JP4705125B2 - イメージセンサー - Google Patents

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Description

本発明は、イメージセンサーに関するものであり、特に放熱装置を有するイメージセンサーに関するものである。
一般的にイメージセンサーは光信号を受信することに用いられ、光信号を受信してから、イメージセンサーチップによって光信号を電気信号に変換し、基板によって回路基板に伝送する。
図1は、従来のイメージセンサーの断面図である。イメージセンサーは、基板10と、側壁11と、イメージセンサーチップ12と、複数の導線13及び透光層14を備える。前記基板10に、信号入力端101を形成する第一表面102及び信号出力端103を形成する第二表面104が設けられる。前記側壁11に、対向配置する上表面111と下表面112が設けられる。前記上表面111は、前記透光層14に固定接続し、前記下表面112は、前記第一表面102に固定接続する。前記イメージセンサーチップ12は、粘着剤15によって前記基板10と前記側壁11から形成された収容空間内に設置され、且つ前記基板10の第一表面102の上に固定される。複数の導線13は、前記イメージセンサーチップ12の溶接パッド121及び前記基板10の信号入力端101に電気接続する。前記透光層14は、粘着剤15によって前記側壁11の上表面111に設置される。
前記イメージセンサーのイメージセンサーチップ12が前記基板10の上に設置されるため、入射光が前記イメージセンサーチップ12の上に照射する時に生じる熱量及び前記イメージセンサーチップ12が運行する時に生じる熱量を適時に放熱することができなくなり、従ってイメージセンサーの温度が予定使用温度の範囲を上回り、さらに前記イメージセンサーの寿命及び影像の品質を下げる。
本発明の目的は、前記課題を解決し、放熱装置を有するイメージセンサーを提供することである。
前記目的を達成するため、本発明に係るイメージセンサーは、基板及び前記基板に連接するイメージセンサーチップを備える。前記基板の上に収容孔が設置され、前記イメージセンサーチップは、前記収容孔を覆う。前記イメージセンサーは、前記基板の収容孔の中に収容され、且つ前記イメージセンサーチップと接触するヒート・シンクを更に備える。
本発明のイメージセンサーは、ヒート・シンクを利用するため、入射光が前記イメージセンサーチップの上に照射する時に生じる熱量及び前記イメージセンサーチップが運行する時に生じる熱量を適時に放熱することができ、従ってイメージセンサーの温度が予定使用温度の範囲に戻り、さらに前記イメージセンサーの寿命及び影像の品質を上げる。
以下、添付図面を参照しながら本発明を詳しく説明する。
図2及び図3は、本発明の実施形態に係るイメージセンサーの構造を示す図である。イメージセンサー200は、収容孔201を有する基板20と、前記基板20の上に設置され、且つ前記収容孔201を覆うイメージセンサーチップ21と、前記収容孔201の中に収容されるヒート・シンク22と、前記基板20の上に設置され、且つ前記イメージセンサーチップ21と同じ側に設置される側壁23と、前記側壁23を覆い、且つ前記基板20と対向する透光層24と、前記ヒート・シンク22と前記イメージセンサーチップ21との間に設置される熱伝導コネクター26と、を備える。
前記基板は、対向配置される第一表面202及び第二表面203を有する回路基板であることができ、且つ回路パターン(図示せず)が形成される二層又複数層の印刷回路基板又はセラミック回路基板である。前記基板の収容孔201は、通孔であって、好ましくは前記基板20の中央に設置される。前記収容孔201の面積は、前記イメージセンサーチップ21の面積より小さい。前記収容孔201は、四角形、円形又は他の形状であることができ、本実施形態において、前記収容孔201の形状は、四角形である。前記第一表面202の上に複数の内部接点204が設置されており、これらの内部接点204は、好ましくは前記収容孔201を囲む前記第一表面202の周辺に設置される。前記第二表面203の上に複数の外部接点205が設置される。
前記イメージセンサーチップ21は、感知表面211及び前記感知表面211に対応する背面212を有する集積回路チップであって、撮像された影像(図示せず)の情報を感知することに用いられる。前記感知表面211の周辺に複数の溶接パッド213が設置されており、且つ前記溶接パッド213の数量は、前記基板20の内部接点204の数量に相当する。前記イメージセンサーチップ21は、粘着剤(図示せず)によって前記基板20の第一表面202に固定され、且つ前記収容孔201を覆うように前記収容孔201の上に設置され、前記イメージセンサーチップ21と前記収容孔201が同じな中心軸を持つことが好ましい。前記溶接パッド213と前記内部接点204を導線25によって電気接続することにより、前記イメージセンサーチップ21が獲得した影像情報を前記基板20に伝送させ、最終的に前記外部接点205によって回路基板(図示せず)に伝送する。
前記ヒート・シンク22は、銅シートであることができ、前記収容孔201の中に収容され、且つ前記イメージセンサーチップ21と接触する。前記ヒート・シンク22の形状は、前記収容孔201の形状と同じでもよく又は異なってもよく、前記ヒート・シンク22を前記収容孔201の中に収容することができればよい。しかし、前記ヒート・シンク22の面積を最大化するために、本実施形態において、前記ヒート・シンク22の形状と前記収容孔201の形状は、同じである。前記ヒート・シンク22の材質は、銅又はアルミニウムであってもよい。本実施形態において、前記ヒート・シンク22の材質は、銅である。
前記熱伝導コネクター26は、シリコンパッド又は放熱パッドであることができる。本実施形態において、前記熱伝導コネクター26は、放熱パッドである。前記ヒート・シンク22は、前記熱伝導コネクター26によって前記イメージセンサーチップ21に接続し、前記ヒート・シンク22と前記イメージセンサーチップ21の位置を固定する。
前記側壁23は、周辺が密封し、且つ蓋も底面もない枠形状の素子であって、其の高さは、前記イメージセンサーチップ21の厚さより高く、且つ前記側壁23に囲まれる領域は、前記イメージセンサーチップ21を収容することができる。前記側壁23の枠形状と前記基板20の形状は、同じであって、即ち前記基板20が円形ならば、前記側壁23に囲まれる領域の形状も円形であって、本実施形態において、前記基板20が四角形であるため、前記側壁23に囲まれる領域の形状も四角形である。前記側壁23に囲まれる領域の面積は、前記基板20の面積に相当する。前記側壁23は、粘着剤(図示せず)によって前記基板20の第一表面202に固定されることができる。勿論、前記側壁23と前記基板20を一体成型することができる。
前記透光層24は、ガラス、透明プラスチック又はレンズであってもよい。前記透光層24は、前記基板20及び前記側壁23と一緒に前記イメージセンサーチップ21を密封することに用いられ、前記イメージセンサーチップ21が埃などによって汚染されることを免れる。
図4及び図5は、本発明の第二実施形態に係るイメージセンサーの構造を示す図である。イメージセンサー300は、収容孔301を有する基板30と、前記基板20の上に設置され、且つ前記収容孔301を覆うイメージセンサーチップ31と、前記収容孔301の中に収容されるヒート・シンク32と、前記基板30の上に設置され、且つ前記イメージセンサーチップ31と同じ側に設置される側壁33と、前記側壁33を覆い、且つ前記基板30と対向配置する透光層34と、前記ヒート・シンク32と前記イメージセンサーチップ31との間に設置される熱伝導コネクター36と、を備える。
前記第二実施形態に係るイメージセンサー300は、前記第一実施形態に係るイメージセンサー200と異なって、前記イメージセンサー300は、少なくとも一つの前記ヒート・シンク32と連接する伝導部37を更に備え、前記ヒート・シンク32の放熱を助ける。前記伝導部37は、一つでもよく、二つでもよく、甚だ複数でもよい。本実施形態において、前記イメージセンサー300は、二つの伝導部37を備える。
前記二つの伝導部37と前記ヒート・シンク32は、“几”字のような形状を形成する。すなわち、前記二つの伝導部37と前記ヒート・シンク32は、前記ヒート・シンク32の部分が突出するように、上面及び底面において凸状に形成されている。前記ヒート・シンク32は、前記基板30の収容孔301の中に収容され、前記イメージセンサーチップ31と接触する。前記ヒート・シンク32は、前記イメージセンサーチップ31の熱量を伝導し且つ放熱することに用いられる。前記伝導部37は、前記ヒート・シンク32の辺縁から伸び出し、且つ前記ヒート・シンク32と一体成型することができ、又は溶接する方法で前記ヒート・シンク32と連接することができる。本実施形態において、前記伝導部37は、前記ヒート・シンク32と一体成型されて、前記ヒート・シンク32の放熱面積を拡大することに用いられ、従って放熱速度を高めることができる。本実施形態において、前記イメージセンサー300の体積を縮小するため、前記伝導部37は、前記イメージセンサーチップ31と対向する前記基板30の背面に緊密に貼って設置される。勿論、前記伝導部37と前記基板30との間に隙間が有ってもよく、放熱効果を高めることができる。
本実施形態において、前記伝導部37の固定程度を強化するために、前記伝導部37の上にピン371を設置する。前記ピン371と対応するように前記基板30の上にピン・ホール306を設置する。前記ピン371が前記ピン・ホール306を貫くことにより、前記伝導部37を前記基板30に固定する。前記ピン371を設置するとともに、前記ピン371が前記基板30を貫く部分に半田372を溶接することが好ましい。
本発明の実施形態に係るイメージセンサーは、ヒート・シンクを利用するため、入射光が前記イメージセンサーチップの上に照射する時に生じる熱量及び前記イメージセンサーチップが運行する時に生じる熱量は、前記ヒート・シンクによって適時に放熱することができ、従ってイメージセンサーの温度が予定使用温度の範囲に戻り、さらに前記イメージセンサーの寿命及び影像の品質を上げる。
従来のイメージセンサーの断面図である。 本発明の第一実施形態に係るイメージセンサーの構造を示す分解図である。 図2に示すイメージセンサーの断面図である。 本発明の第二実施形態に係るイメージセンサーの構造を示す分解図である。 図4に示すイメージセンサーの断面図である。
符号の説明
10、20、30 基板
11、23、33 側壁
12、21、31 イメージセンサーチップ
13、25 導線
14、24、34 透光層
15 粘着剤
22、32 ヒート・シンク
26、36 熱伝導コネクター
37 伝導部
101 信号入力端
102、202 第一表面
103 信号出力端
104、203 第二表面
111 上表面
112 下表面
121、213 溶接パッド
200、300 イメージセンサー
201、301 収容孔
204 内部接点
205 外部接点
211 感知表面
212 背面
306 ピン・ホール
371 ピン
372 半田

Claims (7)

  1. 基板及び前記基板に連接するイメージセンサーチップを備えるイメージセンサーであって、前記基板の上に収容孔を設置し、且つ前記イメージセンサーチップが前記収容孔を覆い、前記イメージセンサーは、ヒート・シンクを更に備え、前記ヒート・シンクは、前記基板の収容孔の中に収容され、且つ前記イメージセンサーチップと接触し、
    前記イメージセンサーチップと前記ヒート・シンクとの間に設置され、前記イメージセンサーチップと前記ヒート・シンクの位置を固定することに用いられる熱伝導コネクターを更に備え、
    前記熱伝導コネクターは、シリコンパッド又は放熱パッドであり、
    前記ヒート・シンクに連接し、前記ヒート・シンクの側部に設置し、且つ前記イメージセンサーチップに対向する前記基板の他の側に位置し、前記ヒート・シンクの放熱を助ける少なくとも一つの伝導部を更に備え、
    前記伝導部の上に少なくとも一つのピンを設置し、前記ピンは、前記基板を貫いて前記伝導部を固定することを特徴とするイメージセンサー。
  2. 前記ヒート・シンクと前記伝導部は、一体成型されていることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
  3. 前記ピンが前記基板を貫く部分に半田を溶接することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
  4. 前記ヒート・シンクの材料は、銅又はアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載のイメージセンサー。
  5. 前記基板に対して、前記イメージセンサーチップと同じ側に設置される側壁を更に備えることを特徴とする請求項1記載のイメージセンサー。
  6. 前記側壁を覆い、且つ前記基板と対向する透光層を更に備えることを特徴とする請求項記載のイメージセンサー。
  7. 前記基板は、印刷回路基板又はセラミック回路基板であることを特徴とする請求項1記載のイメージセンサー。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101465344B (zh) * 2007-12-18 2011-02-02 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像模组封装结构
JP2009188720A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
TW200951616A (en) * 2008-06-05 2009-12-16 Asia Optical Co Inc Image sensing module
JP2010093746A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Sony Corp 固体撮像素子及び信号処理システム
JP4560121B2 (ja) * 2008-12-17 2010-10-13 株式会社東芝 センサー固定装置およびカメラモジュール
JP5197436B2 (ja) * 2009-02-26 2013-05-15 株式会社東芝 センサーチップ及びその製造方法。
JP5225171B2 (ja) * 2009-03-27 2013-07-03 キヤノン株式会社 撮像装置
CN102006401B (zh) * 2009-08-28 2012-07-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像获取装置
TWI434803B (zh) 2010-06-30 2014-04-21 Ind Tech Res Inst 微機電元件與電路晶片之整合裝置及其製造方法
CN102336389B (zh) * 2010-07-22 2014-05-28 财团法人工业技术研究院 微机电元件与电路芯片的整合装置及其制造方法
TWI508545B (zh) * 2010-08-13 2015-11-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 影像感測模組及相機模組
TWI500127B (zh) * 2011-07-26 2015-09-11 Lite On Electronics Guangzhou 薄型化主動感測模組及其製作方法
CN102903722A (zh) * 2011-07-26 2013-01-30 旭丽电子(广州)有限公司 薄型化有源检测模块及其制作方法
JP5871534B2 (ja) * 2011-09-22 2016-03-01 キヤノン株式会社 撮像装置
WO2013052676A1 (en) * 2011-10-07 2013-04-11 Analog Devices, Inc. Systems and methods for air release in cavity packages
JP6034590B2 (ja) 2012-04-27 2016-11-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
WO2015045110A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 株式会社日立国際電気 撮像素子ユニット及び撮像装置
CN104954634B (zh) * 2014-03-25 2019-01-29 宁波舜宇光电信息有限公司 一种摄像模组及其制造方法
CN105283031A (zh) * 2014-07-11 2016-01-27 台达电子工业股份有限公司 散热模块及其结合方法
US9728510B2 (en) 2015-04-10 2017-08-08 Analog Devices, Inc. Cavity package with composite substrate
DE102016208547A1 (de) * 2016-05-18 2017-11-23 Robert Bosch Gmbh Kameramodul für ein Fahrzeug
KR102605618B1 (ko) 2016-11-14 2023-11-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지
EP3940766A4 (en) * 2019-03-13 2022-07-27 Sony Semiconductor Solutions Corporation SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107054A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Sony Corp 半導体装置
JP2000252399A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Fujitsu Denso Ltd ヒートシンクのはんだ付け構造
JP2004111645A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Nec Corp Qfp構造を有するicの実装構造及びその実装方法、実装に用いる組立て治具
JP2005260111A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Mitsubishi Electric Corp イメージセンサの製造方法、イメージセンサ、及びパッケージ
JP2006287123A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02260658A (ja) 1989-03-31 1990-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像部品
JPH06252285A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Fuji Xerox Co Ltd 回路基板
JP3310404B2 (ja) * 1993-07-23 2002-08-05 浜松ホトニクス株式会社 冷却型固体撮像装置
US6144031A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Inframetrics Inc. Infrared video camera system with uncooled focal plane array and radiation shield
US6483101B1 (en) 1999-12-08 2002-11-19 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package having lens holder
US7436435B2 (en) * 2001-10-01 2008-10-14 Minolta Co., Ltd. Image taking device having image-blur compensator
US20040169771A1 (en) * 2003-01-02 2004-09-02 Washington Richard G Thermally cooled imaging apparatus
US20060018644A1 (en) * 2004-07-21 2006-01-26 Stavely Donald J Apparatus and method for heat sinking a sensor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107054A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Sony Corp 半導体装置
JP2000252399A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Fujitsu Denso Ltd ヒートシンクのはんだ付け構造
JP2004111645A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Nec Corp Qfp構造を有するicの実装構造及びその実装方法、実装に用いる組立て治具
JP2005260111A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Mitsubishi Electric Corp イメージセンサの製造方法、イメージセンサ、及びパッケージ
JP2006287123A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置

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