DE102015217290A1 - Mikroelektronische Anordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Anordnung - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung schafft eine mikroelektronische Anordnung (100) zum Detektieren von elektromagnetischen Wellen. Die mikroelektronische Anordnung (100) umfasst ein Sensorsubstrat (10) mit einer Montagefläche (11) und zumindest einem Detektionsbereich (15) und zumindest einem Linsensubstrat, das auf der Montagefläche (11) angeordnet ist. Das zumindest eine Linsensubstrat weist zumindest ein Kavität (K1) auf und die zumindest eine Kavität (K1) umschließt den zumindest einen Detektionsbereich (15) auf Substratlevel hermetisch.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine mikroelektronische Anordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Anordnung.
  • Stand der Technik
  • Halbleiterdetektoren, beispielsweise für Infrarotstrahlung, umfassen eine auf einem Halbleitersubstrat aufgebaute Detektorstruktur. Die Detektorstruktur wird mit einem Gehäuse verbunden, in das oberhalb der Detektorstruktur ein Schutzfenster eingefasst ist. Für ein bildgebendes Verfahren kann ein optisches Abbildungssystem, zum Beispiel eine Abbildungslinse, vorgesehen werden, die den abzubildenden Gegenstand auf eine Ebene eines Detektorarrays abbildet. Herkömmliche Abbildungslinsen stellen einen erheblichen Kostenfaktor für derartige Sensorsysteme dar. Preiswerte Kunststofflinsen sind in ihrer Anwendung begrenzt, da sie beispielsweise temperaturempfindlich sind. Ferner bedient man sich zum Bereitstellen bzw. Konstanthalten eines Vakuums zwischen Linsen- und Detektorstruktur aufwendiger Aufbau- und Verbindungstechnik, was wiederum kostenintensiv und zeitaufwendig ist.
  • Die DE 199 23 606 A1 beschreibt eine Vorrichtung zum Erfassen von Infrarotstrahlung.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung schafft eine mikroelektronische Anordnung nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Herstellungsverfahren nach Anspruch 11.
  • Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht es, auf Substrat- bzw. Waferlevelebene zwischen dem Sensorsubstrat und dem Linsensubstrat eine Kavität bereitzustellen, in der der Detektionsbereich hermetisch durch die Kavität des Linsensubstrats umschlossen ist. Mit anderen Worten wird in der Kavität ein konstantes Vakuum bereitgestellt. Beispielsweise kann das Vakuum kleiner als 1 Millibar sein. Zum Anordnen des Linsensubstrats auf das Sensorsubstrat auf Waferlevelebene kann insbesondere Silizium Direktbonden oder eutektisches Bonden, beispielsweise auf AlGe Basis, eingesetzt werden. Somit kann durch das hier beschriebene Herstellungsverfahren besonders zeit- und kostensparend die mikroelektronische Anordnung hergestellt werden. Ferner werden zum Herstellen der mikroelektronischen Anordnung wenige Verfahrensschritte benötigt, da ein hermetisches Verkappen bzw. Umschließen des Detektionsbereichs auf Waferlevelebene erfolgt und nach der Vereinzelung in, beispielsweise einzelne Sensorchips, selbstragende bzw. in sich funktionsfähige mikroelektronische Anordnungen vorliegen. Darüber hinaus kann ein exaktes Aufbringen des Linsensubstrats auf das Sensorsubstrat auf Waferlevelebene einfacher realisiert werden.
  • Vorliegend kann insbesondere unter „elektromagnetischen Wellen“ Strahlung im infraroten oder ferninfraroten Spektralbereich verstanden werden.
  • Vorliegend kann unter dem Begriff „Detektionsbereich“ insbesondere auch ein Detektionspixel oder eine Detektionsarray verstanden werden.
  • Im vorliegenden Zusammenhang versteht man unter „Subtratlevelebene“ bzw. „Waferlevelebene“ ein Bereitstellen von funktionalen Komponenten, beispielsweise Sensorsubstrat und Linsensubstrat, als integrale Bestandteile der mikroelektronischen Anordnung. Dies hat den Vorteil, dass die mikroelektronische Anordnung besonders kleinbauend sein kann, da diese keine separat hergestellten Schaltungskomponenten – beispielsweise ASIC – neben dem Sensorsubstrat umfassend den zumindest einen Detektionsbereich benötigen. Mit anderen Worten kann die Schaltungskomponente ein integraler Bestandteil des Sensorsubstrats sein. Der Detektionsbereich kann insbesondere ein Pixelarray zum Detektieren von FIR und/oder IR-Strahlung umfassen. Eine Auflösung des Pixelarrays bzw. eine Pixelanzahl in horizontaler und/oder vertikaler Richtung kann insbesondere voneinander abweichen. Ferner ist denkbar, dass ein Abstand (Englisch: pitch) zwischen zwei Pixeln innerhalb eines Pixelarrays unregelmäßig ausgebildet sein kann.
  • Bei der hier beschriebenen mikroelektronischen Anordnung handelt es sich um ein separates, selbsttragendes und funktionsfähiges Bauteil. Ein Weiterverbauen der hier beschriebenen mikroelektronischen Anordnung mit weiteren mikroelektronischen Komponenten kann insbesondere als ein mikroelektronisches System verstanden werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung, ist in der Kavität ein Vakuum ausgebildet. So lässt sich eine Streuung der IR-Strahlung innerhalb der Kavität reduzieren. Insbesondere lässt sich mittels des Vakuums eine höhere thermische Entkopplung des Detektionsbereichs, Detektionspixels bzw. Detektionsarrays erzielen, wodurch eine deutlich höhere Sensitivität des Detektionsbereichs erreicht werden kann.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst der zumindest eine Detektionsbereich einen integrierten Wandler und auf einer dem Linsensubstrat zugewandten Seite des zumindest einen Detektionsbereichs ist ein Absorber angeordnet. Beispielsweise kann der Absorber Siliziumdioxid umfassen. So lässt sich die elektromagnetische Strahlung besonders effizient absorbieren. Der Detektionsbereich kann hierbei auf einem der folgenden thermoelektrischen Wandlerprinzipien basieren: resistiv, pn-Diode oder kapazitiv.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist der Absorber zwei zumindest bereichsweise den Absorber umlaufende Kontaktarme auf. Beispielsweise können die umlaufenden Kontaktarme in einer lateralen Richtung von einer Hauptfläche des Absorbers durch materialfreie Bereiche von der Hauptfläche des Absorbers beabstandet sein. So lässt sich durch die umlaufenden Kontaktarme des Absorbers eine gute thermische Isolierung des Detektionsbereichs realisieren, wobei durch die Kontaktarme eine elektrische Kontaktierung zum Sensorsubstrat hergestellt werden kann. Der Absorber umfasst beispielsweise Siliziumdioxid und die Kontaktarme können insbesondere aufgrund der geringen Wärmeleitfähigkeit Titan umfassen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung basiert eine Funktionalität des integrierten Wandlers auf einer Diode, einem Thermoelement oder einem Widerstand. So steht ein breites Spektrum von integrierten Wandlern, die auf den hier beschriebenen thermoelektrischen Wandlerprinzipien basieren, zur Verfügung.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Anordnen des zumindest einen Linsensubstrats auf das Sensorsubstrat auf ein Silizium-Direktbonden oder einem eutektischen Substrat-Bonden zurückführbar. Durch die hier beschriebenen Bondverfahren lässt sich das Vakuum in der Kavität konstant halten. Des Weiteren lässt sich das Vakuum in der Kavität einfach realisieren ohne auf aufwendige Aufbau- und Verbindungstechnik zurückgreifen zu müssen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist zwischen dem Sensorsubstrat und dem zumindest einen Linsensubstrat ein Kappensubstrat angeordnet. Durch die Verwendung des beispielsweise anodisch zu bondendem Kappensubstrats ist eine signifikante Reduktion einer Bondrahmenbreite und somit eines Flächenbedarfs pro Sensorsubstrat möglich. So lässt sich insbesondere eine erforderliche Brennweite zum Sensorchip einfach einstellen. Beispielsweise schließt das Kappensubstrat mit dem Sensorsubstrat ein Vakuum ein. In diesem Fall kann das Vakuum zwischen dem Kappensubstrat und dem Linsensubstrat entfallen, so dass ein insbesondere kostengünstiges Linsensubstrat eingesetzt werden kann.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist zwischen dem Sensorsubstrat und dem zumindest einen Linsensubstrat ein Blendensubstrat angeordnet. So lässt sich insbesondere eine erforderliche Brennweite zum Sensorsubstrat mittels des Blendensubstrats einfach einstellen, wodurch insbesondere Streulichteinflüsse vermieden werden können.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst eine Strahlungseintrittsfläche und/oder eine Strahlungsaustrittsfläche des Linsensubstrats und/oder des Kappensubstrats eine Funktionsschicht. So lässt sich mittels der Funktionsschicht beispielsweise eine Reflexion an ihren Oberflächen vermeiden bzw. vermindern. Die Funktionsschicht kann ein-/oder doppelseitig auf dem Linsensubstrat oder dem Kappensubstrat aufgebracht werden.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist das Linsensubstrat eine konvexe oder eine konkave Linsenstruktur auf. Das Linsensubstrat kann beispielsweise Silizium (Si), Germanium (Ge) oder ein anderes geeignetes Material umfassen. Ferner ist bei Einsatz des Kappensubstrats denkbar, dass das Linsensubstrat Kunststoff oder Glas umfasst. Das Linsensubstrat umfasst hierbei ein für Infrarot (IR) und/oder im Ferninfrarot (FIR) transparentes Material. Die hier beschriebene konvexe oder konkave Linsenstruktur ist in Bezug auf eine Referenzebene des Linsensubstrats zu verstehen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Anordnen des Linsensubstrats auf das Sensorsubstrat mittels einer vakuumversiegelnden Bondvorrichtung durchgeführt. Die vakuumversiegelnde Bondvorrichtung kann insbesondere Siliziumdirektbonden oder eutektisches Substrat-Bonden sein.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird mittels der vakuumversiegelnden Bondvorrichtung eine elektrische Kontaktierung zu einer Schaltungskomponente durchgeführt. Beispielsweise umfasst die Schaltungskomponente einen ASIC. Mit anderen Worten ist die vakuumversiegelnde Bondvorrichtung in der Lage neben einem hermetischen Abschließen der Kavität und somit Aufrechterhalten des in der Kavität vorhandenen Vakuums zusätzlich eine elektrische Kontaktierung bereitzustellen. So lässt sich eine besonders platzsparende mikroelektronische Anordnung auf einfache Art und Weise herstellen.
  • Die hier beschriebenen Merkmale für die mikroelektronische Anordnung gelten auch für das Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Anordnung sowie umgekehrt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die Figuren erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine schematische Aufsicht zum Erläutern eines Absorbers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 6 eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 7 ein Flussdiagramm zum Erläutern eines Ablaufs eines Herstellungsverfahrens für eine mikroelektronische Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente.
  • 1 ist eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 1 bezeichnet das Bezugszeichen 100 eine mikroelektronische Anordnung zum Detektieren von elektromagnetischen Wellen. Unter elektromagnetischen Wellen wird im vorliegenden Zusammenhang insbesondere Strahlung aus dem infraroten oder ferninfraroten Spektralbereich verstanden. Die mikroelektronische Anordnung 100 umfasst ein Sensorsubstrat 10 mit einer Montagefläche 11 und zumindest einem Detektionsbereich 15. Bei dem in der 1 gezeigten Detektionsbereich 15 handelt es sich um einen Detektionspunkt bzw. ein Detektionspixel. Das Sensorsubstrat 10 kann insbesondere eine Schaltungskomponente 50, beispielsweise ASIC, umfassen. Dies hat den Vorteil einer kleinbauenden mikroelektronischen Anordnung, da die Schaltungskomponente 50 ein integraler Bestandteil des Sensorsubstrats sein kann.
  • Auf der Montagefläche 11 des Sensorsubstrats 10 ist ein Linsensubstrat 20 angeordnet. Das Linsensubstrat 20 kann eine konvexe oder eine konkave Linsenstruktur 21 in Bezug auf eine Referenzebene des Linsensubstrats 20 aufweisen. Das Linsensubstrat 20 kann beispielsweise Silizium (Si), Germanium (Ge) oder ein anderes geeignetes Material umfassen. Ferner ist bei Einsatz eines Kappensubstrats 30 denkbar, dass das Linsensubstrat 20 Kunststoff oder Glas umfasst. Das Linsensubstrat 20 umfasst insbesondere ein für Infrarot (IR) und/oder im Ferninfrarot (FIR) transparentes Material, beispielsweise undotiertes Silizium.
  • Das Linsensubstrat 20 weist eine Kavität K1 auf, wobei die Kavität K1 den Detektionsbereich 15 bzw. den Detektionspixel auf Substratlevel bzw. Waferlevel hermetisch umschließt. Mit anderen Worten kann in der Kavität K1 ein Vakuum V ausgebildet sein. Um das Vakuum V in der Kavität K1 konstant halten zu können, kann das Linsensubstrat 20 mittels Silizium-Direktbonden oder eutektischem Substrat-Bonden auf dem Sensorsubstrat 10 angeordnet sein. So lässt sich auf einfache Art und Weise die Kavität hermetisch gegen eine Atmosphäre isolieren.
  • Der Detektionsbereich 15 in 1 umfasst einen integrierten Wandler, wobei der integrierte Wandler auf einer dem Linsensubstrat zugewandten Seite des Detektionsbereichs 15 ein Absorber 16 angeordnet ist.
  • Obwohl in der 1 ein Detektionspixel bzw. Detektionspunkt dargestellt ist, können mehrere Detektionspixel innerhalb des zumindest einen Detektionsbereichs 15, insbesondere in einem rechtwinkeligen Array aus m mal n Pixeln auf einem Chip, angeordnet sein.
  • 2 ist eine schematische Aufsicht zum Erläutern eines Absorbers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 2 bezeichnet Bezugszeichen 16 den Absorber. Der Absorber 16 weist zwei zumindest bereichsweise den Absorber 16 umlaufende Kontaktarme 17 auf. Die Kontaktarme 17 sind beispielsweise durch einen materialfreien Bereich zu einer Hauptfläche des Absorbers 16 in lateraler Richtung beabstandet, wobei mittels der Kontaktarme 17 eine elektrische Kontaktierung zum Sensorsubstrat 10 hergestellt werden kann. Der Absorber 16 umfasst beispielsweise Siliziumdioxid und die Kontaktarme 17 können insbesondere aufgrund einer geringen Wärmeleitfähigkeit Titan umfassen.
  • 3 ist eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 3 bezeichnet Bezugszeichen 30 ein Kappensubstrat. In der zweiten Ausführungsform der mikroelektronischen Anordnung ist das Vakuum V zwischen dem Kappensubstrat 30 und dem Sensorsubstrat 10 eingeschlossen. Als Bondverfahren kommen auch hier Silizium Direktbonden oder eutektisches Substrat-Bonden in Frage. Diese Ausführungsform kann insbesondere vorteilhaft sein, wenn das Linsensubstrat 20 entweder aufgrund einer Brennweite einen großen Abstand zum Sensorsubstrat 10 benötigt oder wenn das Linsensubstrat 20 ein Material umfasst, welches zum Ausbilden eines Vakuums bzw. zum Bereitstellen einer hermetischen Abdichtung wenig geeignet ist. Derartige Linsensubstrate 20 können insbesondere polymere Werkstoffe umfassen.
  • 4 ist eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die 4 basiert auf der in 3 gezeigten mikroelektronischen Anordnung 100 mit dem Unterschied, dass ein weiteres Linsensubstrat 20’ zwischen dem Kappensubstrat 30 und dem Linsensubstrat 20 angeordnet ist.
  • 5 ist eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die 5 basiert auf der in 3 gezeigten mikroelektronischen Anordnung 100 mit dem Unterschied, dass ein Blendensubstrat 40 zwischen dem Kappensubstrat 30 und dem Linsensubstrat 20 angeordnet ist.
  • 6 ist eine schematische senkrechte Querschnittsansicht zum Erläutern einer mikroelektronischen Anordnung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die 6 basiert auf der in 1 gezeigten mikroelektronischen Anordnung 100 mit dem Unterschied, dass das Linsensubstrat 20 die konvexe und die konkave Linsenstruktur 21 hinsichtlich ihrer Referenzebene aufweist (dargestellt durch eine gestrichelte Linie in 6).
  • 7 ist ein Flussdiagramm zum Erläutern eines Ablaufs eines Herstellungsverfahrens für eine mikroelektronische Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 7 gezeigt, umfasst das Herstellungsverfahren für die mikroelektronische Anordnung insbesondere die Schritte A, B, C und D.
  • Im Schritt A wird ein Linsensubstrat 20 bereitgestellt. Im Schritt B wird eine linsenartige Struktur auf das Linsensubstrat 20 übertragen, wobei sich eine Vielzahl von Kavitäten K1 ausbilden. Hierfür kommen insbesondere folgende Verfahren in Frage: Graustufenlithographie, Heißprägen, Laserstrukturierung oder E-Beam.
  • Im Schritt C wird das Linsensubstrat 20 auf das Sensorsubstrat 10 mit einer Vielzahl von Detektionsbereichen 15 derart angeordnet, dass durch die Vielzahl von Kavitäten 21 zumindest einer der Detektionsbereiche 15 hermetisch umschlossen wird. Bei Verwendung integrierter Schaltungskomponenten 50 in dem Sensorsubstrat 10 kann insbesondere eine elektrische Kontaktierung durch eine vakuumversiegelnde Bondvorrichtung möglich sein.
  • Im Schritt D wird die mikroelektronische Anordnung 100 derart vereinzelt, dass eine weitere mikroelektronische Anordnung 100‘ zumindest einen in der Kavität befindlichen Detektionsbereich 15 aufweist. Entsprechende Seitenflächen des Sensorsubstrats, Linsensubstrats und gegebenenfalls des Kappensubstrats und Blendensubstrats können somit Spuren eines mechanischen Abtrags aufweisen. Der Vereinzelungsschritt kann chemisch durch beispielsweise gerichtetes Ätzen (DRIE) oder physikalisch beispielsweise durch Sägen oder Lasertrennen erfolgen.
  • Mit anderen Worten wird das Detektionsarray 15 durch ein Linsensubstrat 20 hermetisch verkappt. Dieses wird unter Einschluss eines Vakuums zum Beispiel per Silizium-Direktbonden mit dem Sensorsubstrat 10 auf Waferlevelebene verbunden. Eine Vereinzelung erfolgt erst danach. Dies senkt drastisch die Produktionskosten und senkt die Verluste bei der Vereinzelung bzw. reduziert den Platz, der für ein Handling von Einzellinsen erforderlich ist.
  • Die hier beschriebenen Merkmale für die mikroelektronische Anordnung gelten auch für das Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Anordnung sowie umgekehrt.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand obiger Ausführungsformen beschrieben wurde, ist sie nicht darauf beschränkt. Insbesondere sind die genannten Materialien nur beispielshaft und nicht auf die erläuterten Beispiele beschränkt. Vielmehr kann die hier beschriebene mikroelektronische Anordnung mit weiteren Bauelementen, wie z.B. MEMS, Mikrokontroller usw. kombiniert werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 19923606 A1 [0003]

Claims (15)

  1. Mikroelektronische Anordnung (100) zum Detektieren von elektromagnetischen Wellen umfassend: ein Sensorsubstrat (10) mit einer Montagefläche (11) und zumindest einem Detektionsbereich (15); und zumindest einem Linsensubstrat (20), das auf der Montagefläche (11) angeordnet ist; wobei das zumindest eine Linsensubstrat (20) zumindest eine Kavität (K1) aufweist und die zumindest eine Kavität (K1) den zumindest einen Detektionsbereich (15) auf Substratlevel hermetisch umschließt.
  2. Mikroelektronische Anordnung (100) nach Anspruch 1, wobei in der Kavität (K1) ein Vakuum (V) ausgebildet ist.
  3. Mikroelektronische Anordnung (100) nach Anspruch 1, wobei der zumindest eine Detektionsbereich (15) einen integrierten Wandler umfasst und auf einer dem Linsensubstrat (20) zugewandten Seite des zumindest einen Detektionsbereichs (15) ein Absorber (16) angeordnet ist.
  4. Mikroelektronische Anordnung (100) nach Anspruch 3, wobei der Absorber (16) zwei zumindest bereichsweise den Absorber (16) umlaufende Kontaktarme (17) aufweist.
  5. Mikroelektronische Anordnung (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Funktionalität des integrierten Wandlers auf einer Diode, einem Thermocouple oder einem Widerstand basiert.
  6. Mikroelektronische Anordnung (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Anordnen des zumindest einen Linsensubstrats (20) auf das Sensorsubstrat (10) auf Silizium Direktbonden oder eutektisches Substrat-Bonden zurückführbar ist.
  7. Mikroelektronische Anordnung (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen dem Sensorsubstrat (10) und dem zumindest einen Linsensubstrat (20) ein Kappensubstrat (30) angeordnet ist.
  8. Mikroelektronische Anordnung (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zwischen dem Sensorsubstrat (10) und dem zumindest einen Linsensubstrat (20) ein Blendensubstrat (40) angeordnet ist.
  9. Mikroelektronische Anordnung (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Strahlungseintrittsfläche und/oder eine Strahlungsaustrittsfläche des Linsensubstrats (20) und/oder des Kappensubstrats (30) eine Funktionsschicht umfasst.
  10. Mikroelektronische Anordnung (100) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Linsensubstrat (20) eine konvexe und/oder eine konkave Linsenstruktur (21) aufweist.
  11. Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Anordnung (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Linsensubstrats (20); B) Übertragen einer linsenartigen Struktur auf das Linsensubstrat (20), wobei sich eine Vielzahl von Kavitäten (K1) ausbildet; C) Anordnen des Linsensubstrats (20) auf ein Sensorsubstrat (10) mit einer Vielzahl von Detektionsbereichen (15) derart, dass durch die Vielzahl von Kavitäten (K1) zumindest einer der Detektionsbereiche (15) hermetisch umschlossen wird; D) Vereinzeln der mikroelektronischen Anordnung (100) derart, dass eine weitere mikroelektronische Anordnung (100‘) zumindest einen in der Kavität (21) befindlichen Detektionsbereich (15) aufweist.
  12. Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, wobei das Anordnen des Linsensubstrats (20) auf das Sensorsubstrat (20) mittels einer vakuumversiegelnden Bondvorrichtung durchgeführt wird.
  13. Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei mittels der vakuumversiegelnden Bondvorrichtung eine elektrische Kontaktierung zu einer Schaltungskomponente (50) durchgeführt wird.
  14. Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, wobei zwischen dem Sensorsubstrat (10) und dem Linsensubstrat (20) ein Kappensubstrat (30) angeordnet wird.
  15. Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, wobei zwischen dem Sensorsubstrat (10) und dem Linsensubstrat (20) ein Blendensubstrat (40) angeordnet wird.
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