JPH1022487A - 固体撮像装置とその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置とその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
する固体撮像素子を樹脂で封止した固体撮像装置におい
て、感度の向上を図る。 【解決手段】 レンズ素子14上に該レンズ素子の材料
よりも屈折率の低い透明膜15を形成し、該各レンズ素
子14の頂部を平坦化する。 【効果】 平坦化された頂部に入射した光は斜めの
光であっても受光部に入射されるので、入射角度の大き
な光の感度低下をすくなくすることができる。
Description
に半導体基板の上部に形成された固体撮像素子の各受光
部上方にレンズ素子が形成され、レンズ素子を空間(空
気)越しにシールしなくてもレンズ素子による集光効果
が得られる固体撮像装置と、その製造方法に関する。
画素の受光素子上に2酸化珪素SiO2 からなるドーム
状のレンズ素子を、或いは各画素垂直列上にカマボコ状
縦ストライプレンズを形成したオンチップレンズ型固体
撮像素子がある。このような固体撮像素子は、一般的に
は、樹脂封止することができなかった。というのは、レ
ンズ素子の外側の物質は、レンズ素子の材料よりも屈折
率が小さくなければならないという前提があり、そし
て、レンズ素子を成す2酸化珪素の屈折率が約1.5と
小さく、屈折率が約1.5程度しかない透明樹脂と略同
じになり、レンズ効果が全く得られなくなるからであ
る。
に固体撮像素子を搭載し、該パッケージ表面をガラスで
封止することによりレンズ素子を空気に接した状態に保
つことによりレンズ効果を得ることができるようにして
いる。
用いそれに固体撮像素子を搭載し、ガラスで封止した固
体撮像装置は、パッケージ材料が非常に高価であるこ
と、ガラス封止作業が面倒であること等から製造価格の
低減の要求に応えることが難しい。
えば1.2〜1.3)の透明材料(例えば一種のポリビ
ニルアルコール)を用い、それでレンズ素子の形成され
た表面を覆うようにするという提案が特開平6−326
284号公報により為されている。
に、基板1上部に形成された受光部2の上に形成された
マイクロレンズ(レンズ素子)7上に、それを完全に覆
う透明膜8を形成してなり、該透明膜8はマイクロレン
ズ7よりも屈折率の低い材料からなることは言うまでも
ない。尚、図3における3はアルミニウムからなる遮光
膜、4はアクリル系透明膜からなる平坦化層、5は色フ
ィルター層、6は平坦化層4と屈折率及び光透過率が略
同様のアクリル系透明膜からなる中間層である。このよ
うな固体撮像装置によれば、マイクロレンズ7を空気
(エアー)と接しさせる必要がないので、透明樹脂によ
る封止が可能になるといえる。
示す従来の固体撮像装置には、斜めにマイクロレンズ7
に入った光に対しては感度が急激に低下するという問題
がある。即ち、受光部2に向かう垂直な光はレンズ7の
集光効果により受光部2の中心に向かうが、斜めの光、
つまり受光部2から逸れたところに向かう光はレンズ7
に入射しても受光部2の中心から逸れたところに入射
し、斜めになるほど受光部2の中心から逸れ、斜めの角
度(入射角度)が一定以上になると、受光部2から完全
に逸れて受光されなくなる。従って、感度が充分に高く
できないという問題があるのである。本発明はこのよう
な問題点を解決すべく為されたものであり、レンズ素子
(マイクロレンズ)を有する固体撮像素子を樹脂で封止
した固体撮像装置において、感度の向上を図ることを目
的とする。
レンズ素子上に該レンズ素子の材料よりも屈折率の低い
透明膜を形成し、該各レンズ素子の頂部を平坦化したこ
とを特徴とする。
た頂部に入射した光は斜めの光であっても受光部に入射
されるので、入射角度の大きな光の感度低下を防止する
ことができる。そして、透明樹脂で封止した場合、その
透明樹脂はレンズ素子とはその平坦な頂部と接し、球面
部分とは接しないので、屈折率がどんな値であってもも
レンズ素子の集光機能に支障を来さない。従って、透明
樹脂により封止することができ、封止に中空パッケージ
を必要としない。依って、装置の低価格化を図ることが
できる。
いので、材料選択の自由度が高い。本発明固体撮像装置
の製造方法は、レンズ素子形成後、該レンズ素子の材料
の屈折率より低い屈折率の透明膜をレンズ素子上にその
頂部を完全に覆うように形成し、その後、上記透明膜及
びレンズ素子の頂部を研磨により平坦化することを特徴
とする。
よれば、レンズ素子の形成後、透明膜をそのレンズ素子
を完全に覆うように形成し、その後、透明膜及びレンズ
素子を研磨するので、頂部が平坦化されたレンズ素子を
形成することができる。そして、透明膜はレンズ素子よ
りも屈折率が小さいので、レンズ素子のレンズ機能に支
障を与えない。
明樹脂はレンズ素子とはその平坦な頂部と接し、球面部
分とは接しないので、屈折率がどのような値でもレンズ
素子の集光機能に影響を与えない。従って、屈折率に関
して制約が無いので、透明樹脂の材料選択の自由度が高
い。
従って詳細に説明する。図1(A)、(B)は本発明固
体撮像装置の第1の実施の形態を示すもので、(A)は
全体的断面図、(B)は要部を示す拡大断面図である。
された半導体基板、12は該半導体基板11の表面部に
形成された受光部、13は中間層で、ゲート絶縁膜、転
送電極、アイソレーション層、アルミニウム遮光膜、平
坦化膜等からなるが、その構造は本発明の本質には直接
関係しないのでその説明は省略する。該中間層13の表
面は平坦である。
レンズ素子で、各受光部12の上方に当たる位置に設け
られている。該レンズ素子14は本実施の形態ではシリ
コンナイトライドSi3 N4 からなる。通常のレンズ素
子は2酸化シリコンSiO2であるが、本例においてシ
リコンナイトライドSi3 N4 を用いるのは、屈折率が
2.0と大きく、後に説明する透明膜(15)の材料選
択の幅を広くすることができるからである。
接覆うことにより封止し空気を介在させなくても済むよ
うにするが、そのためには、レンズ素子と直接接する上
記透明膜(15)の材料として、レンズ素子14よりも
屈折率の小さいものを選択しなければならない。しか
し、SiO2 の屈折率1.5より小さい屈折率の樹脂は
少ない。そこで、レンズ素子14の材料として2.0と
いう大きな屈折率を有するシリコンナイトライドSi3
N4 を選んだのであるが、必ずしもそれに限定されるも
のではない。勿論、屈折率が1.5よりも小さく、透明
度、封止性等において必要な条件を充分に有する透明材
料があれば、レンズ素子を従来どうりSiO2 で形成し
ても良いことはいうまでもない。
4bはその平坦な頂部14aに連なる凸球面部であり、
レンズ素子14の周面を成す。このように、本発明にお
けるレンズ素子14はその頂部が平坦にされているので
あり、それは、後でも説明するとおり、斜めの光に対す
る感度低下を少なくするためである。
14aを平坦化するために用いる平坦化用の透明膜で、
本実施の形態においては、SiO2 からなり、頂部が平
坦にされたレンズ素子14の高さと同じ厚みを有し、そ
の表面とレンズ素子14の平坦な頂部14aとは同一平
面を形成している。この平坦化用の透明膜15に要求さ
れる最も重要な条件は、レンズ素子14よりも屈折率が
小さいことである。この透明膜15はレンズ素子14の
頂部14aを平坦化するために必要となったものであ
る。尚、どのように平坦化するかについては後で説明す
る。
1.33(レンズ素子14材料の屈折率2.0/平坦化
用の透明膜15材料の屈折率1.5)となる。
板11を封止する、樹脂からなる透明パッケージであ
り、半導体基板11をその間に空気を介在させることな
く直接封止する。この樹脂16はレンズ素子14の平坦
な部分14aと接し、その界面は平坦なので、屈折率が
どのような値であってもレンズ素子14の集光機能に支
障を来さない。従って、封止用投影パッケージの屈折率
について特に制限が無く、材料選択の自由度が大きい。
17はリード(端子)である。
素子14がドーム状体の頂部14aを基板11表面と平
行に平坦化してなるので、頂部14aに入射した光は相
当に斜めであっても受光素子12に入射され得る。従っ
て、斜めな入射光であって周面14bに入射する光に対
する感度低下はある程度は避けられないが、頂部14a
に入射した斜めな光に対しては感度が高まるので、斜め
な光に対する感度低下を最小限に抑制することができ
る。
を用いなくても良いので、透明な樹脂で封止することが
でき、組み立てコストの低減を図ることができる。
ような値であってもレンズ素子14とは、その平坦な頂
部14aと接するが、球面14bには接しないので、そ
のレンズ効果には影響しない。従って、封止樹脂16に
は屈折率に関する制約が無いので、材料選択について自
由度が高まる。
(B)の固体撮像装置の製造方法の要部を工程順に示す
断面図である。
3上の各受光素子12と対応する部分に例えばSi3 N
4 からなるドーム状レンズ素子14を形成する。該レン
ズ素子14の形成は、その材料となる例えばSi3 N4
膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜の選択的エッ
チングにより各画素間を仕切る溝を形成し、その後、加
熱処理によりレジスト膜を軟化させてその表面張力によ
りドーム状に変形させ、硬化させ、しかる後、該レジス
ト膜及びレンズ材料膜たるSi3N4膜をエッチバック
することにより行うことができる。
面に例えばSiO2からなる透明膜15を形成する。
レンズ素子14の頂部が露出後においてはそのレンズ素
子14の頂部をも含めた透明膜15の研磨により透明膜
15の厚さが所定の厚さになるまで研磨を続けることに
より、図2(C)に示すように、レンズ素子14の頂部
14aの平坦化を図る。これにより頂部14aを平坦化
したレンズ素子14を得ることができる。
も良いし、化学的機械研磨により行っても良いことは言
うまでもない。
れた頂部に入射した光は斜めの光であっても受光部に入
射されるので、入射角度の大きな光の感度低下を防止す
ることができる。そして、透明樹脂で封止した場合、そ
の透明樹脂はレンズ素子とはその平坦な頂部と接し、球
面部分とは接しないので、屈折率がどんな値であっても
もレンズ素子の集光機能に支障を来さない。従って、透
明樹脂により封止することができ、封止に中空パッケー
ジを必要としない。また、封止用透明樹脂の屈折率に制
約が無いので、材料選択の自由度が高い。
レンズ素子の形成後、それより小さい屈折率の透明膜を
そのレンズ素子を完全に覆うように形成し、その後透明
膜及びレンズ素子を研磨するので、頂部が平坦化された
レンズ素子を形成することができる。そして、透明膜は
レンズ素子よりも屈折率が小さいので、レンズ素子のレ
ンズ機能に支障を与えない。
実施の形態を示すもので、(A)は全体を示す断面図、
(B)は要部を示す断面図である。
方法の第1の実施の形態を工程順に示す断面図である。
で封止した固体撮像装置の従来例を示す断面図である。
・レンズ素子、15・・・透明膜、16・・・封止用透
明樹脂。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板の上部に形成された固体撮像
素子の各受光部上方にレンズ素子が形成された固体撮像
装置において、 上記レンズ素子上に該レンズ素子の材料よりも屈折率の
低い透明膜が形成され、 上記各レンズ素子の頂部が平坦化されてなることを特徴
とする固体撮像装置。 - 【請求項2】 半導体基板の上部に形成された固体撮像
素子の各受光部上方にレンズ素子を形成した後、該レン
ズ素子の材料の屈折率より低い屈折率の透明膜をレンズ
素子上にその頂部を完全に覆うように形成し、 その後、上記透明膜及びレンズ素子の頂部を研磨により
平坦化することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17695896A JP3399495B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17695896A JP3399495B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022487A true JPH1022487A (ja) | 1998-01-23 |
JP3399495B2 JP3399495B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=16022696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17695896A Expired - Fee Related JP3399495B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 固体撮像装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3399495B2 (ja) |
Cited By (5)
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-
1996
- 1996-07-08 JP JP17695896A patent/JP3399495B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US11156751B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-10-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging optical system, camera module, and electronic device |
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---|---|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
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