JPS611077A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS611077A JPS611077A JP59119836A JP11983684A JPS611077A JP S611077 A JPS611077 A JP S611077A JP 59119836 A JP59119836 A JP 59119836A JP 11983684 A JP11983684 A JP 11983684A JP S611077 A JPS611077 A JP S611077A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- laser
- polarization
- returning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信や光情報処理装置の光源として近年実用
化の段階に達した半導体レーザ装置に関するものである
。
化の段階に達した半導体レーザ装置に関するものである
。
（従来例の構成とその問題点）
半導体レーザは発振スペクトル幅が狭く、コヒーレント
長が長いが、レーザ光の干渉性が良いために半導体レー
ザ内に戻り光があると発振状態が不安定となり雑音が発
生する。
長が長いが、レーザ光の干渉性が良いために半導体レー
ザ内に戻り光があると発振状態が不安定となり雑音が発
生する。
オーディオディスクやビデオディスクの読出しに半導体
レーザを用いる場合、ディスクと半導体レーザ間に四分
の一波長板と偏光ビームスプリッタからなる光アイソレ
ータを挿入し、戻り光をできるだけ少なくする方法がと
られる。また光ピツクアップを小型で安価なものとする
ためにビームスプリッタのみを用いる方法もある。この
場合は半導体レーザ内への戻り光を逆に多く（１％以上
）することにより、スペクトル幅を広げ、レーザ光の干
渉性を悪くして雑音レベルを低くしている。
レーザを用いる場合、ディスクと半導体レーザ間に四分
の一波長板と偏光ビームスプリッタからなる光アイソレ
ータを挿入し、戻り光をできるだけ少なくする方法がと
られる。また光ピツクアップを小型で安価なものとする
ためにビームスプリッタのみを用いる方法もある。この
場合は半導体レーザ内への戻り光を逆に多く（１％以上
）することにより、スペクトル幅を広げ、レーザ光の干
渉性を悪くして雑音レベルを低くしている。
上記２種類の光ピツクアップの光学系を第１図（ａ）、
（ｂ）に示す。同図（ａ）において、半導体レーザ光
は直線偏光のため、四分の一波長板４を通過すると円偏
光に変換される。そしてフォーカスレンズ５を通り、デ
ィスク６により反射されたレーザ光は再び四分の一波長
板４を通る。この時円偏光が直線偏光に戻るが、その偏
光方向は半導体レーザ１から出射した時より９０°回転
している。第１図（ａ）の光ピツクアップでは偏光方向
により透過率が異なるビームスプリッタ３を用い、ディ
スク６からの反射光は偏光ビームスプリッタ３によリ反
射させ、ディテクタレンズ７を介して光検出素子８に導
くようにしている。この光学系によれば四分の一波長板
４と偏光ビームスプリッタ３の精度により戻り光をいく
らでも少なくできるがコストが高くなり光ピツクアップ
の小型化にも不利である。なお、第１図（ａ）において
、２はコリメートレンズを示す。
（ｂ）に示す。同図（ａ）において、半導体レーザ光
は直線偏光のため、四分の一波長板４を通過すると円偏
光に変換される。そしてフォーカスレンズ５を通り、デ
ィスク６により反射されたレーザ光は再び四分の一波長
板４を通る。この時円偏光が直線偏光に戻るが、その偏
光方向は半導体レーザ１から出射した時より９０°回転
している。第１図（ａ）の光ピツクアップでは偏光方向
により透過率が異なるビームスプリッタ３を用い、ディ
スク６からの反射光は偏光ビームスプリッタ３によリ反
射させ、ディテクタレンズ７を介して光検出素子８に導
くようにしている。この光学系によれば四分の一波長板
４と偏光ビームスプリッタ３の精度により戻り光をいく
らでも少なくできるがコストが高くなり光ピツクアップ
の小型化にも不利である。なお、第１図（ａ）において
、２はコリメートレンズを示す。
第１図（ｂ）の光ピツクアップではビームスプリッタ（
ハーフミラ−）９のみでディスク６からの反射光を分割
しているので半導体レーザ１内にかなりの戻り光が入る
。半導体レーザは一般に戻り光がない状態では単−縦モ
ード発振であるが、戻り光が多いと縦モードがマルチ化
し、戻り光誘起雑音は低くなる。しかし素子毎にばらつ
きがあるので、第１図（ｂ）の光学系では雑音レベルが
システムの許容値を越える恐れがある。
ハーフミラ−）９のみでディスク６からの反射光を分割
しているので半導体レーザ１内にかなりの戻り光が入る
。半導体レーザは一般に戻り光がない状態では単−縦モ
ード発振であるが、戻り光が多いと縦モードがマルチ化
し、戻り光誘起雑音は低くなる。しかし素子毎にばらつ
きがあるので、第１図（ｂ）の光学系では雑音レベルが
システムの許容値を越える恐れがある。
（発明の目的）
本発明は光アイソレータなどの高価な部品を使わない光
ピツクアップで、戻り光誘起雑音をより低く抑えること
のできる半導体レーザ装置を提供するものである。
ピツクアップで、戻り光誘起雑音をより低く抑えること
のできる半導体レーザ装置を提供するものである。
（発明の構成）
この目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、四分の一波長板を内蔵し、パッケージからの出射レ
ーザ光を円偏光にし、再びパッケージにレーザ光が戻っ
て来て半導体レーザ素子に入る最初と９０°偏光方向が
異なった直線偏光にし、干渉効果を小さくして戻り光誘
起雑音を低くするという構成になっている。
は、四分の一波長板を内蔵し、パッケージからの出射レ
ーザ光を円偏光にし、再びパッケージにレーザ光が戻っ
て来て半導体レーザ素子に入る最初と９０°偏光方向が
異なった直線偏光にし、干渉効果を小さくして戻り光誘
起雑音を低くするという構成になっている。
（実施例の説明）
第２図は、本発明の第１の実施例における半導体レーザ
装置の構造の断面図で、１０はステム本体、１１はキャ
ップ、１２は透明な出射窓、１３は四分の一波長板、１
４は半導体レーザ素子、１５はヒートシンク（サブマウ
ント）、１６はリード線である。
装置の構造の断面図で、１０はステム本体、１１はキャ
ップ、１２は透明な出射窓、１３は四分の一波長板、１
４は半導体レーザ素子、１５はヒートシンク（サブマウ
ント）、１６はリード線である。
同図において、四分の一波長板１３が、半導体レーザ素
子１４と出射窓１２との間に設けられ、直線偏光を円偏
光にして出射窓１２よりレーザ光を出射している。外部
よりレーザ光が戻って来た時は、再び四分の一波長板１
３を通過するので、出射時とは９０°偏光方向が回転し
た直線偏光となってレーザ素子１４内に入る。
子１４と出射窓１２との間に設けられ、直線偏光を円偏
光にして出射窓１２よりレーザ光を出射している。外部
よりレーザ光が戻って来た時は、再び四分の一波長板１
３を通過するので、出射時とは９０°偏光方向が回転し
た直線偏光となってレーザ素子１４内に入る。
四分の一波長板の戻り光誘起雑音低減効果を示す例を第
３図に示す。偏光方向を直交させることにより約８ｄＢ
雑音レベルを下げることができる。
３図に示す。偏光方向を直交させることにより約８ｄＢ
雑音レベルを下げることができる。
第４図に示す第２の実施例では四分の一波長板を出射窓
１７と兼用させている。
１７と兼用させている。
（発明の効果）
以上のように本発明の四分の一波長板を内蔵した半導体
レーザ装置によれば、光アイソレータを用いない光ピツ
クアップにおいて戻り光誘起雑音を減少させることがで
き、また光ピツクアップにとどまらず、戻り光が存在す
る場合において、半導体レーザのＳＮ比を改善できる。
レーザ装置によれば、光アイソレータを用いない光ピツ
クアップにおいて戻り光誘起雑音を減少させることがで
き、また光ピツクアップにとどまらず、戻り光が存在す
る場合において、半導体レーザのＳＮ比を改善できる。
第１図（ａＬ （ｂ）は光ピッアップの光学系を示す図
、第２図は本発明の半導体レーザの断面図、第３図は本
発明の半導体レーザの雑音低減効果を示す図、第４図は
本発明の第２の実施例による半導体レーザの断面図を示
す図である。 １ ・・・半導体レーザ、 ２・・・コリメートレン
ズ、 ３ ・・・偏光ビームスプリッタ、 ４・・・四
分の一波長板、 ５ ・・・ フォーカスレンズ、
６・・・ディスク、 ７・・・ディテクタレンズ、
８ ・・・光検出素子、 ９ ・・・ビームスプリッタ
（ハーフミラ−）、 １０・・・ステム本体、 １１・
・・キャップ、 １２・・・出射窓、 １３．１７・・
・四分の一波長板、 １４・・・半導体レーザ素子、
１５・・・ヒートシンク（サブマウント）、 １６・・
リード線。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 （ｂ） 第２図 第３図 （ｄＢ／Ｈｚ１ ３辷り九μｔ （％） 第４ Ｏ
、第２図は本発明の半導体レーザの断面図、第３図は本
発明の半導体レーザの雑音低減効果を示す図、第４図は
本発明の第２の実施例による半導体レーザの断面図を示
す図である。 １ ・・・半導体レーザ、 ２・・・コリメートレン
ズ、 ３ ・・・偏光ビームスプリッタ、 ４・・・四
分の一波長板、 ５ ・・・ フォーカスレンズ、
６・・・ディスク、 ７・・・ディテクタレンズ、
８ ・・・光検出素子、 ９ ・・・ビームスプリッタ
（ハーフミラ−）、 １０・・・ステム本体、 １１・
・・キャップ、 １２・・・出射窓、 １３．１７・・
・四分の一波長板、 １４・・・半導体レーザ素子、
１５・・・ヒートシンク（サブマウント）、 １６・・
リード線。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 （ｂ） 第２図 第３図 （ｄＢ／Ｈｚ１ ３辷り九μｔ （％） 第４ Ｏ
Claims (1)
- 四分の一波長板を、半導体レーザ装置パッケージ内また
は出射窓部に設け、前記パッケージ内からの半導体レー
ザ出射ビームの偏光方向を直線偏光から円偏光に変換す
ることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119836A JPS611077A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119836A JPS611077A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611077A true JPS611077A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14771455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119836A Pending JPS611077A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611077A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| US4987566A (en) * | 1985-07-29 | 1991-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
| JP2004088129A (ja) * | 2003-12-08 | 2004-03-18 | Sony Corp | レーザ光発生装置 |
| JP2011066031A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP2011086794A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| JP2013088592A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置および画像形成装置 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59119836A patent/JPS611077A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987566A (en) * | 1985-07-29 | 1991-01-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head apparatus |
| US4811350A (en) * | 1986-08-05 | 1989-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus |
| US5268922A (en) * | 1991-10-31 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Laser diode assembly |
| JP2004088129A (ja) * | 2003-12-08 | 2004-03-18 | Sony Corp | レーザ光発生装置 |
| JP2011066031A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP2011086794A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
| JP2013088592A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置および画像形成装置 |
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