JP2002520819A - 電磁ビームを検出するための装置 - Google Patents
電磁ビームを検出するための装置Info
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- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 240000006108 Allium ampeloprasum Species 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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Abstract
(57)【要約】
画像形成のために局所的分解能を有する、電磁ビームを検出するための装置（１）が提案される。この装置は安価に製造可能かつ取り付け可能である。このことは本発明によれば、マイクロメカニカルに製造可能な光学的結像システム（５）を設けることにより達成される。
Description
【０００１】 本発明は、請求項１の上位概念による、局所的分解能を有する、電磁ビームの
検出装置に関する。
検出装置に関する。
【０００２】 従来の技術 例えば赤外線ビームに対する一般的な半導体検知器は、半導体基板上に設けら
れた検知構造体を有する。ここで赤外線ビームを検知するためには、いわゆるサ
ーモピルセンサからなる検知器アレイが使用される。検知構造体の基板は通常、
ケーシングと接合されており、このケーシングには検知構造体の上方で保護窓が
係合している。保護窓は検知すべきビームに対して透明であり、かつ検知構造体
を環境の障害的影響、例えば汚れから保護する。
れた検知構造体を有する。ここで赤外線ビームを検知するためには、いわゆるサ
ーモピルセンサからなる検知器アレイが使用される。検知構造体の基板は通常、
ケーシングと接合されており、このケーシングには検知構造体の上方で保護窓が
係合している。保護窓は検知すべきビームに対して透明であり、かつ検知構造体
を環境の障害的影響、例えば汚れから保護する。
【０００３】 局所的分解能を有する検知器アレイと関連して、このような装置により任意の
センサを実現することができる。画像を発生するＩＲセンサは例えば自動車の車
内監視に必要である。画像発生のためには光学的結像システム、例えば結像レン
ズを設けなければならず、この結合レンズが結像すべき対象物を検知器アレイの
面に結像する。従来の材料を有する従来の結像レンズは、この種のセンサシステ
ムに対して甚だしいコスト要因となる。安価なプラスチックレンズはその使用が
制限される。なぜなら、プラスチックレンズは温度に対して脆弱だからである。
センサを実現することができる。画像を発生するＩＲセンサは例えば自動車の車
内監視に必要である。画像発生のためには光学的結像システム、例えば結像レン
ズを設けなければならず、この結合レンズが結像すべき対象物を検知器アレイの
面に結像する。従来の材料を有する従来の結像レンズは、この種のセンサシステ
ムに対して甚だしいコスト要因となる。安価なプラスチックレンズはその使用が
制限される。なぜなら、プラスチックレンズは温度に対して脆弱だからである。
【０００４】 発明の利点 本発明の課題は、局所的分解能を有する、電磁ビーム検出のための装置を画像
発生の使用目的で提供することであり、この装置が安価に製造可能であり、取り
付け可能であるように構成することである。
発生の使用目的で提供することであり、この装置が安価に製造可能であり、取り
付け可能であるように構成することである。
【０００５】 従って本発明の装置は、マイクロメカニカルに製造可能である光学的結像シス
テムを特徴とする。このような結像システムはとりわけレンズの形態で、半導体
材料、例えばシリコンから大量かつ安価にマイクロメカニカルに製造される。こ
の種のシステムの結像特性並びに温度安定性はとりわけ赤外線領域では十分であ
り、これにより画像発生センサを装備することができる。
テムを特徴とする。このような結像システムはとりわけレンズの形態で、半導体
材料、例えばシリコンから大量かつ安価にマイクロメカニカルに製造される。こ
の種のシステムの結像特性並びに温度安定性はとりわけ赤外線領域では十分であ
り、これにより画像発生センサを装備することができる。
【０００６】 本発明の改善形態では、マイクロメカニカルに製造可能な結像システムが検知
構造体の半導体基板と剛性に接合される。この接合は例えば、検知構造体に対す
る保護ケーシングに取り付けることによって行う。検知構造体との剛性接合によ
って、本発明の装置は、結像システムを付加的に調整する必要なしに使用するこ
とができ、これにより使用個所での検知装置の取り付けコストが低減される。
構造体の半導体基板と剛性に接合される。この接合は例えば、検知構造体に対す
る保護ケーシングに取り付けることによって行う。検知構造体との剛性接合によ
って、本発明の装置は、結像システムを付加的に調整する必要なしに使用するこ
とができ、これにより使用個所での検知装置の取り付けコストが低減される。
【０００７】 本発明のマイクロメカニカルに製造可能な光学的結像システムは、例えば複数
のレンズを有することができ、これによりこの種の結像システムはとりわけ複数
の別個の検知素子を有する検知構造体に使用するのに適する。ここで特に有利に
は、それぞれのレンズを検知素子に配属する。この実施形態の改善では、個々の
レンズの光軸が異なって配向され、これにより空間監視のために大きな検出角度
が得られる。
のレンズを有することができ、これによりこの種の結像システムはとりわけ複数
の別個の検知素子を有する検知構造体に使用するのに適する。ここで特に有利に
は、それぞれのレンズを検知素子に配属する。この実施形態の改善では、個々の
レンズの光軸が異なって配向され、これにより空間監視のために大きな検出角度
が得られる。
【０００８】 １つまたは複数のレンズをそれぞれ一群の検知素子と組み合わせることも適用
事例によっては有利である。例えば複数の検知素子により大きな検出角度を獲得
し、一群の検知素子に対しては局所的分解能を達成することができる。
事例によっては有利である。例えば複数の検知素子により大きな検出角度を獲得
し、一群の検知素子に対しては局所的分解能を達成することができる。
【０００９】 本発明の別の有利な改善形態では、光学的結像システムが検知構造体に対する
保護窓として同時に使用される。このようにして別個の保護窓を省略でき、本発
明の装置はさらに安価になる。
保護窓として同時に使用される。このようにして別個の保護窓を省略でき、本発
明の装置はさらに安価になる。
【００１０】 保護ケーシングによる実施例では、光学的結像システムが例えば１つまたは複
数のマイクロメカニカル・レンズを有利にはこれまでの保護窓の個所で保護ケー
シングの相応のフレームに固定する。
数のマイクロメカニカル・レンズを有利にはこれまでの保護窓の個所で保護ケー
シングの相応のフレームに固定する。
【００１１】 しかし別の構造も簡単に考えられる。例えばマイクロメカニカルな結像システ
ムはスペースホルダを介して検知構造体の基板と接合することもできる。
ムはスペースホルダを介して検知構造体の基板と接合することもできる。
【００１２】 このような接合は例えば接着またはアノード・ボンディング等により達成する
ことができる。半導体分野、とりわけシリコンで公知の、および将来的な接合形
式はすべてこのために適用することができる。
ことができる。半導体分野、とりわけシリコンで公知の、および将来的な接合形
式はすべてこのために適用することができる。
【００１３】 複数のレンズからなるいわゆるレンズアレイも上に述べたように、例えば中間
支持体としてのマイクロメカニカルなスペースホルダを用いて、わずかな間隔公
差を以て検知アレイと剛性に接合することができる。剛性接合により装置は調整
なしで使用可能となる。
支持体としてのマイクロメカニカルなスペースホルダを用いて、わずかな間隔公
差を以て検知アレイと剛性に接合することができる。剛性接合により装置は調整
なしで使用可能となる。
【００１４】 検知構造体の個々の検知素子はここでは光学的分離壁によって相互に分離でき
る。この分離壁は例えばハニカム状に構成された中間支持体の表面により形成す
ることができる。この分離壁は、ビームが隣接する検知素子へ不所望に入力結合
するのを阻止する。このような中間支持体は有利には赤外線非透過性材料、例え
ばプレキシガラスから作製される。
る。この分離壁は例えばハニカム状に構成された中間支持体の表面により形成す
ることができる。この分離壁は、ビームが隣接する検知素子へ不所望に入力結合
するのを阻止する。このような中間支持体は有利には赤外線非透過性材料、例え
ばプレキシガラスから作製される。
【００１５】 このような分離壁を通る透過を低減するために、分離壁をさらに相応に被覆す
ることができる。
ることができる。
【００１６】 マイクロメカニカルな結像システムは有利には上に述べたように、半導体基板
に取り付けられる。安価な製造の他にも、結像システムの基板が検知構造体の基
板と良好に接合されるという利点が例えば上に述べた手段で得られる。
に取り付けられる。安価な製造の他にも、結像システムの基板が検知構造体の基
板と良好に接合されるという利点が例えば上に述べた手段で得られる。
【００１７】 ここで特に有利には、光学的結像システムの基板と検知器システムの基板とを
同じ材料から作製する。これにより２つの基板間の接合が簡単に可能となる。場
合によってはスペースホルダも同じ材料から作製する。シリコンの使用がここで
も特に適する。
同じ材料から作製する。これにより２つの基板間の接合が簡単に可能となる。場
合によってはスペースホルダも同じ材料から作製する。シリコンの使用がここで
も特に適する。
【００１８】 本発明の別の有利な実施例では、検知構造体が光学的結像システムの基板の裏
面に取り付けられる。これにより、特にコンパクトな検知装置が実現される。こ
こで検知構造体は前記の実施例と同じように、スペースホルダにより別個の構造
体として結像システムの基板に載置され、これと接合される。結像システムの検
知器に対する調整はこの実施例でも上記と同じようにスペースホルダにより、個
々のセンサを個別化する前にウェハレベルで行うことができる。このことは、多
数のマイクロメカニカルな結像システムを有するウェハと、多数の検知構造体を
有するウェハとを相互に調整し、相互に固定し、それからウェハの分離により個
々のセンサを個別化できることを意味する。調整はこれにより特に簡単になり、
高精度に実行することができる。
面に取り付けられる。これにより、特にコンパクトな検知装置が実現される。こ
こで検知構造体は前記の実施例と同じように、スペースホルダにより別個の構造
体として結像システムの基板に載置され、これと接合される。結像システムの検
知器に対する調整はこの実施例でも上記と同じようにスペースホルダにより、個
々のセンサを個別化する前にウェハレベルで行うことができる。このことは、多
数のマイクロメカニカルな結像システムを有するウェハと、多数の検知構造体を
有するウェハとを相互に調整し、相互に固定し、それからウェハの分離により個
々のセンサを個別化できることを意味する。調整はこれにより特に簡単になり、
高精度に実行することができる。
【００１９】 本発明の別の有利な実施例では、検知構造体が結像システムの基板の裏面にモ
ノリシック構造で取り付けられる。この場合、構成体全体が１つのウェハ上の結
像システムと検知構造体からなる。この実施例は、本発明のもっとも高度に発展
した変形実施形態であり、製造コストおよび調整の点で格段の利点を有する。
ノリシック構造で取り付けられる。この場合、構成体全体が１つのウェハ上の結
像システムと検知構造体からなる。この実施例は、本発明のもっとも高度に発展
した変形実施形態であり、製造コストおよび調整の点で格段の利点を有する。
【００２０】 モノリシック構造の場合は上に述べたように、裏面から照射される検知器構造
が推奨される。このことは、検知構造体の取り付けられた基板が検知すべきビー
ムに対して透明でなければならないことを意味する。
が推奨される。このことは、検知構造体の取り付けられた基板が検知すべきビー
ムに対して透明でなければならないことを意味する。
【００２１】 定評のあるサーモピルセンサをこのような構造で構成するために、例えば窒化
ケイ素からなるダイヤフラムを取り付け、検知すべきビームが衝突する際に発生
する熱が過度に拡散しないようにすると有利である。この熱が相応のサーモピル
素子によって検知される。このようなダイヤフラムはモノリシック構造の場合、
例えば空洞を異方性エッチングすることにより、および／または多孔性の層をエ
ッチングすることにより作製することができる。適当なマイクロメカニカルな製
造方法は、将来の製造方法も含めて全てこのために使用することができる。
ケイ素からなるダイヤフラムを取り付け、検知すべきビームが衝突する際に発生
する熱が過度に拡散しないようにすると有利である。この熱が相応のサーモピル
素子によって検知される。このようなダイヤフラムはモノリシック構造の場合、
例えば空洞を異方性エッチングすることにより、および／または多孔性の層をエ
ッチングすることにより作製することができる。適当なマイクロメカニカルな製
造方法は、将来の製造方法も含めて全てこのために使用することができる。
【００２２】 実施例 本発明の種々の実施例が図面に示されており、以下図面に基づいて説明する。
【００２３】 図１は、本発明の第１実施例の概略断面図である。
【００２４】 図２は、第２実施例の、図１に相応する概略図である。
【００２５】 図３は、第３実施例の相応の概略図である。
【００２６】 図４は、モノリシック構造での本発明の別の実施例を示す概略図である。
【００２７】 図５は、いわゆるレンズアレイを有する別の実施例の概略図である。
【００２８】 図１の装置は取付板２を有し、この取付板に基板１０が検知構造体３と共に取
り付けられる。検知構造体３は簡単に図示してあり、例えば多数のサーモピルセ
ンサを含むことができる。
り付けられる。検知構造体３は簡単に図示してあり、例えば多数のサーモピルセ
ンサを含むことができる。
【００２９】 保護ケーシング４が検知構造体３を覆い、これを障害的な環境の影響、例えば
汚れから保護する。検知構造体３の上方にはマイクロメカニカル・レンズ５が保
護窓として保護ケーシング４に係合されている。これにより装置１によって画像
発生を行うことができる。レンズ５による画像発生特性が２つのビーム路６によ
って概略的に示されている。
汚れから保護する。検知構造体３の上方にはマイクロメカニカル・レンズ５が保
護窓として保護ケーシング４に係合されている。これにより装置１によって画像
発生を行うことができる。レンズ５による画像発生特性が２つのビーム路６によ
って概略的に示されている。
【００３０】 この実施例では別個のレンズが省略され、これにより材料コストの他に面倒な
調整も省略することができる。とりわけ実施例のマイクロメカニカル・レンズ５
は大量生産で安価に製造することができる。
調整も省略することができる。とりわけ実施例のマイクロメカニカル・レンズ５
は大量生産で安価に製造することができる。
【００３１】 図２の別の実施例も本発明の装置１を示す。ここではマイクロメカニカル・レ
ンズ５が保護ケーシングなしでスペースホルダ７を介して検知構造体３の基板１
０と接合されている。検知構造体３の下方にはこの図では空洞８が示されており
、これにより基板２は検知構造体３の領域で薄いダイヤフラム９を形成する。薄
いダイヤフラム９は、衝突したビームにより発生する熱が過度に急速に流出する
のを阻止する。この熱がサーモピル素子によって検知される。ダイヤフラム９を
薄く構成することにより熱拡散を制限すれば、装置１の感度が改善される。
ンズ５が保護ケーシングなしでスペースホルダ７を介して検知構造体３の基板１
０と接合されている。検知構造体３の下方にはこの図では空洞８が示されており
、これにより基板２は検知構造体３の領域で薄いダイヤフラム９を形成する。薄
いダイヤフラム９は、衝突したビームにより発生する熱が過度に急速に流出する
のを阻止する。この熱がサーモピル素子によって検知される。ダイヤフラム９を
薄く構成することにより熱拡散を制限すれば、装置１の感度が改善される。
【００３２】 図２の構成は製造技術的に次のように作製することができる。すなわち、レン
ズ５と基板２との間の調整を、それぞれ１つのウェハ上に存在する多数の構成素
子に対して同時に実行するのである。レンズ５と基板２とをスペースホルダ７を
介して接合した後、続いて個別化を行うことができる。このとき各センサ装置１
は均等に良好に調整されている。
ズ５と基板２との間の調整を、それぞれ１つのウェハ上に存在する多数の構成素
子に対して同時に実行するのである。レンズ５と基板２とをスペースホルダ７を
介して接合した後、続いて個別化を行うことができる。このとき各センサ装置１
は均等に良好に調整されている。
【００３３】 図３の装置１では、検知構造体３のダイヤフラム９がすでに直接、マイクロメ
カニカル・レンズ５の基板１０と接合されている。マイクロメカニカル・レンズ
５はアーチ部として基板１０に構成されており、ダイヤフラム９は基板１０の裏
側に取り付けられている。検知構造体３を備えるダイヤフラム９は例えば別個に
作製し、続いてレンズ５の基板１０と例えばボンディングまたは接着により接合
される。図２の実施例と同じようにここでも調整と接合が多数の構成素子に対し
て時間的に同時に、２つのウェハの相互継合によって行われ、それから個々のセ
ンサ１を個別化することができる。図３の実施例は、前記実施例中で本発明の装
置に対して最小の構造である。
カニカル・レンズ５の基板１０と接合されている。マイクロメカニカル・レンズ
５はアーチ部として基板１０に構成されており、ダイヤフラム９は基板１０の裏
側に取り付けられている。検知構造体３を備えるダイヤフラム９は例えば別個に
作製し、続いてレンズ５の基板１０と例えばボンディングまたは接着により接合
される。図２の実施例と同じようにここでも調整と接合が多数の構成素子に対し
て時間的に同時に、２つのウェハの相互継合によって行われ、それから個々のセ
ンサ１を個別化することができる。図３の実施例は、前記実施例中で本発明の装
置に対して最小の構造である。
【００３４】 この実施例の別の改善形態では、装置全体１がモノリシックにマイクロメカニ
カルな製造方法によって基板に取り付けられる。空洞８が図３の実施例ではレン
ズ５の裏側とダイヤフラム９との間に存在する。モノリシック構造の場合この空
洞をダイヤフラム作製の後に形成しなければならない。このことはエッチング、
例えば異方性エッチング、またはそのために設けられた多孔性層、いわゆる犠牲
層へのエッチングにより行うことができる。モノリシック構造に対しては、現在
公知のおよび将来のマイクロメカニカルな製造技術はすべて使用することができ
る。
カルな製造方法によって基板に取り付けられる。空洞８が図３の実施例ではレン
ズ５の裏側とダイヤフラム９との間に存在する。モノリシック構造の場合この空
洞をダイヤフラム作製の後に形成しなければならない。このことはエッチング、
例えば異方性エッチング、またはそのために設けられた多孔性層、いわゆる犠牲
層へのエッチングにより行うことができる。モノリシック構造に対しては、現在
公知のおよび将来のマイクロメカニカルな製造技術はすべて使用することができ
る。
【００３５】 図４は、前記の実施例と同等のモノリシック構造の実施例を示す。ここでは空
洞８が基板１０の内側に設けられている。これによりダイヤフラム９と検知構造
体３を基板１０の平坦な裏側に配置することができる。
洞８が基板１０の内側に設けられている。これによりダイヤフラム９と検知構造
体３を基板１０の平坦な裏側に配置することができる。
【００３６】 図３と図４では、モノリシック構造の場合が層であるように検知構造体３がダ
イヤフラム９の裏側に示されている。この場合には、ダイヤフラム９が検知すべ
きビーム６に対して透明であるように注意しなければならない。
イヤフラム９の裏側に示されている。この場合には、ダイヤフラム９が検知すべ
きビーム６に対して透明であるように注意しなければならない。
【００３７】 赤外線センサの場合、このために例えばシリコンを基板材料として使用するこ
とができるであろう。シリコンはさらに前記の実施例にも適する材料であり、か
つ検知構造体３を形成する基板１０としても、マイクロメカニカル・レンズを形
成するのにも適する材料である。シリコンは比較的安価な半導体であり、本発明
の装置の安価な製造が可能になる。
とができるであろう。シリコンはさらに前記の実施例にも適する材料であり、か
つ検知構造体３を形成する基板１０としても、マイクロメカニカル・レンズを形
成するのにも適する材料である。シリコンは比較的安価な半導体であり、本発明
の装置の安価な製造が可能になる。
【００３８】 図５は、レンズアレイ１１を有する本発明の装置の実施例を示す。レンズアレ
イは複数の並置されたレンズ１２を有する。
イは複数の並置されたレンズ１２を有する。
【００３９】 検知構造体３は、ダイヤフラム９に配置された種々の検知素子１３を有する。
検知素子１３により検知すべき熱の流出を阻止するために、空洞８が基板１０に
形成されている。
検知素子１３により検知すべき熱の流出を阻止するために、空洞８が基板１０に
形成されている。
【００４０】 マイクロメカニカルなレンズアレイ１１はスペースホルダ７、並びに検知素子
１３を取り囲む中間支持体１４を介して検知構造体３と剛性に接合されている。
ここでは中間支持体１４の中間壁１５が赤外線に対して非透過性に構成されてお
り、熱ビームが隣接する検知素子１３に入力結合するのを阻止している。概略的
に示したレンズアレイ１１の個々のレンズの光軸１６は相互に傾斜している。こ
れは種々異なる空間角度領域を検知素子に結像するためである。
１３を取り囲む中間支持体１４を介して検知構造体３と剛性に接合されている。
ここでは中間支持体１４の中間壁１５が赤外線に対して非透過性に構成されてお
り、熱ビームが隣接する検知素子１３に入力結合するのを阻止している。概略的
に示したレンズアレイ１１の個々のレンズの光軸１６は相互に傾斜している。こ
れは種々異なる空間角度領域を検知素子に結像するためである。
【００４１】 中間支持体１４は有利にはハニカム状に構成され、これにより中間支持体は中
空空間なしに平坦に相互に並置して形成することができる。
空空間なしに平坦に相互に並置して形成することができる。
【図１】 図１は、本発明の第１実施例の概略断面図である。
【図２】 図２は、第２実施例の、図１に相応する概略図である。
【図３】 図３は、第３実施例の相応の概略図である。
【図４】 図４は、モノリシック構造での本発明の別の実施例を示す概略図である。
【図５】 図５は、いわゆるレンズアレイを有する別の実施例の概略図である。
１ 装置、２ 取付板、３ 検知構造体、４ 保護ケーシング、５ マイクロ
メカニカル・レンズ、６ ビーム路、７ スペースホルダ、８ 空洞、９ ダイ
ヤフラム、１０ 基板、１１ レンズアレイ、１２ レンズ、１３ 検知素子、
１４ 中間支持体、１５ 中間壁、１６ 光軸
メカニカル・レンズ、６ ビーム路、７ スペースホルダ、８ 空洞、９ ダイ
ヤフラム、１０ 基板、１１ レンズアレイ、１２ レンズ、１３ 検知素子、
１４ 中間支持体、１５ 中間壁、１６ 光軸
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年７月３日（２０００．７．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＪＰ，Ｋ Ｒ，ＵＳ (72)発明者 マンフレート ロートレイ ドイツ連邦共和国 クライヒタール ズュ ーデントシュトラーセ 41 (72)発明者 ローラント ミュラー−フィードラー ドイツ連邦共和国 レオンベルク ガルテ ンシュトラーセ 21 (72)発明者 エーリヒ ツァブラー ドイツ連邦共和国 シュトゥーテンゼー ブルンヒルトシュトラーセ 11 (72)発明者 ラールス エルトマン ドイツ連邦共和国 ヘルゼルガウ ラウヘ ルシュトラーセ ９ (72)発明者 ヴィルヘルム レネケ ドイツ連邦共和国 ヴィースバーデン ヴ ェーアー ケッペル ３ (72)発明者 マリオン ジモン ドイツ連邦共和国 マールブルク イン デア ゲルツバッハ 41 (72)発明者 カールハインツ シュトルク ドイツ連邦共和国 ロルヒ ラインシュト ラーセ 43 (72)発明者 イェルク シーファーデッカー ドイツ連邦共和国 ヴィースバーデン ヴ ェルナー−ヒルペルト−シュトラーセ 161 Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA10 AB01 GA09 GA10 GD03 HA02 5C024 AX06 CY47 CY48 CY49 EX22 EX23 EX25 EX43 GX08 5F088 BA16 EA04 GA08 JA03 JA05 JA12 JA20
Claims (18)
- 【請求項１】 電磁ビームを検出するための装置であって、とりわけ画像発
生センサに対して局所的分解能を有し、 半導体基板に取り付けられた検知構造体と、該検知構造体に対する保護窓とが
設けられている形式の装置において、 マイクロメカニカルに製造可能な光学的結像システムが設けられている、 ことを特徴とする装置。 - 【請求項２】 光学的結像システムはマイクロメカニカルに製造可能なレン
ズ（５）を有している、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 光学的結像システムは検知構造体（３）と剛性に接合されて
いる、請求項１または２記載の装置。 - 【請求項４】 検知構造体は複数の別個の検知素子を有し、光学的結像シス
テムは複数のレンズを有し、それぞれのレンズは１つの検知素子に配属されてい
る、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項５】 １つまたは複数のレンズがそれぞれ一群の検知素子に対して
設けられている、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項６】 光学的結像システム（５）は保護窓を形成する、請求項１か
ら５までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項７】 光学的結像システム（５）は保護ケーシング（４）に係合さ
れている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項８】 スペースホルダ（７）が、検知構造体（３）の基板と光学的
結像システム（５）との間に設けられている、請求項１から７までのいずれか１
項記載の装置。 - 【請求項９】 個々の検知素子は光学的分離壁によって相互に分離されてい
る、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１０】 光学的分離壁は透過を減少するために被覆されている、請
求項１から９までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１１】 マイクロメカニカルな光学的結像システム（５）は半導体
基板に取り付けられている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１２】 マイクロメカニカルな光学的結像システム（５）および検
知構造体（３）の基板は同じ材料からなる、請求項１から１１までのいずれか１
項記載の装置。 - 【請求項１３】 マイクロメカニカルな光学的結像システムおよび／または
検知構造体（３）の基板（１０）は少なくとも部分的にシリコンからなる、請求
項１から１２までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１４】 検知構造体（３）は、光学的結像システム（５）の基板（
１０）の裏側に取り付けられている、請求項１から１３までのいずれか１項記載
の装置。 - 【請求項１５】 ダイヤフラム（９）が検知構造体（３）の支持体として構
成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１６】 検知構造体（３）はサーモ素子を有する、請求項１から１
５までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１７】 請求項１から１６までのいずれか１項記載の装置を製造す
る方法において、 光学的結像システム（５）と検知構造体（３）とを２つのウ
ェハの接合により作製し、それから個々の装置を個別化する、ことを特徴とする
製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１から１６までのいずれか１項記載の装置を製造す
る方法において、光学的結像システム（３）と検知構造体（３）とをモノリシッ
クにマイクロメカニカルに製造する、ことを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19829027 | 1998-06-30 | ||
| DE19829027.6 | 1998-06-30 | ||
| DE19923606A DE19923606A1 (de) | 1998-06-30 | 1999-05-25 | Vorrichtung zur Erfassung elektromagnetischer Strahlung |
| DE19923606.2 | 1999-05-25 | ||
| PCT/DE1999/001869 WO2000002254A2 (de) | 1998-06-30 | 1999-06-26 | Vorrichtung zur erfassung elektromagnetischer strahlung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002520819A true JP2002520819A (ja) | 2002-07-09 |
Family
ID=26047110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000558558A Pending JP2002520819A (ja) | 1998-06-30 | 1999-06-26 | 電磁ビームを検出するための装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6710348B1 (ja) |
| EP (1) | EP1097483A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002520819A (ja) |
| CN (1) | CN1258820C (ja) |
| WO (1) | WO2000002254A2 (ja) |
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-
1999
- 1999-06-26 JP JP2000558558A patent/JP2002520819A/ja active Pending
- 1999-06-26 US US09/720,938 patent/US6710348B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-26 WO PCT/DE1999/001869 patent/WO2000002254A2/de active IP Right Grant
- 1999-06-26 CN CNB998097004A patent/CN1258820C/zh not_active Expired - Fee Related
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| WO2000002254A3 (de) | 2000-04-20 |
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| CN1258820C (zh) | 2006-06-07 |
| CN1317153A (zh) | 2001-10-10 |
| WO2000002254A2 (de) | 2000-01-13 |
| EP1097483A2 (de) | 2001-05-09 |
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