JPH09107054A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH09107054A JPH09107054A JP7265449A JP26544995A JPH09107054A JP H09107054 A JPH09107054 A JP H09107054A JP 7265449 A JP7265449 A JP 7265449A JP 26544995 A JP26544995 A JP 26544995A JP H09107054 A JPH09107054 A JP H09107054A
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- semiconductor device
- pad
- pad portion
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂パッケージを用いた場合の熱放散を高め
るとともに耐湿性を向上させること。 【解決手段】 本発明は、略中央に半導体素子10を搭
載する基台部21とこの基台部21の周辺に設けられる
枠部22とから成る樹脂パッケージ2と、基台部21と
枠部22との間で挟持され半導体素子10との電気的導
通を得るためのリード部31および半導体素子10を搭
載するための基準となるパッド部32から成るリードフ
レーム3とを備えている半導体装置1であり、パッド部
32と半導体素子10との間に樹脂薄膜6を設け、さら
にパッド部32から基台部21の外周まで放熱孔7を設
けたものである。
るとともに耐湿性を向上させること。 【解決手段】 本発明は、略中央に半導体素子10を搭
載する基台部21とこの基台部21の周辺に設けられる
枠部22とから成る樹脂パッケージ2と、基台部21と
枠部22との間で挟持され半導体素子10との電気的導
通を得るためのリード部31および半導体素子10を搭
載するための基準となるパッド部32から成るリードフ
レーム3とを備えている半導体装置1であり、パッド部
32と半導体素子10との間に樹脂薄膜6を設け、さら
にパッド部32から基台部21の外周まで放熱孔7を設
けたものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームを
挟持する樹脂パッケージ内に半導体素子が収納される半
導体装置に関する。
挟持する樹脂パッケージ内に半導体素子が収納される半
導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、CCDエリアセンサーやCCDリ
ニアセンサー等の光学的な半導体装置、LSI等の集積
回路から成る半導体装置では、セラミックス材の中空パ
ッケージの中空部内にチップ状の素子をダイボンドし、
ボンディングワイヤーによる電気的配線を行ってシール
板で気密封止する構造が用いられている。
ニアセンサー等の光学的な半導体装置、LSI等の集積
回路から成る半導体装置では、セラミックス材の中空パ
ッケージの中空部内にチップ状の素子をダイボンドし、
ボンディングワイヤーによる電気的配線を行ってシール
板で気密封止する構造が用いられている。
【0003】また、近年ではコストダウンの観点からシ
ール板を取り付ける代わりに中空パッケージの中空部内
に透光性封止樹脂をポッティングしたり、セラミックス
材の代わりにモールド樹脂を用いて中空パッケージを構
成するものも考えられている。
ール板を取り付ける代わりに中空パッケージの中空部内
に透光性封止樹脂をポッティングしたり、セラミックス
材の代わりにモールド樹脂を用いて中空パッケージを構
成するものも考えられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置においては、熱放散が不十分であり内部
の半導体素子の温度が上昇してその特性を悪化させると
いう問題が生じる。CCDエリアセンサーやCCDリニ
アセンサーでは、温度上昇によって画質欠陥不良を引き
起こすこともある。特に、消費電力の大きな半導体装置
では、温度上昇による特性劣化が顕著に現れることにな
る。
うな半導体装置においては、熱放散が不十分であり内部
の半導体素子の温度が上昇してその特性を悪化させると
いう問題が生じる。CCDエリアセンサーやCCDリニ
アセンサーでは、温度上昇によって画質欠陥不良を引き
起こすこともある。特に、消費電力の大きな半導体装置
では、温度上昇による特性劣化が顕著に現れることにな
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、略中央に半導体素子を搭載
する基台部とこの基台部の周辺に設けられる枠部とから
成る樹脂パッケージと、基台部と枠部との間で挟持され
半導体素子との電気的導通を得るためのリード部および
半導体素子を搭載するための基準となるパッド部から成
るリードフレームとを備えているものであり、パッド部
と半導体素子との間に基台部を構成する樹脂の薄膜を設
け、パッド部から基台部の外周まで放熱孔を設けたもの
である。
を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、略中央に半導体素子を搭載
する基台部とこの基台部の周辺に設けられる枠部とから
成る樹脂パッケージと、基台部と枠部との間で挟持され
半導体素子との電気的導通を得るためのリード部および
半導体素子を搭載するための基準となるパッド部から成
るリードフレームとを備えているものであり、パッド部
と半導体素子との間に基台部を構成する樹脂の薄膜を設
け、パッド部から基台部の外周まで放熱孔を設けたもの
である。
【0006】また、パッド部の一方の面に半導体素子を
直接搭載するとともに、パッド部の他方の面から基台部
の外周まで放熱孔を設けた半導体装置でもあり、さら
に、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施した半導
体装置でもある。
直接搭載するとともに、パッド部の他方の面から基台部
の外周まで放熱孔を設けた半導体装置でもあり、さら
に、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施した半導
体装置でもある。
【0007】このような半導体装置により、半導体素子
にて発生した熱がパッド部から放熱孔を介して外部へ放
散する状態となり、樹脂パッケージを用いた場合であっ
ても半導体素子を効率良く冷却することができるように
なる。また、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施
すことで表面積が増加して冷却効果が増すとともに、封
止樹脂とパッド部との密着性が向上する。さらに、この
パッド部に設けられた凹凸によって外部から樹脂パッケ
ージ内部へ浸入する水分の経路が長くなり、浸入してき
た水分のうち大部分をパッド部外周辺に集めることがで
きて樹脂パッケージ内部での耐湿性を向上できるように
なる。
にて発生した熱がパッド部から放熱孔を介して外部へ放
散する状態となり、樹脂パッケージを用いた場合であっ
ても半導体素子を効率良く冷却することができるように
なる。また、少なくともパッド部の表面に凹凸処理を施
すことで表面積が増加して冷却効果が増すとともに、封
止樹脂とパッド部との密着性が向上する。さらに、この
パッド部に設けられた凹凸によって外部から樹脂パッケ
ージ内部へ浸入する水分の経路が長くなり、浸入してき
た水分のうち大部分をパッド部外周辺に集めることがで
きて樹脂パッケージ内部での耐湿性を向上できるように
なる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置におけ
る実施の形態を図に基づいて説明する。図1は、本発明
の半導体装置における実施形態を説明する模式断面図
で、(a)はガラスシールタイプ、(b)は透光性樹脂
封止タイプである。なお、本実施形態では、主としてC
CDリニアセンサーやCCDエリアセンサーから成る光
学的な半導体装置1を例として説明を行う。
る実施の形態を図に基づいて説明する。図1は、本発明
の半導体装置における実施形態を説明する模式断面図
で、(a)はガラスシールタイプ、(b)は透光性樹脂
封止タイプである。なお、本実施形態では、主としてC
CDリニアセンサーやCCDエリアセンサーから成る光
学的な半導体装置1を例として説明を行う。
【0009】図1(a)に示すガラスシールタイプの半
導体装置1は、略中央にチップ状の半導体素子10を搭
載する基台部21と、基台部21の周辺に設けられる枠
部22とから成る樹脂パッケージ2と、基台部21と枠
部22との間で挟持されるリードフレーム3とを備えて
おり、リードフレーム3を構成するパッド部32と半導
体素子10との間に基台部21の一部である樹脂薄膜6
が設けられている。
導体装置1は、略中央にチップ状の半導体素子10を搭
載する基台部21と、基台部21の周辺に設けられる枠
部22とから成る樹脂パッケージ2と、基台部21と枠
部22との間で挟持されるリードフレーム3とを備えて
おり、リードフレーム3を構成するパッド部32と半導
体素子10との間に基台部21の一部である樹脂薄膜6
が設けられている。
【0010】この半導体装置1においてチップ状の半導
体素子10は樹脂薄膜6上にダイボンドされており、ボ
ンディングワイヤー4を介してリードフレーム3のリー
ド部31と電気的に接続されている。また、枠部22の
上にはガラスシール5が搭載されており、内部の半導体
素子10およびボンディングワイヤー4を気密封止する
状態となっている。
体素子10は樹脂薄膜6上にダイボンドされており、ボ
ンディングワイヤー4を介してリードフレーム3のリー
ド部31と電気的に接続されている。また、枠部22の
上にはガラスシール5が搭載されており、内部の半導体
素子10およびボンディングワイヤー4を気密封止する
状態となっている。
【0011】さらに、本実施形態における半導体装置1
の基台部21には、パッド部32から基台部21の外周
まで放熱孔7が設けられている。
の基台部21には、パッド部32から基台部21の外周
まで放熱孔7が設けられている。
【0012】また、図1(b)に示す透光性樹脂封止タ
イプの半導体装置1は、基台部21および枠部22によ
って樹脂パッケージ2が構成される点で図1(a)に示
すガラスシールタイプと同じであるが、枠部22にガラ
スシール5を搭載する代わりに枠部22内へ透光性樹脂
51をポッティングする点で相違する。
イプの半導体装置1は、基台部21および枠部22によ
って樹脂パッケージ2が構成される点で図1(a)に示
すガラスシールタイプと同じであるが、枠部22にガラ
スシール5を搭載する代わりに枠部22内へ透光性樹脂
51をポッティングする点で相違する。
【0013】図1(b)に示す透光性樹脂封止タイプの
半導体装置1であっても、パッド部32と半導体素子1
0との間には樹脂薄膜6が設けられており、パッド部3
2から基台部21の外周まで放熱孔7が設けられてい
る。
半導体装置1であっても、パッド部32と半導体素子1
0との間には樹脂薄膜6が設けられており、パッド部3
2から基台部21の外周まで放熱孔7が設けられてい
る。
【0014】これらの半導体装置1のように、パッド部
32から基台部21の外周まで放熱孔7を設けることに
より、半導体素子10から発生した熱がパッド部32か
ら放熱孔7を介して外部へ容易に放散する状態となり半
導体素子10を効率良く冷却することが可能となる。特
に樹脂パッケージ2ではセラミックスパッケージに比べ
て熱伝導率が低く半導体素子10から発生した熱が樹脂
パッケージ2内に蓄積しやすい。このような放熱孔7を
設けることで、熱を効率良く外部へ放散させ半導体素子
10の特性が劣化することを防止できるようになる。
32から基台部21の外周まで放熱孔7を設けることに
より、半導体素子10から発生した熱がパッド部32か
ら放熱孔7を介して外部へ容易に放散する状態となり半
導体素子10を効率良く冷却することが可能となる。特
に樹脂パッケージ2ではセラミックスパッケージに比べ
て熱伝導率が低く半導体素子10から発生した熱が樹脂
パッケージ2内に蓄積しやすい。このような放熱孔7を
設けることで、熱を効率良く外部へ放散させ半導体素子
10の特性が劣化することを防止できるようになる。
【0015】また、パッド部32と半導体素子10との
間に樹脂薄膜6を設けることで、外部から樹脂パッケー
ジ2へ浸入する水分が半導体素子10の収納されている
中空部内まで浸透することを低減できるようになる。つ
まり、外部の水分はパッド部32の周辺(基台部21と
の界面)に沿って内部へ浸入しやすいが、樹脂薄膜6が
あることで半導体素子10が収納されている樹脂パッケ
ージ2の内部まで達する前にパッド部32の周辺に導か
れ、ここに蓄積する状態となる。
間に樹脂薄膜6を設けることで、外部から樹脂パッケー
ジ2へ浸入する水分が半導体素子10の収納されている
中空部内まで浸透することを低減できるようになる。つ
まり、外部の水分はパッド部32の周辺(基台部21と
の界面)に沿って内部へ浸入しやすいが、樹脂薄膜6が
あることで半導体素子10が収納されている樹脂パッケ
ージ2の内部まで達する前にパッド部32の周辺に導か
れ、ここに蓄積する状態となる。
【0016】これにより、樹脂パッケージ2内に浸入し
た水分は半導体素子10が配置される中空部内まで到達
することが少なくなり、結果として半導体素子10を湿
気から保護することが可能となる。
た水分は半導体素子10が配置される中空部内まで到達
することが少なくなり、結果として半導体素子10を湿
気から保護することが可能となる。
【0017】また、図1(a)、(b)いずれの半導体
装置1であっても、少なくともパッド部32の表面に凹
凸処理が施されているものを使用してもよい。図2はパ
ッド部の凹凸について説明する模式断面図で、(a)は
ブラスト処理、(b)はディンプル加工を施したもので
ある。
装置1であっても、少なくともパッド部32の表面に凹
凸処理が施されているものを使用してもよい。図2はパ
ッド部の凹凸について説明する模式断面図で、(a)は
ブラスト処理、(b)はディンプル加工を施したもので
ある。
【0018】図2(a)に示すブラスト処理では、パッ
ド部32の表面に例えば酸化シリコン等の粒子を衝突さ
せることにより多数の凹凸を形成する。また、図2
(b)に示すディンプル加工では、パッド部32に対し
てプレス型を用いて所定の凹凸を形成する。
ド部32の表面に例えば酸化シリコン等の粒子を衝突さ
せることにより多数の凹凸を形成する。また、図2
(b)に示すディンプル加工では、パッド部32に対し
てプレス型を用いて所定の凹凸を形成する。
【0019】パッド部32にこのような凹凸が設けられ
ていることで、その表面積が増加して基台部21との密
着力が向上するとともに、冷却効果が向上する。また、
この凹凸によって放熱孔7の外部から樹脂パッケージ2
(図1参照)内に浸入する水分の経路が長くなり、多く
の水分をパッド部32周辺に集めることができ、樹脂パ
ッケージ2内部での耐湿性を向上できるようになる。
ていることで、その表面積が増加して基台部21との密
着力が向上するとともに、冷却効果が向上する。また、
この凹凸によって放熱孔7の外部から樹脂パッケージ2
(図1参照)内に浸入する水分の経路が長くなり、多く
の水分をパッド部32周辺に集めることができ、樹脂パ
ッケージ2内部での耐湿性を向上できるようになる。
【0020】次に、本実施形態における半導体装置の製
造方法を説明する。図3〜図4は本実施形態の半導体装
置の製造方法を順に説明する模式断面図である。先ず、
図3(a)に示すように所定のリードフレーム3を用意
し、パッド部32に対してデプレス加工を施しておく。
リードフレーム3としては、例えば0.25mm厚の4
2アロイ(鉄−ニッケル42%合金)、0.25mm厚
の銅材を用い、そのパッド部32に0.25〜0.3m
mのデプレス加工を施す。
造方法を説明する。図3〜図4は本実施形態の半導体装
置の製造方法を順に説明する模式断面図である。先ず、
図3(a)に示すように所定のリードフレーム3を用意
し、パッド部32に対してデプレス加工を施しておく。
リードフレーム3としては、例えば0.25mm厚の4
2アロイ(鉄−ニッケル42%合金)、0.25mm厚
の銅材を用い、そのパッド部32に0.25〜0.3m
mのデプレス加工を施す。
【0021】また、このリードフレーム3の少なくとも
パッド部32の表面には、図2(a)、(b)に示すよ
うなブラスト処理またはディンプル加工によって凹凸を
設けておく。なお、ディンプル加工は先に説明したデプ
レス加工と同時に行ってもよく、また凹凸はリード部3
1の表面にも形成しておいてもよい。
パッド部32の表面には、図2(a)、(b)に示すよ
うなブラスト処理またはディンプル加工によって凹凸を
設けておく。なお、ディンプル加工は先に説明したデプ
レス加工と同時に行ってもよく、また凹凸はリード部3
1の表面にも形成しておいてもよい。
【0022】次に、図3(b)に示すように、所定の上
型81、下型82を用いたモールド処理を行い、樹脂パ
ッケージ2(図1参照)を形成する。すなわち、上型8
1と下型82との間にリードフレーム3を挟持し、上型
81と下型82との間に形成されるキャビティ内に所定
の樹脂を充填する。モールド処理としてトランスファー
モールドを用いる場合には樹脂としてエポキシ樹脂を使
用し、射出成形を用いる場合には樹脂としてエポキシ樹
脂や液晶ポリマー樹脂、PPS(ポリフェニレンサルフ
ァイド)樹脂、その他の複合樹脂を使用する。
型81、下型82を用いたモールド処理を行い、樹脂パ
ッケージ2(図1参照)を形成する。すなわち、上型8
1と下型82との間にリードフレーム3を挟持し、上型
81と下型82との間に形成されるキャビティ内に所定
の樹脂を充填する。モールド処理としてトランスファー
モールドを用いる場合には樹脂としてエポキシ樹脂を使
用し、射出成形を用いる場合には樹脂としてエポキシ樹
脂や液晶ポリマー樹脂、PPS(ポリフェニレンサルフ
ァイド)樹脂、その他の複合樹脂を使用する。
【0023】また、リードフレーム3のパッド部32と
上型81との間には薄膜用キャビティ80が設けられて
おり、樹脂を充填する際にこの薄膜用キャビティ80内
にも樹脂が充填されることになる。さらに、下型82に
は放熱孔用凸部83が設けられており、この部分には樹
脂が充填されないようになっている。
上型81との間には薄膜用キャビティ80が設けられて
おり、樹脂を充填する際にこの薄膜用キャビティ80内
にも樹脂が充填されることになる。さらに、下型82に
は放熱孔用凸部83が設けられており、この部分には樹
脂が充填されないようになっている。
【0024】モールド処理を行った後は、所定の水圧に
よって樹脂ばりの除去を行い、さらにリードフレーム3
のタイバー(図示せず)をプレス打ち抜きによって除去
する。その後は、リードフレーム3のリード部31に所
定のめっき処理(例えば、ニッケルを5〜10μm厚、
金を0.5μm厚以上)を施し、ステイカットおよびア
ウターリード部分の折り曲げを行って図3(c)に示す
ような樹脂パッケージ2を形成する。
よって樹脂ばりの除去を行い、さらにリードフレーム3
のタイバー(図示せず)をプレス打ち抜きによって除去
する。その後は、リードフレーム3のリード部31に所
定のめっき処理(例えば、ニッケルを5〜10μm厚、
金を0.5μm厚以上)を施し、ステイカットおよびア
ウターリード部分の折り曲げを行って図3(c)に示す
ような樹脂パッケージ2を形成する。
【0025】この樹脂パッケージ2には、パッド部32
の上方に樹脂薄膜6が形成されているとともに、パッド
部32から基台部21の外周に向けて放熱孔7が形成さ
れる状態となる。なお、この放熱孔7の開口部形状とし
ては、丸型や十字型等、放熱効果を考慮した種々のもの
が適用可能である。
の上方に樹脂薄膜6が形成されているとともに、パッド
部32から基台部21の外周に向けて放熱孔7が形成さ
れる状態となる。なお、この放熱孔7の開口部形状とし
ては、丸型や十字型等、放熱効果を考慮した種々のもの
が適用可能である。
【0026】次に、図4(a)に示すように、樹脂パッ
ケージ2の樹脂薄膜6上にチップ状の半導体素子10を
ダイボンドし、ボンディングワイヤー4によって半導体
素子10とリード部31とを配線する。ダイボンドは、
例えば熱硬化型樹脂から成るペースト剤を使用して15
0℃1時間程度の加熱によって硬化させる。また、ボン
ディングワイヤー4は25μmφの金線を使用してコラ
ム温度150℃でワイヤーボンディングを行う。
ケージ2の樹脂薄膜6上にチップ状の半導体素子10を
ダイボンドし、ボンディングワイヤー4によって半導体
素子10とリード部31とを配線する。ダイボンドは、
例えば熱硬化型樹脂から成るペースト剤を使用して15
0℃1時間程度の加熱によって硬化させる。また、ボン
ディングワイヤー4は25μmφの金線を使用してコラ
ム温度150℃でワイヤーボンディングを行う。
【0027】そして、図4(b)に示すように、樹脂パ
ッケージ2の枠部22上にガラスシール5を搭載して半
導体素子10およびボンディングワイヤー4を中空内に
封止する。ガラスシール5を搭載するにあたり、エポキ
シ樹脂系Aステージシーラーを用いる場合には、例えば
110℃2分+150℃10分の加熱によって硬化を行
う。またエポキシ樹脂系Bステージシーラーを用いる場
合には、例えば110℃1時間+130℃2時間の加熱
によって硬化を行う。また、ガラスシール5としては、
例えばほうけい酸ガラスを使用する。
ッケージ2の枠部22上にガラスシール5を搭載して半
導体素子10およびボンディングワイヤー4を中空内に
封止する。ガラスシール5を搭載するにあたり、エポキ
シ樹脂系Aステージシーラーを用いる場合には、例えば
110℃2分+150℃10分の加熱によって硬化を行
う。またエポキシ樹脂系Bステージシーラーを用いる場
合には、例えば110℃1時間+130℃2時間の加熱
によって硬化を行う。また、ガラスシール5としては、
例えばほうけい酸ガラスを使用する。
【0028】なお、ガラスシール5を用いる代わりに、
図1(b)に示すような透光性樹脂51を用いる場合に
は、枠部22の内側に例えば熱硬化型または紫外線照射
硬化型のシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、およびエ
ポキシ系樹脂から成る透光性樹脂51をポッティングし
て所定の処理(加熱または紫外線照射)によって硬化さ
せる。これにより、図1(a)または(b)に示す本実
施形態の半導体装置1が完成する。
図1(b)に示すような透光性樹脂51を用いる場合に
は、枠部22の内側に例えば熱硬化型または紫外線照射
硬化型のシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、およびエ
ポキシ系樹脂から成る透光性樹脂51をポッティングし
て所定の処理(加熱または紫外線照射)によって硬化さ
せる。これにより、図1(a)または(b)に示す本実
施形態の半導体装置1が完成する。
【0029】次に、本発明の半導体装置における他の実
施形態を説明する。図5および図6は他の実施形態を説
明する模式断面図である。すなわち、図5(a)に示す
半導体装置1は、チップ状の半導体素子10がパッド部
32の一方の面に直接搭載されているとともに、このパ
ッド部32の他方の面から基台部21の外周まで放熱孔
7が設けられているものである。
施形態を説明する。図5および図6は他の実施形態を説
明する模式断面図である。すなわち、図5(a)に示す
半導体装置1は、チップ状の半導体素子10がパッド部
32の一方の面に直接搭載されているとともに、このパ
ッド部32の他方の面から基台部21の外周まで放熱孔
7が設けられているものである。
【0030】このような半導体装置1では、半導体素子
10から発生した熱を直接パッド部32に伝え、さらに
パッド部32から放熱孔7を介して外部へ効率良く逃が
すことが可能となる。さらに、半導体素子10がパッド
部32と直接接触していることから、パッド部32を利
用して電気的な接地を行うようにすれば、電磁的なシー
ルド効果を発揮できるようになる。
10から発生した熱を直接パッド部32に伝え、さらに
パッド部32から放熱孔7を介して外部へ効率良く逃が
すことが可能となる。さらに、半導体素子10がパッド
部32と直接接触していることから、パッド部32を利
用して電気的な接地を行うようにすれば、電磁的なシー
ルド効果を発揮できるようになる。
【0031】また、図5(b)に示す半導体装置1は、
半導体素子10がパッド部32に直接搭載され、パッド
部32から基台部21の外周へ放熱孔7が設けられてい
る点で図5(a)に示す半導体装置1と同様であるが、
パッド部32の周縁部分が基台部21内に埋め込まれる
ように押え片21aによって押さえられている点で相違
する。このような押え片21aにより、パッド部32と
基台部21との機械的な接続力が増す状態となる。さら
にこの半導体装置1では、図5(a)に示す半導体装置
1と同様な放熱効果およびシールド効果を得ることもで
きる。
半導体素子10がパッド部32に直接搭載され、パッド
部32から基台部21の外周へ放熱孔7が設けられてい
る点で図5(a)に示す半導体装置1と同様であるが、
パッド部32の周縁部分が基台部21内に埋め込まれる
ように押え片21aによって押さえられている点で相違
する。このような押え片21aにより、パッド部32と
基台部21との機械的な接続力が増す状態となる。さら
にこの半導体装置1では、図5(a)に示す半導体装置
1と同様な放熱効果およびシールド効果を得ることもで
きる。
【0032】図6(a)に示す半導体装置1は、パッド
部32から基台部21に設けられた放熱孔7の開口を広
くしたものである。これによって、パッド部32の多く
を空気に露出させることができ半導体素子10に対する
放熱効果向上と、基台部21にかかる樹脂材料の減量を
図ることが可能となる。
部32から基台部21に設けられた放熱孔7の開口を広
くしたものである。これによって、パッド部32の多く
を空気に露出させることができ半導体素子10に対する
放熱効果向上と、基台部21にかかる樹脂材料の減量を
図ることが可能となる。
【0033】また、図6(b)に示す半導体装置1は、
半導体素子10をパッド部32に直接搭載するととも
に、パッド部32から基台部21の外周に放熱孔7を設
け、さらにこの放熱孔7から基台部21の外周に沿って
広がる放熱部材9を取り付けた点に特徴がある。
半導体素子10をパッド部32に直接搭載するととも
に、パッド部32から基台部21の外周に放熱孔7を設
け、さらにこの放熱孔7から基台部21の外周に沿って
広がる放熱部材9を取り付けた点に特徴がある。
【0034】これにより、半導体素子10から発生した
熱は放熱孔7から放熱部材9を介して効率良く外部へ放
散する状態となる。また、この放熱部材9の内部にヒー
トパイプ(図示せず)を埋め込んでさらに放熱効果を高
めてもよく、また放熱部材9を接地することで電磁的な
シールド効果を得るようにしてもよい。
熱は放熱孔7から放熱部材9を介して効率良く外部へ放
散する状態となる。また、この放熱部材9の内部にヒー
トパイプ(図示せず)を埋め込んでさらに放熱効果を高
めてもよく、また放熱部材9を接地することで電磁的な
シールド効果を得るようにしてもよい。
【0035】なお、図5および図6に示すいずれの半導
体装置1においても、枠部22にガラスシール5を搭載
するタイプで説明を行ったが、ガラスシール5の代わり
に枠部22内に図1(b)に示す透光性樹脂51をポッ
ティングするタイプであっても同様である。また、いず
れの他の実施形態でも、パッド部32に図2に示すよう
な凹凸処理が施されていれば、さらに放熱効果および耐
湿性を向上させることが可能となる。特に、透光性樹脂
封止タイプの場合には、外部からの水分浸入による耐湿
性劣化の問題がないためさらに有利である。
体装置1においても、枠部22にガラスシール5を搭載
するタイプで説明を行ったが、ガラスシール5の代わり
に枠部22内に図1(b)に示す透光性樹脂51をポッ
ティングするタイプであっても同様である。また、いず
れの他の実施形態でも、パッド部32に図2に示すよう
な凹凸処理が施されていれば、さらに放熱効果および耐
湿性を向上させることが可能となる。特に、透光性樹脂
封止タイプの場合には、外部からの水分浸入による耐湿
性劣化の問題がないためさらに有利である。
【0036】また、上記の実施形態においては、CCD
エリアセンサーやCCDリニアセンサーから成る光学的
な半導体装置1を例として説明したが、LSI等の集積
回路から成る半導体装置1であっても同様である。さら
に、上記実施形態において示した具体的な数値や材質は
一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
エリアセンサーやCCDリニアセンサーから成る光学的
な半導体装置1を例として説明したが、LSI等の集積
回路から成る半導体装置1であっても同様である。さら
に、上記実施形態において示した具体的な数値や材質は
一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば次のような効果がある。すなわち、放熱孔に
よってリードフレームのパッド部の一部を空気に露出さ
せているので、樹脂パッケージを用いても半導体素子か
ら発生する熱を効率良く外部へ放散させることが可能と
なる。これによって、半導体素子の温度上昇による特性
劣化を防止することができるようになる。
置によれば次のような効果がある。すなわち、放熱孔に
よってリードフレームのパッド部の一部を空気に露出さ
せているので、樹脂パッケージを用いても半導体素子か
ら発生する熱を効率良く外部へ放散させることが可能と
なる。これによって、半導体素子の温度上昇による特性
劣化を防止することができるようになる。
【0038】また、樹脂パッケージの外部から浸入して
きた水分がパッド部の周囲に集まって半導体素子が収納
されている内部まで浸透しないため、耐湿性が向上する
ことになる。さらに、少なくともパッド部の裏面に凹凸
処理が施されていることで、基台部との密着性が向上し
て機械的強度を増加できるようになる。また、この凹凸
によって水分の経路が増して耐湿性をさらに向上させる
ことが可能となる。
きた水分がパッド部の周囲に集まって半導体素子が収納
されている内部まで浸透しないため、耐湿性が向上する
ことになる。さらに、少なくともパッド部の裏面に凹凸
処理が施されていることで、基台部との密着性が向上し
て機械的強度を増加できるようになる。また、この凹凸
によって水分の経路が増して耐湿性をさらに向上させる
ことが可能となる。
【図1】本発明の半導体装置における実施形態を説明す
る模式断面図である。
る模式断面図である。
【図2】パッド部の凹凸について説明する模式断面図
で、(a)はブラスト処理、(b)はディンプル加工の
例を示している。
で、(a)はブラスト処理、(b)はディンプル加工の
例を示している。
【図3】半導体装置の製造方法を順に説明する模式断面
図(その1)である。
図(その1)である。
【図4】半導体装置の製造方法を順に説明する模式断面
図(その2)である。
図(その2)である。
【図5】本発明の他の実施形態を説明する模式断面図
(その1)である。
(その1)である。
【図6】本発明の他の実施形態を説明する模式断面図
(その2)である。
(その2)である。
1 半導体装置 2 樹脂パッケージ 3 リードフレーム 4 ボンディングワイヤー 5 ガラスシール 6 樹脂薄膜 7 放熱孔 10 半導体素子 21 基台部 22 枠部 31 リード部 32 パッド部 51 透光性樹脂
Claims (10)
- 【請求項1】 略中央に半導体素子を搭載する基台部と
該基台部の周辺に設けられる枠部とから成る樹脂パッケ
ージと、 前記基台部と枠部との間で挟持され前記半導体素子との
電気的導通を得るためのリード部および該半導体素子を
搭載するための基準となるパッド部から成るリードフレ
ームとを備えている半導体装置であって、 前記パッド部と前記半導体素子との間には前記基台部を
構成する樹脂の薄膜が設けられているとともに、該パッ
ド部から該基台部の外周まで放熱孔が設けられているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記パッド部には、前記放熱孔から前記
基台部の外周に沿って広がる放熱部材が接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項1記載の半
導体装置。 - 【請求項4】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項2記載の半
導体装置。 - 【請求項5】 略中央に半導体素子を搭載する基台部と
該基台部の周辺に設けられる枠部とから成る樹脂パッケ
ージと、 前記基台部と枠部との間で挟持され前記半導体素子との
電気的導通を得るためのリード部および該半導体素子を
搭載するための基準となるパッド部から成るリードフレ
ームとを備えている半導体装置であって、 前記パッド部の一方の面には前記半導体素子が直接搭載
されているとともに、該パッド部の他方の面から前記基
台部の外周まで放熱孔が設けられていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項6】 前記パッド部の周縁部分が前記基台部内
に埋め込まれていることを特徴とする請求項5記載の半
導体装置。 - 【請求項7】 前記パッド部には、前記放熱孔から前記
基台部の外周に沿って広がる放熱部材が接続されている
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 【請求項8】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項5記載の半
導体装置。 - 【請求項9】 少なくとも前記パッド部の表面には凹凸
処理が施されていることを特徴とする請求項6記載の半
導体装置。 - 【請求項10】 少なくとも前記パッド部の表面には凹
凸処理が施されていることを特徴とする請求項7記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7265449A JPH09107054A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7265449A JPH09107054A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09107054A true JPH09107054A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17417320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7265449A Pending JPH09107054A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09107054A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026166A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nisshin Kasei:Kk | プラスチックパッケージおよびその製造方法 |
JP2002533926A (ja) * | 1998-12-21 | 2002-10-08 | インテル・コーポレーション | 埋込みフレームを有する窓付き非セラミック・パッケージ |
JP2007158217A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP2007158216A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP2007228008A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器、収容器、および収容器の製造方法 |
JP2009049362A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Hon Hai Precision Industry Co Ltd | イメージセンサー |
JP2014072830A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP7265449A patent/JPH09107054A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002533926A (ja) * | 1998-12-21 | 2002-10-08 | インテル・コーポレーション | 埋込みフレームを有する窓付き非セラミック・パッケージ |
JP2002026166A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nisshin Kasei:Kk | プラスチックパッケージおよびその製造方法 |
JP4493170B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2010-06-30 | 株式会社日新化成 | プラスチックパッケージの製造方法 |
JP2007158217A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP2007158216A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
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JP2009049362A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Hon Hai Precision Industry Co Ltd | イメージセンサー |
JP4705125B2 (ja) * | 2007-08-14 | 2011-06-22 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | イメージセンサー |
JP2014072830A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
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