JPH09107054A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH09107054A JPH09107054A JP7265449A JP26544995A JPH09107054A JP H09107054 A JPH09107054 A JP H09107054A JP 7265449 A JP7265449 A JP 7265449A JP 26544995 A JP26544995 A JP 26544995A JP H09107054 A JPH09107054 A JP H09107054A
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- pad portion
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂パッケージを用いた場合の熱放散を高め
るとともに耐湿性を向上させること。 【解決手段】 本発明は、略中央に半導体素子１０を搭
載する基台部２１とこの基台部２１の周辺に設けられる
枠部２２とから成る樹脂パッケージ２と、基台部２１と
枠部２２との間で挟持され半導体素子１０との電気的導
通を得るためのリード部３１および半導体素子１０を搭
載するための基準となるパッド部３２から成るリードフ
レーム３とを備えている半導体装置１であり、パッド部
３２と半導体素子１０との間に樹脂薄膜６を設け、さら
にパッド部３２から基台部２１の外周まで放熱孔７を設
けたものである。
るとともに耐湿性を向上させること。 【解決手段】 本発明は、略中央に半導体素子１０を搭
載する基台部２１とこの基台部２１の周辺に設けられる
枠部２２とから成る樹脂パッケージ２と、基台部２１と
枠部２２との間で挟持され半導体素子１０との電気的導
通を得るためのリード部３１および半導体素子１０を搭
載するための基準となるパッド部３２から成るリードフ
レーム３とを備えている半導体装置１であり、パッド部
３２と半導体素子１０との間に樹脂薄膜６を設け、さら
にパッド部３２から基台部２１の外周まで放熱孔７を設
けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームを
挟持する樹脂パッケージ内に半導体素子が収納される半
導体装置に関する。
挟持する樹脂パッケージ内に半導体素子が収納される半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリ
ニアセンサー等の光学的な半導体装置、ＬＳＩ等の集積
回路から成る半導体装置では、セラミックス材の中空パ
ッケージの中空部内にチップ状の素子をダイボンドし、
ボンディングワイヤーによる電気的配線を行ってシール
板で気密封止する構造が用いられている。
ニアセンサー等の光学的な半導体装置、ＬＳＩ等の集積
回路から成る半導体装置では、セラミックス材の中空パ
ッケージの中空部内にチップ状の素子をダイボンドし、
ボンディングワイヤーによる電気的配線を行ってシール
板で気密封止する構造が用いられている。
【０００３】また、近年ではコストダウンの観点からシ
ール板を取り付ける代わりに中空パッケージの中空部内
に透光性封止樹脂をポッティングしたり、セラミックス
材の代わりにモールド樹脂を用いて中空パッケージを構
成するものも考えられている。
ール板を取り付ける代わりに中空パッケージの中空部内
に透光性封止樹脂をポッティングしたり、セラミックス
材の代わりにモールド樹脂を用いて中空パッケージを構
成するものも考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置においては、熱放散が不十分であり内部
の半導体素子の温度が上昇してその特性を悪化させると
いう問題が生じる。ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリニ
アセンサーでは、温度上昇によって画質欠陥不良を引き
起こすこともある。特に、消費電力の大きな半導体装置
では、温度上昇による特性劣化が顕著に現れることにな
る。
うな半導体装置においては、熱放散が不十分であり内部
の半導体素子の温度が上昇してその特性を悪化させると
いう問題が生じる。ＣＣＤエリアセンサーやＣＣＤリニ
アセンサーでは、温度上昇によって画質欠陥不良を引き
起こすこともある。特に、消費電力の大きな半導体装置
では、温度上昇による特性劣化が顕著に現れることにな
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、略中央に半導体素子を搭載
する基台部とこの基台部の周辺に設けられる枠部とから
成る樹脂パッケージと、基台部と枠部との間で挟持され
半導体素子との電気的導通を得るためのリード部および
半導体素子を搭載するための基準となるパッド部から成
るリードフレームとを備えているものであり、パッド部
と半導体素子との間に基台部を構成する樹脂の薄膜を設
け、パッド部から基台部の外周まで放熱孔を設けたもの
である。
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、略中央に半導体素子を搭載
する基台部とこの基台部の周辺に設けられる枠部とから
成る樹脂パッケージと、基台部と枠部との間で挟持され
半導体素子との電気的導通を得るためのリード部および
半導体素子を搭載するための基準となるパッド部から成
るリードフレームとを備えているものであり、パッド部
と半導体素子との間に基台部を構成する樹脂の薄膜を設
け、パッド部から基台部の外周まで放熱孔を設けたもの
である。
【０００６】また、パッド部の一方の面に半導体素子を
直接搭載するとともに、パッド部の他方の面から基台部
の外周まで放熱孔を設けた半導体装置でもあり、さら
に、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施した半導
体装置でもある。
直接搭載するとともに、パッド部の他方の面から基台部
の外周まで放熱孔を設けた半導体装置でもあり、さら
に、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施した半導
体装置でもある。
【０００７】このような半導体装置により、半導体素子
にて発生した熱がパッド部から放熱孔を介して外部へ放
散する状態となり、樹脂パッケージを用いた場合であっ
ても半導体素子を効率良く冷却することができるように
なる。また、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施
すことで表面積が増加して冷却効果が増すとともに、封
止樹脂とパッド部との密着性が向上する。さらに、この
パッド部に設けられた凹凸によって外部から樹脂パッケ
ージ内部へ浸入する水分の経路が長くなり、浸入してき
た水分のうち大部分をパッド部外周辺に集めることがで
きて樹脂パッケージ内部での耐湿性を向上できるように
なる。
にて発生した熱がパッド部から放熱孔を介して外部へ放
散する状態となり、樹脂パッケージを用いた場合であっ
ても半導体素子を効率良く冷却することができるように
なる。また、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施
すことで表面積が増加して冷却効果が増すとともに、封
止樹脂とパッド部との密着性が向上する。さらに、この
パッド部に設けられた凹凸によって外部から樹脂パッケ
ージ内部へ浸入する水分の経路が長くなり、浸入してき
た水分のうち大部分をパッド部外周辺に集めることがで
きて樹脂パッケージ内部での耐湿性を向上できるように
なる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置におけ
る実施の形態を図に基づいて説明する。図１は、本発明
の半導体装置における実施形態を説明する模式断面図
で、（ａ）はガラスシールタイプ、（ｂ）は透光性樹脂
封止タイプである。なお、本実施形態では、主としてＣ
ＣＤリニアセンサーやＣＣＤエリアセンサーから成る光
学的な半導体装置１を例として説明を行う。
る実施の形態を図に基づいて説明する。図１は、本発明
の半導体装置における実施形態を説明する模式断面図
で、（ａ）はガラスシールタイプ、（ｂ）は透光性樹脂
封止タイプである。なお、本実施形態では、主としてＣ
ＣＤリニアセンサーやＣＣＤエリアセンサーから成る光
学的な半導体装置１を例として説明を行う。
【０００９】図１（ａ）に示すガラスシールタイプの半
導体装置１は、略中央にチップ状の半導体素子１０を搭
載する基台部２１と、基台部２１の周辺に設けられる枠
部２２とから成る樹脂パッケージ２と、基台部２１と枠
部２２との間で挟持されるリードフレーム３とを備えて
おり、リードフレーム３を構成するパッド部３２と半導
体素子１０との間に基台部２１の一部である樹脂薄膜６
が設けられている。
導体装置１は、略中央にチップ状の半導体素子１０を搭
載する基台部２１と、基台部２１の周辺に設けられる枠
部２２とから成る樹脂パッケージ２と、基台部２１と枠
部２２との間で挟持されるリードフレーム３とを備えて
おり、リードフレーム３を構成するパッド部３２と半導
体素子１０との間に基台部２１の一部である樹脂薄膜６
が設けられている。
【００１０】この半導体装置１においてチップ状の半導
体素子１０は樹脂薄膜６上にダイボンドされており、ボ
ンディングワイヤー４を介してリードフレーム３のリー
ド部３１と電気的に接続されている。また、枠部２２の
上にはガラスシール５が搭載されており、内部の半導体
素子１０およびボンディングワイヤー４を気密封止する
状態となっている。
体素子１０は樹脂薄膜６上にダイボンドされており、ボ
ンディングワイヤー４を介してリードフレーム３のリー
ド部３１と電気的に接続されている。また、枠部２２の
上にはガラスシール５が搭載されており、内部の半導体
素子１０およびボンディングワイヤー４を気密封止する
状態となっている。
【００１１】さらに、本実施形態における半導体装置１
の基台部２１には、パッド部３２から基台部２１の外周
まで放熱孔７が設けられている。
の基台部２１には、パッド部３２から基台部２１の外周
まで放熱孔７が設けられている。
【００１２】また、図１（ｂ）に示す透光性樹脂封止タ
イプの半導体装置１は、基台部２１および枠部２２によ
って樹脂パッケージ２が構成される点で図１（ａ）に示
すガラスシールタイプと同じであるが、枠部２２にガラ
スシール５を搭載する代わりに枠部２２内へ透光性樹脂
５１をポッティングする点で相違する。
イプの半導体装置１は、基台部２１および枠部２２によ
って樹脂パッケージ２が構成される点で図１（ａ）に示
すガラスシールタイプと同じであるが、枠部２２にガラ
スシール５を搭載する代わりに枠部２２内へ透光性樹脂
５１をポッティングする点で相違する。
【００１３】図１（ｂ）に示す透光性樹脂封止タイプの
半導体装置１であっても、パッド部３２と半導体素子１
０との間には樹脂薄膜６が設けられており、パッド部３
２から基台部２１の外周まで放熱孔７が設けられてい
る。
半導体装置１であっても、パッド部３２と半導体素子１
０との間には樹脂薄膜６が設けられており、パッド部３
２から基台部２１の外周まで放熱孔７が設けられてい
る。
【００１４】これらの半導体装置１のように、パッド部
３２から基台部２１の外周まで放熱孔７を設けることに
より、半導体素子１０から発生した熱がパッド部３２か
ら放熱孔７を介して外部へ容易に放散する状態となり半
導体素子１０を効率良く冷却することが可能となる。特
に樹脂パッケージ２ではセラミックスパッケージに比べ
て熱伝導率が低く半導体素子１０から発生した熱が樹脂
パッケージ２内に蓄積しやすい。このような放熱孔７を
設けることで、熱を効率良く外部へ放散させ半導体素子
１０の特性が劣化することを防止できるようになる。
３２から基台部２１の外周まで放熱孔７を設けることに
より、半導体素子１０から発生した熱がパッド部３２か
ら放熱孔７を介して外部へ容易に放散する状態となり半
導体素子１０を効率良く冷却することが可能となる。特
に樹脂パッケージ２ではセラミックスパッケージに比べ
て熱伝導率が低く半導体素子１０から発生した熱が樹脂
パッケージ２内に蓄積しやすい。このような放熱孔７を
設けることで、熱を効率良く外部へ放散させ半導体素子
１０の特性が劣化することを防止できるようになる。
【００１５】また、パッド部３２と半導体素子１０との
間に樹脂薄膜６を設けることで、外部から樹脂パッケー
ジ２へ浸入する水分が半導体素子１０の収納されている
中空部内まで浸透することを低減できるようになる。つ
まり、外部の水分はパッド部３２の周辺（基台部２１と
の界面）に沿って内部へ浸入しやすいが、樹脂薄膜６が
あることで半導体素子１０が収納されている樹脂パッケ
ージ２の内部まで達する前にパッド部３２の周辺に導か
れ、ここに蓄積する状態となる。
間に樹脂薄膜６を設けることで、外部から樹脂パッケー
ジ２へ浸入する水分が半導体素子１０の収納されている
中空部内まで浸透することを低減できるようになる。つ
まり、外部の水分はパッド部３２の周辺（基台部２１と
の界面）に沿って内部へ浸入しやすいが、樹脂薄膜６が
あることで半導体素子１０が収納されている樹脂パッケ
ージ２の内部まで達する前にパッド部３２の周辺に導か
れ、ここに蓄積する状態となる。
【００１６】これにより、樹脂パッケージ２内に浸入し
た水分は半導体素子１０が配置される中空部内まで到達
することが少なくなり、結果として半導体素子１０を湿
気から保護することが可能となる。
た水分は半導体素子１０が配置される中空部内まで到達
することが少なくなり、結果として半導体素子１０を湿
気から保護することが可能となる。
【００１７】また、図１（ａ）、（ｂ）いずれの半導体
装置１であっても、少なくともパッド部３２の表面に凹
凸処理が施されているものを使用してもよい。図２はパ
ッド部の凹凸について説明する模式断面図で、（ａ）は
ブラスト処理、（ｂ）はディンプル加工を施したもので
ある。
装置１であっても、少なくともパッド部３２の表面に凹
凸処理が施されているものを使用してもよい。図２はパ
ッド部の凹凸について説明する模式断面図で、（ａ）は
ブラスト処理、（ｂ）はディンプル加工を施したもので
ある。
【００１８】図２（ａ）に示すブラスト処理では、パッ
ド部３２の表面に例えば酸化シリコン等の粒子を衝突さ
せることにより多数の凹凸を形成する。また、図２
（ｂ）に示すディンプル加工では、パッド部３２に対し
てプレス型を用いて所定の凹凸を形成する。
ド部３２の表面に例えば酸化シリコン等の粒子を衝突さ
せることにより多数の凹凸を形成する。また、図２
（ｂ）に示すディンプル加工では、パッド部３２に対し
てプレス型を用いて所定の凹凸を形成する。
【００１９】パッド部３２にこのような凹凸が設けられ
ていることで、その表面積が増加して基台部２１との密
着力が向上するとともに、冷却効果が向上する。また、
この凹凸によって放熱孔７の外部から樹脂パッケージ２
（図１参照）内に浸入する水分の経路が長くなり、多く
の水分をパッド部３２周辺に集めることができ、樹脂パ
ッケージ２内部での耐湿性を向上できるようになる。
ていることで、その表面積が増加して基台部２１との密
着力が向上するとともに、冷却効果が向上する。また、
この凹凸によって放熱孔７の外部から樹脂パッケージ２
（図１参照）内に浸入する水分の経路が長くなり、多く
の水分をパッド部３２周辺に集めることができ、樹脂パ
ッケージ２内部での耐湿性を向上できるようになる。
【００２０】次に、本実施形態における半導体装置の製
造方法を説明する。図３〜図４は本実施形態の半導体装
置の製造方法を順に説明する模式断面図である。先ず、
図３（ａ）に示すように所定のリードフレーム３を用意
し、パッド部３２に対してデプレス加工を施しておく。
リードフレーム３としては、例えば０．２５ｍｍ厚の４
２アロイ（鉄−ニッケル４２％合金）、０．２５ｍｍ厚
の銅材を用い、そのパッド部３２に０．２５〜０．３ｍ
ｍのデプレス加工を施す。
造方法を説明する。図３〜図４は本実施形態の半導体装
置の製造方法を順に説明する模式断面図である。先ず、
図３（ａ）に示すように所定のリードフレーム３を用意
し、パッド部３２に対してデプレス加工を施しておく。
リードフレーム３としては、例えば０．２５ｍｍ厚の４
２アロイ（鉄−ニッケル４２％合金）、０．２５ｍｍ厚
の銅材を用い、そのパッド部３２に０．２５〜０．３ｍ
ｍのデプレス加工を施す。
【００２１】また、このリードフレーム３の少なくとも
パッド部３２の表面には、図２（ａ）、（ｂ）に示すよ
うなブラスト処理またはディンプル加工によって凹凸を
設けておく。なお、ディンプル加工は先に説明したデプ
レス加工と同時に行ってもよく、また凹凸はリード部３
１の表面にも形成しておいてもよい。
パッド部３２の表面には、図２（ａ）、（ｂ）に示すよ
うなブラスト処理またはディンプル加工によって凹凸を
設けておく。なお、ディンプル加工は先に説明したデプ
レス加工と同時に行ってもよく、また凹凸はリード部３
１の表面にも形成しておいてもよい。
【００２２】次に、図３（ｂ）に示すように、所定の上
型８１、下型８２を用いたモールド処理を行い、樹脂パ
ッケージ２（図１参照）を形成する。すなわち、上型８
１と下型８２との間にリードフレーム３を挟持し、上型
８１と下型８２との間に形成されるキャビティ内に所定
の樹脂を充填する。モールド処理としてトランスファー
モールドを用いる場合には樹脂としてエポキシ樹脂を使
用し、射出成形を用いる場合には樹脂としてエポキシ樹
脂や液晶ポリマー樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド）樹脂、その他の複合樹脂を使用する。
型８１、下型８２を用いたモールド処理を行い、樹脂パ
ッケージ２（図１参照）を形成する。すなわち、上型８
１と下型８２との間にリードフレーム３を挟持し、上型
８１と下型８２との間に形成されるキャビティ内に所定
の樹脂を充填する。モールド処理としてトランスファー
モールドを用いる場合には樹脂としてエポキシ樹脂を使
用し、射出成形を用いる場合には樹脂としてエポキシ樹
脂や液晶ポリマー樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド）樹脂、その他の複合樹脂を使用する。
【００２３】また、リードフレーム３のパッド部３２と
上型８１との間には薄膜用キャビティ８０が設けられて
おり、樹脂を充填する際にこの薄膜用キャビティ８０内
にも樹脂が充填されることになる。さらに、下型８２に
は放熱孔用凸部８３が設けられており、この部分には樹
脂が充填されないようになっている。
上型８１との間には薄膜用キャビティ８０が設けられて
おり、樹脂を充填する際にこの薄膜用キャビティ８０内
にも樹脂が充填されることになる。さらに、下型８２に
は放熱孔用凸部８３が設けられており、この部分には樹
脂が充填されないようになっている。
【００２４】モールド処理を行った後は、所定の水圧に
よって樹脂ばりの除去を行い、さらにリードフレーム３
のタイバー（図示せず）をプレス打ち抜きによって除去
する。その後は、リードフレーム３のリード部３１に所
定のめっき処理（例えば、ニッケルを５〜１０μｍ厚、
金を０．５μｍ厚以上）を施し、ステイカットおよびア
ウターリード部分の折り曲げを行って図３（ｃ）に示す
ような樹脂パッケージ２を形成する。
よって樹脂ばりの除去を行い、さらにリードフレーム３
のタイバー（図示せず）をプレス打ち抜きによって除去
する。その後は、リードフレーム３のリード部３１に所
定のめっき処理（例えば、ニッケルを５〜１０μｍ厚、
金を０．５μｍ厚以上）を施し、ステイカットおよびア
ウターリード部分の折り曲げを行って図３（ｃ）に示す
ような樹脂パッケージ２を形成する。
【００２５】この樹脂パッケージ２には、パッド部３２
の上方に樹脂薄膜６が形成されているとともに、パッド
部３２から基台部２１の外周に向けて放熱孔７が形成さ
れる状態となる。なお、この放熱孔７の開口部形状とし
ては、丸型や十字型等、放熱効果を考慮した種々のもの
が適用可能である。
の上方に樹脂薄膜６が形成されているとともに、パッド
部３２から基台部２１の外周に向けて放熱孔７が形成さ
れる状態となる。なお、この放熱孔７の開口部形状とし
ては、丸型や十字型等、放熱効果を考慮した種々のもの
が適用可能である。
【００２６】次に、図４（ａ）に示すように、樹脂パッ
ケージ２の樹脂薄膜６上にチップ状の半導体素子１０を
ダイボンドし、ボンディングワイヤー４によって半導体
素子１０とリード部３１とを配線する。ダイボンドは、
例えば熱硬化型樹脂から成るペースト剤を使用して１５
０℃１時間程度の加熱によって硬化させる。また、ボン
ディングワイヤー４は２５μｍφの金線を使用してコラ
ム温度１５０℃でワイヤーボンディングを行う。
ケージ２の樹脂薄膜６上にチップ状の半導体素子１０を
ダイボンドし、ボンディングワイヤー４によって半導体
素子１０とリード部３１とを配線する。ダイボンドは、
例えば熱硬化型樹脂から成るペースト剤を使用して１５
０℃１時間程度の加熱によって硬化させる。また、ボン
ディングワイヤー４は２５μｍφの金線を使用してコラ
ム温度１５０℃でワイヤーボンディングを行う。
【００２７】そして、図４（ｂ）に示すように、樹脂パ
ッケージ２の枠部２２上にガラスシール５を搭載して半
導体素子１０およびボンディングワイヤー４を中空内に
封止する。ガラスシール５を搭載するにあたり、エポキ
シ樹脂系Ａステージシーラーを用いる場合には、例えば
１１０℃２分＋１５０℃１０分の加熱によって硬化を行
う。またエポキシ樹脂系Ｂステージシーラーを用いる場
合には、例えば１１０℃１時間＋１３０℃２時間の加熱
によって硬化を行う。また、ガラスシール５としては、
例えばほうけい酸ガラスを使用する。
ッケージ２の枠部２２上にガラスシール５を搭載して半
導体素子１０およびボンディングワイヤー４を中空内に
封止する。ガラスシール５を搭載するにあたり、エポキ
シ樹脂系Ａステージシーラーを用いる場合には、例えば
１１０℃２分＋１５０℃１０分の加熱によって硬化を行
う。またエポキシ樹脂系Ｂステージシーラーを用いる場
合には、例えば１１０℃１時間＋１３０℃２時間の加熱
によって硬化を行う。また、ガラスシール５としては、
例えばほうけい酸ガラスを使用する。
【００２８】なお、ガラスシール５を用いる代わりに、
図１（ｂ）に示すような透光性樹脂５１を用いる場合に
は、枠部２２の内側に例えば熱硬化型または紫外線照射
硬化型のシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、およびエ
ポキシ系樹脂から成る透光性樹脂５１をポッティングし
て所定の処理（加熱または紫外線照射）によって硬化さ
せる。これにより、図１（ａ）または（ｂ）に示す本実
施形態の半導体装置１が完成する。
図１（ｂ）に示すような透光性樹脂５１を用いる場合に
は、枠部２２の内側に例えば熱硬化型または紫外線照射
硬化型のシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、およびエ
ポキシ系樹脂から成る透光性樹脂５１をポッティングし
て所定の処理（加熱または紫外線照射）によって硬化さ
せる。これにより、図１（ａ）または（ｂ）に示す本実
施形態の半導体装置１が完成する。
【００２９】次に、本発明の半導体装置における他の実
施形態を説明する。図５および図６は他の実施形態を説
明する模式断面図である。すなわち、図５（ａ）に示す
半導体装置１は、チップ状の半導体素子１０がパッド部
３２の一方の面に直接搭載されているとともに、このパ
ッド部３２の他方の面から基台部２１の外周まで放熱孔
７が設けられているものである。
施形態を説明する。図５および図６は他の実施形態を説
明する模式断面図である。すなわち、図５（ａ）に示す
半導体装置１は、チップ状の半導体素子１０がパッド部
３２の一方の面に直接搭載されているとともに、このパ
ッド部３２の他方の面から基台部２１の外周まで放熱孔
７が設けられているものである。
【００３０】このような半導体装置１では、半導体素子
１０から発生した熱を直接パッド部３２に伝え、さらに
パッド部３２から放熱孔７を介して外部へ効率良く逃が
すことが可能となる。さらに、半導体素子１０がパッド
部３２と直接接触していることから、パッド部３２を利
用して電気的な接地を行うようにすれば、電磁的なシー
ルド効果を発揮できるようになる。
１０から発生した熱を直接パッド部３２に伝え、さらに
パッド部３２から放熱孔７を介して外部へ効率良く逃が
すことが可能となる。さらに、半導体素子１０がパッド
部３２と直接接触していることから、パッド部３２を利
用して電気的な接地を行うようにすれば、電磁的なシー
ルド効果を発揮できるようになる。
【００３１】また、図５（ｂ）に示す半導体装置１は、
半導体素子１０がパッド部３２に直接搭載され、パッド
部３２から基台部２１の外周へ放熱孔７が設けられてい
る点で図５（ａ）に示す半導体装置１と同様であるが、
パッド部３２の周縁部分が基台部２１内に埋め込まれる
ように押え片２１ａによって押さえられている点で相違
する。このような押え片２１ａにより、パッド部３２と
基台部２１との機械的な接続力が増す状態となる。さら
にこの半導体装置１では、図５（ａ）に示す半導体装置
１と同様な放熱効果およびシールド効果を得ることもで
きる。
半導体素子１０がパッド部３２に直接搭載され、パッド
部３２から基台部２１の外周へ放熱孔７が設けられてい
る点で図５（ａ）に示す半導体装置１と同様であるが、
パッド部３２の周縁部分が基台部２１内に埋め込まれる
ように押え片２１ａによって押さえられている点で相違
する。このような押え片２１ａにより、パッド部３２と
基台部２１との機械的な接続力が増す状態となる。さら
にこの半導体装置１では、図５（ａ）に示す半導体装置
１と同様な放熱効果およびシールド効果を得ることもで
きる。
【００３２】図６（ａ）に示す半導体装置１は、パッド
部３２から基台部２１に設けられた放熱孔７の開口を広
くしたものである。これによって、パッド部３２の多く
を空気に露出させることができ半導体素子１０に対する
放熱効果向上と、基台部２１にかかる樹脂材料の減量を
図ることが可能となる。
部３２から基台部２１に設けられた放熱孔７の開口を広
くしたものである。これによって、パッド部３２の多く
を空気に露出させることができ半導体素子１０に対する
放熱効果向上と、基台部２１にかかる樹脂材料の減量を
図ることが可能となる。
【００３３】また、図６（ｂ）に示す半導体装置１は、
半導体素子１０をパッド部３２に直接搭載するととも
に、パッド部３２から基台部２１の外周に放熱孔７を設
け、さらにこの放熱孔７から基台部２１の外周に沿って
広がる放熱部材９を取り付けた点に特徴がある。
半導体素子１０をパッド部３２に直接搭載するととも
に、パッド部３２から基台部２１の外周に放熱孔７を設
け、さらにこの放熱孔７から基台部２１の外周に沿って
広がる放熱部材９を取り付けた点に特徴がある。
【００３４】これにより、半導体素子１０から発生した
熱は放熱孔７から放熱部材９を介して効率良く外部へ放
散する状態となる。また、この放熱部材９の内部にヒー
トパイプ（図示せず）を埋め込んでさらに放熱効果を高
めてもよく、また放熱部材９を接地することで電磁的な
シールド効果を得るようにしてもよい。
熱は放熱孔７から放熱部材９を介して効率良く外部へ放
散する状態となる。また、この放熱部材９の内部にヒー
トパイプ（図示せず）を埋め込んでさらに放熱効果を高
めてもよく、また放熱部材９を接地することで電磁的な
シールド効果を得るようにしてもよい。
【００３５】なお、図５および図６に示すいずれの半導
体装置１においても、枠部２２にガラスシール５を搭載
するタイプで説明を行ったが、ガラスシール５の代わり
に枠部２２内に図１（ｂ）に示す透光性樹脂５１をポッ
ティングするタイプであっても同様である。また、いず
れの他の実施形態でも、パッド部３２に図２に示すよう
な凹凸処理が施されていれば、さらに放熱効果および耐
湿性を向上させることが可能となる。特に、透光性樹脂
封止タイプの場合には、外部からの水分浸入による耐湿
性劣化の問題がないためさらに有利である。
体装置１においても、枠部２２にガラスシール５を搭載
するタイプで説明を行ったが、ガラスシール５の代わり
に枠部２２内に図１（ｂ）に示す透光性樹脂５１をポッ
ティングするタイプであっても同様である。また、いず
れの他の実施形態でも、パッド部３２に図２に示すよう
な凹凸処理が施されていれば、さらに放熱効果および耐
湿性を向上させることが可能となる。特に、透光性樹脂
封止タイプの場合には、外部からの水分浸入による耐湿
性劣化の問題がないためさらに有利である。
【００３６】また、上記の実施形態においては、ＣＣＤ
エリアセンサーやＣＣＤリニアセンサーから成る光学的
な半導体装置１を例として説明したが、ＬＳＩ等の集積
回路から成る半導体装置１であっても同様である。さら
に、上記実施形態において示した具体的な数値や材質は
一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
エリアセンサーやＣＣＤリニアセンサーから成る光学的
な半導体装置１を例として説明したが、ＬＳＩ等の集積
回路から成る半導体装置１であっても同様である。さら
に、上記実施形態において示した具体的な数値や材質は
一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば次のような効果がある。すなわち、放熱孔に
よってリードフレームのパッド部の一部を空気に露出さ
せているので、樹脂パッケージを用いても半導体素子か
ら発生する熱を効率良く外部へ放散させることが可能と
なる。これによって、半導体素子の温度上昇による特性
劣化を防止することができるようになる。
置によれば次のような効果がある。すなわち、放熱孔に
よってリードフレームのパッド部の一部を空気に露出さ
せているので、樹脂パッケージを用いても半導体素子か
ら発生する熱を効率良く外部へ放散させることが可能と
なる。これによって、半導体素子の温度上昇による特性
劣化を防止することができるようになる。
【００３８】また、樹脂パッケージの外部から浸入して
きた水分がパッド部の周囲に集まって半導体素子が収納
されている内部まで浸透しないため、耐湿性が向上する
ことになる。さらに、少なくともパッド部の裏面に凹凸
処理が施されていることで、基台部との密着性が向上し
て機械的強度を増加できるようになる。また、この凹凸
によって水分の経路が増して耐湿性をさらに向上させる
ことが可能となる。
きた水分がパッド部の周囲に集まって半導体素子が収納
されている内部まで浸透しないため、耐湿性が向上する
ことになる。さらに、少なくともパッド部の裏面に凹凸
処理が施されていることで、基台部との密着性が向上し
て機械的強度を増加できるようになる。また、この凹凸
によって水分の経路が増して耐湿性をさらに向上させる
ことが可能となる。
【図１】本発明の半導体装置における実施形態を説明す
る模式断面図である。
る模式断面図である。
【図２】パッド部の凹凸について説明する模式断面図
で、（ａ）はブラスト処理、（ｂ）はディンプル加工の
例を示している。
で、（ａ）はブラスト処理、（ｂ）はディンプル加工の
例を示している。
【図３】半導体装置の製造方法を順に説明する模式断面
図（その１）である。
図（その１）である。
【図４】半導体装置の製造方法を順に説明する模式断面
図（その２）である。
図（その２）である。
【図５】本発明の他の実施形態を説明する模式断面図
（その１）である。
（その１）である。
【図６】本発明の他の実施形態を説明する模式断面図
（その２）である。
（その２）である。
１ 半導体装置 ２ 樹脂パッケージ ３ リードフレーム ４ ボンディングワイヤー ５ ガラスシール ６ 樹脂薄膜 ７ 放熱孔 １０ 半導体素子 ２１ 基台部 ２２ 枠部 ３１ リード部 ３２ パッド部 ５１ 透光性樹脂
Claims (10)
- 【請求項１】 略中央に半導体素子を搭載する基台部と
該基台部の周辺に設けられる枠部とから成る樹脂パッケ
ージと、 前記基台部と枠部との間で挟持され前記半導体素子との
電気的導通を得るためのリード部および該半導体素子を
搭載するための基準となるパッド部から成るリードフレ
ームとを備えている半導体装置であって、 前記パッド部と前記半導体素子との間には前記基台部を
構成する樹脂の薄膜が設けられているとともに、該パッ
ド部から該基台部の外周まで放熱孔が設けられているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記パッド部には、前記放熱孔から前記
基台部の外周に沿って広がる放熱部材が接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項４】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項２記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 略中央に半導体素子を搭載する基台部と
該基台部の周辺に設けられる枠部とから成る樹脂パッケ
ージと、 前記基台部と枠部との間で挟持され前記半導体素子との
電気的導通を得るためのリード部および該半導体素子を
搭載するための基準となるパッド部から成るリードフレ
ームとを備えている半導体装置であって、 前記パッド部の一方の面には前記半導体素子が直接搭載
されているとともに、該パッド部の他方の面から前記基
台部の外周まで放熱孔が設けられていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項６】 前記パッド部の周縁部分が前記基台部内
に埋め込まれていることを特徴とする請求項５記載の半
導体装置。 - 【請求項７】 前記パッド部には、前記放熱孔から前記
基台部の外周に沿って広がる放熱部材が接続されている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。 - 【請求項８】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項５記載の半
導体装置。 - 【請求項９】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項６記載の半
導体装置。 - 【請求項１０】 少なくとも前記パッド部の表面には凹
凸処理が施されていることを特徴とする請求項７記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7265449A JPH09107054A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7265449A JPH09107054A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107054A true JPH09107054A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17417320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7265449A Pending JPH09107054A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107054A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002026166A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nisshin Kasei:Kk | プラスチックパッケージおよびその製造方法 |
| JP2002533926A (ja) * | 1998-12-21 | 2002-10-08 | インテル・コーポレーション | 埋込みフレームを有する窓付き非セラミック・パッケージ |
| JP2007158216A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| JP2007158217A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| JP2007228008A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法 |
| JP2009049362A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Hon Hai Precision Industry Co Ltd | イメージセンサー |
| JP2014072830A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP7265449A patent/JPH09107054A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002533926A (ja) * | 1998-12-21 | 2002-10-08 | インテル・コーポレーション | 埋込みフレームを有する窓付き非セラミック・パッケージ |
| JP2002026166A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nisshin Kasei:Kk | プラスチックパッケージおよびその製造方法 |
| JP4493170B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2010-06-30 | 株式会社日新化成 | プラスチックパッケージの製造方法 |
| JP2007158216A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| JP2007158217A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| JP2007228008A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法 |
| JP2009049362A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Hon Hai Precision Industry Co Ltd | イメージセンサー |
| JP4705125B2 (ja) * | 2007-08-14 | 2011-06-22 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | イメージセンサー |
| JP2014072830A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
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