金属細線７をも断
線させるという問題が起こる。
面図に示す。共通信号用インナーリード（線膨張係数約
５×10-6/℃）と封止樹脂（線膨張係数約20×10-6/℃）
との線膨張係数差が大きいため、半導体装置樹脂封止後
の冷却や温度サイクル試験時の温度低下によって、接着
性の悪い共通信号用インナーリード３と封止樹脂８の界
面が容易にはく離10する。ちなみに半導体素子１の厚さ
は例えば0.4mm程度であり、絶縁部材２の厚さは0.15〜
0.2mm程度であり、各インナーリードの厚さはおよそ0.2
mm程度である。このはく離10が発生すると、樹脂は第８
図に矢印で示すように中心方向に収縮する。このため、
共通信号用インナーリード側面3aとほぼ同じ位置に存在
する絶縁部材側面2aの樹脂との界面にもはく離10が発生
する。はく離部分10が長くなったことによって共通信号
用インナーリード上部での樹脂の変形量が増大するた
め、共通信号用インナーリード３の上端部に大きな応力
が発生し、この部分に樹脂クラック11が発生する。共通
信号用インナーリード３の上端部より樹脂クラック11が
発生すると、半導体装置の外観を損ねるだけでなく、共
通信号用インナーリード３又は信号用インナーリード４
と半導体素子１とを電気的に接続する金属細線７をも断
線させるという問題が起こる。
本発明の目的は共通信号用インナーリード上端部から
の樹脂クラックの発生を防止して、限られた外形寸法の
もとで可能な限り大型の半導体素子を搭載し得る樹脂封
止型半導体装置を提供することにある。
の樹脂クラックの発生を防止して、限られた外形寸法の
もとで可能な限り大型の半導体素子を搭載し得る樹脂封
止型半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は半導体素子の回路
形成面上に共通信号用インナーリード及び複数の信号用
インナーリードが、半導体素子と電気的に絶縁する絶縁
部材を介在して接着剤で接着され、共通信号用インナー
リード、及び、信号用インナーリードと半導体素子とを
夫々金属細線で電気的に接続し、これらの周囲を封止樹
脂で封止して封止体を形成した樹脂封止型半導体装置に
おいて、共通信号用インナーリードの直下領域に、少な
くとも部分的に半導体素子の回路形成面と共通信号用イ
ンナーリードの両方に接するように封止樹脂を介在させ
る。
形成面上に共通信号用インナーリード及び複数の信号用
インナーリードが、半導体素子と電気的に絶縁する絶縁
部材を介在して接着剤で接着され、共通信号用インナー
リード、及び、信号用インナーリードと半導体素子とを
夫々金属細線で電気的に接続し、これらの周囲を封止樹
脂で封止して封止体を形成した樹脂封止型半導体装置に
おいて、共通信号用インナーリードの直下領域に、少な
くとも部分的に半導体素子の回路形成面と共通信号用イ
ンナーリードの両方に接するように封止樹脂を介在させ
る。
共通信号用インナーリード直下部に封止樹脂を介在さ
せることによって、共通信号用インナーリード側面に発
生した界面はく離が絶縁部材の側面に成長する際に、界
面はく離の成長を樹脂によって妨げることができる。そ
れによって、半導体装置の冷却時に樹脂が中心方向に収
縮しようとするのを妨げることができるので、共通信号
用インナーリード上部での樹脂の変形量が増大すること
がなく、共通信号用インナーリードの上端部に大きな応
力が発生しなくなる。従って、この部分からの樹脂クラ
ックの発生を部止することができ、大型の半導体素子を
搭載しても高信頼性の樹脂封止型半導体装置が得られ
る。
せることによって、共通信号用インナーリード側面に発
生した界面はく離が絶縁部材の側面に成長する際に、界
面はく離の成長を樹脂によって妨げることができる。そ
れによって、半導体装置の冷却時に樹脂が中心方向に収
縮しようとするのを妨げることができるので、共通信号
用インナーリード上部での樹脂の変形量が増大すること
がなく、共通信号用インナーリードの上端部に大きな応
力が発生しなくなる。従って、この部分からの樹脂クラ
ックの発生を部止することができ、大型の半導体素子を
搭載しても高信頼性の樹脂封止型半導体装置が得られ
る。
以下、本発明の一実施例を第１図，第２図及び第３図
によって説明する。第１図は本発明の一実施例である樹
脂封止型半導体装置の半導体素子の回路形成面から上側
の樹脂を取り除いた形での平面図、第２図は第１図のII
−II線で切った断面図、第３図は第１図のIII−III線で
切った断面図である。
によって説明する。第１図は本発明の一実施例である樹
脂封止型半導体装置の半導体素子の回路形成面から上側
の樹脂を取り除いた形での平面図、第２図は第１図のII
−II線で切った断面図、第３図は第１図のIII−III線で
切った断面図である。
図において、共通信号用インナーリード３及び信号用
インナーリード４はその一端側をアウターリード5,5′
と一体に構成しており、アウターリード5,5′は、樹脂
封止型半導体装置の二方向（長手面）に配設されてい
る。
インナーリード４はその一端側をアウターリード5,5′
と一体に構成しており、アウターリード5,5′は、樹脂
封止型半導体装置の二方向（長手面）に配設されてい
る。
共通信号用インナーリード３は、半導体素子１の中央
部分をその長辺と平行に引き伸ばされており、半導体素
子１の回路形成面1a上で半導体素子１と金属細線７によ
って電気接続が行われている。回路形成面1aは大部分が
PIQなどのパッシベーション膜で覆われているが、この
電気接続部分の領域についてはパッシペーション膜がな
く回路形成面が露出している。また、信号用インナーリ
ード４は、長辺形状の半導体素子１の夫々の長辺を横切
って半導体素子１の中央側に引き伸ばされており、半導
体素子１の回路形成面1a上で半導体素子１とその先端部
とが金属細線７によって電気接続されている。こうして
二本の共通信号用インナーリード３の主要部同士は互い
に向かい合うことになる。
部分をその長辺と平行に引き伸ばされており、半導体素
子１の回路形成面1a上で半導体素子１と金属細線７によ
って電気接続が行われている。回路形成面1aは大部分が
PIQなどのパッシベーション膜で覆われているが、この
電気接続部分の領域についてはパッシペーション膜がな
く回路形成面が露出している。また、信号用インナーリ
ード４は、長辺形状の半導体素子１の夫々の長辺を横切
って半導体素子１の中央側に引き伸ばされており、半導
体素子１の回路形成面1a上で半導体素子１とその先端部
とが金属細線７によって電気接続されている。こうして
二本の共通信号用インナーリード３の主要部同士は互い
に向かい合うことになる。
共通信号用インナーリード３の下面3b、及び信号用イ
ンナーリード４の下面4bと半導体素子１の回路形成面1a
の間には、共通信号用インナーリード３及び信号用イン
ナーリード４と半導体素子１とを電気的に絶縁するため
の絶縁部材２が設けられている。絶縁部材２は、信号用
インナーリード４の直下部と、信号用インナーリード４
の半導体素子中央側先端4aの延長部分の共通信号用イン
ナーリード３直下部、及び共通信号用インナーリード
３、主要部の端部3cに設けられている。共通信号用イン
ナーリード３の直下部の絶縁部材２が設けられていない
領域には樹脂８が介在している。
ンナーリード４の下面4bと半導体素子１の回路形成面1a
の間には、共通信号用インナーリード３及び信号用イン
ナーリード４と半導体素子１とを電気的に絶縁するため
の絶縁部材２が設けられている。絶縁部材２は、信号用
インナーリード４の直下部と、信号用インナーリード４
の半導体素子中央側先端4aの延長部分の共通信号用イン
ナーリード３直下部、及び共通信号用インナーリード
３、主要部の端部3cに設けられている。共通信号用イン
ナーリード３の直下部の絶縁部材２が設けられていない
領域には樹脂８が介在している。
絶縁部材２は、半導体素子１と接着剤９によって接着
されている。また、共通信号用インナーリード３及び信
号用インナーリード４と絶縁部材２とは、それぞれ、接
着剤９によって接着されている。
されている。また、共通信号用インナーリード３及び信
号用インナーリード４と絶縁部材２とは、それぞれ、接
着剤９によって接着されている。
共通信号用インナーリード３と金属細線７との接続
は、共通信号用インナーリード３直下部に絶縁部材２が
配置されている部分で行なっている。
は、共通信号用インナーリード３直下部に絶縁部材２が
配置されている部分で行なっている。
本実施例では、半導体素子１、絶縁部材２、共通信号
用インナーリード３、信号用インナーリード４及び金属
細線７を樹脂８で封止して半導体装置を形成する。
用インナーリード３、信号用インナーリード４及び金属
細線７を樹脂８で封止して半導体装置を形成する。
本実施例によれば、半導体素子１の回路形成面1a上の
共通信号用インナーリード３直下部に樹脂８を介在させ
ることによって、共通信号用インナーリード３側面3aに
発生した界面はく離が絶縁部材２の側面2aに成長する際
に、界面はく離の成長を樹脂によって妨げることができ
る。これによって、半導体装置樹脂封止後の冷却や温度
サイクル試験時の温度低下による共通信号用インナーリ
ード３上部での樹脂８の変形量が小さくなり、共通信号
用インナーリード３の上端部に大きな応力が発生するこ
とがないので、この部分からの樹脂クラックの発生を防
ぐことができる。
共通信号用インナーリード３直下部に樹脂８を介在させ
ることによって、共通信号用インナーリード３側面3aに
発生した界面はく離が絶縁部材２の側面2aに成長する際
に、界面はく離の成長を樹脂によって妨げることができ
る。これによって、半導体装置樹脂封止後の冷却や温度
サイクル試験時の温度低下による共通信号用インナーリ
ード３上部での樹脂８の変形量が小さくなり、共通信号
用インナーリード３の上端部に大きな応力が発生するこ
とがないので、この部分からの樹脂クラックの発生を防
ぐことができる。
絶縁部材２を半導体素子１、共通信号用インナーリー
ド３あるいは信号用インナーリード４に接着する面積
は、金属細線７による接続が安定かつ確実に行われ、金
属細線７による接続及び樹脂８による封止の工程で受け
る外力に耐える範囲で可能な限り小さくすることが望ま
しい。
ド３あるいは信号用インナーリード４に接着する面積
は、金属細線７による接続が安定かつ確実に行われ、金
属細線７による接続及び樹脂８による封止の工程で受け
る外力に耐える範囲で可能な限り小さくすることが望ま
しい。
次に、共通信号用インナーリード３、信号用インナー
リード４及び支持用インナーリード６を絶縁部材２を介
在させ、接着剤９を用いて半導体素子１の回路形成面1a
に接着する方法について説明する。半導体素子１の回路
形成面1aの共通信号用インナーリード３、信号用インナ
ーリード４及び支持用インナーリード６の夫々に対向す
る位置の上に、シート上の絶縁部材２を分割して接着剤
９により貼り付ける。次で共通信号用インナーリード
３、信号用インナーリード４及び支持用インナーリード
６と接着剤９により絶縁部材２を介して半導体素子１の
回路形成面1aに接着固定する。
リード４及び支持用インナーリード６を絶縁部材２を介
在させ、接着剤９を用いて半導体素子１の回路形成面1a
に接着する方法について説明する。半導体素子１の回路
形成面1aの共通信号用インナーリード３、信号用インナ
ーリード４及び支持用インナーリード６の夫々に対向す
る位置の上に、シート上の絶縁部材２を分割して接着剤
９により貼り付ける。次で共通信号用インナーリード
３、信号用インナーリード４及び支持用インナーリード
６と接着剤９により絶縁部材２を介して半導体素子１の
回路形成面1aに接着固定する。
絶縁部材２としては、エポキシ系樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン（Ｂイ）樹脂、ファノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂などから選択された１種又は複数の樹脂を主成分
とし、これに必要に応じて無機質フィラー、各種添加剤
などを加えた材料を使用する。また、接着剤９として
は、例えば、エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，シリ
コーン樹脂，芳香族ポリエーテルアミド，ポリエーテル
エーテルケトンなどの材料を使用する。
ドトリアジン（Ｂイ）樹脂、ファノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂などから選択された１種又は複数の樹脂を主成分
とし、これに必要に応じて無機質フィラー、各種添加剤
などを加えた材料を使用する。また、接着剤９として
は、例えば、エポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，シリ
コーン樹脂，芳香族ポリエーテルアミド，ポリエーテル
エーテルケトンなどの材料を使用する。
共通信号用インナーリード３、信号用インナーリード
４及び支持用インナーリード６は、樹脂８によって封止
されるまでは互いに接続されており、一連のリードフレ
ームを形成しているが、樹脂封止後に切断・分離されか
つ成型される。リードフレームは、例えば、Fe−Ni合金
（Fe−42Niなど）、Cuなどで形成されている。
４及び支持用インナーリード６は、樹脂８によって封止
されるまでは互いに接続されており、一連のリードフレ
ームを形成しているが、樹脂封止後に切断・分離されか
つ成型される。リードフレームは、例えば、Fe−Ni合金
（Fe−42Niなど）、Cuなどで形成されている。
金属細線７にはアルミニウム（Al）、金（Au）あるい
は銅（Cu）などの細線を使用する。
は銅（Cu）などの細線を使用する。
封止樹脂８には、フェノール系硬化剤、シリコーンゴ
ム及びフィラーが添加されたエポキシ系樹脂を使用し、
この他に難燃化剤，カップリング剤，着色剤などが若干
量添加されている。フィラーは酸化珪素粒で形成されて
いる。
ム及びフィラーが添加されたエポキシ系樹脂を使用し、
この他に難燃化剤，カップリング剤，着色剤などが若干
量添加されている。フィラーは酸化珪素粒で形成されて
いる。
アウターリード５が樹脂８の外部に引き出されている
方向は、第１図に示したような二方向、すなわち樹脂封
止型半導体装置の長辺側に限定するものではなく、一方
向あるいは三方向以上であっても良い。また、樹脂８の
側面からだけでなく、樹脂８の上面あるいは下面からア
ウターリード５が引き出されていても良い。さらに図で
は、アウターリード５を下方に折り曲げ、その先端を樹
脂８の下面まで曲げたＪベンド型を例にとって示してあ
るが、アウターリード５は任意の方向、形状に折り曲げ
でも良いし、また、折り曲げなくとも良い。
方向は、第１図に示したような二方向、すなわち樹脂封
止型半導体装置の長辺側に限定するものではなく、一方
向あるいは三方向以上であっても良い。また、樹脂８の
側面からだけでなく、樹脂８の上面あるいは下面からア
ウターリード５が引き出されていても良い。さらに図で
は、アウターリード５を下方に折り曲げ、その先端を樹
脂８の下面まで曲げたＪベンド型を例にとって示してあ
るが、アウターリード５は任意の方向、形状に折り曲げ
でも良いし、また、折り曲げなくとも良い。
第４図は、本発明の他の実施例を示す樹脂封止型半導
体装置の半導体素子の回路形成面から上側の樹脂を取り
除いた形での平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線で切っ
た断面図である。図において、共通信号用インナーリー
ド３の金属細線接続部3dの直下部を除く領域には絶縁部
材２が設けられておらず樹脂８が介在している。第１図
に示した実施例では、共通信号用インナーリード３の直
下部の他に、信号用インナーリード４どうしの間にも半
導体素子１の回路形成面1aに接するように樹脂８を介在
させた例を示したが、本実施例のように、共通信号用イ
ンナーリード３の直下部のみに樹脂８を介在させたもの
であっても良い。
体装置の半導体素子の回路形成面から上側の樹脂を取り
除いた形での平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ線で切っ
た断面図である。図において、共通信号用インナーリー
ド３の金属細線接続部3dの直下部を除く領域には絶縁部
材２が設けられておらず樹脂８が介在している。第１図
に示した実施例では、共通信号用インナーリード３の直
下部の他に、信号用インナーリード４どうしの間にも半
導体素子１の回路形成面1aに接するように樹脂８を介在
させた例を示したが、本実施例のように、共通信号用イ
ンナーリード３の直下部のみに樹脂８を介在させたもの
であっても良い。
本実施例によっても、共通信号用インナーリード３側
面3aに発生した界面はく離が絶縁部材２の側面2aに成長
する際に、界面はく離の成長を樹脂によって妨げること
ができる。これによって共通信号用インナーリード３上
部での樹脂８の変形量が小さくなり、共通信号用インナ
ーリード３の上端部に大きな応力が発生することがな
い。従って、この部分からの樹脂クラックを防止するこ
とができる。
面3aに発生した界面はく離が絶縁部材２の側面2aに成長
する際に、界面はく離の成長を樹脂によって妨げること
ができる。これによって共通信号用インナーリード３上
部での樹脂８の変形量が小さくなり、共通信号用インナ
ーリード３の上端部に大きな応力が発生することがな
い。従って、この部分からの樹脂クラックを防止するこ
とができる。
本発明によれば、半導体装置樹脂封止後の冷却や温度
サイクル試験時などの過酷な温度変動環境下における温
度低下によって、大きな応力が発生することがないの
で、樹脂クラックの発生を防止することができ、さらに
限られた外形寸法のもとで可能な限り大型の半導体素子
を搭載しうる樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
サイクル試験時などの過酷な温度変動環境下における温
度低下によって、大きな応力が発生することがないの
で、樹脂クラックの発生を防止することができ、さらに
限られた外形寸法のもとで可能な限り大型の半導体素子
を搭載しうる樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
第１図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す半導体素子から上側の樹脂を除いた平面図、第２図は
第１図に示した樹脂封止型半導体装置のII−II線断面
図、第３図は第１図に示した樹脂封止型半導体装置のII
I−III線断面図、第４図は本発明の樹脂封止型半導体装
置の他の実施例を示す半導体素子から上側の樹脂を除い
た平面図、第５図は第４図に示した樹脂封止型半導体装
置のＶ−Ｖ線断面図、第６図は従来のリード・オン・チ
ップ型の半導体装置の例を示す部分断面斜視図、第７図
は第６図のVII−VII線断面図、第８図は樹脂クラックの
発生メカニズムを説明するための部分断面図である。 １……半導体素子、1a……半導体素子の回路形成面、２
……絶縁部材、３……共通信号用インナーリード、４…
…信号用インナーリード、７……金属細線、８……樹
脂、９……接着剤、3a……共通信号用インナーリード側
面、3b……共通信号用インナーリード下面。
す半導体素子から上側の樹脂を除いた平面図、第２図は
第１図に示した樹脂封止型半導体装置のII−II線断面
図、第３図は第１図に示した樹脂封止型半導体装置のII
I−III線断面図、第４図は本発明の樹脂封止型半導体装
置の他の実施例を示す半導体素子から上側の樹脂を除い
た平面図、第５図は第４図に示した樹脂封止型半導体装
置のＶ−Ｖ線断面図、第６図は従来のリード・オン・チ
ップ型の半導体装置の例を示す部分断面斜視図、第７図
は第６図のVII−VII線断面図、第８図は樹脂クラックの
発生メカニズムを説明するための部分断面図である。 １……半導体素子、1a……半導体素子の回路形成面、２
……絶縁部材、３……共通信号用インナーリード、４…
…信号用インナーリード、７……金属細線、８……樹
脂、９……接着剤、3a……共通信号用インナーリード側
面、3b……共通信号用インナーリード下面。
フロントページの続き (72)発明者 河野 竜治 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 米田 奈柄 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 村上 元 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所半導体設計開発セン タ内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所半導体設計開発セン タ内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28,23/50
Claims (4)
- 【請求項１】半導体素子の回路形成面上に共通信号用イ
ンナーリード及び複数の信号用インナーリードが、前記
半導体素子と電気的に絶縁する絶縁部材を介在して接着
剤で接着され、前記共通信号用インナーリード及び前記
信号用インナーリードと前記半導体素子とを夫々金属細
線で電気的に接続し、これらの周囲を封止樹脂で封止し
て封止体を形成した樹脂封止型半導体装置において、 前記共通信号用インナーリード直下の領域については、
前記樹脂封止体内部の前記信号用インナーリード先端の
少なくとも延長上を除く部分に前記封止樹脂を介在させ
たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記共通信号用インナ
ーリード直下領域の封止樹脂が、前記半導体素子の回路
形成面と共通信号用インナーリード下面の両方に接して
いる樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記信号用イ
ンナーリードどうしにはさまれた領域に、前記半導体素
子の回路形成面と接するように前記封止樹脂を介在させ
た樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】半導体素子の回路形成面上に共通信号用イ
ンナーリード及び複数の信号用インナーリードが、前記
半導体素子と電気的に絶縁する絶縁部材を介在して接着
剤で接着され、前記共通信号用インナーリード及び前記
信号用インナーリードと前記半導体素子とを夫々金属細
線で電気的に接続し、これらの周囲を封止樹脂で封止し
て封止体を形成した樹脂封止型半導体装置において、 前記共通信号用インナーリード直下の領域については、
少なくとも部分的に前記半導体素子の回路形成面と前記
共通信号用インナーリード下面の両方に接するように前
記封止樹脂を介在させたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329342A JP2923043B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329342A JP2923043B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206561A JPH04206561A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2923043B2 true JP2923043B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=18220384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329342A Expired - Fee Related JP2923043B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2923043B2 (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329342A patent/JP2923043B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04206561A (ja) | 1992-07-28 |
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