JP2004200631A - 光センサパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】光センサパッケージ構造の提供。
【解決手段】上表面と下表面を具え、上表面に複数の信号入力端が設けられ、下表面に複数の信号出力端が設けられた基板と、上端面と下端面を具え、該下端面が該基板の上表面に設置されて基板と収容室を形成し、該上端面に凹溝が設けられた凸縁層と、上面に複数のボンディングパッドが形成され、基板の上表面の上に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、該ホトセンシングチップのボンディングパッドを該基板の信号入力端に電気的に連接させる複数の導線と、該凸縁層の上表面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、該凸縁層の上表面上に位置し、該接着剤層により該凸縁層と結合固定される透光層と、を具えている。
【選択図】 図３
【解決手段】上表面と下表面を具え、上表面に複数の信号入力端が設けられ、下表面に複数の信号出力端が設けられた基板と、上端面と下端面を具え、該下端面が該基板の上表面に設置されて基板と収容室を形成し、該上端面に凹溝が設けられた凸縁層と、上面に複数のボンディングパッドが形成され、基板の上表面の上に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、該ホトセンシングチップのボンディングパッドを該基板の信号入力端に電気的に連接させる複数の導線と、該凸縁層の上表面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、該凸縁層の上表面上に位置し、該接着剤層により該凸縁層と結合固定される透光層と、を具えている。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の光センサパッケージ構造に係り、特に、透光層が強固に凸縁層の上に固着されて、その製造上、便利で製品の歩留りを有効に向上できるイメージセンサの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は周知のイメージセンサパッケージ構造の表示図であり、それは、基板１０を具え、該基板１０に第１表面１２及び第２表面１４があり、第１表面１２に信号入力端１５が形成され、第２表面１４に信号出力端１６が形成されている。凸縁層１８は上表面２０と下表面２２を具え、該下表面２２が基板１０の第１表面１２の上に接着されて、基板１０と収容室２４を形成している。ホトセンシングチップ２６は基板１０と凸縁層１８の形成する収容室２４内に設けられ、並びに基板１０の第１表面１２上に固定される。複数の導線２８は、第１端点３０と第２端点３２を具え、第１端点３０は電気的にホトセンシングチップ２６に連接され、第２端点３２は電気的に基板１０の信号入力端１５に連接されている。透光層３４は凸縁層１８の上表面２０に接着される。
【０００３】
透光層３４が凸縁層１８に接着される時、収容室２４は封鎖空間とされ、収容室２４内部の空気の透光層３４の方向に向けての反作用施力により、透光層３４の接着力が低下し、透光層３４が剥離しやすくなったり、結合が密接でなくなり、外界の空気或いは不純物が収容室２４内に進入しやすくなり、光センサの品質に影響が生じた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このことから、本発明は、光センサパッケージ構造を改良し、製造に便利で生産歩留りを高められるようにするものである。
【０００５】
本発明の主要な目的は、製造に便利で、生産コストを減らせる光センサパッケージ構造を提供することにある。
【０００６】
本発明のもう一つの目的は、透光層を強固、密接に凸縁層の上に接着でき、製品歩留りを高めることのできる光センサパッケージ構造を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、光センサパッケージ構造において、
上表面と下表面を具え、該上表面に複数の信号入力端が設けられ、該下表面に複数の信号出力端が設けられた基板と、
上端面と下端面を具え、該下端面が該基板の上表面に設置されて基板と収容室を形成し、該上端面に凹溝が設けられた、凸縁層と、
感光領域と該感光領域の周辺に形成された複数のボンディングパッドを具え、基板の上表面に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、
第１端点と第２端点を具え、該第１端点が該ホトセンシングチップのボンディングパッドに電気的に連接され、該第２端点が該基板の信号入力端に電気的に連接された複数の導線と、
該凸縁層の上端面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、
該凸縁層の上端面上に位置し、該接着剤層により該凸縁層と結合固定された透光層と、
を具えたことを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
請求項２の発明は、請求項１に記載の光センサパッケージ構造において、凸縁層と基板が一体射出成形されたことを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
請求項３の発明は、請求項２に記載の光センサパッケージ構造において、基板に複数の金属片が設けられ、射出成形方式で凸縁層が形成されたことを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
請求項４の発明は、請求項３に記載の光センサパッケージ構造において、複数の金属片が基板の上表面より露出して信号入力端を形成し、複数の基板が基板の下表面より露出して信号出力端を形成することを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は一種の光センサパッケージ構造を提供し、それは、複数の信号入力端を具えた上表面と複数の信号出力端を具えた下表面とを具えた基板と、上端面と下端面を具え、下端面が該基板の上表面に設置されて該基板と収容室を形成すると共に、該上端面に凹溝が設けられた凸縁層と、上表面に複数のボンディングパッドが形成されて基板の上表面に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、該ホトセンシングチップのボンディングパッドを基板の信号入力端に電気的に連接させる複数の導線と、該凸縁層の上表面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、該凸縁層の上表面上に位置して該接着剤層により該凸縁層と結合固定される透光層と、を具えている。
【０００９】
これにより、該接着剤層が凸縁層の上表面及び凹溝内に塗布される時に、透光層と該凸縁層の接合面が増加されることによりその結合が強固とされる。
【００１０】
【実施例】
図２、３は本発明の分解断面図及び組合せ断面図である。図示されるように、本発明は、基板４０、凸縁層４２、ホトセンシングチップ４４、複数の導線４６、接着剤層４８及び透光層５０を具えている。
【００１１】
基板４０は上表面５２と下表面５４を具え、上表面５２に複数の信号入力端５６が形成され、下表面５４にプリント基板６０との電気的連接に供される複数の信号出力端５８が形成されている。
【００１２】
凸縁層４２は上端面６２と下端面６４を具え、該下端面６４が基板４０の上表面５２に設置されて、基板４０と収容室６６を形成し、上端面６２に凹溝６８が設けられている。
【００１３】
ホトセンシングチップ４４は感光領域７０と感光領域７０の周辺に形成された複数のボンディングパッド７２を具え、該ホトセンシングチップ４４が基板４０の上表面５２に設置されると共に、収容室６６内に位置する。
【００１４】
複数の導線４６は、第１端点７４と第２端点７６を具え、第１端点７４は電気的にホトセンシングチップ４４のボンディングパッド７２に連接され、第２端点７６は電気的に基板４０の信号入力端５６に連接され、ホトセンシングチップ４４の信号が該複数の導線４６により基板４０に伝送される。
【００１５】
接着剤層４８は凸縁層４２の上端面６２に塗布され、並びに凹溝６８内に位置する。
【００１６】
透光層４８は、透光ガラスとされ、それは凸縁層４２の上端面６２の上に設けられ、接着剤層４８により凸縁層４２と結合固定される。
【００１７】
接着剤層４８は凸縁層４２の上端面６２に塗布されるだけでなく、凸縁層４２に形成された凹溝６８内にも位置するため、透光層５０と凸縁層４２が接着される時、有効に接着力が高められ、透光層５０が強固に凸縁層４２に結合され、且つ収容室６６の密閉度が高められ、これにより製品の製造歩留りと信頼度が増す。
【００１８】
図４に示されるように、本実施例中、基板４０は複数の金属片６１を具え、この複数の金属片６１がプラスチック材料で射出成形方式により被覆され、こうして基板４０の凸縁層４２が形成され、凸縁層４２の凹溝６８が自然に上端面６２に形成される。また、これら金属片が基板４０の上表面より露出して信号入力端５６を形成し、これら金属片が基板４０の下表面より露出して信号出力端５８を形成している。
【００１９】
接着剤層４８は凸縁層４２の上端面６２及び凹溝６８内に塗布されている。
透光層５０は接着剤層４８により凸縁層４２の上に接着固定され、ホトセンシングチップ４４が透光層５０を透過して光信号を受信する。
【００２０】
【発明の効果】
以上の構造組合せにより、本発明は以下のような長所を有している。
１．凸縁層４２の上端面に接着剤層４８を収容する凹溝６８が形成されて、透光層５０と凸縁層４２の結合面が増加され、これによりその接着力が強化されている。
２．本発明は射出成形方式で凸縁層４２と凹溝６８が形成され、製造上、容易である。
【００２１】
以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】周知の光センサパッケージ構造の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の分解断面図である。
【図３】本発明の第１実施例の組合せ断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の組合せ断面図である。
【符号の説明】
４０ 基板 ４２ 凸縁層
４４ ホトセンシングチップ ４６ 導線
４８ 接着剤層 ５０ 透光層
５２ 上表面 ５４ 下表面
５６ 信号入力端 ５８ 信号出力端
６０ プリント基板 ６１ 金属片
６２ 上端面 ６４ 下端面
６６ 収容室 ６８ 凹溝
７０ 感光領域 ７２ ボンディングパッド
７４ 第１端点 ７６ 第２端点
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の光センサパッケージ構造に係り、特に、透光層が強固に凸縁層の上に固着されて、その製造上、便利で製品の歩留りを有効に向上できるイメージセンサの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は周知のイメージセンサパッケージ構造の表示図であり、それは、基板１０を具え、該基板１０に第１表面１２及び第２表面１４があり、第１表面１２に信号入力端１５が形成され、第２表面１４に信号出力端１６が形成されている。凸縁層１８は上表面２０と下表面２２を具え、該下表面２２が基板１０の第１表面１２の上に接着されて、基板１０と収容室２４を形成している。ホトセンシングチップ２６は基板１０と凸縁層１８の形成する収容室２４内に設けられ、並びに基板１０の第１表面１２上に固定される。複数の導線２８は、第１端点３０と第２端点３２を具え、第１端点３０は電気的にホトセンシングチップ２６に連接され、第２端点３２は電気的に基板１０の信号入力端１５に連接されている。透光層３４は凸縁層１８の上表面２０に接着される。
【０００３】
透光層３４が凸縁層１８に接着される時、収容室２４は封鎖空間とされ、収容室２４内部の空気の透光層３４の方向に向けての反作用施力により、透光層３４の接着力が低下し、透光層３４が剥離しやすくなったり、結合が密接でなくなり、外界の空気或いは不純物が収容室２４内に進入しやすくなり、光センサの品質に影響が生じた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このことから、本発明は、光センサパッケージ構造を改良し、製造に便利で生産歩留りを高められるようにするものである。
【０００５】
本発明の主要な目的は、製造に便利で、生産コストを減らせる光センサパッケージ構造を提供することにある。
【０００６】
本発明のもう一つの目的は、透光層を強固、密接に凸縁層の上に接着でき、製品歩留りを高めることのできる光センサパッケージ構造を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、光センサパッケージ構造において、
上表面と下表面を具え、該上表面に複数の信号入力端が設けられ、該下表面に複数の信号出力端が設けられた基板と、
上端面と下端面を具え、該下端面が該基板の上表面に設置されて基板と収容室を形成し、該上端面に凹溝が設けられた、凸縁層と、
感光領域と該感光領域の周辺に形成された複数のボンディングパッドを具え、基板の上表面に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、
第１端点と第２端点を具え、該第１端点が該ホトセンシングチップのボンディングパッドに電気的に連接され、該第２端点が該基板の信号入力端に電気的に連接された複数の導線と、
該凸縁層の上端面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、
該凸縁層の上端面上に位置し、該接着剤層により該凸縁層と結合固定された透光層と、
を具えたことを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
請求項２の発明は、請求項１に記載の光センサパッケージ構造において、凸縁層と基板が一体射出成形されたことを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
請求項３の発明は、請求項２に記載の光センサパッケージ構造において、基板に複数の金属片が設けられ、射出成形方式で凸縁層が形成されたことを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
請求項４の発明は、請求項３に記載の光センサパッケージ構造において、複数の金属片が基板の上表面より露出して信号入力端を形成し、複数の基板が基板の下表面より露出して信号出力端を形成することを特徴とする、光センサパッケージ構造としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は一種の光センサパッケージ構造を提供し、それは、複数の信号入力端を具えた上表面と複数の信号出力端を具えた下表面とを具えた基板と、上端面と下端面を具え、下端面が該基板の上表面に設置されて該基板と収容室を形成すると共に、該上端面に凹溝が設けられた凸縁層と、上表面に複数のボンディングパッドが形成されて基板の上表面に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、該ホトセンシングチップのボンディングパッドを基板の信号入力端に電気的に連接させる複数の導線と、該凸縁層の上表面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、該凸縁層の上表面上に位置して該接着剤層により該凸縁層と結合固定される透光層と、を具えている。
【０００９】
これにより、該接着剤層が凸縁層の上表面及び凹溝内に塗布される時に、透光層と該凸縁層の接合面が増加されることによりその結合が強固とされる。
【００１０】
【実施例】
図２、３は本発明の分解断面図及び組合せ断面図である。図示されるように、本発明は、基板４０、凸縁層４２、ホトセンシングチップ４４、複数の導線４６、接着剤層４８及び透光層５０を具えている。
【００１１】
基板４０は上表面５２と下表面５４を具え、上表面５２に複数の信号入力端５６が形成され、下表面５４にプリント基板６０との電気的連接に供される複数の信号出力端５８が形成されている。
【００１２】
凸縁層４２は上端面６２と下端面６４を具え、該下端面６４が基板４０の上表面５２に設置されて、基板４０と収容室６６を形成し、上端面６２に凹溝６８が設けられている。
【００１３】
ホトセンシングチップ４４は感光領域７０と感光領域７０の周辺に形成された複数のボンディングパッド７２を具え、該ホトセンシングチップ４４が基板４０の上表面５２に設置されると共に、収容室６６内に位置する。
【００１４】
複数の導線４６は、第１端点７４と第２端点７６を具え、第１端点７４は電気的にホトセンシングチップ４４のボンディングパッド７２に連接され、第２端点７６は電気的に基板４０の信号入力端５６に連接され、ホトセンシングチップ４４の信号が該複数の導線４６により基板４０に伝送される。
【００１５】
接着剤層４８は凸縁層４２の上端面６２に塗布され、並びに凹溝６８内に位置する。
【００１６】
透光層４８は、透光ガラスとされ、それは凸縁層４２の上端面６２の上に設けられ、接着剤層４８により凸縁層４２と結合固定される。
【００１７】
接着剤層４８は凸縁層４２の上端面６２に塗布されるだけでなく、凸縁層４２に形成された凹溝６８内にも位置するため、透光層５０と凸縁層４２が接着される時、有効に接着力が高められ、透光層５０が強固に凸縁層４２に結合され、且つ収容室６６の密閉度が高められ、これにより製品の製造歩留りと信頼度が増す。
【００１８】
図４に示されるように、本実施例中、基板４０は複数の金属片６１を具え、この複数の金属片６１がプラスチック材料で射出成形方式により被覆され、こうして基板４０の凸縁層４２が形成され、凸縁層４２の凹溝６８が自然に上端面６２に形成される。また、これら金属片が基板４０の上表面より露出して信号入力端５６を形成し、これら金属片が基板４０の下表面より露出して信号出力端５８を形成している。
【００１９】
接着剤層４８は凸縁層４２の上端面６２及び凹溝６８内に塗布されている。
透光層５０は接着剤層４８により凸縁層４２の上に接着固定され、ホトセンシングチップ４４が透光層５０を透過して光信号を受信する。
【００２０】
【発明の効果】
以上の構造組合せにより、本発明は以下のような長所を有している。
１．凸縁層４２の上端面に接着剤層４８を収容する凹溝６８が形成されて、透光層５０と凸縁層４２の結合面が増加され、これによりその接着力が強化されている。
２．本発明は射出成形方式で凸縁層４２と凹溝６８が形成され、製造上、容易である。
【００２１】
以上の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】周知の光センサパッケージ構造の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の分解断面図である。
【図３】本発明の第１実施例の組合せ断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の組合せ断面図である。
【符号の説明】
４０ 基板 ４２ 凸縁層
４４ ホトセンシングチップ ４６ 導線
４８ 接着剤層 ５０ 透光層
５２ 上表面 ５４ 下表面
５６ 信号入力端 ５８ 信号出力端
６０ プリント基板 ６１ 金属片
６２ 上端面 ６４ 下端面
６６ 収容室 ６８ 凹溝
７０ 感光領域 ７２ ボンディングパッド
７４ 第１端点 ７６ 第２端点
Claims (4)
- 光センサパッケージ構造において、
上表面と下表面を具え、該上表面に複数の信号入力端が設けられ、該下表面に複数の信号出力端が設けられた基板と、
上端面と下端面を具え、該下端面が該基板の上表面に設置されて基板と収容室を形成し、該上端面に凹溝が設けられた、凸縁層と、
感光領域と該感光領域の周辺に形成された複数のボンディングパッドを具え、基板の上表面に設置されると共に該収容室内に位置するホトセンシングチップと、
第１端点と第２端点を具え、該第１端点が該ホトセンシングチップのボンディングパッドに電気的に連接され、該第２端点が該基板の信号入力端に電気的に連接された複数の導線と、
該凸縁層の上端面に塗布されると共に該凹溝内に位置する接着剤層と、
該凸縁層の上端面上に位置し、該接着剤層により該凸縁層と結合固定された透光層と、
を具えたことを特徴とする、光センサパッケージ構造。 - 請求項１に記載の光センサパッケージ構造において、凸縁層と基板が一体射出成形されたことを特徴とする、光センサパッケージ構造。
- 請求項２に記載の光センサパッケージ構造において、基板に複数の金属片が設けられ、射出成形方式で凸縁層が形成されたことを特徴とする、光センサパッケージ構造。
- 請求項３に記載の光センサパッケージ構造において、複数の金属片が基板の上表面より露出して信号入力端を形成し、複数の基板が基板の下表面より露出して信号出力端を形成することを特徴とする、光センサパッケージ構造。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW91220457U TW551611U (en) | 2002-12-13 | 2002-12-13 | Improved structure of photo sensor package |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004200631A true JP2004200631A (ja) | 2004-07-15 |
Family
ID=31493794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003027355A Pending JP2004200631A (ja) | 2002-12-13 | 2003-02-04 | 光センサパッケージ構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004200631A (ja) |
| TW (1) | TW551611U (ja) |
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2002
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| US8658908B2 (en) | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Kyocera Corporation | Multiple patterning wiring board, wiring board and electronic apparatus |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW551611U (en) | 2003-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060328 |